JPH06342472A - 残渣の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フィルムキャリア等にエッチング等の手段で
形成されたパタ−ンとパタ−ンとの間に存在する残渣を
自動的に検査する方法を提供すること。 【構成】 被測定パタ−ンの間隙に存在する前記残渣の
大きさを初期設定し，被測定パタ−ンの画像デ−タを画
像メモリに記憶するとともに，これを二値化処理し，検
査範囲を設定して，この検査範囲内の被測定パターンの
境界を追跡してラベリングし，この被測定パタ−ンのラ
ベリングデ−タとマスタパタ−ンのラベリングデ−タと
を比較して，マスタパタ−ンのラベリングデ−タ以外の
ラベリングデ−タを残渣と認識して抽出し，この残渣と
認識されたラベリングデ−タの内，検査範囲のいずれの
辺にも接していないラベリングデ−タを抽出してその大
きさを求め，このラベリングデ−タが初期設定した残渣
の大きさ以上の場合を残渣として被測定パタ−ンを不良
品と判定するようにしたものである。 【効果】 パタ−ンとパタン−ンとの間に存在する残渣
を自動的に検査できるとともに，その大きさを判定して
良品，不良品を判定出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は，フィルムキャリア等
にエッチングにより形成されたパタ−ンを自動的に検査
する方法に関するもので，特に，パタ−ンとパタ−ンと
の間に存在する銅残等の残渣の検査方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来，ＩＣ，ＬＳＩの実装に用いられる
フィルムキャリアは，厚さ７５〜１２５μｍ程度のポリ
イミドフィルムの上に，銅箔を接着剤で貼り付け，両面
にフォトレジストを塗布し，マスク露光，現像，エッチ
ングを行ってリ−ドのパタ−ンが形成されている。

【０００３】このようにしてパタ−ンを形成した後，フ
ォトレジストが除去され，リ−ドの表面にＳｎ，Ａｕ，
半田メッキ処理を行ってフィルムキャリア工程が終了す
る。この工程終了後，顕微鏡を用いて人間により目視で
パタ−ンの検査が行われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする問題点】このように，微細な
パタ−ンを目視で検査するには，熟練を要するととも
に，目を酷使する結果となる等の問題があった。一方，
目視検査に代わるものとして，パタ−ンをＴＶカメラで
撮像し，基準パタ−ンとして被測定パタ−ンとの一致率
をもとにして検査を行うパタ−ンマッチング手法による
ことも考えられる。しかしながら，一致率は下式で表さ
れるように，画素単位の計測であり，フィルムキャリア
のような微細なパタ−ンの検査には不向きである。 一致率＝｛（全体の画素−一致していない画素）／（全
体の画素）｝×１００％ 又，エッチング処理によりパタ−ンが形成されているの
で，パタ−ンとパタ−ンとの間に銅残のような残渣が存
在する場合には，設計通りのパタ−ン間隔が得られず，
パタ−ンとパタ−ンとが短絡する原因となっていた。

【０００５】

【問題点を解決するための手段】この発明は，被測定パ
タ−ンの間隙に存在する前記残渣の大きさを初期設定
し，被測定パタ−ンの画像デ−タを画像メモリに記憶す
るとともに，これを二値化処理し，検査範囲を設定し
て，この検査範囲内の被測定パターンの境界を追跡して
ラベリングし，この被測定パタ−ンのラベリングデ−タ
とマスタパタ−ンのラベリングデ−タとを比較して，マ
スタパタ−ンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−
タを残渣と認識して抽出し，この残渣と認識されたラベ
リングデ−タの内，検査範囲のいずれの辺にも接してい
ないラベリングデ−タを抽出してその大きさを求め，こ
のラベリングデ−タが初期設定した残渣の大きさ以上の
場合を残渣として被測定パタ−ンを不良品と判定するよ
うにしたものである。

【０００６】又，被測定パタ−ンの最小間隔の判定基準
値を初期設定し，検査範囲のいずれかの辺に接している
接辺デ−タを求め，この接辺デ−タがマスタパタ−ンの
接辺デ−タと比較し，マスタパタ−ンのラベリングデ−
タ以外のラベリングデ−タを残渣と認識して抽出し，こ
の残渣と認識されたラベリングデ−タが，初期設定した
パタ−ンの最小間隔より大きい場合を残渣として被測定
パタ−ンを不良品と判定するようにしている。

【０００７】又，被測定パタ−ンの最小間隔の判定基準
値を初期設定し，被測定パタ−ンの画像デ−タを画像メ
モリに記憶するとともに，これを二値化処理し，検査範
囲を設定して，この検査範囲内の被測定パターンをラベ
リングし，この被測定パタ−ンのラベリングデ−タとマ
スタパタ−ンのラベリングデ−タとを比較して，マスタ
パタ−ンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを
残渣と認識して抽出し，この残渣と認識されたラベリン
グデ−タのみを他の画像メモリに転送して記憶し，被測
定パタ−ンのみのラベリングデ−タを，初期設定した最
小間隔になるように被測定パタ−ンを膨張処理し，この
膨張処理された被測定パタ−ンのラベリングデ−タと他
の画像メモリに記憶されている残渣のラベリングデ−タ
とを画像メモリ間でＡＮＤをとり，その結果，ラベリン
グデ−タが検出された時を不良品，検出されなかった時
を良品と判定するようにしたものである。

【０００８】

【作用】設定された検査範囲内のマスタパタ−ンと被測
定パタ−ンとのラベリングデ−タを比較して，マスタパ
タ−ンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを残
渣として認識して抽出し，この抽出されたラベリングデ
−タの内，検査範囲のいずれの辺にも接していないラベ
リングデ−タと，検査範囲の辺のいずれかに接している
ラベリングデ−タを分類する。次いで，パタ−ンとパタ
−ンとの間隙に存在する残渣の場合には，その大きさを
求め，この値が初期設定した残渣の大きさ以上の場合を
残渣と判定して不良品と判定する。

【０００９】検査範囲内のいずれかの辺に接している残
渣の場合には，残渣と認識した接辺デ−タを求め，この
接辺デ−タを初期設定されている最小間隔の判定基準値
より大きい場合を残渣と判定して被測定パタ−ンを不良
品と判定する。

【００１０】又，残渣として認識された対象物としての
ラベリングデ−タのみを他の画像メモリに転送し，残っ
た被測定パタ−ンのみのラベリングデ−タを初期設定し
た最小間隔，即ち，判定基準値となるように被測定パタ
−ンを膨張処理した後，他の画像メモリに記憶されてい
る残渣の画像と被測定パタ−ンの画像との間で，画像メ
モリ間でＡＮＤをとり，残渣が判定基準値より大の時
は，被測定パタ−ンのデ−タと残渣のデ−タとがＡＮＤ
された箇所のラベリングデ−タのみが検出されるから，
この場合は不良品と判定される。残渣が小さい時は，対
象物のラベリングデ−タは検出されないので，この場合
は，良品と判定される。

【００１１】

【発明の実施例１】この発明の実施例を，図１〜図４に
基づいて詳細に説明する。図１はこの発明の実施例を示
す処理フロ−，図２は構成図，図３はラベリング回路の
構成図，図４，図５はそれぞれ検査範囲内におけるパタ
−ンおよび残渣を示す図，図６〜図８は説明図である。

【００１２】まず，具体的なパタ−ン検査装置につい
て，図２に示す構成図および図３に示すラベリング回路
の構成図に基づいて説明する。図２において，１は撮像
装置，２はＡ／Ｄ変換器，３は二値化処理回路，４はラ
ベリング回路，５はＣＰＵで，基準パタ−ンとして基準
デ−タメモリ６に登録されているマスタパタ−ンと被測
定パタ−ンとのラベリングデ−タを比較演算して，図
４，図５に示すように，マスタパタ−ンＭのラベリング
デ−タ以外のデ−タを残渣８，９（以下，銅残８，９と
記す）として認識して抽出する。さらに，初期設定され
ている銅残８の大きさ，あるいはパタ−ン１０の最小間
隔ａとが比較演算される。

【００１３】７は判定結果表示部で，ＣＰＵ５で比較演
算された結果から，被測定パタ−ンの良品，不良品を判
定し，その結果が表示される。１１は画像メモリで，被
測定パタ−ンのデジタル信号に変換された濃淡画像が一
時格納される。

【００１４】図３において，２０はワ−キングメモリ
で，この実施例では，１フレ−ムが５１２×４８０画素
の４フレ−ム分格納出来る記憶容量を備えたメモリが用
いられている。このワ−キングメモリ２０には，二値化
処理回路３から二値画像のデ−タ列がＦ／Ｆ回路２１お
よびバッファ−部２２を介して入力すると，画像の境界
点のみがプロットされる。

【００１５】２３は二値画像のデ−タのＸ座標およびＹ
座標の位置を決定するＸ−Ｙアップダウンカウンタ，２
４はラベルコントロ−ラ，２５は境界メモリ２６のアド
レスを決定するアドレスカウンタである。境界メモリ２
６には，境界を追跡した点のアドレス（Ｘ，Ｙ），即
ち，ラベリングデ−タが記憶される。

【００１６】次に，作用動作について，図１〜図８に基
づいて説明する。検査に先立って，良品，不良品の判定
基準となるマスタパタ−ンを作成して基準デ−タメモリ
６に登録しておかねばならない。マスタパタ−ンの作成
に当たっては，良品と判定されている被測定パタ−ンか
らマスタパタ−ンが作成され，これはマスタパタ−ン情
報として基準デ−タメモリ６に記憶されている。

【００１７】次に，マスタパタ−ンが作成されなければ
ならない，以下，マスタパタ−ンの作成方法について，
図６〜図８に基づいて詳細に説明する。撮像装置１で撮
像され，良品と判定されている被測定パタ−ンの濃淡画
像は，図６にそのパタ−ンの一部が示され，図７，図８
にその拡大図が示されているように，Ａ／Ｄ変換器２で
デジタル信号に変換された後，二値化処理回路３に入力
する。

【００１８】二値化処理回路３においては，図７，図８
に示すように，濃淡画像が白→黒，黒→白と変化してい
る点の中点において，しきい値Ｓ_L と交叉するものとの
仮定のもとに，全体画像の濃淡ヒストグラムから二値化
処理され，しきい値Ｓ_L の両隣の白，黒の画素において
比例配分でしきい値Ｓ_L をよぎるＸ又はＹ座標値Ｎ
₁（４．５，２），Ｎ₂ （５，２．５），Ｎ₃ （５．
５，３）・・・・で示される二値画像のデ−タ列が求め
られる。

【００１９】この求められた二値画像のデ−タ列が，ラ
ベリング回路４に入力されると，ラベリング回路４内の
ワ−キングメモリ２０の中に画像の境界点のみがプロッ
トされる。

【００２０】次に，検査範囲３０を設定する一つの手法
として，ウインド（以下，ウインド３０と記す）内のパ
タ−ン１０について，ワ−キングメモリ２０の内容を１
画素づつＴＶのラスタ方向に走査して，境界点が調べら
れる。ワ−キングメモリ２０から読み出された内容が境
界点であった場合には，この時点から，Ｘ−Ｙアップダ
ウンカウンタ２３により境界が追跡されるとともに，こ
の追跡した点のアドレス（Ｘ，Ｙ），即ちラベリングデ
−タが境界メモリ２６に次々格納される。

【００２１】このようにして，境界メモリ２６に読み込
まれたマスタパタ−ンのラベリングデ−タは，基準パタ
−ンとして基準デ−タメモリ６に転送され格納される
（ステップ４０）。

【００２２】次に，被測定パタ−ンについて，実際に残
渣である銅残８，９の検査をする場合について図１〜図
５に基づいて説明する。被測定パタ−ンは，リ−ルに巻
き取られており，巻出し部（図示せず）から，１コマず
つ送り出され，撮像装置１により被測定パタ−ンが撮像
される。この時，撮像された画像は，図６に示すような
濃淡画像となり，Ａ／Ｄ変換器２でデジタル化されて，
画像メモリ１１に一旦記憶される（ステップ４２）。画
像メモリ１１に記憶さているマスタパタ−ンとこの被測
定パタ−ンとは，ＣＰＵ５に読み出され，位置合わせし
た後，比較，照合されて，被測定パタ−ンが検査され
る。

【００２３】ここで，銅残が存在する態様としては，
（１）図４に示すように，ウインド３０のいずれの辺に
も接しておらず，パタ−ン１０とパタ−ン１０との間に
存在している場合（銅残８），（２）図５に示すよう
に，ウインド３０のいずれかの辺に接して存在している
場合（銅残９）とが考えられる。

【００２４】そこで，この実施例１では，（１）銅残８
が，図４に示すように，ウインド３０のいずれの辺にも
接しておらず，パタ−ン１０とタ−ン１０との間に独立
して存在している場合について，図１〜図４に基づいて
説明し，銅残の態様（２）の場合については，実施例２
で説明する。

【００２５】ここで，被測定パタ−ンをマスタパタ−ン
と比較，照合して検査する場合の前提条件について説明
する。 （１）マスタパタ−ンおよび被測定パタ−ンは，ウイン
ド３０によってマスクされ，このウインド３０の中のパ
タ−ンのみが検査の対象となる。 （２）ウインド３０によって一部分切り出された被測定
パタ−ンの内，図４に示すように，マスタパタ−ンにな
い，例えば，ウインド３０の４辺のいづれにも接してい
ないパタ−ン８（銅残）で示される形状のパタ−ン部分
は，銅残８として認識する。 （３）検査は，必ず出発点Ｓからウインド３０の４辺を
一定方向に回って進められ，最後に出発点Ｓに戻り，画
面の検査が完了する。

【００２６】このような前提条件のもとに，図１に示す
ように，以下の手順で被測定パタ−ンの検査が行われ
る。まず，初期条件として，図４に示す銅残８の大きさ
の判定基準値が設定される（ステップ４１）。マスタパ
タ−ンと同様にして，撮像装置１により被測定パタ−ン
が撮像され，Ａ／Ｄ変換器２でデジタル信号に変換され
た後，画像メモリ１１に一旦記憶される（ステップ４
２）。

【００２７】画像メモリ１１から読み出された被測定パ
タ−ンの全体画像は，マスタパタ−ンと同様に，二値化
処理回路３において，二値化処理されて二値画像のデ−
タ列が求められる（ステップ４３）。次に，ウインド３
０が切られ（ステップ４４），このウインド３０内のパ
タ−ン１０に対して，求められた二値画像のデ−タ列が
ラベリング回路４に入力されると，ラベリング回路４内
のワ−キングメモリ２０の中に被測定パタ−ンの画像の
境界点のみがプロットされる。

【００２８】次に，ウインド３０内のパタ−ン１０につ
いて，ワ−キングメモリ２０の内容を１画素づつＴＶの
ラスタ方向に走査して，境界点が調べられる。ワ−キン
グメモリ２０から読み出された内容が境界点であった場
合には，この時点から，Ｘ−Ｙアップダウンカウンタ２
３により境界が追跡されるとともに，この追跡した点の
アドレス（Ｘ，Ｙ），即ちラベリングデ−タが境界メモ
リ２６に格納される。

【００２９】１個のパタ−ン１０の境界追跡が完了した
時点，即ち，境界を追跡し，開始点に戻った時点てバッ
ファ−部２２を介してＸ−Ｙアップダウンカウンタ２３
とラベリングコントロ−ラ２４との制御のもとに，ＩＮ
ＴＲ信号によりＣＰＵ５へ割り込みが発生する。この割
り込みにより，ソフトウエアは境界のラベリングデ−タ
を境界メモリ２６から引き取る。ソフトウエアがこのラ
ベングデ−タを引き取っている間に，次のパタ−ンの境
界の追跡が開始される。このようにして，被測定パタ−
ンは次々とラベリングされる（ステップ４５）。

【００３０】このようにして抽出された被測定パタ−ン
のラベリングデ−タは，ＣＰＵ５において，基準パタ−
ンとして登録されているマスタパタ−ンと比較され，図
４，図５に示すように，マスタパタ−ンのラベリングデ
−タ以外のラベリングデ−タを銅残８，９と認識して抽
出される（ステップ４６）。

【００３１】次いで，銅残８，９と認識されたパタ−ン
について，図４に示すように，ウインド３０の４辺のい
づれにも接していない銅残８と，図５に示すように，ウ
インド３０の４辺のいずれかに接している銅残９とが分
類され（ステップ４７），デ−タが抽出される（ステッ
プ４８）。この分類された結果，銅残８と認識されたパ
タ−ンについては，その大きさが測定される（ステップ
４９）。その測定結果は，判定結果表示部７において初
期設定されている判定基準値と比較され，銅残８が判定
基準値より小さい場合には良品，大きい場合には不良品
と判定表示される（ステップ４９）。

【００３２】

【発明の実施例２】この実施例では，図５に示すよう
に，銅残９がウインド３０のいずれかの辺に接して存在
している場合について説明する。被測定パタ−ンをマス
タパタ−ンと比較，照合して検査する場合の前提条件と
しては，（１）および（３）は実施例１と同様であるか
ら記載を省略する。しかし，実施例１の前提条件（２）
とは異なり，以下の前提条件（４）となる。 （４）ウインド３０によって一部分切り出された被測定
パタ−ンの内，図５に示すように，マスタパタ−ンにな
く，例えば，ウインド３０の４辺のいづれかに接してい
るパタ−ン９（銅残）で示される形状のパタ−ン部分
は，銅残９として認識する。

【００３３】このような前提条件（１），（２），
（４）のもとに，以下の手順で被測定パタ−ンの検査が
行われる。実施例１で述べたと同様な手順で，被測定パ
タ−ンのラベリングデ−タが抽出される。この抽出され
た被測定パタ−ンのラベリングデ−タの内，ウインド３
０のいづれかの辺に接している接辺デ−タが求められ，
図５に示すように，マスタパタ−ンのラベリングデ−タ
以外のラベリングデ−タが，銅残９として認識されて抽
出される（ステップ５０）。

【００３４】次いで，銅残９と認識されたパタ−ンは，
その間隔が測定される。その測定結果は，判定結果表示
部７において初期設定されている最小間隔を示す判定基
準値と比較され，銅残９が判定基準値より小さい場合に
は良品，大きい場合には不良品と判定表示される（ステ
ップ５１）。

【００３５】

【発明の実施例３】この発明の第３の実施例を，図９〜
図１５に基づいて説明する。図１１に示すように，被測
定パタ−ンを良品と判定するためには，パタ−ン１０の
間隔が最小間隔ａ以上でなければならない。従って，こ
の最小間隔ａの間に銅残８，９が存在しないことが良品
の条件である。そこで，この実施例では，最小間隔ａか
ら被測定パタ−ンの良品，不良品を判定するようにした
ものである。

【００３６】図９は第３の実施例を示す処理フロ−，図
１０は同様に第３の実施例を示す構成図，図１１〜図１
５は処理手順を示す説明図である。図１０において，Ｃ
ＰＵ５は銅残８，９と認識されたデ−タを一時格納する
画像メモリ５ａ，被測定パタ−ンを膨張処理する膨張処
理部５ｂ，画像メモリ５ａのデ−タと膨張処理部５ｂの
被測定パタ−ンのデ−タとのＡＮＤをとるＡＮＤ回路５
ｃとを備えている。なお，画像メモリ５ａは，ＣＰＵ５
に内蔵型ではなく，外部メモリを用いてもよい。

【００３７】上記，実施例１，２と同様に，ＣＰＵ５に
おいて，マスタパタ−ンと被測定パタ−ンとを比較した
結果，図１３に示すように，マスタパタ−ンにないラベ
リングデ−タから銅残８，９と認識されたラベリングデ
−タは，他の画像メモリ５ａに転送され（ステップ６
０），図１２，図１３にそれぞれ示すように，被測定パ
タ−ンのみの画像デ−タと銅残８，９のみの画像デ−タ
とに分類される。

【００３８】図１２に示すように，残ったパタ−ン１０
は，図１４に示すように，ＣＰＵ５において最小間隔ａ
になるように，最小間隔ａの幅分だけのこして，即ち，
幅ａに相当する幅分膨張処理される（ステップ６１）。
従って，パタ−ン１０’は，図１４に示すように，ａ画
素分だけパタ−ンの幅が広くなる。なお，この膨張処理
は，この実施例ではＣＰＵ５において行っているが，外
部回路により実施することも出来る。

【００３９】次いで，画像メモリ５ａに格納されている
銅残８，９と，図１４に示す膨張処理されたパタ−ン１
０’とは，ＡＮＤ回路５ｃにおいてＡＮＤされる（ステ
ップ６２）。

【００４０】この結果，図１５に銅残８として示されて
いるように，この銅残８の幅がパタ−ンの最小間隔ａよ
り大きい場合には，対象物８ａ，８ｂのラベリングデ−
タが検出される。又，銅残９のように，その幅がパタ−
ンの最小間隔ａより小さい場合には，対象物が存在せ
ず，従ってラベリングデ−タは検出されない。しかし，
この例では，銅残８が存在するため，パタ−ンの最小間
隔ａを満足していないので，不良品と判定される（ステ
ップ６３）。

【００４１】

【発明の効果】この発明は，被測定パタ−ンの間隙に存
在する前記残渣の大きさを初期設定し，被測定パタ−ン
の画像デ−タを画像メモリに記憶するとともに，これを
二値化処理し，検査範囲を設定して，この検査範囲内の
被測定パターンの境界を追跡してラベリングし，この被
測定パタ−ンのラベリングデ−タとマスタパタ−ンのラ
ベリングデ−タとを比較して，マスタパタ−ンのラベリ
ングデ−タ以外のラベリングデ−タを残渣と認識して抽
出し，この残渣と認識されたラベリングデ−タの内，検
査範囲のいずれの辺にも接していないラベリングデ−タ
を抽出してその大きさを求め，このラベリングデ−タが
初期設定した残渣の大きさ以上の場合を残渣として被測
定パタ−ンを不良品と判定し，又，被測定パタ−ンの最
小間隔の判定基準値を初期設定し，検査範囲のいずれか
の辺に接している接辺デ−タを求め，この接辺デ−タが
マスタパタ−ンの接辺デ−タと比較し，マスタパタ−ン
のラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを残渣と認
識して抽出し，この残渣と認識されたラベリングデ−タ
が，初期設定したパタ−ンの最小間隔より大きい場合を
残渣として被測定パタ−ンを不良品と判定するようにし
たので，従来，人間により目視で行われていた被測定パ
タ−ンの検査を自動的に行うことが出来るとともに，パ
タ−ンとパタ−ンとの間に存在する残渣を検出して，そ
の大きさにより被測定パタ−ンの良品，不良品を判定す
ることが出来る。

【００４２】又，残渣を他の画像メモリに転送した後，
被測定パタ−ンのみを最小間隔の幅分だけ膨張処理し，
この膨張処理したパタ−ンと残渣とをＡＮＤするので，
いかなる形状のパタ−ンについても，そのパタ−ンの最
小間隔の検査を行うことが出来るとともに，この最小間
隔から被測定パタ−ンの良品，不良品を判定することが
出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例を示す処理フロ−であ
る。

【図２】この発明の第１および第２の実施例を示す検査
装置の構成図である。

【図３】この発明の第１〜第２の実施例で，ラベリング
回路の構成図である。

【図４】この発明の第１〜第３の実施例を示すもので，
被測定パタ−ンの一部を示す説明図である。

【図５】この発明の第１〜第３の実施例を示すもので，
被測定パタ−ンの一部を示す説明図である。

【図６】この発明の第１〜第３の実施例を示すもので，
被測定パタ−ンの説明図である。

【図７】この発明の第１〜第３の実施例を示すもので，
被測定パタ−ンの説明図である。

【図８】この発明の第１〜第３の実施例を示すもので，
図７の拡大図である。

【図９】この発明の第３の実施例を示す処理フロ−であ
る。

【図１０】この発明の第３の実施例を示すもので，検査
装置の構成図である。

【図１１】この発明に第３の実施例を示すもので，被測
定パタ−ンの一部を示す説明図である。

【図１２】この発明の第３の実施例を示すもので，被測
定パタ−ンの一部を示す説明図である。

【図１３】この発明に第３の実施例を示すもので，残渣
の一部を示す説明図である。

【図１４】この発明の第３の実施例を示すもので，膨張
処理した被測定パタ−ンの一部を示す説明図である。

【図１５】この発明の第３の実施例を示すもので，ＡＮ
Ｄ回路の出力画像の一部を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 撮像装置 ２ Ａ／Ｄ変換器 ３ 二値化処理回路 ４ ラベリング回路 ５ ＣＰＵ ６ 基準パタ−ンメモリ ７ 判定結果表示部 ８ 残渣 ９ 残渣 １０ パタ−ン １１ 画像メモリ ３０ 検査範囲（ウインド） ａ 最小間隔

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被測定パタ−ンの良品をマスタパタ−ン
   の濃淡画像として画像メモリに記憶し，この画像メモリ
   に記憶された前記マスタパタ−ンの濃淡ヒストグラムか
   らこれを二値化処理し，境界を追跡してラベリングデ−
   タを求め，基準パタ−ンとなるマスタパタ−ンを作成
   し，これをマスタパタ−ン情報として登録し，この登録
   されたマスタパタ−ンと被測定パタ−ンとを比較して残
   渣を検査するエッチング残りの検査方法において，前記
   被測定パタ−ンの間隙に存在する前記残渣の大きさを初
   期設定し，前記被測定パタ−ンの画像デ−タを画像メモ
   リに記憶するとともに，これを二値化処理し，検査範囲
   を設定して，この検査範囲内の前記被測定パターンの境
   界を追跡してラベリングし，この被測定パタ−ンのラベ
   リングデ−タと前記マスタパタ−ンのラベリングデ−タ
   とを比較して，前記マスタパタ−ンのラベリングデ−タ
   以外のラベリングデ−タを残渣と認識して抽出し，この
   残渣と認識されたラベリングデ−タの内，前記検査範囲
   のいずれの辺にも接していないラベリングデ−タを抽出
   して，その大きさを求め，このラベリングデ−タが前記
   初期設定した残渣の大きさ以上の場合を残渣として前記
   被測定パタ−ンを不良品と判定することを特徴とする残
   渣の検査方法
2. 【請求項２】 被測定パタ−ンの良品をマスタパタ−ン
   の濃淡画像として画像メモリに記憶し，この画像メモリ
   に記憶された前記マスタパタ−ンの濃淡ヒストグラムか
   らこれを二値化処理し，境界を追跡してラベリングデ−
   タを求め，基準パタ−ンとなるマスタパタ−ンを作成
   し，これをマスタパタ−ン情報として登録し，この登録
   されたマスタパタ−ンと被測定パタ−ンとを比較して残
   渣を検査するエッチング残りの検査方法において，前記
   被測定パタ−ンの最小間隔の判定基準値を初期設定し，
   前記被測定パタ−ンの画像デ−タを画像メモリに記憶す
   るとともに，これを二値化処理し，検査範囲を設定し
   て，この検査範囲内の前記被測定パターンの境界を追跡
   してラベリングし，前記検査範囲のいずれかの辺に接し
   ている接辺デ−タを求めこの接辺デ−タを前記マスタパ
   タ−ンの接辺デ−タと比較して前記マスタパタ−ンのラ
   ベリングデ−タ以外のラベリングデ−タを残渣と認識し
   て抽出し，この残渣と認識されたラベリングデ−タが，
   前記初期設定したパタ−ンの最小間隔より大きい場合を
   残渣として前記被測定パタ−ンを不良品と判定すること
   を特徴とする残渣の検査方法。
3. 【請求項３】 被測定パタ−ンの良品をマスタパタ−ン
   の濃淡画像として画像メモリに記憶し，この画像メモリ
   に記憶された前記マスタパタ−ンの濃淡ヒストグラムか
   らこれを二値化処理し，境界を追跡してラベリングデ−
   タを求め，基準パタ−ンとなるマスタパタ−ンを作成
   し，これをマスタパタ−ン情報として登録し，この登録
   されたマスタパタ−ンと被測定パタ−ンとを比較して残
   渣を検査するエッチング残りの検査方法において，前記
   被測定パタ−ンの最小間隔の判定基準値を初期設定し，
   前記被測定パタ−ンの画像デ−タを画像メモリに記憶す
   るとともに，これを二値化処理し，検査範囲を設定し
   て，この検査範囲内の前記被測定パターンをラベリング
   し，この被測定パタ−ンのラベリングデ−タと前記マス
   タパタ−ンのラベリングデ−タとを比較して，前記マス
   タパタ−ンのラベリングデ−タ以外のラベリングデ−タ
   を残渣と認識して抽出し，この残渣と認識されたラベリ
   ングデ−タのみを他の画像メモリに転送して記憶し，前
   記被測定パタ−ンのみのラベリングデ−タを，前記初期
   設定した最小間隔になるように前記被測定パタ−ンを膨
   張処理し，この膨張処理された前記被測定パタ−ンのラ
   ベリングデ−タと前記他の画像メモリに記憶されている
   残渣のラベリングデ−タとを画像メモリ間でＡＮＤをと
   り，その結果，ラベリングデ−タが検出された時を不良
   品，検出されなかった時を良品と判定することを特徴と
   する残渣の検査方法。