JPS63196069A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
- Publication number
- JPS63196069A JPS63196069A JP2850287A JP2850287A JPS63196069A JP S63196069 A JPS63196069 A JP S63196069A JP 2850287 A JP2850287 A JP 2850287A JP 2850287 A JP2850287 A JP 2850287A JP S63196069 A JPS63196069 A JP S63196069A
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- JP
- Japan
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- emitter
- pattern
- electrode
- resistor
- capacitor
- Prior art date
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- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 13
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、混成集積回路装置に関し、特に高周波帯で用
いられる混成集積回路に関する。
いられる混成集積回路に関する。
従来、混成集積回路において、表面上にエミッタ抵抗帰
還匿トランジスタ多段増幅回路のエミッタ電極部とエミ
ッタ帰還抵抗体と接地電極パターンとが形成され、かつ
エミッタピーキング用コンデンサが前記エミッタ帰還抵
抗体と並列に配置される構造には、第１の構造として、
エミッタ帰還抵抗体と並列沈積層セラミックコンデンサ
等々が配置できる様にしたもの、第２の構造として、エ
ミッタ電極部に対面する裏面にメタ２イズパターンを配
置するもの、等々があった。
還匿トランジスタ多段増幅回路のエミッタ電極部とエミ
ッタ帰還抵抗体と接地電極パターンとが形成され、かつ
エミッタピーキング用コンデンサが前記エミッタ帰還抵
抗体と並列に配置される構造には、第１の構造として、
エミッタ帰還抵抗体と並列沈積層セラミックコンデンサ
等々が配置できる様にしたもの、第２の構造として、エ
ミッタ電極部に対面する裏面にメタ２イズパターンを配
置するもの、等々があった。
しかしながら、前記第１Ｑ構造は、エミッタ帰還抵抗体
とエミッタビーキング用積層セラミックコンデンサとが
並列に配置される構造である為、物理的にある一定の距
離を必要とし、従ってパターンのり一ドインダクタンス
分くより、周波数帯域の高域において帰還インピーダン
スの上昇による帰還量の増大によって高域の利得低下を
招き、周波数特性を劣化させる等々の欠点があった。第
２の構造は、エミッタ電極部に対面する部分にしか容量
を形成することができず、従って数ＰＦ程度の小容量で
ある為、充分なエミッタピーキング容量を確保できず特
殊な用途にしか採用できないという欠点がありた。
とエミッタビーキング用積層セラミックコンデンサとが
並列に配置される構造である為、物理的にある一定の距
離を必要とし、従ってパターンのり一ドインダクタンス
分くより、周波数帯域の高域において帰還インピーダン
スの上昇による帰還量の増大によって高域の利得低下を
招き、周波数特性を劣化させる等々の欠点があった。第
２の構造は、エミッタ電極部に対面する部分にしか容量
を形成することができず、従って数ＰＦ程度の小容量で
ある為、充分なエミッタピーキング容量を確保できず特
殊な用途にしか採用できないという欠点がありた。
本発明の目的は、上述の諸欠点を取シ除くことにある。
すなわち、絶縁性基板の表面パターン上のエミッタ帰還
抵抗体と並列に設けられたエミッタピーキング用コンデ
ンサパターンのリードインダクタンス分を小さくして利
得の低下を防ぎ周波数特性を改善し、また高域でグラン
ドも充分に取れるように改善して、安価で、高周波特性
の曳い混成集積回路を提供することである。
抵抗体と並列に設けられたエミッタピーキング用コンデ
ンサパターンのリードインダクタンス分を小さくして利
得の低下を防ぎ周波数特性を改善し、また高域でグラン
ドも充分に取れるように改善して、安価で、高周波特性
の曳い混成集積回路を提供することである。
本発明による混成集積回路は、絶縁性基板の表面上の所
定部に設けられたエミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅
回路のエミッタ電極部と、−喝が前記エミッタ電極部と
接続され他端が表面接地電極部と接続され九エミッタ膜
抵抗体と、前記表面接地電極上に形成された誘電体膜と
、この誘電体の上に前記表面接地電極と対面するように
設けられた第２の電極と、前記表面接地電極とから構成
されたエミッタ回路パターンとを備えたことを特徴とす
る。
定部に設けられたエミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅
回路のエミッタ電極部と、−喝が前記エミッタ電極部と
接続され他端が表面接地電極部と接続され九エミッタ膜
抵抗体と、前記表面接地電極上に形成された誘電体膜と
、この誘電体の上に前記表面接地電極と対面するように
設けられた第２の電極と、前記表面接地電極とから構成
されたエミッタ回路パターンとを備えたことを特徴とす
る。
以下に本発明の詳細を実施例を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例で１）、エミッタ抵抗帰還型
増幅回路基板の表面パターンである。第２図は、第１図
の等価回路である。
増幅回路基板の表面パターンである。第２図は、第１図
の等価回路である。
第１図の表面パターンにおいて、エミッタ抵抗帰還型ト
ランジスタ増幅器のエミッタ電極１０と表面パターンの
接地電極パターン３０との間にエミッタ膜抵抗体２０が
形成され、かつ前記エミ。
ランジスタ増幅器のエミッタ電極１０と表面パターンの
接地電極パターン３０との間にエミッタ膜抵抗体２０が
形成され、かつ前記エミ。
夕電極１０とエミッタ膜抵抗体２０と接地電極パターン
３０の上に誘電体膜５０が形成され、その誘電体膜５０
の上側でかつ接地電極パターン３０の一部と接続面を有
する厚膜コンデンサの上部電極４０を形成することによ
シ、エミッタ抵抗に並列にエミッタピーキング用コンデ
ンサを同時に形成したことくなる。エミッタ抵抗体２０
と誘電体膜５０及び上部電極４０の上下関係は逆でも機
能的には同様であることは云うまでもない。
３０の上に誘電体膜５０が形成され、その誘電体膜５０
の上側でかつ接地電極パターン３０の一部と接続面を有
する厚膜コンデンサの上部電極４０を形成することによ
シ、エミッタ抵抗に並列にエミッタピーキング用コンデ
ンサを同時に形成したことくなる。エミッタ抵抗体２０
と誘電体膜５０及び上部電極４０の上下関係は逆でも機
能的には同様であることは云うまでもない。
以上説明したように本発明は、エミッタ帰還抵抗体と多
層構造にして厚膜ピーキングコンデンサを設けることに
よシ、コンデンサパターンのリードインダクタンス分を
小さくして利得の低下を防ぎ、周波数特性を改善し、安
定度も増しピーキング用コンデンサを厚膜構成としてい
る為、外部に積層セラオックコンデンサ等々の部品を取
〕付ける必要もなく資材費や工数を削減でき安価で高周
波特性の良い利点がある。
層構造にして厚膜ピーキングコンデンサを設けることに
よシ、コンデンサパターンのリードインダクタンス分を
小さくして利得の低下を防ぎ、周波数特性を改善し、安
定度も増しピーキング用コンデンサを厚膜構成としてい
る為、外部に積層セラオックコンデンサ等々の部品を取
〕付ける必要もなく資材費や工数を削減でき安価で高周
波特性の良い利点がある。
第１図は本発明の一実施例を示す表面の平面図、第２図
は本発明の一実施例の等価回路図である。 １０・・・・・・エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅
器のエミッタ電極、１１・・・・・・エミッタ抵抗帰還
型トランジスタ増幅器のコレクタ電極、１２・・・・・
・エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅器のペース電極
、２０・・・・・・エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増
幅器のエミッタ抵抗、３０・・・・・・表面パターンの
接地電極パターン、４０・・・・・・厚膜コンデンサ上
部電極、５０・・・・・・誘電体膜。
は本発明の一実施例の等価回路図である。 １０・・・・・・エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅
器のエミッタ電極、１１・・・・・・エミッタ抵抗帰還
型トランジスタ増幅器のコレクタ電極、１２・・・・・
・エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅器のペース電極
、２０・・・・・・エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増
幅器のエミッタ抵抗、３０・・・・・・表面パターンの
接地電極パターン、４０・・・・・・厚膜コンデンサ上
部電極、５０・・・・・・誘電体膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁性基板の表面上の所定部に設けられたエミッタ抵
抗帰還型トランジスタ増幅回路のエミッタ電極部と、一
端が前記エミッタ電極部と接続され他端が表面接地電極
部と接続されたエミッタ膜抵抗体と、前記表面接地電極
上に形成された誘電体膜と、この誘電体の上に前記表面
接地電極と対面するように設けられた電極と、前記表面
接 地電極とから構成されたエミッタ回路パターンとを備え
たことを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2850287A JPH0682779B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2850287A JPH0682779B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63196069A true JPS63196069A (ja) | 1988-08-15 |
| JPH0682779B2 JPH0682779B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=12250450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2850287A Expired - Lifetime JPH0682779B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682779B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091526A1 (en) * | 2000-05-20 | 2001-11-29 | Central Research Laboratories Limited | A method of providing a bias voltage at radio frequencies |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP2850287A patent/JPH0682779B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091526A1 (en) * | 2000-05-20 | 2001-11-29 | Central Research Laboratories Limited | A method of providing a bias voltage at radio frequencies |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682779B2 (ja) | 1994-10-19 |
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