JPS632139B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS632139B2
JPS632139B2 JP55169293A JP16929380A JPS632139B2 JP S632139 B2 JPS632139 B2 JP S632139B2 JP 55169293 A JP55169293 A JP 55169293A JP 16929380 A JP16929380 A JP 16929380A JP S632139 B2 JPS632139 B2 JP S632139B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data processing
exposure control
data
circuit
electron beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55169293A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5792832A (en
Inventor
Akinori Shibayama
Tsuneo Ookubo
Akihira Fujinami
Haruo Yoda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Hitachi Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP16929380A priority Critical patent/JPS5792832A/ja
Publication of JPS5792832A publication Critical patent/JPS5792832A/ja
Publication of JPS632139B2 publication Critical patent/JPS632139B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、LSI等の生産に用いられる電子ビー
ム露光装置のデータ処理システムに関するもので
ある。
電子ビーム露光装置、なかでも走査型電子ビー
ム露光装置は、コンピユータ制御により露光を行
なうために、パターン作成の際にマスクが不要で
あること(従つてパターンに対する融通性が高い
こと)、あるいはパターン歪をリアルタイムで補
足できること等の利点により、LSI等の生産にお
いて実用化されつつある。
従来の走査型電子ビーム露光装置は、第1図に
その一例を示した如く、大容量のメモリを持つた
大型コンピユータにより制御されるものであつ
た。
第1図において1はメモリ、2は露光制御用コ
ンピユータ、3はデジタル制御ユニツト、4はア
ナログ回路、5は電子光学系(コラム)、6はウ
エーハ・ハンドラ、7はサブシステム制御用コン
ピユータ、8は電子ビーム駆動部である。このよ
うに構成された走査型電子ビーム露光装置におい
て、電子ビーム露光制御のために露光制御用コン
ピユータが処理するデータの数は、106個ないし
は109個にも及ぶといわれる。
LSI等の生産においては、上述の如く殆んどす
べての操作がコンピユータに任せられている。そ
こで必要なことは、コンピユータの行なつている
各処理に誤りがないかどうかを常にチエツクして
おくことである。このチエツクも実際には、コン
ピユータ自身のチエツク機能を利用して行なえる
部分が多いが、現実には、前述の如く、露光制御
用コンピユータは膨大な量のデータを処理してい
るので、これに更に多くのチエツク作業を単純に
組込むことは、コンピユータのデータ処理速度を
低下させることにもなり望ましいことではなかつ
た。
そこで、従来、この種のチエツクはデジタル回
路自身のもつパリテイチエツク、オーバーフロ
ー/アンダーフローチエツク機能に頼るか、人手
による外部測定機器によるチエツクに依存してい
たのが実情であつた。しかし、このようなチエツ
クのやり方には、チエツク機能に限度があつた
り、人手を煩わせるという根本的な欠点があつ
た。
本発明は、電子ビーム露光装置における、従来
の露光制御用デジタル回路のチエツクのやり方の
上述の如き欠点を除去した、人手を煩わさずに充
分なチエツク機能を有する露光制御用データ処理
システムを提供することを目的とするものであ
る。
上記目的を達成するために、本発明による電子
ビーム露光装置のデータ処理システムは、露光制
御用コンピユータとこれに付随するデータ処理回
路とを有する電子ビーム露光装置の露光制御シス
テムにおいて、前記データ処理回路の処理済デー
タを実時間で蓄積する記憶手段を、前記データ処
理回路ごとに設けて、前記露光制御用コンピユー
タの空き時間に、前記データ処理回路の機能をチ
エツクするためのテスト信号を送出させて、該テ
スト信号のデータ処理回路ごとの処理結果を前記
テスト信号の一度の送出で前記記憶手段に蓄積さ
せ、これを予め前記露光制御用コンピユータに記
憶させてある信号と比較させるように構成したこ
とに特徴がある。
以下、本発明を図面に基いて詳細に説明する。
第2図は本発明の一実施例である電子ビーム露
光装置の露光制御システムの要部を示すブロツク
図で、第1図と同じ構成要素は同じ符号で示され
ている。またデジタル制御ユニツト3は3個のデ
ジタル回路3A,3Bおよび3Cで構成されてお
り、各デジタル回路の出力はそれぞれ記憶回路1
0A,10Bおよび10cに入力されるように構
成されている。
本実施例の作用について以下説明する。
露光制御用コンピユータ2からは露光制御用デ
ータまたは回路試験用データが送出される。デー
タが露光制御用データである場合には、各デジタ
ル回路3A,3Bおよび3Cで順次データ処理さ
れて4のアナログ回路に送られ電子光学系の制御
が行なわれる。この場合、デジタル回路3A,3
Bおよび3Cの出力はそれぞれの記憶回路10
A,10Bおよび10Cには特に記憶しなくても
良い。データが回路試験用データである場合に
は、このデータの各デジタル回路3A,3Bおよ
び3Cにおける処理結果の出力はそれぞれの記憶
回路10A,10Bおよび10Cに確実に記憶さ
れる。露光制御用コンピユータ2は上記回路試験
用データが各デジタル回路で処理された結果を予
め記憶しているので、前記記憶回路10A,10
Bおよび10Cの記憶を随時呼び出して両者を比
較し、この結果により各デジタル回路の動作が正
常か否かをチエツクすることができる。両者が一
致しない場合には、記憶回路10A,10Bおよ
び10Cのうち、どの記憶回路から呼び出された
データが不一致であるか判断することにより、ど
のデジタル回路が正常に動作していないかをチエ
ツクすることができる。
上記実施例において、露光制御用コンピユータ
から回路試験用データを送出するのは、露光制御
用データを送出していないいわば空き時間であ
り、このような空き時間の都度適宜回路試験用デ
ータを送出してデジタル回路の機能チエツクを行
なうことができる。また、デジタル制御ユニツト
3を更に細かく分割してより単純な機能を有する
デジタル回路ごとに記憶回路を設けるようにすれ
ば、異常個所をより詳細に検出することができ
る。
以上述べた如く、本発明によれば、電子ビーム
露光装置の露光制御システムにおいて、露光制御
用コンピユータに随時データ処理回路のチエツク
を行なわせるので、システムの信頼度を高度に維
持することができるという効果を奏する。また、
上記データ処理回路のチエツクは、露光制御用コ
ンピユータの空き時間を利用して行なわせるの
で、このチエツク動作が露光制御用データ処理に
影響してその処理速度を低下させることはないと
いう特徴を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は電子ビーム露光装置の概要を示すブロ
ツク図、第2図は本発明の一実施例を示すブロツ
ク図である。 2…露光制御用コンピユータ、3…デジタル制
御ユニツト、3A,3B,3C…デジタル回路、
4…アナログ回路、5…電子光学系、10A,1
0B,10C…記憶回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 露光制御用コンピユータとこれに付随するデ
    ータ処理回路とを有する電子ビーム露光装置の露
    光制御システムにおいて、前記データ処理回路の
    処理済データを実時間で蓄積する記憶手段を、前
    記データ処理回路ごとに設けて、前記露光制御用
    コンピユータの空き時間に、前記データ処理回路
    の機能をチエツクするためのテスト信号を送出さ
    せて、該テスト信号のデータ処理回路ごとの処理
    結果を前記テスト信号の一度の送出で前記記憶手
    段に蓄積させ、これを予め前記露光制御用コンピ
    ユータに記憶させてある信号と比較させるように
    構成したことを特徴とする電子ビーム露光装置の
    データ処理システム。
JP16929380A 1980-12-01 1980-12-01 Data process system of electron beam exposing device Granted JPS5792832A (en)

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JP16929380A JPS5792832A (en) 1980-12-01 1980-12-01 Data process system of electron beam exposing device

Applications Claiming Priority (1)

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JP16929380A JPS5792832A (en) 1980-12-01 1980-12-01 Data process system of electron beam exposing device

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JPS5792832A JPS5792832A (en) 1982-06-09
JPS632139B2 true JPS632139B2 (ja) 1988-01-18

Family

ID=15883824

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JP16929380A Granted JPS5792832A (en) 1980-12-01 1980-12-01 Data process system of electron beam exposing device

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57113220A (en) * 1980-12-29 1982-07-14 Fujitsu Ltd Apparatus for electron beam exposure
JPH0680626B2 (ja) * 1983-11-17 1994-10-12 株式会社日立製作所 電子線描画方法
JP5461799B2 (ja) * 2008-07-30 2014-04-02 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置におけるdacアンプユニットの診断方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5017739A (ja) * 1973-05-11 1975-02-25

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JPS5017739A (ja) * 1973-05-11 1975-02-25

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