JPS63197340A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS63197340A JPS63197340A JP2826387A JP2826387A JPS63197340A JP S63197340 A JPS63197340 A JP S63197340A JP 2826387 A JP2826387 A JP 2826387A JP 2826387 A JP2826387 A JP 2826387A JP S63197340 A JPS63197340 A JP S63197340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- processing chamber
- discharge
- treating chamber
- electrodes
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマ処理装置に係り、特にエツチング処理
に好適なプラズマ処理装置に関するものである。
に好適なプラズマ処理装置に関するものである。
従来の装置は、例えば、特開昭６０−２６１１４３号、
特開昭６０−２５８９１４号、特開昭６０−２３４３２
４号等のように、一方の電極には電源が接続され、他方
の電極および処理室は接地されたものであった。
特開昭６０−２５８９１４号、特開昭６０−２３４３２
４号等のように、一方の電極には電源が接続され、他方
の電極および処理室は接地されたものであった。
上記従来技術は電力を印加する電極と処理室との間の放
電に対して配慮されておらず、電極と処理室との間に放
電が発生して、試料の処理が均一に行えないという問題
があった。
電に対して配慮されておらず、電極と処理室との間に放
電が発生して、試料の処理が均一に行えないという問題
があった。
本発明の目的は、処理室内の対向する電極間で均一な放
電を行わせて、試料を均一に処理することのできるプラ
ズマ処理装置を提供することにある。
電を行わせて、試料を均一に処理することのできるプラ
ズマ処理装置を提供することにある。
上記目的は、処理室内に対向させて設けた電極の一方に
電源を接続し、他方の電極を接地して、処理室を電気的
に浮かせることにより、達成される。
電源を接続し、他方の電極を接地して、処理室を電気的
に浮かせることにより、達成される。
処理室を電気的に浮かせて、一方の１！極に電力を印加
することにより、処理室と一方の電極との間には放電が
発生せず、放電が対向する電極間に集中して、試料が均
一に処理できる。
することにより、処理室と一方の電極との間には放電が
発生せず、放電が対向する電極間に集中して、試料が均
一に処理できる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
＠１図は、この場合、エツチング装置に運用した場合を
示す。処理室ｌ内には、対向する電極２および３が絶縁
体６および７を介して取り付けてあり、電極２は接地し
てあり、電極３は電源１例えば、高周波型Ｎ５に接続し
である。処理室１は。
示す。処理室ｌ内には、対向する電極２および３が絶縁
体６および７を介して取り付けてあり、電極２は接地し
てあり、電極３は電源１例えば、高周波型Ｎ５に接続し
である。処理室１は。
この場合、コンデンサ８とスイッチ９とが並列に接続し
てあって一方が接地され、その並列回路の他方に接続し
である。試料であるウェハ４は、この場合、電極３上に
配置されている。
てあって一方が接地され、その並列回路の他方に接続し
である。試料であるウェハ４は、この場合、電極３上に
配置されている。
上記構成の装置により、ウェハ４を処理する際は、スイ
ッチ９を“切１にして処理室ｌを電気的に浮かしておき
、電極３に高周波電力を印加して、電極２．３間に放電
を生じさせる。
ッチ９を“切１にして処理室ｌを電気的に浮かしておき
、電極３に高周波電力を印加して、電極２．３間に放電
を生じさせる。
これにより、放電は電位の低い方へ集中し、対向する電
極２および３の間で安定した放電が得られるようになり
、電極３と処理室ｌとの間での放電が押えられ、従来生
じていた電極と処理室との間の放電により発生していた
処理室何機からの汚染の懸念を無くすことができるとと
もに、対向する電極２および３間で均一な放電が得られ
るので、従来のように、処理室に近い方のエッチレート
が速くて均一性が悪くなるという問題もなくなる。
極２および３の間で安定した放電が得られるようになり
、電極３と処理室ｌとの間での放電が押えられ、従来生
じていた電極と処理室との間の放電により発生していた
処理室何機からの汚染の懸念を無くすことができるとと
もに、対向する電極２および３間で均一な放電が得られ
るので、従来のように、処理室に近い方のエッチレート
が速くて均一性が悪くなるという問題もなくなる。
また、試料の処理が終了した後、処理室１に電荷が蓄積
されていた場合を考えて、電極３に高周波電源を印加し
ていないときに、スイッチ９を１人”にし、処理室１を
接地する。
されていた場合を考えて、電極３に高周波電源を印加し
ていないときに、スイッチ９を１人”にし、処理室１を
接地する。
以上、本−実施例によれば、処理室ｌを電気的に浮かせ
て試料の処理を行うことができるので、処理室１と電極
３との間の放電を押えて、対向する電極２および３間に
均一な放電を集中させることができるので、処理室ｌか
らの汚染もなく、均一な処理をすることができる。
て試料の処理を行うことができるので、処理室１と電極
３との間の放電を押えて、対向する電極２および３間に
均一な放電を集中させることができるので、処理室ｌか
らの汚染もなく、均一な処理をすることができる。
また、スイッチ９の操作により、処理室ｌを接地するこ
ともできるので、電荷が蓄積されたままにならず安全で
あり、かつ、切り換え操作が簡単である。
ともできるので、電荷が蓄積されたままにならず安全で
あり、かつ、切り換え操作が簡単である。
なお、本実施例はエツチング装置ということで述べたが
、プラズマ処理装置としてはこれに限られるものではな
い。
、プラズマ処理装置としてはこれに限られるものではな
い。
本発明によれば、処理室内の対向する電極間で均一な放
電を発生させることができるので、試料を均一に処理す
ることができるという効果がある。
電を発生させることができるので、試料を均一に処理す
ることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例であるプラズマ処理装置を示
す構成図である。 ■・・・・・・処理室、２，３・・・・・・電極、５・
・・・・・高周波４１図 δ−−−−ｊげイ
す構成図である。 ■・・・・・・処理室、２，３・・・・・・電極、５・
・・・・・高周波４１図 δ−−−−ｊげイ
Claims (1)
- １、試料をプラズマ処理する処理室と、該処理室内に設
けられ電源が接続された電極と、前記処理室内で前記電
極に対向して設けられ接地した他の電極と、前記試料の
プラズマ処理中に前記処理室を電気的に浮かせる手段と
を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2826387A JPS63197340A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2826387A JPS63197340A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63197340A true JPS63197340A (ja) | 1988-08-16 |
Family
ID=12243688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2826387A Pending JPS63197340A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63197340A (ja) |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP2826387A patent/JPS63197340A/ja active Pending
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