JPS63202494A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPS63202494A JPS63202494A JP62034839A JP3483987A JPS63202494A JP S63202494 A JPS63202494 A JP S63202494A JP 62034839 A JP62034839 A JP 62034839A JP 3483987 A JP3483987 A JP 3483987A JP S63202494 A JPS63202494 A JP S63202494A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
-
- G—PHYSICS
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
-
- G—PHYSICS
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔ｉ業上の利用分野〕
本発明は、光記録媒体、特に、レーザ光によって情報を
記録再生することのできる光記録媒体に関する。
記録再生することのできる光記録媒体に関する。
−ｆｆＫ、レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ
再生する光デイスクメモリは、記録密度が高いことから
大容量記録装置として優れた特徴を有している。この光
記録媒体材料としては、最初にタンタルと鉛が使用され
た（サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ）１５４．１５５０．
１９６６））。それ以来種々の材料が使用されているが
、テルル等のカルコゲン元素、または、これらの化合物
はよく使用されており（特公昭４７−２６８９７号公報
）、とくにテルル−セレン系合金はよく使用されている
（特公昭５４−４１９０２号公報、特公昭５７−７９１
９号公報、特公昭５７−５６０５８号公報）。
再生する光デイスクメモリは、記録密度が高いことから
大容量記録装置として優れた特徴を有している。この光
記録媒体材料としては、最初にタンタルと鉛が使用され
た（サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ）１５４．１５５０．
１９６６））。それ以来種々の材料が使用されているが
、テルル等のカルコゲン元素、または、これらの化合物
はよく使用されており（特公昭４７−２６８９７号公報
）、とくにテルル−セレン系合金はよく使用されている
（特公昭５４−４１９０２号公報、特公昭５７−７９１
９号公報、特公昭５７−５６０５８号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が８０００λ前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソリ
ダイヱ、１８９゜１９６４（Ｐｈ）Ｉｓ−ｓｔａｔ−ｓ
ｏｌ、ヱ、１８９，１９６．４））。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が８０００λ前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソリ
ダイヱ、１８９゜１９６４（Ｐｈ）Ｉｓ−ｓｔａｔ−ｓ
ｏｌ、ヱ、１８９，１９６．４））。
従来の光記録媒体は、テルル−セレン系合金を記録層と
して用いたものであり、基板に隣接してテルル−セレン
系合金よりなる記録層が設けられている。記録用のレー
ザ光は基板を通して記録層に集光照射され、ピットが形
成される。基板としてはポリカーボネート、ポリオレフ
ィン、ボリメーチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂
等の合成樹脂やカラスが使用され、基板にはピットが同
心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録
されるように通常、案内溝が設けられている。
して用いたものであり、基板に隣接してテルル−セレン
系合金よりなる記録層が設けられている。記録用のレー
ザ光は基板を通して記録層に集光照射され、ピットが形
成される。基板としてはポリカーボネート、ポリオレフ
ィン、ボリメーチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂
等の合成樹脂やカラスが使用され、基板にはピットが同
心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録
されるように通常、案内溝が設けられている。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
され、ビーム中心が舅からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常０．３〜１．３μｍであり、溝の深さ
は使用するレーザ波長の１／２０から１／４の範囲に設
定される。
され、ビーム中心が舅からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常０．３〜１．３μｍであり、溝の深さ
は使用するレーザ波長の１／２０から１／４の範囲に設
定される。
集光に関しても同様にサーボ系が構成されている。
情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレー
ザ光をビット上を通過するように照射することにより、
ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行なう
。
ザ光をビット上を通過するように照射することにより、
ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行なう
。
従来の第１の具体例では、光記録媒体は、テルル−セレ
ン合金膜形成されていたが、これでは良好な品質の記録
再生信号が得られなかった。
ン合金膜形成されていたが、これでは良好な品質の記録
再生信号が得られなかった。
この改善を目的として、記録層をテルルとセレンと鉛に
することが提案され、良好な品質の記録再生信号が得ら
れている。
することが提案され、良好な品質の記録再生信号が得ら
れている。
次に、従来の第二の具体例として、光記録媒体の記録ｊ
−をテルルとセレンだけからなる層を設けずに、すべて
テルルとセレンと鉛の比が原子数パーセントで７５対２
０対５の組成で約２５０λ厚形成して他は同様に作製し
て、同様に計測した結果、耐候性は着るしく劣っている
。
−をテルルとセレンだけからなる層を設けずに、すべて
テルルとセレンと鉛の比が原子数パーセントで７５対２
０対５の組成で約２５０λ厚形成して他は同様に作製し
て、同様に計測した結果、耐候性は着るしく劣っている
。
このように１従来の光記録媒体は、耐候性が悪いという
欠点があった。
欠点があった。
本発明の光記録媒体は、基板と、前記基板上に形成され
テルルとセレンと厚さ方向に含有量が異なる鉛とを主成
分としレーザ光によって一部が選択的に除去されて情報
を記録する記録層とを含んで構成される。
テルルとセレンと厚さ方向に含有量が異なる鉛とを主成
分としレーザ光によって一部が選択的に除去されて情報
を記録する記録層とを含んで構成される。
すなわち、本発明の光記録媒体は基板と、レーザ光によ
りて一部が選択的に除去されて情報を記録する前記基板
上に形成された記録層とを少なくとも有する光記録媒体
であって、テルルとセレンと鉛とを主成分とする記録層
を有し、かつこの記録層は厚さ方向に鉛の含有量が異な
るように構成される。
りて一部が選択的に除去されて情報を記録する前記基板
上に形成された記録層とを少なくとも有する光記録媒体
であって、テルルとセレンと鉛とを主成分とする記録層
を有し、かつこの記録層は厚さ方向に鉛の含有量が異な
るように構成される。
記録層をテルルとセレンと鉛にすることだより、ピット
形状がよくなるので、記録再生信号品質が良好になる。
形状がよくなるので、記録再生信号品質が良好になる。
しかしながら、鉛を添加することにより耐候性が劣化す
る。
る。
本発明の光記録媒体は、記録層の厚さ方向の端部近傍の
鉛含有量を中央部に比べて少なくすることにより、耐候
性の冷化を防止し、信号品質の良好さを維持している。
鉛含有量を中央部に比べて少なくすることにより、耐候
性の冷化を防止し、信号品質の良好さを維持している。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す部分断面図である。
第１図に示す光記録媒体は、基板上とこの基板１の上に
形成された記録層２１とで構成されている。
形成された記録層２１とで構成されている。
この記録層２１はテルルとセレンと鉛とを主成分とする
ものであり、鉛の含有量は厚さ方向に異なるようになっ
ている。
ものであり、鉛の含有量は厚さ方向に異なるようになっ
ている。
このような記録層２１はレーザ光によって一部が選択的
に除去されてピット２２を形成しこのピット２２の有無
により情報が記録されるようになっている。
に除去されてピット２２を形成しこのピット２２の有無
により情報が記録されるようになっている。
次に、第１図に示す実施例の具体例についてさらに詳細
に説明する。
に説明する。
第１の具体例について説明する。
１００℃で２時間アニール処理した内径１５ｍｍ。
外径１３０＋ｎｍ、厚さ１．２ｒｒＩｌＩＩの案内溝付
きポリカーボネート樹脂ディスク基板上に、テルル−セ
レンターゲットをアルゴンガスでマグネトロンスパッタ
してテルルとセレンの比が原子数パーセントで８０対２
０で約３０λ厚形成し、ひきつづきその上にテルル−セ
レン−鉛ターゲットをアルゴンガスでマグネトロンスパ
ッタしてテルルとセレンと鉛の比が原子数パーセント７
５対２０対５で約・１９０λ厚形成し、ひきつづきその
上にテルル−セレンターゲットをアルゴンガスでマグネ
トロンスパッタしてテルルとセレンの比が原子数パーセ
ントで８０対２０で約３０人厚形成し、しかる後、９５
℃で１時間アニール処理して光記録媒体を作製されたも
のである。
きポリカーボネート樹脂ディスク基板上に、テルル−セ
レンターゲットをアルゴンガスでマグネトロンスパッタ
してテルルとセレンの比が原子数パーセントで８０対２
０で約３０λ厚形成し、ひきつづきその上にテルル−セ
レン−鉛ターゲットをアルゴンガスでマグネトロンスパ
ッタしてテルルとセレンと鉛の比が原子数パーセント７
５対２０対５で約・１９０λ厚形成し、ひきつづきその
上にテルル−セレンターゲットをアルゴンガスでマグネ
トロンスパッタしてテルルとセレンの比が原子数パーセ
ントで８０対２０で約３０人厚形成し、しかる後、９５
℃で１時間アニール処理して光記録媒体を作製されたも
のである。
この光記録媒体は、基板入射における波長８３００λの
反射率を測定したところ、約３３％であった。
反射率を測定したところ、約３３％であった。
すなわち、波長８３００λの半導体レーザ光を基板を通
して入射し、記録１−上で１．６μ−程度に絞り、媒体
線速度５．６５ｍ／ｓｅｃ、記録周波数３．７７ＭＨｚ
、記録パルス幅７０ｎｓｅｃ、記録パフ −７，５ｍＷ
の条件で記録し、Ｑ、５ｍＷで再生した。
して入射し、記録１−上で１．６μ−程度に絞り、媒体
線速度５．６５ｍ／ｓｅｃ、記録周波数３．７７ＭＨｚ
、記録パルス幅７０ｎｓｅｃ、記録パフ −７，５ｍＷ
の条件で記録し、Ｑ、５ｍＷで再生した。
この結果、バンド幅３０ＫＨｚのキャリアーとノイズと
の比（Ｃ／Ｎ ）は４６ｄＢと良好でありた。
の比（Ｃ／Ｎ ）は４６ｄＢと良好でありた。
この光記録媒体を８０℃、９０％の高温高湿度の環境に
６０時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく、
耐候性に著るしく優れた光記録媒体であることが確認さ
れた。
６０時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく、
耐候性に著るしく優れた光記録媒体であることが確認さ
れた。
次に、第２の具体例について説明する。
ｉｏｏ℃２時間アニール処理した内径１５ｍｍ、外径１
３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝付きポリカーボネー
ト樹脂ディスク基板上に、テルル−セレンターゲットと
鉛とからなる膜を作製した。その際、テルル−セレンタ
ーゲットに投入する電力と鉛ターゲットに投入する電力
との比を変化させることにより、基板側のテルルとセレ
ンと鉛の組成を原子数パーセントで７８対２０対２で約
５０λ厚形成し、中央部の組成を７５対１９対６で約１
５０λ厚形成し、表面側の組成を７８対２０対２で約５
０λ厚形成し、しかる後、９５℃で１時間アニール処理
して光記録媒体を作製した。
３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝付きポリカーボネー
ト樹脂ディスク基板上に、テルル−セレンターゲットと
鉛とからなる膜を作製した。その際、テルル−セレンタ
ーゲットに投入する電力と鉛ターゲットに投入する電力
との比を変化させることにより、基板側のテルルとセレ
ンと鉛の組成を原子数パーセントで７８対２０対２で約
５０λ厚形成し、中央部の組成を７５対１９対６で約１
５０λ厚形成し、表面側の組成を７８対２０対２で約５
０λ厚形成し、しかる後、９５℃で１時間アニール処理
して光記録媒体を作製した。
この光記録媒体は、基板入射における波長８３００Ａの
反射率を測定したところ、約３４％であった。
反射率を測定したところ、約３４％であった。
これを上述した第１の具体例の場合と同様にして、記録
パワー７、□ｍＷで記録再生評価を行なったところ、Ｃ
／Ｎは４９ｄＢと良好であった。
パワー７、□ｍＷで記録再生評価を行なったところ、Ｃ
／Ｎは４９ｄＢと良好であった。
この光記録媒体を７０Ｃ，９０％の高温高湿度の環境［
６０時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく、
耐候性に優れていることが確認された。
６０時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく、
耐候性に優れていることが確認された。
記録層の厚さは１００λから１０００λの範囲が記録再
生特性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子数パ
ーセントで２パ一セント以上４０パーセント未満の範囲
が記録再生特性、耐候性の観点から望ましく、鉛の含有
量は記録層全体での平均として、原子数パーセントで１
パ一セント以上１０パーセント未満が記録再生特性、耐
候性の観点から望ましく、記録層の厚さ方向の端部近傍
の鉛含有量を中央部に比べて少なくすることが必須であ
る。端部近傍では鉛をほとんど含んでいなくてもよい。
生特性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子数パ
ーセントで２パ一セント以上４０パーセント未満の範囲
が記録再生特性、耐候性の観点から望ましく、鉛の含有
量は記録層全体での平均として、原子数パーセントで１
パ一セント以上１０パーセント未満が記録再生特性、耐
候性の観点から望ましく、記録層の厚さ方向の端部近傍
の鉛含有量を中央部に比べて少なくすることが必須であ
る。端部近傍では鉛をほとんど含んでいなくてもよい。
本発明の光記録媒体は、記録ｌ−中の鉛の含ｉｔを厚さ
方向に異ならしめることにより、耐候性がよくかつ高感
度で良好な信号品質を得ることができるという効果があ
る。
方向に異ならしめることにより、耐候性がよくかつ高感
度で良好な信号品質を得ることができるという効果があ
る。
Ｍ１図は本発明の一実施例を示す部分断面図である。
１・・・・・・基板、２１・・・・・・記録層、２２・
旧・・ビット。
旧・・ビット。
Claims (1)
- 基板と、前記基板上に形成されテルルとセレンと厚さ方
向に含有量が異なる鉛とを主成分としレーザ光によって
一部が選択的に除去されて情報を記録する記録層とを含
むことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62034839A JP2560711B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62034839A JP2560711B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202494A true JPS63202494A (ja) | 1988-08-22 |
| JP2560711B2 JP2560711B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=12425362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62034839A Expired - Fee Related JP2560711B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560711B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62034839A patent/JP2560711B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560711B2 (ja) | 1996-12-04 |
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