JPS63182810A - 結晶基材の製造方法 - Google Patents
結晶基材の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は結晶基材の製造方法に係り、特に堆積面の材料
よりも核形成密度が十分大きく、且つ堆積させる結晶材
料の単一の核だけが成長する程度に十分微細な異種材料
を前記堆積面に形成し、この異種材料に形成された単一
の核を中心に成長させることによって結晶を形成する結
晶基材の製造方法に関する。
よりも核形成密度が十分大きく、且つ堆積させる結晶材
料の単一の核だけが成長する程度に十分微細な異種材料
を前記堆積面に形成し、この異種材料に形成された単一
の核を中心に成長させることによって結晶を形成する結
晶基材の製造方法に関する。
本発明は、例えばＳＯＩ技術に好適に用いられる。
［従来技術］
従来、半導体電子素子や光素子等に用いられる小結晶薄
膜は、単結晶基板上にエピタキシャル成長させることで
形成されていた。しかしながら、単結晶基板上に単結晶
薄膜をエピタキシャル成長させるには、基板の単結晶材
料とエピタキシャル１＆長層との間に、格子定数と熱膨
張係数との整合をとる必要があり、良質な素子が作製可
能な単結高層を形成するには、基板材料の種類が極めて
狭い範囲に限定されるという問題点を有していた。
膜は、単結晶基板上にエピタキシャル成長させることで
形成されていた。しかしながら、単結晶基板上に単結晶
薄膜をエピタキシャル成長させるには、基板の単結晶材
料とエピタキシャル１＆長層との間に、格子定数と熱膨
張係数との整合をとる必要があり、良質な素子が作製可
能な単結高層を形成するには、基板材料の種類が極めて
狭い範囲に限定されるという問題点を有していた。
一方、近年、半導体素子を基板の法線方向に積層形成し
、高集積化および多機能化を達成する三次元集積回路の
研究開発が近年盛んに行われており、また安価なガラス
上に素子をアレー状に配列する太陽電池や液晶画素のス
イッチングトランジスタ等の大面積半導体装置の研究開
発も年々盛んになりつつある。
、高集積化および多機能化を達成する三次元集積回路の
研究開発が近年盛んに行われており、また安価なガラス
上に素子をアレー状に配列する太陽電池や液晶画素のス
イッチングトランジスタ等の大面積半導体装置の研究開
発も年々盛んになりつつある。
これらの研究開発に共通することは、半導体薄膜を非晶
質絶縁物上に形成し、そこにトランジスタ等の電子素子
を形成する技術を必要とすることである。その中でも特
に、非晶質絶縁物上に高品質の単結晶半導体を形成する
技術が望まれている。
質絶縁物上に形成し、そこにトランジスタ等の電子素子
を形成する技術を必要とすることである。その中でも特
に、非晶質絶縁物上に高品質の単結晶半導体を形成する
技術が望まれている。
しかしながら、一般的に、Ｓｉ０２等の非晶質絶縁物基
板上に薄膜を堆積させると、基板材料の長距ａｌ秩序の
欠如によって、堆ａ１Ｍの結晶構造は非晶質又は多結晶
となり、高品質の単結晶半導体を形成するは、きわめて
困難であった。ここで非晶質膜とは、最近接原子程度の
近距離秩序は保存されているが、それ以上の長距離秩序
はない状態のものであり、多結晶膜とは、特定の結晶方
位を持たない小結層粒が粒界で隔離されて集合したもの
である。
板上に薄膜を堆積させると、基板材料の長距ａｌ秩序の
欠如によって、堆ａ１Ｍの結晶構造は非晶質又は多結晶
となり、高品質の単結晶半導体を形成するは、きわめて
困難であった。ここで非晶質膜とは、最近接原子程度の
近距離秩序は保存されているが、それ以上の長距離秩序
はない状態のものであり、多結晶膜とは、特定の結晶方
位を持たない小結層粒が粒界で隔離されて集合したもの
である。
以」二述べたような、従来の問題点を解決するものとし
て、特願昭８１−１５３２７３において、堆積面に、該
堆積面の材料より核形成密度が十分大きく、かつ単一の
核だけが成長する程度に十分微細な異種材料が設けられ
、該異種材料に成長した単一の核を中心として、結晶を
成長させることによって結晶を形成する形成方法が提案
されており、この方法を用いることにより、絶縁基体上
にも単結晶形成が可能なことが示されている。なお、こ
の単結晶の形成方法の詳細については実施例において、
説明する。
て、特願昭８１−１５３２７３において、堆積面に、該
堆積面の材料より核形成密度が十分大きく、かつ単一の
核だけが成長する程度に十分微細な異種材料が設けられ
、該異種材料に成長した単一の核を中心として、結晶を
成長させることによって結晶を形成する形成方法が提案
されており、この方法を用いることにより、絶縁基体上
にも単結晶形成が可能なことが示されている。なお、こ
の単結晶の形成方法の詳細については実施例において、
説明する。
［発明の目的］
上記の発明は、堆積面材料よりも異種材料の方がエツチ
ング速度が小さい場合には、選択的にエツチングを行う
ことが困難で、精度よ〈堆積面を形成することが難しく
、改善が望まれていた。
ング速度が小さい場合には、選択的にエツチングを行う
ことが困難で、精度よ〈堆積面を形成することが難しく
、改善が望まれていた。
本発明の目的は、堆積面材料よりも異種材料の方がエツ
チング速度が小さい場合に好適に用いられ、かつ高品質
、高精度な単結晶領域を簡単な工程で形成回部な結晶基
材の製造方法を提供することにある。
チング速度が小さい場合に好適に用いられ、かつ高品質
、高精度な単結晶領域を簡単な工程で形成回部な結晶基
材の製造方法を提供することにある。
なお、上述した異種材料は堆積面材料よりも核形成密度
の大きい材料を示すが、本発明に記す異種材料層の異種
材料は基体面材料よりも核形成密度の小さい材料を示す
。
の大きい材料を示すが、本発明に記す異種材料層の異種
材料は基体面材料よりも核形成密度の小さい材料を示す
。
［発明の概要］
本発明の結晶基材の製造方法は、基体面に、この基体面
の材料より、堆積させる結晶材料の核形成密度が十分小
さい異種材料層を形成する工程と、 前記基体面の露出部分が、結晶材料の単一の核だけが成
長する程度に、十分微細な大きさとなるように、前記異
種材料層に開口部を形成する工程と。
の材料より、堆積させる結晶材料の核形成密度が十分小
さい異種材料層を形成する工程と、 前記基体面の露出部分が、結晶材料の単一の核だけが成
長する程度に、十分微細な大きさとなるように、前記異
種材料層に開口部を形成する工程と。
前記開口部の基体面の露出部分に形成された単一の核を
中心として、結晶を成長させる工程と、を有することを
特徴とする。
中心として、結晶を成長させる工程と、を有することを
特徴とする。
［作用］
本発明の結晶基材の製造方法は、異種材料層に開口部を
設けて、結晶成長の中心となる単一の核を基体面の露出
部分に形成させることにより、核形成密度の小さい異種
材料層を上層に形成し、従来とは逆に核形成密度の小さ
い異種材料層をエツチングす、ることによって、結晶成
長の中心となる単一の核を形成させる材料部分を形成す
るものである。
設けて、結晶成長の中心となる単一の核を基体面の露出
部分に形成させることにより、核形成密度の小さい異種
材料層を上層に形成し、従来とは逆に核形成密度の小さ
い異種材料層をエツチングす、ることによって、結晶成
長の中心となる単一の核を形成させる材料部分を形成す
るものである。
［実施例］
以下１本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の結晶基材の製造方法の一実施例を説明
するための概略的工程図である。
するための概略的工程図である。
まず、第１図（Ａ）に示すように、ガラス基板ｌ上に窒
化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜２をＣＶＤ法によって形成
し、更にその上に厚い５ｉ０２膜３を同じ＜ＣＶＤ法も
しくはスピンコート法によって形成する。
化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜２をＣＶＤ法によって形成
し、更にその上に厚い５ｉ０２膜３を同じ＜ＣＶＤ法も
しくはスピンコート法によって形成する。
次に、第１図（Ｂ）に示すように、選択的にエツチング
によって凹部５を形成し、側壁部４のみを残す、エツチ
ング液として、例えばバッファフッ酸を用いれば、選択
的にエツチングを行うことができ、Ｓｉ３Ｎ４膜２を残
すことができる。
によって凹部５を形成し、側壁部４のみを残す、エツチ
ング液として、例えばバッファフッ酸を用いれば、選択
的にエツチングを行うことができ、Ｓｉ３Ｎ４膜２を残
すことができる。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、ガラス基板１を高温
で酸化することにより、Ｓｉ３Ｎ４膜表面上に５ｉ０２
膜６を形成する。この時、側壁部４の５ｉ０２膜もアニ
ールされて、緻密になる。
で酸化することにより、Ｓｉ３Ｎ４膜表面上に５ｉ０２
膜６を形成する。この時、側壁部４の５ｉ０２膜もアニ
ールされて、緻密になる。
次にフォトリングラフィ技術を用いて、薄い５ｉ０２膜
６の中央の微小領域をエツチングによって除去し、Ｓｉ
３Ｎ４膜の微小露出領域７を形成する。この微小露出領
域７の面積は、堆積させるＳｉの単一の核のみが成長す
るのに十分微細に形成される。
６の中央の微小領域をエツチングによって除去し、Ｓｉ
３Ｎ４膜の微小露出領域７を形成する。この微小露出領
域７の面積は、堆積させるＳｉの単一の核のみが成長す
るのに十分微細に形成される。
次に、第１図（Ｄ）に示すように、微小露出領域７に形
成されるＳｉの単一の核を中心とし、Ｓｉの単結晶領域
８が形成される。この時、単結晶特有の尖頭部を有する
フォセットが存在して表面が凸になる場合が多い、なお
、単結晶ｒ＆長の詳細な説明については、後述する。
成されるＳｉの単一の核を中心とし、Ｓｉの単結晶領域
８が形成される。この時、単結晶特有の尖頭部を有する
フォセットが存在して表面が凸になる場合が多い、なお
、単結晶ｒ＆長の詳細な説明については、後述する。
最後に、第１図（Ｅ）に示すように、上記の凸部を平坦
化して単結晶領域９を形成し、結晶基材を作製する。
化して単結晶領域９を形成し、結晶基材を作製する。
本発明の結晶基材の製造方法によれば、核形成密度の小
さい異種材料層を基体面上に形成し、従来とは逆に核形
成密度の小さい異種材料層をエツチングすることによっ
て、結晶成長の中心となる単一の核を形成させる材料部
分を形成するので１工ツチング速度の大小を原因とする
材料の組み合わせ、エツチング方法等の制限によって従
来用いることのできなかった材料を用いることができる
。
さい異種材料層を基体面上に形成し、従来とは逆に核形
成密度の小さい異種材料層をエツチングすることによっ
て、結晶成長の中心となる単一の核を形成させる材料部
分を形成するので１工ツチング速度の大小を原因とする
材料の組み合わせ、エツチング方法等の制限によって従
来用いることのできなかった材料を用いることができる
。
また、本発明の結晶基材の製造方法は、開口部をエツチ
ングによって設けて、結晶成長の中心となる単一の核を
形成させる材料部分とするので、結晶成長の中心となる
単一の核を形成させる材料部分をエツチングによって残
す従来の方法よりも、エツチング面積を大幅に減らすこ
とができる。
ングによって設けて、結晶成長の中心となる単一の核を
形成させる材料部分とするので、結晶成長の中心となる
単一の核を形成させる材料部分をエツチングによって残
す従来の方法よりも、エツチング面積を大幅に減らすこ
とができる。
なお、上記実施例においては、結晶として単結晶の場合
を示したが、多結晶膜等についても同様に用いることが
できる。
を示したが、多結晶膜等についても同様に用いることが
できる。
第２図は本発明による結晶基材を用いたＭＯＳ型トラン
ジスタの概略的断面図である。
ジスタの概略的断面図である。
同図において、１５はＰ型半導体領域であり、第１図に
示した製造工程において、単結晶の形成時にＰ型不純物
を一緒にドープすることによって、形成することができ
る。１１及びｌＯはＮ型半導体ψ域であり、それぞれソ
ース、ドレインをなす、１３はＰ型半導体領域１５及び
Ｎ型半導体領域１１．１０上に形成されるゲート酸化膜
であり、１４はゲートｓ化膜１３上に形成されたゲート
電極である。
示した製造工程において、単結晶の形成時にＰ型不純物
を一緒にドープすることによって、形成することができ
る。１１及びｌＯはＮ型半導体ψ域であり、それぞれソ
ース、ドレインをなす、１３はＰ型半導体領域１５及び
Ｎ型半導体領域１１．１０上に形成されるゲート酸化膜
であり、１４はゲートｓ化膜１３上に形成されたゲート
電極である。
本発明によって製造されたＭＯＳ型トランジスタは既に
側壁部のＳ ｉ ０２層が形成されているために、各ト
ランジスタの分離プロセスを導入する必要がなく、−各
トランジスタが絶縁層で完全に分離されているため、ラ
ッチアー、プやα線障害がない等の長所を有する。
側壁部のＳ ｉ ０２層が形成されているために、各ト
ランジスタの分離プロセスを導入する必要がなく、−各
トランジスタが絶縁層で完全に分離されているため、ラ
ッチアー、プやα線障害がない等の長所を有する。
なお、ＭＯＳ型トランジスタの製造工程は通常の半導体
プロセスで形成されるので、説明を略すものとする。
プロセスで形成されるので、説明を略すものとする。
次に、基体面に単結晶シリコンを成長させる単結晶成長
法について詳述する。
法について詳述する。
まず、堆積面上に選択的に堆積Ｈ’Ｊを形成する選択堆
積法について述べる。選択堆積法とは、表面エネルギ、
付着係数、脱離係数、表面拡散速度等という薄膜形成過
程での核形成を左右する因子の材料間での差を利用して
、基板上に選択的に薄膜を形成する方法である。
積法について述べる。選択堆積法とは、表面エネルギ、
付着係数、脱離係数、表面拡散速度等という薄膜形成過
程での核形成を左右する因子の材料間での差を利用して
、基板上に選択的に薄膜を形成する方法である。
第３図（Ａ）および（Ｂ）は選択堆積法の説明図である
。
。
まず同図（Ａ）に示すように、基板１６上に、基板１６
と上記因子の異なる材料から成る薄膜１７を所望部分に
形成する。そして、適当な堆積条件によ□って適当な材
料から成る薄膜の堆積を行うと、薄膜１８は薄膜１７上
にのみ成長し、基板１６上には成長しないという現象を
生じさせることができる、この現象を利用することで、
自己整合的に成形された薄膜１８を成長させることがで
き、従来のようなレジストを用いたリングラフィ工程の
省略が可能となる。
と上記因子の異なる材料から成る薄膜１７を所望部分に
形成する。そして、適当な堆積条件によ□って適当な材
料から成る薄膜の堆積を行うと、薄膜１８は薄膜１７上
にのみ成長し、基板１６上には成長しないという現象を
生じさせることができる、この現象を利用することで、
自己整合的に成形された薄膜１８を成長させることがで
き、従来のようなレジストを用いたリングラフィ工程の
省略が可能となる。
このような選択形成法による堆積を行うことができる材
料としては、たとえば基板１６としてＳｉ０２ 、薄膜
１７としてＳｉ、 ＧａＡａ、窒化シリコン、そして堆
積させる薄膜１８として’Ｊｉ、 Ｗ、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ｐ等がある。
料としては、たとえば基板１６としてＳｉ０２ 、薄膜
１７としてＳｉ、 ＧａＡａ、窒化シリコン、そして堆
積させる薄膜１８として’Ｊｉ、 Ｗ、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ｐ等がある。
第４図は、Ｓｉ０２の堆積面と窒化シリコンの堆積面と
の核形成密度の経時変化を示すグラフである。
の核形成密度の経時変化を示すグラフである。
同グラフが示すように、堆積を開始して間もなく５ｉ０
２上での核形成密度は１０３ｃｍ−２以下で飽和し、２
０分後でもその値はほとんど変化しない。
２上での核形成密度は１０３ｃｍ−２以下で飽和し、２
０分後でもその値はほとんど変化しない。
それに対して窒化シリコン（Ｓｉ３ Ｎ ４ ）上では
、〜４ Ｘ １０５ｃｍ−２で一旦飽和し、それから１
０分はど変化しないが、それ以降は急激に増大する。
、〜４ Ｘ １０５ｃｍ−２で一旦飽和し、それから１
０分はど変化しないが、それ以降は急激に増大する。
なお、この測定例では、Ｓ ｉｃ ＋４ガスをＨ２ガス
で希釈し、圧力１７５ Ｔｏｒｒ、温度１０００℃の条
件下でＣＶＤ法により堆積した場合を示している。他に
ＳｉＨ４、ＳｉＨ２Ｇ！２ 、５ｉＨＣ＋ ３ 、 Ｓ
ｉＦ ４等を反応ガスとして用いて、圧力、温度等を調
整することで同様の作用を得ることができる。また、真
空蒸着でも可能である。
で希釈し、圧力１７５ Ｔｏｒｒ、温度１０００℃の条
件下でＣＶＤ法により堆積した場合を示している。他に
ＳｉＨ４、ＳｉＨ２Ｇ！２ 、５ｉＨＣ＋ ３ 、 Ｓ
ｉＦ ４等を反応ガスとして用いて、圧力、温度等を調
整することで同様の作用を得ることができる。また、真
空蒸着でも可能である。
この場合、５ｉ０２上の核形成はほとんど問題とならな
いが、反応ガス中にＨＣＩガスを添加することで、５ｉ
０２上での核形成を更に抑制し、５ｉ０２上でのＳｉの
堆積を皆無にすることができる。
いが、反応ガス中にＨＣＩガスを添加することで、５ｉ
０２上での核形成を更に抑制し、５ｉ０２上でのＳｉの
堆積を皆無にすることができる。
このような現象は、５ｉ０２および窒化シリコンの材料
表面のＳｉに対する吸着係数、脱離係数１表面拡散係数
等の差によるところが大きいが、Ｓｉ原子自身によって
Ｓｉ０２が反応し、蒸気圧が高い一酸化シリコンが生成
されることでＳｉ０２自身がエツチングされ、窒化シリ
コン上ではこのようなエツチング現象は生じないという
ことも選択堆積を生じさせる原因となっていると考えら
れる（丁、Ｙｏｎｅｂａｒａ、Ｓ、Ｙｏｓｈｉｏｋａ、
Ｓ、Ｍｉｙａｚａｗａ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ５３．８８３９．１９８
２） 。
表面のＳｉに対する吸着係数、脱離係数１表面拡散係数
等の差によるところが大きいが、Ｓｉ原子自身によって
Ｓｉ０２が反応し、蒸気圧が高い一酸化シリコンが生成
されることでＳｉ０２自身がエツチングされ、窒化シリ
コン上ではこのようなエツチング現象は生じないという
ことも選択堆積を生じさせる原因となっていると考えら
れる（丁、Ｙｏｎｅｂａｒａ、Ｓ、Ｙｏｓｈｉｏｋａ、
Ｓ、Ｍｉｙａｚａｗａ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ５３．８８３９．１９８
２） 。
このように堆積面の材料として５ｉ０２および窒化シリ
コンを選択し、堆積材料としてシリコンを選択すれば、
同グラフに示すように十分に大きな核形成密度差を得る
ことができる。なお、ここでは堆積面の材料としてＳｉ
０２が望ましいが、これに限らすＳｉＯｘであっても核
形成密度差を得ることができる。
コンを選択し、堆積材料としてシリコンを選択すれば、
同グラフに示すように十分に大きな核形成密度差を得る
ことができる。なお、ここでは堆積面の材料としてＳｉ
０２が望ましいが、これに限らすＳｉＯｘであっても核
形成密度差を得ることができる。
勿論、これらの材料に限定されるものではなく、核形成
密度の差が同グラフで示すように核の密度で１０２倍以
上であれば十分であり、後に例示するような材料によっ
ても堆積膜の十分な選択形成を行うことができる。
密度の差が同グラフで示すように核の密度で１０２倍以
上であれば十分であり、後に例示するような材料によっ
ても堆積膜の十分な選択形成を行うことができる。
この核形成密度差を得る他の方法としては、Ｓｉ０２上
に局所的にＳｉやＮ等をイオン注入して過剰にＳｉやＮ
等を有する領域を形成してもよい。
に局所的にＳｉやＮ等をイオン注入して過剰にＳｉやＮ
等を有する領域を形成してもよい。
このような選択堆積法を利用し、堆積面の材料より核形
成密度の十分大きい異種材料を単一の核だけが成長する
ように十分微細に形成することによって、その微細な異
種材料の存在する箇所だけに単結晶を選択的に成長させ
ることができる。
成密度の十分大きい異種材料を単一の核だけが成長する
ように十分微細に形成することによって、その微細な異
種材料の存在する箇所だけに単結晶を選択的に成長させ
ることができる。
なお、単結晶の選択的成長は、堆積面表面の電子状態、
特にダングリングボンドの状態によって決定されるため
に、核形成密度の低い材料（たと−えばＳｉ０２ ）は
バルク材料である必要はなく、任意の材料や基板等の表
面のみに形成されて上記堆積面を成していればよい。
特にダングリングボンドの状態によって決定されるため
に、核形成密度の低い材料（たと−えばＳｉ０２ ）は
バルク材料である必要はなく、任意の材料や基板等の表
面のみに形成されて上記堆積面を成していればよい。
第５図（Ａ）〜（Ｄ）は、単結晶形成方法の一例を示す
形成工程図であり、第６図（Ａ）および（Ｂ）は、第５
図（Ａ）および（Ｄ）における基板の斜視図である。
形成工程図であり、第６図（Ａ）および（Ｂ）は、第５
図（Ａ）および（Ｄ）における基板の斜視図である。
まず、第５図（Ａ）および第６図（Ａ）に示すように、
基板１９上に、選択堆積を可能にする核形成密度の小さ
いｇ膜２０を形成し、その上に核形成密度の大きい異種
材料を薄く堆積させ、リングラフィ等によってパターニ
ングすることで異種材料２１を十分微細に形成する。た
だし、基板１９の大きさ、結晶構造および組成は任意の
ものでよく１機部素子が形成された基板であってもよい
。
基板１９上に、選択堆積を可能にする核形成密度の小さ
いｇ膜２０を形成し、その上に核形成密度の大きい異種
材料を薄く堆積させ、リングラフィ等によってパターニ
ングすることで異種材料２１を十分微細に形成する。た
だし、基板１９の大きさ、結晶構造および組成は任意の
ものでよく１機部素子が形成された基板であってもよい
。
また、異種材料２１とは、上述したように、ＳｉやＮ等
をＦ［！２０にイオン注入して形成される過剰にＳｉや
Ｎ等を有する変質領域も含めるものとする。
をＦ［！２０にイオン注入して形成される過剰にＳｉや
Ｎ等を有する変質領域も含めるものとする。
次に、適当な堆積条件によって異種材料２１だけに薄膜
材料の単一の核が形成される。すなわち、異種材料２１
は、単一の核のみが形成される程度に十分微細に形成す
る必要がある。異種材料２１の大きさは、材料の種類に
よって異なるが、数ミクロン以下であればよい、更に、
核は単結晶構造を保ちながら成長し、第５図（Ｂ）に示
すように島状の単結晶粒２２となる。島状の単結晶粒２
２が形成されるためには、すでに述べたように、薄膜２
０上で全く核形成が起こらないように条件を決めること
が必要である。
材料の単一の核が形成される。すなわち、異種材料２１
は、単一の核のみが形成される程度に十分微細に形成す
る必要がある。異種材料２１の大きさは、材料の種類に
よって異なるが、数ミクロン以下であればよい、更に、
核は単結晶構造を保ちながら成長し、第５図（Ｂ）に示
すように島状の単結晶粒２２となる。島状の単結晶粒２
２が形成されるためには、すでに述べたように、薄膜２
０上で全く核形成が起こらないように条件を決めること
が必要である。
島状の単結晶粒２２は単結晶構造を保ちながら異種材料
２１を中心して更に成長し、同図（Ｃ）に示すように薄
ｖ２０全体を覆う。
２１を中心して更に成長し、同図（Ｃ）に示すように薄
ｖ２０全体を覆う。
続いて、エツチング又は研磨によって単結晶２３を平坦
化し、第５図（Ｄ）および第６図（Ｂ）に示すように、
所望の素子を形成することができる単結晶層２４が薄膜
２０上に形成される。
化し、第５図（Ｄ）および第６図（Ｂ）に示すように、
所望の素子を形成することができる単結晶層２４が薄膜
２０上に形成される。
このように堆積面の材料である薄膜２０が基板１９上に
形成されているために、支持体となる基板１９は任意の
材料を使用することができ、更に基板１９に機能素子等
が形成されたものであっても、その上に容易に単結晶層
を形成することができる。
形成されているために、支持体となる基板１９は任意の
材料を使用することができ、更に基板１９に機能素子等
が形成されたものであっても、その上に容易に単結晶層
を形成することができる。
なお、上記実施例では、堆積面の材料を薄膜２０で形成
したが、選択堆積を可能にする核形成密度の小さい材料
から成る基板をそのまま用いて、単結晶層を同様に形成
してもよい。
したが、選択堆積を可能にする核形成密度の小さい材料
から成る基板をそのまま用いて、単結晶層を同様に形成
してもよい。
（具体例）
次に、上記例における単結晶層の具体的形成方法を説明
する。
する。
５ｉ０２を薄膜２０の堆積面材料とする。勿論、石英基
板を用いてもよいし、金属、半導体、磁性体、圧電体、
絶縁体等の任意の基板上に、スパッタ法、ＣＶＤ法、真
空蒸着法等を用いて基板表面にＳｉ０２層を形成しても
よい、また、堆積面材料としてはＳｉ０２が望ましいが
、ＳｉＯｘとしてＸの値を変化させたものでもよい。
板を用いてもよいし、金属、半導体、磁性体、圧電体、
絶縁体等の任意の基板上に、スパッタ法、ＣＶＤ法、真
空蒸着法等を用いて基板表面にＳｉ０２層を形成しても
よい、また、堆積面材料としてはＳｉ０２が望ましいが
、ＳｉＯｘとしてＸの値を変化させたものでもよい。
こうして形成された５ｉ０２ｆｉ２０上に減圧気相成長
法によって窒化シリコン層（ここではＳｉ３ Ｎ ４層
）又は多結晶シリコン層を異種材料として堆積させ１通
常のリングラフィ技術又はＸ線、電子線若しくはイオン
線を用いたリングラフィ技術で窒化シリコン層又は多結
晶シリコン層をパターニングし、数ミクロン以下、望ま
しくは〜１ ｇｍ以下の微小な異種材料２１を形成する
。
法によって窒化シリコン層（ここではＳｉ３ Ｎ ４層
）又は多結晶シリコン層を異種材料として堆積させ１通
常のリングラフィ技術又はＸ線、電子線若しくはイオン
線を用いたリングラフィ技術で窒化シリコン層又は多結
晶シリコン層をパターニングし、数ミクロン以下、望ま
しくは〜１ ｇｍ以下の微小な異種材料２１を形成する
。
続いて、ＨＣＩ とＨ２と、ＳｉＨ２Ｇ１２ 、９ｉＧ
１４ 。
１４ 。
ＳｉＨ０１３、ＳｉＦ ４若しくはＳｉＨ４との混合ガ
スを用いて上記基板ｌｌ上にＳｉを選択的に成長させる
。
スを用いて上記基板ｌｌ上にＳｉを選択的に成長させる
。
その際の基板温度は７００〜１１００℃、圧力は約１０
０ Ｔｏｒｒである。
０ Ｔｏｒｒである。
数十分程度の時間で、５ｉ０２）Ｈの窒化シリコン又は
多結晶シリコンの微細な異種材料２１を中心として、単
結晶のＳｉの粒２２が成長し、最適の成長条件とするこ
とで、その大きさは数十ｇｍ以上に成長する。
多結晶シリコンの微細な異種材料２１を中心として、単
結晶のＳｉの粒２２が成長し、最適の成長条件とするこ
とで、その大きさは数十ｇｍ以上に成長する。
続いて、ＳｉとＳｉ０２との間にエツチング速度差があ
る反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）によって、Ｓｉの
みをエツチングして平坦化することで、粒径制御された
多結晶シリコン層が形成され、更に粒界部分を除去して
島状の単結晶シリコン層２４が形成される。なお、単結
晶２３の表面の凹凸が大きい場合は、機械的研磨を行っ
た後にエツチングを行う。
る反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）によって、Ｓｉの
みをエツチングして平坦化することで、粒径制御された
多結晶シリコン層が形成され、更に粒界部分を除去して
島状の単結晶シリコン層２４が形成される。なお、単結
晶２３の表面の凹凸が大きい場合は、機械的研磨を行っ
た後にエツチングを行う。
このようにして形成された大きさ数十ＩＬｍ以上で粒界
を含まない単結晶シリコン層２４に、電界効果トランジ
スタを形成すると、単結晶シリコンウェハに形成したも
のに劣らない特性を示した。
を含まない単結晶シリコン層２４に、電界効果トランジ
スタを形成すると、単結晶シリコンウェハに形成したも
のに劣らない特性を示した。
また、隣接する単結晶シリコン層２４とはＳｉ０２によ
って電気的に分離されているために、相補型電界効果ト
ランジスタ（Ｃ−）ＩＯｓ）を構成しても、相互の干渉
がない、また、素子の活性層の厚さが、Ｓｉウェハを用
いた場合より薄いために、放射線を照射された０時に発
生するウェハ内の電荷による誤動作がなくなる。更に、
寄生容ｌが低下するために、素子の高速化が図れる。ま
た、任意の基板が使用できるために、Ｓｉウェハな用い
るよりも、大面積基板上に単結晶層を低コストで形成す
ることができる。更に、他の半導体、圧電体、誘電体等
の基板上にも単結晶層を形成できるために、多機能の三
次元集積回路を実現することができる。
って電気的に分離されているために、相補型電界効果ト
ランジスタ（Ｃ−）ＩＯｓ）を構成しても、相互の干渉
がない、また、素子の活性層の厚さが、Ｓｉウェハを用
いた場合より薄いために、放射線を照射された０時に発
生するウェハ内の電荷による誤動作がなくなる。更に、
寄生容ｌが低下するために、素子の高速化が図れる。ま
た、任意の基板が使用できるために、Ｓｉウェハな用い
るよりも、大面積基板上に単結晶層を低コストで形成す
ることができる。更に、他の半導体、圧電体、誘電体等
の基板上にも単結晶層を形成できるために、多機能の三
次元集積回路を実現することができる。
（窒化シリコンの組成）
これまで述べてきたような堆積面材料と異種材料との十
分な核形成密度差を得るには、 Ｓｉ３ Ｎ ４に限定
されるものではなく、窒化シリコンの組成を変化させた
ものでもよい。
分な核形成密度差を得るには、 Ｓｉ３ Ｎ ４に限定
されるものではなく、窒化シリコンの組成を変化させた
ものでもよい。
ＲＦプラズマ中でＳ ｉ Ｈ４ガスとＮＨ３ガスとを分
解させて低温で窒化シリコン膜を形成するプラズマＣＶ
Ｄ法では、ＳｉＨ，ガスとＮＨ３ガスとの流量比を変化
させることで、堆積する窒化シリコン膜のＳｔ、：Ｎの
組成比を大幅に変化させることができる。
解させて低温で窒化シリコン膜を形成するプラズマＣＶ
Ｄ法では、ＳｉＨ，ガスとＮＨ３ガスとの流量比を変化
させることで、堆積する窒化シリコン膜のＳｔ、：Ｎの
組成比を大幅に変化させることができる。
第７図は、ＳｉＨ４とＮＨ３の流量比と形成された窒化
シリコン膜中のＳｉおよびＮの組成比との関係を示した
グラフである。
シリコン膜中のＳｉおよびＮの組成比との関係を示した
グラフである。
この時の堆積条件は、ＲＦ出力１７５Ｗ、基板温度３８
０℃であり、ＳｉＨ４ガス流量を３００ｃｃ／ｍｉｎに
固定し、ＮＨ３ガスの流量を変化させた。同グラフに示
すようにＮＨ３／５ｉ）（４のガス流は比を４〜１０へ
変化させると、窒化シリコン膜中のＳｔ／Ｎ比は１．１
〜０．５８に変化することがオージェ電子分光法によっ
て明らかとなった。
０℃であり、ＳｉＨ４ガス流量を３００ｃｃ／ｍｉｎに
固定し、ＮＨ３ガスの流量を変化させた。同グラフに示
すようにＮＨ３／５ｉ）（４のガス流は比を４〜１０へ
変化させると、窒化シリコン膜中のＳｔ／Ｎ比は１．１
〜０．５８に変化することがオージェ電子分光法によっ
て明らかとなった。
マタ、減圧ＣＶＤ法テＳｉＨ２ＣＩ２ガスとＮＨ３ガス
とを導入し、０．３Ｔｏｒｒの減圧下、温度約８００℃
の条件で形成した窒化シリコン膜の組成は、はぼ化学量
論比であるＳｉ３Ｎ ４ （Ｓｉ／Ｎ ＝０．７５）
に近いものであった。
とを導入し、０．３Ｔｏｒｒの減圧下、温度約８００℃
の条件で形成した窒化シリコン膜の組成は、はぼ化学量
論比であるＳｉ３Ｎ ４ （Ｓｉ／Ｎ ＝０．７５）
に近いものであった。
また、ＳｉをアンモニアあるいはＮ２中で約１２００℃
で熱処理すること（熱窒化法）で形成される窒化シリコ
ン膜は、その形成方法が熱平衡下で行われるために、更
に化学量論比に近い組成を得ることができる。
で熱処理すること（熱窒化法）で形成される窒化シリコ
ン膜は、その形成方法が熱平衡下で行われるために、更
に化学量論比に近い組成を得ることができる。
以上の様に種々の方法で形成した窒化シリコンをＳｉの
核形成密度が５ｔｏ２より高い堆積面材料として用いて
上記ＳＩの核を成長させると、その組成比により核形成
密度に差が生じる。
核形成密度が５ｔｏ２より高い堆積面材料として用いて
上記ＳＩの核を成長させると、その組成比により核形成
密度に差が生じる。
第８図は、Ｓｔ／Ｎ組成比と核形成密度との関係を示す
グラフである。同グラフに示すように。
グラフである。同グラフに示すように。
窒化シリコン膜の組成を変化させることで、その上に成
長するＳｉの核形成密度は大幅に変化する。この時の核
形成条件は、５ｉＣ１４ガスを１７５丁ｏｒｒに減圧し
、１０００℃でＨ２と反応させてＳｔを生成させる。
長するＳｉの核形成密度は大幅に変化する。この時の核
形成条件は、５ｉＣ１４ガスを１７５丁ｏｒｒに減圧し
、１０００℃でＨ２と反応させてＳｔを生成させる。
このように窒化シリコンの組成によって核形成密度が変
化する現象は、単一の核を成長させる程度に十分微細に
形成される異種材料としての窒化シリコンの大きさに影
響を与える。すなわち、核形成密度が大きい組成を有す
る窒化シリコンは、非常に微細に形成しない限り、単一
の核を形成することができない。
化する現象は、単一の核を成長させる程度に十分微細に
形成される異種材料としての窒化シリコンの大きさに影
響を与える。すなわち、核形成密度が大きい組成を有す
る窒化シリコンは、非常に微細に形成しない限り、単一
の核を形成することができない。
したがって、核形成密度と、単一の核が選択できる最適
な窒化シリコンの大きさとを選択する必要がある。たと
えば〜１０５ｃｍ−２の核形成密度を得る堆積条件では
、窒化シリコンの大きさは約４＃Ｌｍ以下であれば単一
の核を選択できる。
な窒化シリコンの大きさとを選択する必要がある。たと
えば〜１０５ｃｍ−２の核形成密度を得る堆積条件では
、窒化シリコンの大きさは約４＃Ｌｍ以下であれば単一
の核を選択できる。
（イオン注入による異種材料の形成）
Ｓｌに対しでａ形ｄ！ｔ、密度差を１現する方法として
、核形成密度の低い堆積面材料である５ｉ０２の□表面
に局所的にＳｔ 、Ｎ、Ｐ＋Ｂ、Ｆ、Ａｒ。
、核形成密度の低い堆積面材料である５ｉ０２の□表面
に局所的にＳｔ 、Ｎ、Ｐ＋Ｂ、Ｆ、Ａｒ。
Ｈｅ、Ｃ，Ａｓ、Ｇａ、Ｇｅ等をイオン注入シテＳ ｉ
０２の堆積面に変質領域を形成し、この変質領域を核
形成密度の高い堆積面材料としても良い。
０２の堆積面に変質領域を形成し、この変質領域を核
形成密度の高い堆積面材料としても良い。
例えば、５ｔｏ２表面をレジストで多い、所望の箇所を
露光、現像、溶解させてＳｉ０２表面を部分的に表出さ
せる。
露光、現像、溶解させてＳｉ０２表面を部分的に表出さ
せる。
続いて、ＳｉＦ４ガスをソースガスとして用い、Ｓｉイ
オンを１０ｋｅＶでｌＸｌ０Ｈ１〜ｌＸ１０１８ｃｍ”
’２の密度でＳｉ０２表面に打込む、これによる投影飛
程は１１４人であり、Ｓｉ０２表面ではＳｉ濃度が〜１
０２２ｃｍ−３に達する拳５ｉ０２はもともと非晶質で
あるために、Ｓｉイオンを注入ルた領域も非晶質である
。
オンを１０ｋｅＶでｌＸｌ０Ｈ１〜ｌＸ１０１８ｃｍ”
’２の密度でＳｉ０２表面に打込む、これによる投影飛
程は１１４人であり、Ｓｉ０２表面ではＳｉ濃度が〜１
０２２ｃｍ−３に達する拳５ｉ０２はもともと非晶質で
あるために、Ｓｉイオンを注入ルた領域も非晶質である
。
なお、変質領域を形成するには、レジストをマスクとし
てイオン注入を行うこともできるが、集束イオンビーム
技術を用いて、レジストマスクを使用せずに絞られたＳ
ｉイオンをＳ ｉ ０２表面に注入してもよい。
てイオン注入を行うこともできるが、集束イオンビーム
技術を用いて、レジストマスクを使用せずに絞られたＳ
ｉイオンをＳ ｉ ０２表面に注入してもよい。
こうしてイオン注入を行った後、レジストを剥離するこ
とで、Ｓｉ０２面にＳｉが過剰な変質領域が形成される
。このような変質領域が形成されたＳｉ０２堆積面にＳ
ｔを気相成長させる。
とで、Ｓｉ０２面にＳｉが過剰な変質領域が形成される
。このような変質領域が形成されたＳｉ０２堆積面にＳ
ｔを気相成長させる。
第９図は、ＳＩイオンの注入量と核形成密度との関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
同グラフに示すように、Ｓｉ＋注入量が多い程、核形成
密度が増大することがわかる。
密度が増大することがわかる。
したがって、変質領域を十分微細に形成することで、こ
の変質領域を異種材料としてＳｔの単一の核を成長させ
ることができ、上述したように単結晶を成長させること
ができる。
の変質領域を異種材料としてＳｔの単一の核を成長させ
ることができ、上述したように単結晶を成長させること
ができる。
なお、変質領域を単一の核が成長する程度に十分ｌｌ細
に形成することは、レジストのパターニングや、集束イ
オンビームのビームを絞ることによって容易に達成され
る。
に形成することは、レジストのパターニングや、集束イ
オンビームのビームを絞ることによって容易に達成され
る。
（ＣＶＤ以外のＳｉ堆堆力方法
Ｓｉの選択核形成によって単結晶を成長させるには、Ｃ
ＶＤ法だけではなく、Ｓｉを真空中（＜ Ｉ Ｏ−６丁
ｏｒｒ）で電子銃により蒸発させ、加熱した基板に堆積
させる方法も用いられる。特に、超高真空中（＜ １０
−９丁ｏｒｒ）で蒸着を行うＭＢ Ｅ （Ｍｏｌｅｃｕ
ｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｔ）法では、基板温度
９００℃以上でＳｉビームと５ｔｏ２が反応を始め、Ｓ
ｉ ０２上でのＳｉの核形成は皆無になることが知ら
れている（丁、Ｙｏｎｅｈａｒａ、Ｓ、Ｙｏｓｈｉｏｋ
ａ ａｎｄＳ、Ｍｉｙａｚａｗａ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ５３゜１０、ｐ
６Ｂ３９．１９８３）。
ＶＤ法だけではなく、Ｓｉを真空中（＜ Ｉ Ｏ−６丁
ｏｒｒ）で電子銃により蒸発させ、加熱した基板に堆積
させる方法も用いられる。特に、超高真空中（＜ １０
−９丁ｏｒｒ）で蒸着を行うＭＢ Ｅ （Ｍｏｌｅｃｕ
ｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｔ）法では、基板温度
９００℃以上でＳｉビームと５ｔｏ２が反応を始め、Ｓ
ｉ ０２上でのＳｉの核形成は皆無になることが知ら
れている（丁、Ｙｏｎｅｈａｒａ、Ｓ、Ｙｏｓｈｉｏｋ
ａ ａｎｄＳ、Ｍｉｙａｚａｗａ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ５３゜１０、ｐ
６Ｂ３９．１９８３）。
この現象を利用して５ｉ０２上に点在させた微小な窒化
シリコンに完全な選択性をもってＳｉの単一の核を形成
し、そこに単結晶Ｓｔを成長させることができた。この
時の堆積条件は、真空度１０−８Ｔｏｒｒ以下、Ｓｔビ
ーム強度９．７×１０１４ａｔａｇｓ ／ ｃｍ２ ａ
ｓｅｃ 、基板温度９００℃〜１０００℃であった。
シリコンに完全な選択性をもってＳｉの単一の核を形成
し、そこに単結晶Ｓｔを成長させることができた。この
時の堆積条件は、真空度１０−８Ｔｏｒｒ以下、Ｓｔビ
ーム強度９．７×１０１４ａｔａｇｓ ／ ｃｍ２ ａ
ｓｅｃ 、基板温度９００℃〜１０００℃であった。
この場合、５ｉ０２ ＋ｓｉ→２ＳｉＯ↑という反応に
より、ＳｉＯという蒸気圧の著しく高い反応生成物が形
成され、この蒸発による５ｉ０２自身のＳｔによるエツ
チングが生起している。
より、ＳｉＯという蒸気圧の著しく高い反応生成物が形
成され、この蒸発による５ｉ０２自身のＳｔによるエツ
チングが生起している。
これに対して、窒化シリコン上では上記エツチング現象
は起こらず、核形成、そして堆積が生じている。
は起こらず、核形成、そして堆積が生じている。
したがって、核形成密度の高い堆積面材料としては、窒
化シリコン以外に、タンタル酸化物（Ｔａ ２０ ｓ
） 、 ’Ｉ化シリコン酸化物（ＳｉＯＮ）等を使用し
ても同様の効果を得ることができる。すなわち、これら
の材料を微小形成して上記異種材料とすることで、同□
様に単結晶を成長させることができる。
化シリコン以外に、タンタル酸化物（Ｔａ ２０ ｓ
） 、 ’Ｉ化シリコン酸化物（ＳｉＯＮ）等を使用し
ても同様の効果を得ることができる。すなわち、これら
の材料を微小形成して上記異種材料とすることで、同□
様に単結晶を成長させることができる。
以上詳細に説明した単結前成長法によって、基体面上に
単結晶を成長させることができる。
単結晶を成長させることができる。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように１本発明の結晶基材の製造方
法によれば、核形成密度の小さい異種材料層を基体面上
に形成し、従来とは逆に核形成密度の小さい異種材料層
をエツチングすることによって、結晶成長の中心となる
単一の核を形成させる材料部分を形成するので、エツチ
ング速度の大小を原因とする材料の組み合わせ、エツチ
ング方法等の制限を少なくすことができる。
法によれば、核形成密度の小さい異種材料層を基体面上
に形成し、従来とは逆に核形成密度の小さい異種材料層
をエツチングすることによって、結晶成長の中心となる
単一の核を形成させる材料部分を形成するので、エツチ
ング速度の大小を原因とする材料の組み合わせ、エツチ
ング方法等の制限を少なくすことができる。
また、本発明の結晶基材の製造方法は、開口部をエツチ
ングによって設けて、結晶成長の中心となる単一の核を
形成させる材料部分とするので、結晶成長の中心となる
単一の核を形成させる材料部分をエツチングによって残
す従来の方法よりも、エツチング面積を大幅に減らすこ
とができる、高精度な結晶基材を提供することができる
。
ングによって設けて、結晶成長の中心となる単一の核を
形成させる材料部分とするので、結晶成長の中心となる
単一の核を形成させる材料部分をエツチングによって残
す従来の方法よりも、エツチング面積を大幅に減らすこ
とができる、高精度な結晶基材を提供することができる
。
ｗＳ１図は本発明の結晶基材の製造方法の一実施例を説
明するための概略的工程図である。 第２図は本発明による結晶基材を用いたＭＯ３型トラン
ジスタの概略的断面図である。 第３図（Ａ）および（Ｂ）は選択堆積法の説明図である
。 第４図は、Ｓｉ０２の堆積面と窒化シリコンの堆積面と
の核形成密度の経時変化を示すグラフである。 第５図（Ａ）〜（Ｄ）は、単結晶形成方法の一例を示す
形成工程図である。 第６図（Ａ）および（Ｂ）は、第５図（Ａ）および（Ｄ
）における基板の斜視図である。 第７図は、Ｓ ｉ Ｈ４とＮＨ３の流量比と形成された
窒化シリコン膜中のＳｉおよびＮの組成比との関係を示
したグラフである。 第８図は、Ｓ ｉ ／ Ｎ組成比と核形成密度との関係
を示すグラフである。 第９図は、Ｓｔイオンの注入量と核形成密度との関係を
示すグラフである・ ｌ・・・・畳ガラス基板 ２ｍｍａａ＊５ｉ３Ｎ４ｒｆＪ ３．６・・・・・５ｉＯ２１１ＳＩ ４・・・・・側壁部 ５・・・・・凹部 ７・・・・・微小露出領域 ８．９・Φ・・・単結晶領域 代理人 弁理士 山 下 積 子 弟１図 第３図 （Ａ） （Ｂ） 第４図 時閉 （分） 第５図 （Ｄ） （Ａ） （Ｅ３） 第７ 図 ＮＨ３／５ＩＨ４Ｌｔ比 ０ ０．５
１．Ｏ５ｉ／Ｎ＆八ル 第９ 図 １ｏ１６１０１７１０１８
明するための概略的工程図である。 第２図は本発明による結晶基材を用いたＭＯ３型トラン
ジスタの概略的断面図である。 第３図（Ａ）および（Ｂ）は選択堆積法の説明図である
。 第４図は、Ｓｉ０２の堆積面と窒化シリコンの堆積面と
の核形成密度の経時変化を示すグラフである。 第５図（Ａ）〜（Ｄ）は、単結晶形成方法の一例を示す
形成工程図である。 第６図（Ａ）および（Ｂ）は、第５図（Ａ）および（Ｄ
）における基板の斜視図である。 第７図は、Ｓ ｉ Ｈ４とＮＨ３の流量比と形成された
窒化シリコン膜中のＳｉおよびＮの組成比との関係を示
したグラフである。 第８図は、Ｓ ｉ ／ Ｎ組成比と核形成密度との関係
を示すグラフである。 第９図は、Ｓｔイオンの注入量と核形成密度との関係を
示すグラフである・ ｌ・・・・畳ガラス基板 ２ｍｍａａ＊５ｉ３Ｎ４ｒｆＪ ３．６・・・・・５ｉＯ２１１ＳＩ ４・・・・・側壁部 ５・・・・・凹部 ７・・・・・微小露出領域 ８．９・Φ・・・単結晶領域 代理人 弁理士 山 下 積 子 弟１図 第３図 （Ａ） （Ｂ） 第４図 時閉 （分） 第５図 （Ｄ） （Ａ） （Ｅ３） 第７ 図 ＮＨ３／５ＩＨ４Ｌｔ比 ０ ０．５
１．Ｏ５ｉ／Ｎ＆八ル 第９ 図 １ｏ１６１０１７１０１８
Claims (3)
- （１）基体面に、この基体面の材料より、堆積させる結
晶材料の核形成密度が十分小さい異種材料層を形成する
工程と、 前記基体面の露出部分が、結晶材料の単一の核だけが成
長する程度に、十分微細な大きさとなるように、前記異
種材料層に開口部を形成する工程と、 前記開口部の基体面の露出部分に形成された単一の核を
中心として、結晶を成長させる工程と、を有する結晶基
材の製造方法。 - （２）上記基体面を所望の下地材料上に形成する特許請
求の範囲第１項記載の結晶基材の製造方法。 - （３）上記基体面の材料が非晶質材料である特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の結晶基材の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62014103A JP2695413B2 (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 結晶基材の製造方法 |
| EP88300573A EP0276960A3 (en) | 1987-01-26 | 1988-01-25 | Process for producing crystal article |
| US07/806,788 US5236546A (en) | 1987-01-26 | 1991-12-12 | Process for producing crystal article |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62014103A JP2695413B2 (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 結晶基材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63182810A true JPS63182810A (ja) | 1988-07-28 |
| JP2695413B2 JP2695413B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=11851786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62014103A Expired - Fee Related JP2695413B2 (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 結晶基材の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0276960A3 (ja) |
| JP (1) | JP2695413B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289490A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU623863B2 (en) * | 1987-08-24 | 1992-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming crystals |
| JPH01290598A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-22 | Res Dev Corp Of Japan | 微細マルチプローブの製造方法 |
| JP2746301B2 (ja) * | 1988-10-20 | 1998-05-06 | キヤノン株式会社 | 半導体整流素子 |
| JP2577090B2 (ja) * | 1989-08-07 | 1997-01-29 | キヤノン株式会社 | 結晶半導体膜の形成方法 |
| US5278092A (en) * | 1989-08-07 | 1994-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming crystal semiconductor film |
| US5196366A (en) * | 1989-08-17 | 1993-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing electric devices |
| DE19845792A1 (de) * | 1998-09-21 | 2000-03-23 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Verfahren zur Erzeugung einer amorphen oder polykristallinen Schicht auf einem Isolatorgebiet |
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| JPS58114419A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用基板の製造方法 |
| JPS60178620A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Nec Corp | 半導体基板の製造方法 |
| JPS61121433A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Sharp Corp | 半導体基板 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4239788A (en) * | 1979-06-15 | 1980-12-16 | Martin Marietta Corporation | Method for the production of semiconductor devices using electron beam delineation |
| JPS5969495A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | シリコン単結晶膜の形成方法 |
| JPS6163013A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-04-01 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｓｏｉ用シ−ド構造の製造方法 |
| CA1337170C (en) * | 1986-03-31 | 1995-10-03 | Jinsho Matsuyama | Method for forming crystalline deposited film |
| CA1330191C (en) * | 1986-03-31 | 1994-06-14 | Jinsho Matsuyama | Method for forming crystal and crystal article obtained by said method |
-
1987
- 1987-01-26 JP JP62014103A patent/JP2695413B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-01-25 EP EP88300573A patent/EP0276960A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
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| JPS5856322A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-04 | Nec Corp | 半導体基板の製造方法 |
| JPS58114419A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用基板の製造方法 |
| JPS60178620A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Nec Corp | 半導体基板の製造方法 |
| JPS61121433A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Sharp Corp | 半導体基板 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289490A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0276960A3 (en) | 1988-10-12 |
| JP2695413B2 (ja) | 1997-12-24 |
| EP0276960A2 (en) | 1988-08-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |