JPS63192017A - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
液晶装置の製造方法Info
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- JPS63192017A JPS63192017A JP2496687A JP2496687A JPS63192017A JP S63192017 A JPS63192017 A JP S63192017A JP 2496687 A JP2496687 A JP 2496687A JP 2496687 A JP2496687 A JP 2496687A JP S63192017 A JPS63192017 A JP S63192017A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は９画像表示装置やコンピュータ端末あるいは電
気光学シャフタ等に用いられる大型大容量の液晶装置の
製造方法に関するものである。
気光学シャフタ等に用いられる大型大容量の液晶装置の
製造方法に関するものである。
本発明は、所定量の旋光性物質が添加された正の誘電異
方性を有するネマチック液晶組成物を。
方性を有するネマチック液晶組成物を。
表面に配向膜を形成した相対峙する２枚の透明電極基板
間に封入し、該ネマチ７り液晶組成物がその厚さ方向に
ねじれたら旋構造を形成し、かつ該透明基板の外側に１
対の偏光板を具備した液晶装置の製造方法において、基
板上に互いに絶縁されて配置された複数の導電層上に、
電着性高分子を分散させた溶液から電着により高分子層
を形成したのち、所定の操作をほどこして、液晶配向膜
を形成することにより、該液晶配向膜を均一な所定の膜
厚にすることができ、導電膜具えを大幅に削減した大型
大容量の液晶装置を９歩留り良く製造できる製造方法を
提供するものである。
間に封入し、該ネマチ７り液晶組成物がその厚さ方向に
ねじれたら旋構造を形成し、かつ該透明基板の外側に１
対の偏光板を具備した液晶装置の製造方法において、基
板上に互いに絶縁されて配置された複数の導電層上に、
電着性高分子を分散させた溶液から電着により高分子層
を形成したのち、所定の操作をほどこして、液晶配向膜
を形成することにより、該液晶配向膜を均一な所定の膜
厚にすることができ、導電膜具えを大幅に削減した大型
大容量の液晶装置を９歩留り良く製造できる製造方法を
提供するものである。
近年は表示情報量の増大に伴い、Ｘ−Ｙマトリクス状に
電極を形成したいわゆるドントマトリクス液晶装置が、
薄型軽量コンパクトな表示端末装置として注目を集めて
おり、液晶表示装置等はますます大型化を要求されてい
る。
電極を形成したいわゆるドントマトリクス液晶装置が、
薄型軽量コンパクトな表示端末装置として注目を集めて
おり、液晶表示装置等はますます大型化を要求されてい
る。
第２図は液晶表示装置の構成を示す断面図である０図中
２１２．２１ｂは上下一対の透明基板で該透明基板上に
は、互いに直交する複数の透明電極２２ａ、２２ｂが、
Ｘ−Ｙマトリクス状になるように形成されている。該透
明電極の表面には。
２１２．２１ｂは上下一対の透明基板で該透明基板上に
は、互いに直交する複数の透明電極２２ａ、２２ｂが、
Ｘ−Ｙマトリクス状になるように形成されている。該透
明電極の表面には。
薄膜がコーティングされており、この薄膜を布等でう゛
ピング処理を施す事によって配向１１１’２３ａ。
ピング処理を施す事によって配向１１１’２３ａ。
２３ｂが形成されている。透明基板２１ａ、２１ｂの間
隙には所定量の筒先物質が添加されたネマチンク液晶組
成物層２５が封入され、その厚さ方向にねじれたら部構
造を形成しており、接着剤２６ａｔ ２６ｂによって
シーリングされている。該ネマチンク液晶の厚みを精度
良く均一に制御するため、二枚の透明基板２１ａ、２１
ｂの間隙にはスペーサー２４が配置されている。さらに
、該透明基板の外側には、一対の偏光板２６ａ、２６ｂ
が、透過軸または吸収軸と基板界面の液晶分子配列方向
が所定の角度をなすように設置されている。
隙には所定量の筒先物質が添加されたネマチンク液晶組
成物層２５が封入され、その厚さ方向にねじれたら部構
造を形成しており、接着剤２６ａｔ ２６ｂによって
シーリングされている。該ネマチンク液晶の厚みを精度
良く均一に制御するため、二枚の透明基板２１ａ、２１
ｂの間隙にはスペーサー２４が配置されている。さらに
、該透明基板の外側には、一対の偏光板２６ａ、２６ｂ
が、透過軸または吸収軸と基板界面の液晶分子配列方向
が所定の角度をなすように設置されている。
上記配向膜を形成する処理（配向処理）は、透明電極上
に無機質または有機質薄膜を形成し、該薄膜表面を布な
どを用い一定方向にこする方法が広く行なわれている。
に無機質または有機質薄膜を形成し、該薄膜表面を布な
どを用い一定方向にこする方法が広く行なわれている。
このような目的に用いる薄膜材料としては例えば酸化ケ
イ素、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリア
ミドイミド。
イ素、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリア
ミドイミド。
ポリイミドなどが知られている。これらの材料を液晶配
向膜として用いるには、透明電極を有する透明基板上に
均一で所定の膜厚の膜を形成せねばならない。膜厚が不
均一なものは９表示するために電圧を印加したとき、液
晶層に印加される実効電圧が不均一となり１表示ムラと
なって好ましくない。このような薄膜を形成する手段と
して従来は、浸せき塗布法および回転塗布法が用いられ
ていた。浸せき塗布法とは、前記配向膜材料の有機溶液
中に透明電極を有する透明基板を浸せきし。
向膜として用いるには、透明電極を有する透明基板上に
均一で所定の膜厚の膜を形成せねばならない。膜厚が不
均一なものは９表示するために電圧を印加したとき、液
晶層に印加される実効電圧が不均一となり１表示ムラと
なって好ましくない。このような薄膜を形成する手段と
して従来は、浸せき塗布法および回転塗布法が用いられ
ていた。浸せき塗布法とは、前記配向膜材料の有機溶液
中に透明電極を有する透明基板を浸せきし。
所定の速度で引き上げたのち、クリーンルーム内で乾燥
させ熱処理を行なうことによって、配向膜を形成する方
法をいう、また１回転塗布法とは。
させ熱処理を行なうことによって、配向膜を形成する方
法をいう、また１回転塗布法とは。
回転しうる版胴表面に、所望の印刷形状に対応した形状
の凸部を有する凸版を設置し、該凸版表面に薄膜となす
べき材料を溶剤等に溶解してなるインキを均一に付着さ
せ、しかる後に凸版を被印刷体である透明基板表面上に
転動圧着することによって、該基板表面上に所望の形状
に選択的に印刷形成された薄膜とし、乾燥、熱処理を行
なうことによって、配向膜を形成する方法をいう。
の凸部を有する凸版を設置し、該凸版表面に薄膜となす
べき材料を溶剤等に溶解してなるインキを均一に付着さ
せ、しかる後に凸版を被印刷体である透明基板表面上に
転動圧着することによって、該基板表面上に所望の形状
に選択的に印刷形成された薄膜とし、乾燥、熱処理を行
なうことによって、配向膜を形成する方法をいう。
前記配向膜の形成手段のうち、浸せき塗布法の問題点と
して端子部表面の該配向膜を剥離しなければならないと
いうことがある。液晶表示装置においては、内面に形成
されている導電層からなる電極を外部電源に接続するた
めの端子部が設けられており、かつ前記配向膜材料はい
ずれも電気絶縁性物質であるため、これらが上記端子部
表面に薄膜として存在することは、電気的接続を阻害す
るため不都合である。そこで該端子部表面の薄膜を除去
しなげればならないが、製造工程が複雑になり、信頼性
も低下してしまうという点で浸せき塗布法は好ましくな
かった。
して端子部表面の該配向膜を剥離しなければならないと
いうことがある。液晶表示装置においては、内面に形成
されている導電層からなる電極を外部電源に接続するた
めの端子部が設けられており、かつ前記配向膜材料はい
ずれも電気絶縁性物質であるため、これらが上記端子部
表面に薄膜として存在することは、電気的接続を阻害す
るため不都合である。そこで該端子部表面の薄膜を除去
しなげればならないが、製造工程が複雑になり、信頼性
も低下してしまうという点で浸せき塗布法は好ましくな
かった。
上記のような剥離操作不要な薄膜形成法として用いられ
ていたのが９回転塗布法である。ところが回転塗布法に
も下記のような問題点がある。即ちこの方法によって得
られた薄膜の寸法精度と膜厚精度は必ずしも十分ではな
く、さらに、クリーン度が高く温度湿度が厳密に調整さ
れた環境下で行なわれなければならないという点である
。回転塗布法によって得られた薄膜の寸法精度は ５０
０μｍ、膜厚精度は０．１μｍから１．０μｍの範囲で
±０．３μｍである。配向膜となすべき材料はほとんど
がＮ−メチル２ヒロリドン（ＮＭＰ）等の有機溶剤に熔
かして、該回転塗布のインキに用いている。ところが、
該ＮＭＰは吸湿性が強く空気中の水分を吸うと白濁した
り、印刷時の塗膜の均一性がそこなわれるという欠点が
あるため。
ていたのが９回転塗布法である。ところが回転塗布法に
も下記のような問題点がある。即ちこの方法によって得
られた薄膜の寸法精度と膜厚精度は必ずしも十分ではな
く、さらに、クリーン度が高く温度湿度が厳密に調整さ
れた環境下で行なわれなければならないという点である
。回転塗布法によって得られた薄膜の寸法精度は ５０
０μｍ、膜厚精度は０．１μｍから１．０μｍの範囲で
±０．３μｍである。配向膜となすべき材料はほとんど
がＮ−メチル２ヒロリドン（ＮＭＰ）等の有機溶剤に熔
かして、該回転塗布のインキに用いている。ところが、
該ＮＭＰは吸湿性が強く空気中の水分を吸うと白濁した
り、印刷時の塗膜の均一性がそこなわれるという欠点が
あるため。
特に温度湿度が厳密に管理された環境が必要で該回転塗
布法を行なうのに必要な環境条件は、温度が２０℃から
２５℃の範囲、湿度が４５％以下の範囲でなければなら
ない、それ故１回転塗布法を用いると歩留りが低く環境
設定に莫大な投資が必要になるという問題点があった。
布法を行なうのに必要な環境条件は、温度が２０℃から
２５℃の範囲、湿度が４５％以下の範囲でなければなら
ない、それ故１回転塗布法を用いると歩留りが低く環境
設定に莫大な投資が必要になるという問題点があった。
上記問題点を解決するために１本発明では液晶装置の製
造方法において、透明基板上に互いに絶縁されて配置さ
れた複数の導電層上に、電着性高分子を分散させた溶液
から電着により高分子層を形成したのち、所定の操作を
行なって、液晶配向膜を形成する方法（以下、電着塗布
法と呼ぶ）を提供する。該電着塗布法では、導電層上に
のみ配向膜が形成されるので寸法精度は±０．１μｍで
あり、電着時に端子部を浸せきしなければ該端子部表面
に配向膜が形成されることはない。さらに電着の電圧と
時間によって、容易に膜厚制御が可能であり、膜厚精度
は０．１μｍから１．０μｍの範囲で±０゜０１μｍで
ある。また１回転塗布法に必要な厳しい環境条件は全く
不要である。
造方法において、透明基板上に互いに絶縁されて配置さ
れた複数の導電層上に、電着性高分子を分散させた溶液
から電着により高分子層を形成したのち、所定の操作を
行なって、液晶配向膜を形成する方法（以下、電着塗布
法と呼ぶ）を提供する。該電着塗布法では、導電層上に
のみ配向膜が形成されるので寸法精度は±０．１μｍで
あり、電着時に端子部を浸せきしなければ該端子部表面
に配向膜が形成されることはない。さらに電着の電圧と
時間によって、容易に膜厚制御が可能であり、膜厚精度
は０．１μｍから１．０μｍの範囲で±０゜０１μｍで
ある。また１回転塗布法に必要な厳しい環境条件は全く
不要である。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明による液晶表示装置の構成を示す断面図
である。図中１１ａ、ｌｌｂは透明材料よりなる表示基
板で該基板上に蒸着によりＩＴＯ透明導電膜が形成され
る。該透明導電膜をエツチングにより所定の互いに絶縁
された複数の表示電極１２ａ、１２ｂを得る。次に、ポ
リアミック酸のカルボキシル基を中和するため当量のア
ンモニアを加えたのち、水に均一に分散させる。以上の
ように作製した電着浴中に、透明電極１２ａ、１２ｂが
形成された透明基板１１８．１１ｂを浸せきする。該透
明電極を一端としてＩＯＶの電圧を３分間印加する。こ
のとき電流は通電直後、大きな電流が流れるが、しだい
に減少し、やがてほとんどＯに近づく。この後、透明基
板を引き上げ充分に水洗いし、乾燥させると、透明電極
上には高分子層が形成されている。次に、電着により形
成した該高分子層に３００℃、１時間の熱処理を行なっ
たのち１回転ロール法により一定方向にこする（ラビン
グ）処理をほどこして配向膜１３ａ。
である。図中１１ａ、ｌｌｂは透明材料よりなる表示基
板で該基板上に蒸着によりＩＴＯ透明導電膜が形成され
る。該透明導電膜をエツチングにより所定の互いに絶縁
された複数の表示電極１２ａ、１２ｂを得る。次に、ポ
リアミック酸のカルボキシル基を中和するため当量のア
ンモニアを加えたのち、水に均一に分散させる。以上の
ように作製した電着浴中に、透明電極１２ａ、１２ｂが
形成された透明基板１１８．１１ｂを浸せきする。該透
明電極を一端としてＩＯＶの電圧を３分間印加する。こ
のとき電流は通電直後、大きな電流が流れるが、しだい
に減少し、やがてほとんどＯに近づく。この後、透明基
板を引き上げ充分に水洗いし、乾燥させると、透明電極
上には高分子層が形成されている。次に、電着により形
成した該高分子層に３００℃、１時間の熱処理を行なっ
たのち１回転ロール法により一定方向にこする（ラビン
グ）処理をほどこして配向膜１３ａ。
１３ｂを得る。得られた該配向膜は、膜厚が０゜０９±
０．０５μｍの範囲にあり、極めて均一であった。また
、透明導電膜の膜厚を０．１３±０゜０１μｍの範囲と
してあったので、透明基板のみの光透過率と、透明基板
・透明電極・配向膜の３層の光透過率の差は、全可視光
にわたって５％以下となり、液晶表示装置の電極具えを
大幅に削減できた。
０．０５μｍの範囲にあり、極めて均一であった。また
、透明導電膜の膜厚を０．１３±０゜０１μｍの範囲と
してあったので、透明基板のみの光透過率と、透明基板
・透明電極・配向膜の３層の光透過率の差は、全可視光
にわたって５％以下となり、液晶表示装置の電極具えを
大幅に削減できた。
このような方法で配向膜１３ａ、１３ｂが形成された透
明基１１１ａ、ｌｌｂを対向させて、スペーサー１４を
介して間隔が一定になるように配置する。該透明基板間
隙にネマチック液晶１５を封入し、液晶分子がら庇構造
をなすように形成しシール剤１６でシールして液晶セル
とした。封入した液晶は、ＰＣＩ（系、ビフェニル系、
１−トランスアルキルジシクロヘキシル４−ｎアルコキ
シフェニル、及び４−ｎアルコキシフェニルカルボン酸
４° −トランスｎアルキルシクロヘキシル液晶を主成
分とするネマチック液晶混合物に、旋光性物質としてメ
ルク社製Ｓ−８１１を加えたものを用いた。このセルに
、２枚の偏光Ｊｆｆｌ１７ａ、１７ｂを透過軸が液晶分
子の配列方向に４５度の角度をなすように互いに平行に
設置した。こうして作製された液晶セルを、電圧印加・
無印加を一定の間隔で繰り返しながら、６０℃で９０％
の環境試験に５００時間おいたところ、まったく変化な
く、良好の表示状態にあった。
明基１１１ａ、ｌｌｂを対向させて、スペーサー１４を
介して間隔が一定になるように配置する。該透明基板間
隙にネマチック液晶１５を封入し、液晶分子がら庇構造
をなすように形成しシール剤１６でシールして液晶セル
とした。封入した液晶は、ＰＣＩ（系、ビフェニル系、
１−トランスアルキルジシクロヘキシル４−ｎアルコキ
シフェニル、及び４−ｎアルコキシフェニルカルボン酸
４° −トランスｎアルキルシクロヘキシル液晶を主成
分とするネマチック液晶混合物に、旋光性物質としてメ
ルク社製Ｓ−８１１を加えたものを用いた。このセルに
、２枚の偏光Ｊｆｆｌ１７ａ、１７ｂを透過軸が液晶分
子の配列方向に４５度の角度をなすように互いに平行に
設置した。こうして作製された液晶セルを、電圧印加・
無印加を一定の間隔で繰り返しながら、６０℃で９０％
の環境試験に５００時間おいたところ、まったく変化な
く、良好の表示状態にあった。
以上説明したように２本発明によれば、液晶装置の液晶
配向膜を均一な所定の膜厚にすることができ、導電膜見
えを大幅に削減した大型大容量の液晶装置を歩留り良く
製造することができるようになった。
配向膜を均一な所定の膜厚にすることができ、導電膜見
えを大幅に削減した大型大容量の液晶装置を歩留り良く
製造することができるようになった。
第１図は本発明による液晶表示装置の構成を示す断面図
、第２図は従来の液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。 １１ａ、ｌｌｂ、、、、透明基板 １２ａ、１２ｂ、、、、透明電極 １３ａ、１３ｂ、、、、配向膜 １４、、、、スペーサー １５、、、、液晶層 １６、、、、シール剤 １７ａ、１７ｂ、、、、偏光板 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最上 務（他１名） ｓ夜晶装置／）４ＰＦ職′乞ホす吋面図第１図 ６ｂ 従来の液晶層１の講八゛乞ホ″Ｃ面′面図第２図
、第２図は従来の液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。 １１ａ、ｌｌｂ、、、、透明基板 １２ａ、１２ｂ、、、、透明電極 １３ａ、１３ｂ、、、、配向膜 １４、、、、スペーサー １５、、、、液晶層 １６、、、、シール剤 １７ａ、１７ｂ、、、、偏光板 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 最上 務（他１名） ｓ夜晶装置／）４ＰＦ職′乞ホす吋面図第１図 ６ｂ 従来の液晶層１の講八゛乞ホ″Ｃ面′面図第２図
Claims (2)
- （１）所定量の旋光性物質が添加された正の誘電異方性
を有するネマチック液晶組成物を、表面に配向膜を形成
した相対峙する２枚の透明電極基板間に封入し、該ネマ
チック液晶組成物がその厚さ方向にねじられたら旋構造
を形成し、かつ該透明基板の外側に１対の偏光板を具備
してなる液晶装置の製造方法において、基板上に互いに
絶縁されて配置された複数の導電層上に、電着性高分子
を分散させた溶液から電着により高分子層を形成したの
ち、該高分子膜をラビング処理を行う事によって配向膜
を形成した事を特徴とする液晶装置の製造方法。 - （２）該電着性高分子は、水溶性ポリイミド、ポリビニ
ルアルコール、ポリアミド、ポリアミドイミド及びその
誘導体であることを特徴とする特許請求の範囲第一項記
載の液晶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62024966A JP2562024B2 (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | 液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62024966A JP2562024B2 (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | 液晶装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63192017A true JPS63192017A (ja) | 1988-08-09 |
| JP2562024B2 JP2562024B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=12152712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62024966A Expired - Lifetime JP2562024B2 (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | 液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2562024B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59192186U (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-20 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 表示装置 |
| JPS6023834A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マトリクス型多色表示装置用基板の製造方法 |
| JPS6023826A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 表示装置 |
| JPS6173373A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Asahi Glass Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
-
1987
- 1987-02-05 JP JP62024966A patent/JP2562024B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59192186U (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-20 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 表示装置 |
| JPS6023834A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マトリクス型多色表示装置用基板の製造方法 |
| JPS6023826A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 表示装置 |
| JPS6173373A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Asahi Glass Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2562024B2 (ja) | 1996-12-11 |
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