JPS63217543A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は光記録媒体、特にレーザー光等の熱および光を
用いて情報の記録や再生を行う光記録媒体に関する。

先行技術とその問題点 光記録媒体は、非接触・高密度記録が可能であり、高密
度、大容量ディジタルメモリとして広範な応用が考えら
れている。

光記録媒体としては、例えば、磁界の反転を利用してメ
モリを行う光磁気記録媒体や、記録層にピットを形成し
てメモリを行ういわゆるビット形成タイプの光記録媒体
や、記録層に結晶質−非結晶質の相転移などをおこさせ
ることによってメモリを行う相転移タイプの光記録媒体
等がある。

このような媒体は通常、ポリメチルメタクリレート　（
ＰＭＭＡ）、　　ポリカーボネート（ｐｃ）、エポキシ
、ＴＰＸ等の樹脂基板や、あるいはガラス基板−上にい
わゆる２Ｐ法によりグループ等を設けた基板などの上に
、直接あるいは中間層（例えば特開昭５８−８０１４２
号等）等を介して記録層を設けて構成される。

しかしながら、通常、上記の中間層や記録層の材質は無
機膜であり、これらと上記樹脂製の基板表面との接合性
の点で種々の不都合が生じる。

すなわちより具体的には、樹脂製の表面を有する基板と
中間層ないし記録層との接合面での接合性に問題があり
、高温多湿の雰囲気下あるいは温湿度変化に対する耐久
性に乏しく、そのため接合面での層剥離、記録層の化学
変化等の各種劣化現象が生じ、媒体としての特性が劣化
してしまう。

■　発明の目的 本発明の目的は、樹脂製の表面を有する基板とこの上に
設けられた層との接合性が良好で、高温多湿の雰囲気下
あるいは温湿度変化に対する耐久性に優れ、媒体特性の
劣化が少ない光記録媒体を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち本発明は、樹脂製の表面を有する基板上に、無
機薄膜層を有する光記録媒体において、 基板と無機薄膜層との間に下地層を有し、この下地層が
無機薄膜層を構成する成分と炭素とを含有することを特
徴とする光記録媒体である。

■　発明の具体的構成 以Ｆ、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光記録媒体は樹脂製の表面を有する基板−七に
、無機薄膜層を有し、この基板と無機薄膜層との間に、
基板表面に存在する樹脂成分の一つとしての炭素と無機
薄膜層を構成する成分とを含有する混合層を下地層とし
て打して構成される。

上記無機薄膜層を媒体の構成層としてＪ（体内に例示す
れば、その一つば記録媒体の記録層である。

また、他の例としては記録層と基板との間に設けられた
中間層がある。　中間層は記録層保護、記録感度やＣ／
Ｎ比の向上等の目的で設けられ、一層のみの場合と多層
構造として設ける場合とがある。　中間層である場合に
は、通常この上に記録層が設けられ、本発明ではこの積
層構成に適用するのが一般的である。

中間層としては、例えばＳｉＯ２，５ｉＯ１ＡｉＬＮ％
　Ａｊ！２０．　、Ｓ　ｉ３Ｎ４．ＺｎＳ、ＢＮ、Ｔｉ
Ｏ２、ＴｉＮ等や、これらの混合物や固溶体、あるいは
各種無機ガラスなどを真空蒸着、スパッタリング等によ
って形成したものが挙げられる。　このような中間層の
厚さは２００〜３０００λ程度とする。

本発明では、通常下地層は基板と中間層との間に形成さ
れるが、場合によっては中間層を形成せずに、下地層を
基板と記録層との間に形成してもよい。

本発明においては通常、記録層として磁性薄１漠層を用
いる。　磁性薄膜層は、変調された熱ビームあるいは変
調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもので
あり、記録情報は磁気−光変換して再生するものである
。

このような磁性薄膜層の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ等の
希土類金属と好ましくはＦｅ、Ｃｏ等の遷移金属の合金
をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成した
ものである。

この場合、ＦｅとＣＯの総含打量は、６５〜８５ａｔ％
であることが好ましい。

そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／
またはＴｂである。

そして、その好適例としては、 ＴｂＦｅＣｏ％ＧｄＦｅＣｏ、 Ｇ　ｄ　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ等がある。

なお、これら磁性薄膜層中には１０ａｔ％以Ｆの範囲で
Ｃｒ％Ａｎ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ
、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ。

Ａｕ等が含有されてもよい。

また、希−Ｌ類元素として１０ａｔ％以Ｆの範囲でＳｃ
、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。

Ｓｍ、　　Ｅｕ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、　　Ｅｒ、７ｍ
％　Ｙｂ。

Ｌｕ等を含有してもよい。

このような磁性薄膜層の厚さは、通常、１００〜１００
００λ程度である。

この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして、例えば、 Ｔｅ−３ｅ、Ｔｅ−３ｅ−Ｓｎ、Ｔｅ　−Ｇｅ％Ｔｅ　
−Ｉ　ｎ、Ｔｅ−３ｎ、Ｔｅ−Ｇｅ　−５ｂ−Ｓ、Ｔｅ
−Ｇｅ−Ａｓ−３ｉ、Ｔｅ　−３ｉ、　Ｔｅ−Ｇｅ−３
１−３ｂ、　Ｔｅ−Ｇｅ　−Ｂ　ｉ、　Ｔｅ−Ｇｅ　−
１ｎ−Ｇａ％Ｔｅ−５ｉ　−Ｂｉ−Ｔｌ、Ｔｅ−Ｇｅ−
Ｂｉ−Ｉ　ｎ−５゜Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−３ｂ、Ｔｅ−Ｇ
ｅ−５ｅ　−３，Ｔｅ−Ｇｅ−５ｅ、Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ
　−Ｇａ、Ｔｅ−Ｇｏ−Ｓ−Ｉｎ１５ｅ−Ｇｅ　−Ｔ１
１％　５ｅ−Ｔｅ−Ａｓ％　５ｅ−Ｇｅ−Ｔｌｌ−３ｂ
、５ｅ−Ｇｅ−Ｂｉ、５ｅ−５（以上、特公昭５４−４
１９０２号、特許第１００４８３５号など） ＴｅＯｘ（特開昭５８−５４３３８号、特許第９７４２
５７号記載のＴｅ酸化物中に分散されたＴｅ：以下Ｘは
同義）、 ＴｅＯｘ＋Ｐｂｏｘ　（特許第９７４２５８号）、 ＴｅＯｘ＋ｖＯｘ　（特許第９７４２５７号）、その他
、Ｔｅ−Ｔｌ１．、Ｔｅ−Ｔ１．−３ｉ％５ｅ−Ｚｎ−
５ｂ、Ｔｅ−５ｅ−Ｇａ。

ＴｅＮｘ等のＴｅ、Ｓｅを主体とするカルコゲン系 Ｇｅ−３ｎ、５ｉ−３ｎ等の非晶質−結晶質転移を生じ
る合金 Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ａｎ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｎ等の結晶構
造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−５ｂ等の結
晶粒径の変化を生じる合金などがある。

このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンブレ
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。　そしてその設層厚さは２０ｎｍ〜１−
程度とされる。

本発明の下地層は、無機薄膜層、すなわち特に上述した
ような中間層あるいは場合によフては記録層の成分と、
後述する基板上の樹脂成分の一つである炭素Ｃを含有し
て構成される。

さらに詳しく述べると、基板上に中間層を設けずに記録
層を設層する場合には、好ましくは基板表面の樹脂成分
と記録層成分との混合組成を含有する混合層をこれらの
間に下地層として介在させ、一方、基板と記録層との間
に中間層を設層する場合には、好ましくは基板表面の樹
脂成分と中間層成分との混合組成を含有する混合層を基
板と中間層との間に下地層として介在させる。

このように下地層は、その一方の面を基板の樹脂製表面
と、他方の面を無機薄膜層表面と直接後している。

このような場合、下地層の層平均の炭素Ｃの含有量は５
〜４０ａＬ％であることが好ましい。

Ｃ含４ｊ　ｍが５ａＬ％未満および４０ａｔ、％より大
となると本発明の実効がなくなる。

下地層中の炭素の層平均含有量を測定するには、例えば
ドライエツチングないしイオンミリングしながら、オー
ジェ分析等を行い成分元素をカウントする。　その際、
炭素および他の含有成分元素に着目し、炭素のカウント
が実質的に始まる時点を下地層上面、また無機薄膜層成
分元素のカウントが実質的に消失する時点を下地層下面
とし、これらから平均含有量を測定すればよい。

このように本発明の下地層は炭素を含有するものである
が、炭素に加え、上記した中間層ないし記録層としての
無機薄膜層の構成成分を含有するものである。

この場合、無機薄膜層の構成成分を含有するとは、無機
薄膜層の成分元素をその成分組成比にて含有するばかり
でなく、その主成分元素を成分組成比から偏置した組成
比で含４Ｔするものを含むものである。　このような場
合、主成分元素としては、一般に少なくとも１０ｗＬ％
以ト含有される元素とする。

一方、炭素は、通常、基板表面を構成する樹脂成分が下
地層中に含有される結果、下地層中に存在する。　ただ
し本発明では下地層は炭素を含有すれば十分であり、必
ずしも樹脂成分がそのままの組成ないし重合度で含有さ
れる必要はなく、その部分分解物や、モノマーの重合物
の形で含有されてもよく、そのＨ，Ｎ、Ｏ等の含有比は
種々のものであってもよい。　あるいは場合によフては
、他の樹脂成分ないしその分解物等の形で含有されるこ
ともできる。

なお、接着性ないし屈折率等の点では、基板表面を構成
する樹脂成分が上記のように含有されることが好ましい
。

このような下地層の各々の接合面側における物性、特に
光学的性質は、それぞれ接する基板表面および無機薄膜
層とほぼ連続的な特性を有することが好ましい。

このような連続的な特性を上記下地層のどちらか−・方
の接合面側、あるいは両方の接合面側で満足させるかど
うかは、媒体の構成によって適宜決めればよい。

下地層の両方の接合面側でそれぞれ連続的な特性を満足
させるには、そのままで連続的な特性をもつこともあり
、あるいは下地層中の厚さ方向に所定の炭素や無機薄膜
層成分等の濃度分布をもたせてもよい。

ところで光学的性質としては、例えば屈折率等がその代
表例であり、上記の接合面での連続的な特性を有する場
合としては、下地層と基板表面層との界面での屈折率の
差が０．２以下、より好ましくは０．１以下であったり
、また下地層と無機薄膜層との界面での屈折率の差が０
．２以下、より好ましくは０．１以下である場合等が挙
げられるであろう。　こ　の　値　が０．２をこえると
、基板表面の界面で不必要な反射が増し、特性の低下を
もたらす。

上記所定の屈折率の差は、下地層両側のそれぞれの界面
で満足させることが好ましいが、場合によってはいずれ
か一方の界面、特に基板側だけでもよい。

なお、屈折率は記録の書き込みないし読み出し光の波長
における値であり、通常基板の樹脂製部分での屈折率は
１．４〜１．６、中間層の屈折率は１．４〜２．５、記
録層の屈折率は２〜５程度である。

下地層の屈折率は、例えばドライエツチングもしくはイ
オンミリングしながら屈折率のプロフィールを測定し、
最終の下の界面での屈折率を測定することにより推定で
きる。

このような下地層を設けることによって、基板界面等で
の不必要な反射を少なくでき、初期特性の低下を防ぐこ
とができるのはもちろん、樹脂製表面を有する基板と、
この上に設けられた層との接着性が良好となり、高温多
湿の雰囲気下や温湿度変化に対する耐久性に優れ、媒体
特性の劣化がきわめて少なくなる。

このような下地層の厚さは１０人以Ｅ、特に１０〜５０
０人、より好ましくは５０〜５００人である。　この値
が１０λ未満となると−ヒ記の効果は実現しない。　ま
た、厚くしすぎるのは工程およびコスト上好ましくない
。

このような下地層のつくり方としては、いわゆる気相成
膜法を応用すればよい。　具体的には、例えば基板表面
材質と無機薄膜層材質の二元スパッタないし二元蒸着等
による同時成膜や、基板表面をボンバードしながら無機
薄膜層の成膜を同時に行ったり、バイアススパッタ等を
行って形成すればよい。　あるいは減圧ＣＶＤとスパッ
タとを同時に行ってもよい。

なお、下地層の組成は、樹脂成分の一つである炭素と無
機薄膜層の主成分を含有すればよいのであるから、必ず
しも、基板材質および無機薄膜層そのものをターゲット
あるいは蒸着源としなくてもよい。

また、Ｆ地層の厚さ方向に所定の組成濃度分布をもたせ
るには、例えば、二元スパッタの際の谷ターゲットへの
投入パワーを連続的に変化させたり、あるいは真空槽中
のＳ２素分圧Ｐｏ２等を連続的に変化させたりすればよ
い。　また、屈折率を変化させるに際しては、一般的に
下地層中に酸素を多く含有させれば、屈折率は小さくな
る。

このような下地層が形成される基板は、通常、樹脂製と
し、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、
ポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂あるいは、ガ
ラス基板上にいわゆる２Ｐ法により、樹脂製のグループ
を設けたものなどが用いられる。

なお、通常記録は基板をとおして行うことが好ましいの
で、書き込み光ないし読み出し光に対する透過率は８６
％以上が必要である。

また、基板は、通常、ディスク状とする。

このようなディスク状基板の記録層形成面には、トラッ
キング用の溝やビット、あるいはアドレス用のビット等
が形成されてもよい。

溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　６　ｎ〜λ
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の巾は、０．４〜２．０−程度とさ
れる。

なお、溝はいわゆる２Ｐ法にてフォトレジスト層に設け
てもよく、このとき基板表面はフォトレジスト層から形
成される。

そして、この溝の凹部あるいは溝間の凸部に位置する記
録層を記録トラック部として、書き込み光および読み出
し光を基板裏面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＳ／Ｎ比が向−トし、しかもトラッキングの制御信
号は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

本発明における記録層上には、必要に応じ、各種保護層
を設けることもできる。

保護層としては、３Ｍ無機膜がある。

無機膜としては、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化アル
ミニウム、酸化チタン、酸化＜Ｉｌｉ鉛等の各種酸化物
、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化ホ
ウ素等の窒化物あるいはこれらの混合物、固溶体、さら
には各種無機ガラス等が好ましい。

保護層の厚さは０．０１〜３０−程度とする。

また、通常、保護層の上には、有機保護コート層が設け
られる。

有機保護コート層の材質としては、通常、公知の種々の
有機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
モノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。

放射線硬化型子ツマ−としては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１００
００のものが用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１．６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、１．６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステル
アクリレート（アロニックスＭ− ７１００、Ｍ−５４００、Ｍ−５５００、Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０、Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラス
トマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート（
メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリス
リトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε
−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３　　ＣＣＨ
２０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
ＣＨ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ（ＱＣ３Ｈｓ）ｎ−ＯＣ
Ｈ２）３　　ＣＣＨ２（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以Ｆ、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ＣＨ３ｍ＝１、ａ＝６
、ｂ　＝　ｏ　ノ化合物（以Ｔ、特殊ペンタエリスリト
ール縮合物Ｃという）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合
物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物りという）
、およびＦ記式一般式で示される特殊アクリレート類等
が挙げられる。

（ｎ中１６）　　　　　　（特殊アクリレートＧ）８）
　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−ＣＯ
ＣＨ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） （特殊アクリレート■） ｉｏ） （特殊アクリレートＪ） Ａ：アクリノ牌唆、　　　ｘ：多価アルコールＹ：多塩
基酸　　　　　（特殊アクリレー上に）１２）　　　Ａ
（−Ｍ−Ｎ＋−Ｍ−Ａ Ａニアクリル唆、　　Ｍ：２価アルコールＮ：２塩基酸
　　　　　（特殊アクリレートし）また、放射線硬化型
オリゴマーとしては、下記一般式で示される多官能オリ
ゴエステルアクリレートやウレタンエラストマーのアク
リル変性体、あるいはこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能
基が導入されたもの等が挙げられる。

また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって
得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含（■、または導入した樹脂
である。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、・放射線感応変性に用いることのできる樹脂と
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖ
ｐオレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸Ｊ
１（を含有するアクリルエステルおよびメタクリルエス
テルを重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂
等も有効である。

このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層の膜
厚は０．１〜３０μ蹟、より好ましくは１〜１０μｌで
ある。

この膜厚が０，１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
記録層の耐久性が向上しない。　また、３０μｍをこえ
ると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反
りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。　この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線
、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１
００〜７５０にＶ、好ましくは１５０〜３００にＶの放
射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０メガラツド
になるように照射するのが好都合である。

−・方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン類
、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。　
光重合増感／Ｆｌは樹脂固形分に対し、０．１〜１０重
量％の範囲が望ましい。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このような有機保護コート層の一ヒには、通常接着剤層
を介して保護板が設けられる。

すなわち、前記の基板の裏面（記録層を設けていない側
の而）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる片面記録
の場合には、この保護板を用いる。

このような保護板の樹脂材質は特別に透明性等を要求さ
れることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン、
ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ
ビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ
塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール、
ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、エ
リア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、ア
ルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂
等の各種熱可塑性樹脂等が使用可能である。

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板と
して用いてもよい。

このものの形状、寸法等は上記の基板のそれとほぼ同様
とされる。

このような保護板は、１前述したように接着剤層を介し
て接着される。　接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂
等の接着剤であって、このｎｑＮは１〜１００μｍ程度
とされる。

他方、上記の保護板を用いる代りに、上記の下地層、中
間層、記録層、保護層、有機保護コート層等を有する基
板をさらに１セツト用いて、画記録層を内側にして対向
させて、接着剤層を用いて貼り合せて、両店板の裏面側
から古き込みを行なう、いわゆる両面記録タイプとして
もよい。　さらに、これらの基板や保護板の裏面（記録
層を設けていない側の面）には各種保護膜としてのコー
ティングを行うことが好ましい。

コーティングの材質としては、前述した有機保護コート
層の材質と同様なものとしてもよい。

なお、本発明の下地層を設けるという思想は、樹脂基体
と、無機薄膜層を有するその他の情報記録媒体、例えば
蒸着型磁気記録用テープ、垂直磁気記録媒体等にも、容
易に応用できるものである。

■　発明の具体的作用効果 本発明の光記録媒体は樹脂製の表面を有する基板と無機
薄膜層との間に、無機薄膜層を構成する成分と炭素とを
含有する下地層を有してなる。　従ってこのものは基板
との接合性が良好で、高温多湿の雰囲気下や温湿度変化
に対する耐久性に優れ、媒体の劣化がきわめて少ない。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

［実施例１コ 直径１３０ｎｕ＋＋、厚さ１．２ａｕ＋＋のエポキシ樹
脂製基板（屈折率１．５１）上に、グループを形成する
ためのフォトレジスト川のエポキシ系有機化合物をスピ
ンナーコートで設層した後、所定のグループを形成した
。　フォトレジストの屈折率は１．５０であった。

その後、１．ＯＰａ下の真空槽中にて、この基板表面を
ボンバードしながら、５ｉｎ２をターゲットとし、スパ
ッタを行い、基板の樹脂組成とＳｉとＯとを含有する下
地層を１００人厚に形成した。

この上に酸化ケイ素中間層を厚さ９００人にスパッタリ
ングで設層した。　この中間層の屈折率は２．０であっ
た。

さらにこの上に、２３ａＬ％Ｔｂ、７２ａＬ％Ｆｅ、５
ａｔ％Ｃｏ合金薄１１ｑを、スパッタリングによって厚
さ８００人に設層し、記録層とした。

なお、ターゲットは、Ｆｅターゲッ上にＴｂ、Ｃｏチッ
プをのせたものを用いた。

さらにこの磁性薄膜層上に、保護層として酸化ケイ素層
を厚さ１０００人にスパッタリングで設層し、この保護
層の上に、下記の放射線硬化型化合物を含む塗布組成物
を有機保護コート層として、スピンナーコートで設層し
た。

（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート １００重量部 光増感剤　　　　　　　　　　　　５重量部このような
塗４５組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋
硬化させ、硬化膜として媒体サンプルを作製した（本発
明サンプルｌ）。

なお、上記混合層中のＣ含有率は約２０ａＬ％であフた
。　また基板と下地層との屈折率の差は０．０５、下地
層と中間層との屈折率の差は０．４５であった。

なお、Ｃ含有率はオージェ電子分光により測定した。

このような本発明のサンプル１に対して、混合層のない
ものを作製し、これを比較サンプル１とした。

これらについて下記の特性を測定した。

（１）温湿度サイクルテスト ロ０℃９０％と一２０℃の間を１日２回往復させ、ド記
の項目をチェックした。

（ａ）膜剥１ＩＩＩ：目視試験により膜剥離を観測し、
発生までのサイクル数を記録した。

これはエラーの大きな原因となる。

（ｂ）エラーレート：下記の条件にてエラーレートを測
定し、エラーレートが初期値の２１８となるまでのサイ
クル数を記録した。

線速　　　　４ｍ／ｓｅｃ 搬送周波数　１．０Ｍ１ｌｚ 分解能　　　３０ＫＩＩｚ 記録パワー（８３０ｎｍ）　　３〜６ｍＷ再生パワー（
８３０ｎｍ）　　１　ｍＷ測測定結果は、本発明のサン
プル１は１００サイクル後も異常を生じなかったが、比
較サンプル１は２０サイクルで膜剥離が生じ、その部分
を中心にエラーが増加した。

［実施例２］ 直径１３０ａ＋ｍ、厚さ１．２ｍ１１のポリカーボネー
ト樹脂基板（屈折率１．５６）上に、ポリカーボネート
樹脂およびＡｆｆｉＮをターゲットとした２元スパッタ
を行い、樹脂成分およびＡｆｆｉＮ成分をそれぞれ含有
する下地層を５０人厚に形成した。　この上に、ＡＩｌ
、Ｎの中間層を厚さ８００人にスパッタリングで設層し
た。

中間層の屈折率は２．３であった。

さらにこの上に実施例１の場合と同様な記録層を設層し
、この記録層の上に、保護層として、ガラスを厚さ１０
００人にスパッタリングで設層し、媒体サンプルを作製
した（本発明サンプル２）。

なお、上記混合層中のＣ含有率は約３０ａｊ％であった
。−また基板と下地層との屈折率の差は０．０９、下地
層と中間層との屈折率の差は０．６５であった。　この
ような本発明のサンプル２に対して、下地層のないもの
を作製し、これを比較サンプル２とした。　これらにつ
いて、実施例１の場合と同様な特性を測定したところ、
比較サンプル２は１０サイクルで膜剥離が生じエラーが
増加したのに対して、本発明のサンプル２は１００サイ
クル後も異常を生じなかった。

［実施例３］ 直径１３０　ｍ＋ｉ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネー
ト樹脂基板（屈折率１．５６）上に、ポリカーボネート
樹脂およびＳｉＯをターゲットとした２元スパッタを行
い、樹脂成分およびＳｉＯ成分をそれぞれ含有する下地
層を２００人厚釘形成した。

なお、形成に際しては、スパッタ中にＰｏ２を連続的に
ＰＯ２／ＰＡｒ＝　２／８〜０／Ｉ　Ｏまで変化させ下
地層の厚さ方向に所定の濃度外４ｉをもたせた。

この上にＳｉＯの中間層を厚さ９００人にスパッタリン
グで設層した。　中間層の屈折率は２．１であフだ。

さらにこの上に実施例１の場合と同様な記録層を設層し
、その記録層の上に、保護層として、５ｉｎ２を厚さ１
０００人にスパッタリングで設層し、媒体サンプルを作
製したく本発明サンプル３）。

なお、上記下地層中のＣ含有率は約１０ａｔ％であった
。　また下地層の基板側界面屈折率は１．６、下地層の
中間層側界面の屈折率は１゜８であった。

このような本発明のサンプル３に対して、下地層のない
ものを作製し、これを比較サンプル３とした。

なお、界面での屈折率の算出に際しては、サンプルをイ
オンミリングしながら屈折率の厚さ方向プロファイルを
測定して、これから基板側界面での値を求め、また基板
側界面とプロファイルから中間層側界面での値を求めた
。

これらについて、実施例１の場合と同様な特性を測定し
たところ、本発明のサンプル３は１００サイクル後も異
常を生じなかったのに対し、比較サンプル３では１０サ
イクルで膜剥離が発生した。

［実施例４］ 直径１３０ｍ１１、厚さ１．２ｍｓ＋ポリカーボネート
樹脂基板（屈折率１．５６）上に、ポリカーボネート樹
脂および無機ガラス（Ｓ　ｉ　Ｏｚ　８４ｗし％、　　
Ｂ　　２０　３　１　０ｗｔ％、　　Ａｎ　　２０　３
３ｗＬ％、Ｎａ２Ｏ３ｗＬ％）をターゲットとして２元
スパッタを行い、樹脂成分および無機ガラス成分をそれ
ぞれ含有する下地層を１００人厚釘形成した。　この上
に無機ガラスおよびＳｉ３Ｎ。

−Ａｌ２Ｏ２の中間層を各々厚さ８００人にスパッタリ
ングで設層した。　中間層の屈折率は各々１．６．２．
１であった。

さらにこの上に実施例１の場合と同様な記録層を設層し
、その記録層の上に保護層として無機ガラスを厚さ１０
００人にスパッタリングで設層し媒体サンプルを作製し
た（本発明サンプル４）。

なお、上記下地層中のＣ含有量は約１５ａｔ、％であっ
た。　また下地層の屈折率は１．６、下地層と接する中
間層の屈折率も１．６であった。　このような本発明の
サンプル４に対して、下地層のないものを作製し、これ
を比較サンプル４とした。

これらについて、実施例１の場合と同様な特性を測定し
たところ、本発明のサンプル４は１００サイクル後も異
常を生じなかったのに対し、比較サンプル４では１０サ
イクルで膜剥離が発生した。

［実施例５］ 直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍポリカーボネート樹脂
基板（屈折率１．５６）上に、ポリカーボネート樹脂お
よびＳｉＯをターゲットとした２元スパッタを行い、樹
脂成分およびＳｉＯ成分をそれぞれ含有する下地層を１
５０人厚釘形成した。　この上にＳｉＯの中間層を厚さ
８００人にスパッタリングで設層した。　中間層の屈折
率は２．１であった。

さらにこの上にＳ　ｎ　７１Ｔ　ｅ　２！１の記録層を
８００人厚釘形パッタリングで設層し、この記録層の１
−に保護層として、無機ガラスを厚さ１０００人にスパ
ッタリングで設層し、媒体サンプルを作製した（本発明
サンプル５）。

なお、上記下地層中のＣ含有基は２０ａし％であフた。

　また、基板と下地層との屈折率の差は、０．０４、下
地層と中間層との屈折率の差は０．５であった。

このような本発明のサンプル５に対して、下地層のない
ものを作製し、これを比較サンプル５とした。

これらについて、実施例１の場合と同様な特性を測定し
たところ、本発明のサンプルは１００サイクル後も異常
を生じなかったのに対し、比較サンプルではｌＯサイク
ルで膜剥離が発生した。

以上の実施例の結果より本発明の効果は明らかである。

出願人　　ティーディーケイ株式会社 代理人　　弁理士　　石　井　陽　−′８゜・　２士

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）樹脂製の表面を有する基板上に、無機薄膜層を有
   する光記録媒体において、 基板と無機薄膜層との間に下地層を有し、この下地層が
   無機薄膜層を構成する成分と炭素とを含有することを特
   徴とする光記録媒体。
2. （２）無機薄膜層が記録層である特許請求の範囲第１項
   に記載の光記録媒体。
3. （３）無機薄膜層が中間層であり、この上に記録層を有
   する特許請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。
4. （４）下地層の炭素含有量が５〜４０ａｔ％である特許
   請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の光記
   録媒体。
5. （５）下地層が基板表面を構成する樹脂成分を含有する
   特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の
   光記録媒体。
6. （６）下地層の厚さが１０〜５００Åである特許請求の
   範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の光記録媒体
   。
7. （７）下地層と基板表面との界面での屈折率の差が０．
   ２以下である特許請求の範囲第１項ないし第６項のいず
   れかに記載の光記録媒体。