JPS6319968Y2 - - Google Patents

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JPS6319968Y2
JPS6319968Y2 JP1981119544U JP11954481U JPS6319968Y2 JP S6319968 Y2 JPS6319968 Y2 JP S6319968Y2 JP 1981119544 U JP1981119544 U JP 1981119544U JP 11954481 U JP11954481 U JP 11954481U JP S6319968 Y2 JPS6319968 Y2 JP S6319968Y2
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JP
Japan
Prior art keywords
head
bearing
head housing
disk
housing
Prior art date
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JP1981119544U
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English (en)
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JPS5826777U (ja
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  • Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)
  • Moving Of Heads (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は磁気デイスク装置に係り、特に温度変
化による磁気ヘツドのギヤツプとデイスク円板の
情報位置とのズレを最少にする構造のヘツドデイ
スクアセンブリに関する。
磁気デイスク装置では従来よりデイスク円板上
の情報を再生/記録するために、ヘツドハウジン
グの回動により磁気ヘツドをデイスク円板の中心
方向に移動させている。例えば、第1図に示すよ
うに円筒体の上下開口部にベアリング4,5を圧
入したヘツドハウジング6に、複数の磁気ヘツド
1を先端に取付けたアーム2を積層して、該ヘツ
ドハウジング6を該ベアリング4,5によりベー
スAに垂設された固定軸3で回動自在に軸支され
ている。そして、図示していない駆動装置により
ヘツドハウジング6を回動させ、アーム2がデイ
スク円板7の面方向に移動して先端の磁気ヘツド
をアクセスさせている。
上記構造は密閉された内部にあるため、デイス
ク円板7の回転等により内部温度は上昇する。
又、ヘツドハウジング6とベアリング4,5の間
の結合は数μmの圧入代をもつた圧入で行われて
いる。しかるに、ベアリング4,5の材料は固定
軸3とほぼ等しい熱膨張係数(12.5×10-6)の軸
受鋼であるが、ヘツドハウジング6の材料はアル
ミニユウムで熱膨脹係数(23×10-6)が軸受鋼よ
り大きい。従つて、温度上昇が大きくなると、膨
脹係数の差によりヘツドハウジング6とベアリン
グ4,5の外周の間に隙間が発生し、そのためヘ
ツドハウジング6が倒れて磁気ヘツドのギヤツプ
とデイスク円板7の情報位置とにズレが発生す
る。この位置ズレは従来のトラツクピツチでは問
題とならないものであつたが、現在のように高記
録密度化された装置では問題となるレベルになつ
てきた。
本考案の目的はヘツドアクセス機構のヘツドハ
ウジング軸支において、温度変化によりヘツドハ
ウジングとベアリングの間に生ずる隙間を防止す
る構造を提供するにある。
本考案の特徴はヘツドハウジングとベアリング
の間に保持部材を介在してなる構造とすることに
より上記目的を達している。
以下、実施例により本考案を説明する。
第2図は本考案によるヘツドデイスクアセンブ
リの1実施例を説明するためのヘツドハウジング
の断面図である。
図において、4,5,6は第1図に示したヘツ
ドデイスクアセンブリのベアリング及びヘツドハ
ウジングと同一である。本考案は前述の隙間をな
くすために、ヘツドハウジング6とベアリング
4,5の間に樹脂、例えばアラルダイ(商品名)
等を封入してベアリングの保持部材8を形成して
いる。
温度上昇が大きくなると、樹脂8の熱膨脹係数
(6×10-5)がヘツドハウジング6の熱膨脹係数
(23×10-6)及びベアリング4,5の熱膨脹係数
(12.5×10-6)より大きいため、ヘツドハウジン
グ6とベアリング4,5の間に発生する隙間は樹
脂8により防ぐことができる。又温度の降下が大
きいとき、ヘツドハウジング6とベアリング4,
5の夫々の材料の熱膨脹係数の違いにより、収縮
差により逆に両者間の隙間を発生させない。
ヘツドハウジング6とベアリング4,5の間
に、上記のように保持部材を介在した本考案のヘ
ツドデイスクアセンブリを磁気デイスク装置に適
用した結果、第3図に示すようなオフトラツク特
性が得られた。
図において、縦軸にオフトラツク量(μm)、横
軸に時間(H)をとり、実線は本考案の適用後の
特性、点線は適用前の特性を示す。図より判るよ
うに従来より著しくオフトラツク量の減少をはか
ることができた。通常、記録トラツクに対し3μm
ズレると読みとれないが、本考案を適用した磁気
デイスク装置のオフトラツク特性よりオフトラツ
ク障害が皆無であることが判る。
以上実施例により本考案を説明したが、本考案
によればヘツドハウジングとベアリングの間に樹
脂を封入してなるヘツドアセンブリアクセス機構
とすることで、温度変化によりヘツドハウジング
とベアリングの間に生ずる隙間を防止することが
でき、ヘツドハウジングの倒れによる磁気ヘツド
のオフトラツクを防ぐことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のヘツドアセンブリアクセス機構
を説明するための正面図、第2図は本考案による
ヘツドアセンブリアクセス機構の1実施例を説明
するための正面図、第3図は本考案のヘツドアセ
ンブリアクセス機構の適用前、後のオフトラツク
特性を示すグラフを示す。 図において、4,5はベアリング、6はヘツド
ハウジング、8は保持部材である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 磁気ヘツドを有するアームが積層されたヘツド
    ハウジングを、ベースに垂設された固定軸にベア
    リングを介して回動自在に軸支してなるヘツドア
    クセス機構と、デイスク円板とよりなるヘツドデ
    イスクアセンブリにおいて、温度上昇時に前記ヘ
    ツドハウジングと前記ベアリングとの熱膨張差以
    上に膨張することで前記ベアリングを強固に保持
    する保持部材を、前記ヘツドハウジングと前記ベ
    アリング外輪との接合部に介在させてなることを
    特徴とするヘツドデイスクアセンブリ。
JP11954481U 1981-08-12 1981-08-12 ヘツドデイスクアセンブリ Granted JPS5826777U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11954481U JPS5826777U (ja) 1981-08-12 1981-08-12 ヘツドデイスクアセンブリ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11954481U JPS5826777U (ja) 1981-08-12 1981-08-12 ヘツドデイスクアセンブリ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5826777U JPS5826777U (ja) 1983-02-21
JPS6319968Y2 true JPS6319968Y2 (ja) 1988-06-03

Family

ID=29913597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11954481U Granted JPS5826777U (ja) 1981-08-12 1981-08-12 ヘツドデイスクアセンブリ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5826777U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55101163A (en) * 1979-01-22 1980-08-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Swing arm-type head positioning unit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55101163A (en) * 1979-01-22 1980-08-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Swing arm-type head positioning unit

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5826777U (ja) 1983-02-21

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