JPS63179585A - 磁気抵抗素子の温度補償回路 - Google Patents
磁気抵抗素子の温度補償回路Info
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- JPS63179585A JPS63179585A JP62012103A JP1210387A JPS63179585A JP S63179585 A JPS63179585 A JP S63179585A JP 62012103 A JP62012103 A JP 62012103A JP 1210387 A JP1210387 A JP 1210387A JP S63179585 A JPS63179585 A JP S63179585A
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- HODRFAVLXIFVTR-RKDXNWHRSA-N tevenel Chemical compound NS(=O)(=O)C1=CC=C([C@@H](O)[C@@H](CO)NC(=O)C(Cl)Cl)C=C1 HODRFAVLXIFVTR-RKDXNWHRSA-N 0.000 description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、磁気式エンコーダ等に適用される磁気抵抗
素子の温度補償回路に関するものである。
素子の温度補償回路に関するものである。
磁気式エンコーダを第８図ないし第１１図に示す。すな
わち、この磁気式エンコーダは、周方向にとッチλで交
互に異なる磁極Ｎ、Ｓが着磁されたロータ５０と、この
ロータ５０の磁極Ｎ、Ｓに対向して磁極Ｎ、 Ｓの強
弱を検出する検出部５１と、フレキシブルプリント回路
板５１ａを介して検出部５１の出力電圧を処理する信号
処理回路部５２とを備えている。
わち、この磁気式エンコーダは、周方向にとッチλで交
互に異なる磁極Ｎ、Ｓが着磁されたロータ５０と、この
ロータ５０の磁極Ｎ、Ｓに対向して磁極Ｎ、 Ｓの強
弱を検出する検出部５１と、フレキシブルプリント回路
板５１ａを介して検出部５１の出力電圧を処理する信号
処理回路部５２とを備えている。
前記ロータ５０は、フェライト系磁石、希土類磁石、プ
ラスチックマグネット等の磁気媒体により磁極Ｎ、
Ｓを形成している。
ラスチックマグネット等の磁気媒体により磁極Ｎ、
Ｓを形成している。
前記検出部５１は磁気抵抗素子５３．５３’を有し、た
とえばガラスにＮｉＣｏ、ＮｉＦｅ等を数１００人の厚
さに蒸着しそれをホトエツチングして第９図のような一
定のパターンに形成している。磁気抵抗素子５３．５３
’はエレメント群Ｒａ １〜Ｒａ ４およびエレメント
群Ｒｂ１〜Ｒｂ４からなり、それぞれを構成する複数の
エレメント５４．５５は折返しパターンの形状をもち互
いに直列に接続されて、ロータ５０の磁極Ｎ、Ｓに対し
て第９図のような藺係で配置されている（図ではエレメ
ント群Ｒａｌ〜Ｒａ ４およびエレメント群Ｒｈ１〜Ｒ
ｈ、が磁極Ｎ、Ｓの並び方向と直角な方向にずれている
が、並び方向の一直線上に並んでもよい）。すなわち、
たとえばエレメント群Ｒａｇ、Ｒａ４が磁極Ｎ、Ｓに対
向するとき、エレメント群Ｒａ２．Ｒａ３はピッチλの
〃周方向にずれ、エレメント群Ｒｈ、〜Ｒｂ、はエレメ
ント群Ｒａ １〜Ｒａ ４に対して周方向の一方向にそ
れぞれχずれている。
とえばガラスにＮｉＣｏ、ＮｉＦｅ等を数１００人の厚
さに蒸着しそれをホトエツチングして第９図のような一
定のパターンに形成している。磁気抵抗素子５３．５３
’はエレメント群Ｒａ １〜Ｒａ ４およびエレメント
群Ｒｂ１〜Ｒｂ４からなり、それぞれを構成する複数の
エレメント５４．５５は折返しパターンの形状をもち互
いに直列に接続されて、ロータ５０の磁極Ｎ、Ｓに対し
て第９図のような藺係で配置されている（図ではエレメ
ント群Ｒａｌ〜Ｒａ ４およびエレメント群Ｒｈ１〜Ｒ
ｈ、が磁極Ｎ、Ｓの並び方向と直角な方向にずれている
が、並び方向の一直線上に並んでもよい）。すなわち、
たとえばエレメント群Ｒａｇ、Ｒａ４が磁極Ｎ、Ｓに対
向するとき、エレメント群Ｒａ２．Ｒａ３はピッチλの
〃周方向にずれ、エレメント群Ｒｈ、〜Ｒｂ、はエレメ
ント群Ｒａ １〜Ｒａ ４に対して周方向の一方向にそ
れぞれχずれている。
これらのエレメント群Ｒａｌ〜Ｒａ４およびエレメント
群Ｒｈ１〜Ｒｈ、がそれぞれ第１０図のようにブリ・ノ
ジ接続され、その出力電圧Ｖ ａ １゜Ｖ ａ ２ 、
Ｖ ｂ １． Ｖ ｂ ２が信号処理回路部５２のコ
ンパレータＣＯＭ、、Ｃ０Ｍ２に接続される。
群Ｒｈ１〜Ｒｈ、がそれぞれ第１０図のようにブリ・ノ
ジ接続され、その出力電圧Ｖ ａ １゜Ｖ ａ ２ 、
Ｖ ｂ １． Ｖ ｂ ２が信号処理回路部５２のコ
ンパレータＣＯＭ、、Ｃ０Ｍ２に接続される。
図でＶｃｃ＋ ｖｇは磁気抵抗素子５３．５３’の両端
の入力電位である。
の入力電位である。
第１Ｏ図は各部の出力波形であり、同図ｆａｌはロータ
５０の回転に伴う出力電圧Ｖ ａ １の電圧波形、同図
１ｂｌは同じく出力電圧Ｖ ａ ２の電圧波形、同図（
Ｃ１はコンパレータＣＯＭ、の出力端の電圧波形で人相
信号となる。同図１ｄｌはロータ５０の回転に伴う出力
電圧ｖｂ、の電圧波形、同図ｔｅｌは同じく出力電圧ｖ
ｂ２の電圧波形、同図（ｆｌはコンパレータＣ０Ｍ２の
出力端の電圧波形でＢ相信号となり、Ａ相信号とＢ相信
号とは９０度位相がずれたものとなる。
５０の回転に伴う出力電圧Ｖ ａ １の電圧波形、同図
１ｂｌは同じく出力電圧Ｖ ａ ２の電圧波形、同図（
Ｃ１はコンパレータＣＯＭ、の出力端の電圧波形で人相
信号となる。同図１ｄｌはロータ５０の回転に伴う出力
電圧ｖｂ、の電圧波形、同図ｔｅｌは同じく出力電圧ｖ
ｂ２の電圧波形、同図（ｆｌはコンパレータＣ０Ｍ２の
出力端の電圧波形でＢ相信号となり、Ａ相信号とＢ相信
号とは９０度位相がずれたものとなる。
ところが、ロータ５０の磁極Ｎ、 Ｓは磁気媒体にフ
ェライト系を用いた場合その保持力が−０，１８％／℃
の温度係数を有し、磁気抵抗素子５３゜５３′にＮｉＣ
ｏ系を用いた場合抵抗変化率ΔＲは−０，３％／℃の温
度係数を有するため、全体として出力電圧は約−０，４
８％／℃の温度係数を有する。
ェライト系を用いた場合その保持力が−０，１８％／℃
の温度係数を有し、磁気抵抗素子５３゜５３′にＮｉＣ
ｏ系を用いた場合抵抗変化率ΔＲは−０，３％／℃の温
度係数を有するため、全体として出力電圧は約−０，４
８％／℃の温度係数を有する。
また磁気媒体に希土類磁石を用いた場合には保持力の温
度係数は−０，０４％／℃であり、磁気抵抗素子５３．
５３’はＮｉＦｅ系でも同様に抵抗変化率ΔＲが約−０
，３％／℃の温度係数を有するため、全体として出力電
圧は約−０，３４％／℃の温度係数を有しいた。したが
って、たとえば周囲温度Ｏ〜６０℃の範囲での出力電圧
の変化は、−０，３４％／’ＣＸ６０℃＝ −２０，４
％−０，４８％／”ＣＸ６０℃＝ −２８，８％と非常
に大きなものになってしまうという欠点があった。
度係数は−０，０４％／℃であり、磁気抵抗素子５３．
５３’はＮｉＦｅ系でも同様に抵抗変化率ΔＲが約−０
，３％／℃の温度係数を有するため、全体として出力電
圧は約−０，３４％／℃の温度係数を有しいた。したが
って、たとえば周囲温度Ｏ〜６０℃の範囲での出力電圧
の変化は、−０，３４％／’ＣＸ６０℃＝ −２０，４
％−０，４８％／”ＣＸ６０℃＝ −２８，８％と非常
に大きなものになってしまうという欠点があった。
このように、磁気式エンコーダにおいては、磁気抵抗素
子５３．５３’の出力電圧の周囲温度に対する変化が非
常に大きいため、波形整形をしパルス波形にして使用せ
ざるをえなかった。
子５３．５３’の出力電圧の周囲温度に対する変化が非
常に大きいため、波形整形をしパルス波形にして使用せ
ざるをえなかった。
この発明の目的は、周囲温度の変化に対して磁気抵抗素
子の出力電圧を安定化することができる磁気抵抗素子の
温度補償回路を提供することである。
子の出力電圧を安定化することができる磁気抵抗素子の
温度補償回路を提供することである。
この発明の磁気抵抗素子の温度補償回路は、磁気抵抗素
子と、この磁気抵抗素子に接続されて前記磁気抵抗素子
の温度変化による出力電圧の変化を少なくするように前
記磁気抵抗素子に印加する電圧を変化する温度特性をも
った温度補償回路部を有する電源とを備えたものである
。
子と、この磁気抵抗素子に接続されて前記磁気抵抗素子
の温度変化による出力電圧の変化を少なくするように前
記磁気抵抗素子に印加する電圧を変化する温度特性をも
った温度補償回路部を有する電源とを備えたものである
。
この発明の構成によれば、温度補償回路部の温度特性に
より磁気抵抗素子に印加する電圧を変化するため、磁気
抵抗素子の出力電圧を安定化することができる。
より磁気抵抗素子に印加する電圧を変化するため、磁気
抵抗素子の出力電圧を安定化することができる。
実施例
この発明の第１の実施例を第１図および第２図に基づい
て説明する。すなわち、この磁気抵抗素子の温度補償回
路は、磁気抵抗素子１．２と、この磁気抵抗素子１．２
に接続されて前記磁気抵抗素子１．２の温度変化による
出力電圧の変化を少なくするように前記磁気抵抗素子１
． ２に印加する電圧を変化する温度特性をもった温度
補償回路部３．４を有する電源とを備えている。
て説明する。すなわち、この磁気抵抗素子の温度補償回
路は、磁気抵抗素子１．２と、この磁気抵抗素子１．２
に接続されて前記磁気抵抗素子１．２の温度変化による
出力電圧の変化を少なくするように前記磁気抵抗素子１
． ２に印加する電圧を変化する温度特性をもった温度
補償回路部３．４を有する電源とを備えている。
前記磁気抵抗素子１．２は磁気式エンコーダに適用され
るもので第９図と同構成であり、かつ第１０図と同様に
ブリッジ接続されているので、同一箇所に同一符号を付
している。
るもので第９図と同構成であり、かつ第１０図と同様に
ブリッジ接続されているので、同一箇所に同一符号を付
している。
前記電源（図示せず）は一定電圧Ｖｏを発生するもので
あり、その出力側に前記温度補償回路部３゜４が設けら
れている。。
あり、その出力側に前記温度補償回路部３゜４が設けら
れている。。
前記温度補償回路部３，４は、磁気抵抗素子ｌ。
２の両端にそれぞれ接続されている。この温度補償回路
部３．４は、トランジスタＴｒ １．Ｔｒ２とトランジ
スタＴｒ １．Ｔｒ２のベース・エミフタ問およびヘー
ス・コレクタ間にそれぞれ接続された抵抗Ｒ１〜Ｒ４で
構成されている。なお、トランジスタＴｒ １．Ｔａ２
はＮＰＮ型であるが、ＰＮＰ型でもよい。
部３．４は、トランジスタＴｒ １．Ｔｒ２とトランジ
スタＴｒ １．Ｔｒ２のベース・エミフタ問およびヘー
ス・コレクタ間にそれぞれ接続された抵抗Ｒ１〜Ｒ４で
構成されている。なお、トランジスタＴｒ １．Ｔａ２
はＮＰＮ型であるが、ＰＮＰ型でもよい。
信号処理回路部５．６は、差動増幅器Ａｍｐｌ。
Ａｍｐ２を実施例とし、その出力端よりＡ相信号。
およびＢ相信号を出力する。この場合、抵抗Ｒ６〜Ｒ１
４は差動増幅器Ａｍｐ １ 、Ａｍｐ２の外付は素子で
あり、また抵抗Ｒ６，ＲＩｌでＡ相信号およびＢ相信号
の振幅を調整し、抵抗Ｒ９＝ＲＩ４でＡ相信号およびＢ
相信号の直流レベルを調整する。
４は差動増幅器Ａｍｐ １ 、Ａｍｐ２の外付は素子で
あり、また抵抗Ｒ６，ＲＩｌでＡ相信号およびＢ相信号
の振幅を調整し、抵抗Ｒ９＝ＲＩ４でＡ相信号およびＢ
相信号の直流レベルを調整する。
第２図は各部の電圧波形を示し、同図ｔａｌはロータ５
０の回転に伴う出力電圧Ｖ ａ １の電圧波形、同図Ｔ
ｂｌは同じく出力電圧Ｖ ａ ２の電圧波形、同図（Ｃ
１は差動増幅器Ａ ｒｎ １の出力端のＡ相信号の電圧
波形、同図＋ｄｌはロータ５０の回転に伴う出力電圧ｖ
ｂ、の電圧波形、同図ｔｅｌは同じく出力電圧ｖｂ２の
電圧波形、同図（ｆｌは差動増幅器Ａ ｍ ２の出力端
のＢ相信号の電圧波形であり、Ａ相信号とＢ相信号とは
９０度位相がずれたものとなる。
０の回転に伴う出力電圧Ｖ ａ １の電圧波形、同図Ｔ
ｂｌは同じく出力電圧Ｖ ａ ２の電圧波形、同図（Ｃ
１は差動増幅器Ａ ｒｎ １の出力端のＡ相信号の電圧
波形、同図＋ｄｌはロータ５０の回転に伴う出力電圧ｖ
ｂ、の電圧波形、同図ｔｅｌは同じく出力電圧ｖｂ２の
電圧波形、同図（ｆｌは差動増幅器Ａ ｍ ２の出力端
のＢ相信号の電圧波形であり、Ａ相信号とＢ相信号とは
９０度位相がずれたものとなる。
この磁気抵抗素子の温度補償回路の温度変化に対する動
作について説明する。
作について説明する。
すなわち、磁気抵抗素子１．２に印加される入力電圧は
、Ｖｃｃ−Ｖｇである。
、Ｖｃｃ−Ｖｇである。
Ｖｃｃ−Ｖｇ＝Ｖｏ−（１＋Ｒ＋／Ｒｔ） Ｖｍ、−（
１＋Ｒ３／Ｒ４） Ｖｌｌｌ！ −−−＋１１ここで、
ｖｌ、１ はトランジスタＴ ｒ １のベース・エミッ
タ間電位、ＶｌｅｔはトランジスタＴ ｒ ２のベース
・エミッタ間電位である。
１＋Ｒ３／Ｒ４） Ｖｌｌｌ！ −−−＋１１ここで、
ｖｌ、１ はトランジスタＴ ｒ １のベース・エミッ
タ間電位、ＶｌｅｔはトランジスタＴ ｒ ２のベース
・エミッタ間電位である。
一方、磁気抵抗素子１．２の出力電圧Ｖ ａ １゜Ｖｍ
２．ｖｂ、、ｖｂ２の振幅ｖｇ１１１１１＋＋Ｖ９１１
ａ！は、Ｒｍｌ”Ｒｍｌ ＝Ｋ ・ΔＲ（Ｖｃｃ−Ｖｇ） ・−−・−・（２＋
同様に、Ｖｐ＊ａｚ＝Ｋ ・ΔＲ（Ｖｃｃ−Ｖｇ）
・・・・・−＝（３１ここで、Ｋは磁界強度に比例する
定数、ΔＲは磁気抵抗素子１．２の抵抗変化率である。
２．ｖｂ、、ｖｂ２の振幅ｖｇ１１１１１＋＋Ｖ９１１
ａ！は、Ｒｍｌ”Ｒｍｌ ＝Ｋ ・ΔＲ（Ｖｃｃ−Ｖｇ） ・−−・−・（２＋
同様に、Ｖｐ＊ａｚ＝Ｋ ・ΔＲ（Ｖｃｃ−Ｖｇ）
・・・・・−＝（３１ここで、Ｋは磁界強度に比例する
定数、ΔＲは磁気抵抗素子１．２の抵抗変化率である。
Ｋ ＝Ｋｏ（１＋αｍ（Ｔａ −２５）） −（４１
ΔＲ＝ΔＲｏｏ （１＋ ｅｘ Ｒ（Ｔａ −２５））
・・・・・・−・（４１’ここで、Ｋｏはにの温度２５
℃における定数、α□はＫの温度係数、ΔＲｏｏはΔＲ
の温度２５℃における定数、α３はΔＲの温度係数、Ｔ
ａは温度である。
ΔＲ＝ΔＲｏｏ （１＋ ｅｘ Ｒ（Ｔａ −２５））
・・・・・・−・（４１’ここで、Ｋｏはにの温度２５
℃における定数、α□はＫの温度係数、ΔＲｏｏはΔＲ
の温度２５℃における定数、α３はΔＲの温度係数、Ｔ
ａは温度である。
、’、ｖｐｅ、＝Ｋｏ（１＋ αｍ（Ｔａ ２５））
ΔＲｏ。
ΔＲｏ。
×（１＋αＲ（Ｔａ −２５） ） （Ｖｃｃ−９ｇ）
■□、の温度変化に対する特性は、 Ｔａ ＋ ｔｘ□αＲ（Ｔａ −２５） ＋Ｋｏ（１＋ Ｏ
ｔｍ（Ｔａ −２５））となり、Ｔａ＝２５℃における
温度係数は、Ｔａ ＝２５ ↑ａ＝
２５・・・・・・・・・（６） したがって、従来のように磁気抵抗素子１．２の印加電
圧（Ｖｃｃ −Ｖｇ）が温度に対して一定であれば、式
（６）より、たとえば ＝ −０，４８２／℃ の温度係数を有することになる。
■□、の温度変化に対する特性は、 Ｔａ ＋ ｔｘ□αＲ（Ｔａ −２５） ＋Ｋｏ（１＋ Ｏ
ｔｍ（Ｔａ −２５））となり、Ｔａ＝２５℃における
温度係数は、Ｔａ ＝２５ ↑ａ＝
２５・・・・・・・・・（６） したがって、従来のように磁気抵抗素子１．２の印加電
圧（Ｖｃｃ −Ｖｇ）が温度に対して一定であれば、式
（６）より、たとえば ＝ −０，４８２／℃ の温度係数を有することになる。
一方この実施例によれば、式（１１は一般的にＴａ
ここで、Ｖｌｓ。はＴａ ＝ ２５℃のダイオード電圧
膝下（”４０．６Ｖ） 、ｄＶａ−／ｄＴａ−１，８＋
＊Ｖ／ ’Ｃテあるため、Ｖｃｃ −Ｖｇ＝Ｖｏ−（２
＋Ｒ＋／Ｒｚ ＋Ｒ３／Ｒ４）（Ｖａｔｔ。
膝下（”４０．６Ｖ） 、ｄＶａ−／ｄＴａ−１，８＋
＊Ｖ／ ’Ｃテあるため、Ｖｃｃ −Ｖｇ＝Ｖｏ−（２
＋Ｒ＋／Ｒｚ ＋Ｒ３／Ｒ４）（Ｖａｔｔ。
Ｔａ
Ｖｏ （２＋ Ｒ＋／Ｒｚ ＋Ｒ１／Ｒ４） Ｖ
ｓ＊。
ｓ＊。
となる。
ところで、通常α□、α１は前記のように負の係数であ
り、式（７）は正の係数である。このため、式（６）に
示すようにＶｏおよびＲ＋／Ｒｚ ＋ ＲｄＲ４を下式
のように選定することで従来の温度係数をほとんどない
状態にすることができる。
り、式（７）は正の係数である。このため、式（６）に
示すようにＶｏおよびＲ＋／Ｒｚ ＋ ＲｄＲ４を下式
のように選定することで従来の温度係数をほとんどない
状態にすることができる。
（以下余白）
ｄＶｉＪｄＴａ（２＋Ｒ＋／Ｒｇ ＋Ｒｓ／Ｒａ ）
＝０ ・・・・・・・・・（８） つまり磁気抵抗素子１の出力電圧Ｖａ１．Ｖａ２゜ｖｂ
、、ｖｂ２の振幅ＶＩ＃ａｌ＋Ｖｌｌｌ＋１１を温度に
関係なく一定にすることができる。磁気抵抗素子２の出
力電圧も同様である。
＝０ ・・・・・・・・・（８） つまり磁気抵抗素子１の出力電圧Ｖａ１．Ｖａ２゜ｖｂ
、、ｖｂ２の振幅ＶＩ＃ａｌ＋Ｖｌｌｌ＋１１を温度に
関係なく一定にすることができる。磁気抵抗素子２の出
力電圧も同様である。
この実施例によれば、温度補償回路部３．４の温度特性
により磁気抵抗素子１．２に印加する電圧を変化するた
め、磁気抵抗素子１．２の出力電圧を安定化することが
できる。
により磁気抵抗素子１．２に印加する電圧を変化するた
め、磁気抵抗素子１．２の出力電圧を安定化することが
できる。
すなわち、磁気抵抗素子１．２および磁気媒体の温度係
数を打ち消し、磁気抵抗素子１．２の出力電圧の振幅の
温度特性がほとんどない理想的な状態にすることができ
る。また従来は出力電圧の振幅の温度変化が大きいため
、波形整形をしていたが、この実施例のように出力電圧
の振幅の温度変化をごく小さくすることができるので、
付加的効果としてアナログ出力タイプの磁気式エンコー
ダを実現することができる。
数を打ち消し、磁気抵抗素子１．２の出力電圧の振幅の
温度特性がほとんどない理想的な状態にすることができ
る。また従来は出力電圧の振幅の温度変化が大きいため
、波形整形をしていたが、この実施例のように出力電圧
の振幅の温度変化をごく小さくすることができるので、
付加的効果としてアナログ出力タイプの磁気式エンコー
ダを実現することができる。
この第１の実施例の変形例として、温度補償回路部３．
４はいずれか一方のみでもよいことは、前記式から明ら
かである。
４はいずれか一方のみでもよいことは、前記式から明ら
かである。
この発明の第２の実施例を第３図に示す。ずなわら、こ
の磁気抵抗素子の温度補償回路の温度補償回路部７は、
第１の実施例のトランジスタＴ ｒ （。
の磁気抵抗素子の温度補償回路の温度補償回路部７は、
第１の実施例のトランジスタＴ ｒ （。
Ｔ ｒ ２間に基準抵抗Ｒ０を接続し、その両端にアン
プＡ ｍ ｐ ３ 、 Ａ ｍ ｐ ４の入力端を接続
し、アンプ八ｍｐ３．Ａｍｐ４の各出力端を磁気抵抗素
子１．２の両端に接続している。
プＡ ｍ ｐ ３ 、 Ａ ｍ ｐ ４の入力端を接続
し、アンプ八ｍｐ３．Ａｍｐ４の各出力端を磁気抵抗素
子１．２の両端に接続している。
この実施例も、第１の実施例と同様にトランジスタＴｒ
Ｉ、Ｔｒ２の温度特性を利用して、磁気抵抗素子１．
２の出力電圧の温度係数α□＋α、を０に近づけること
ができる。
Ｉ、Ｔｒ２の温度特性を利用して、磁気抵抗素子１．
２の出力電圧の温度係数α□＋α、を０に近づけること
ができる。
なお、前記トランジスタＴｒ Ｉ、Ｔｒ２およびその抵
抗Ｒ１〜Ｒ４の組はいずれか一方のみでもよい。また基
準抵抗Ｒ０として、サーミスタを用いてもよい。
抗Ｒ１〜Ｒ４の組はいずれか一方のみでもよい。また基
準抵抗Ｒ０として、サーミスタを用いてもよい。
この発明の第３の実施例を第４図に示す。すなわち、こ
の磁気抵抗素子の温度補償回路の温度補償回路部３．４
は、ダイオードＤ１〜Ｄ４．Ｄ。
の磁気抵抗素子の温度補償回路の温度補償回路部３．４
は、ダイオードＤ１〜Ｄ４．Ｄ。
〜Ｄ８で構成したものであり、ダイオードＤ１〜Ｄ、、
Ｄ、〜Ｄ８の温度特性を利用したものである。
Ｄ、〜Ｄ８の温度特性を利用したものである。
この実施例のダイオードＤ、−Ｄ、、Ｄ、〜Ｄ８は、４
個ずつ直列に接続しているが、それぞれ１個以上であれ
ばよい。また変形例として、温度補償回路部３．４はい
ずれか一方のみでもよい。
個ずつ直列に接続しているが、それぞれ１個以上であれ
ばよい。また変形例として、温度補償回路部３．４はい
ずれか一方のみでもよい。
この発明の第４の実施例を第５図に示す、すなわち、こ
の磁気抵抗素子つ温度補償回路の温度補償回路７は、ダ
イオードＤ１〜Ｄ４．Ｄ、〜Ｄ８間に基準抵抗Ｒｏを設
けたものであり、第２の実施例に対応する。
の磁気抵抗素子つ温度補償回路の温度補償回路７は、ダ
イオードＤ１〜Ｄ４．Ｄ、〜Ｄ８間に基準抵抗Ｒｏを設
けたものであり、第２の実施例に対応する。
またダイオードＤ１〜Ｄ４またはダイオードＤ。
〜Ｄ８のいずれか一方のみでもよ（、また基準抵抗Ｒｏ
としてサーミスタを用いてもよい。
としてサーミスタを用いてもよい。
この発明の第５の実施例を第６図に示す、すなわち、こ
の磁気抵抗素子の温度補償回路の温度補償回路部８は、
サーミスタＲ１の両端に抵抗Ｒ１５゜Ｒ１６を接続し、
サーミスタＲ【の両端をアンプＡｍｐ３．Ａｍｐ４の入
力端に接続し、その出力端を磁気抵抗素子１．２に接続
している。
の磁気抵抗素子の温度補償回路の温度補償回路部８は、
サーミスタＲ１の両端に抵抗Ｒ１５゜Ｒ１６を接続し、
サーミスタＲ【の両端をアンプＡｍｐ３．Ａｍｐ４の入
力端に接続し、その出力端を磁気抵抗素子１．２に接続
している。
なお、変形例として、抵抗ＲＩＳおよびアンプＡｍｐ３
の組と、抵抗Ｒ３６およびアンプＡｍｐ４の組のいずれ
か一方のみでもよい。
の組と、抵抗Ｒ３６およびアンプＡｍｐ４の組のいずれ
か一方のみでもよい。
またアンプ八ｍ ｐ ３ 、Ａ ｍ ｐ ４に代えて第
７図に示すように外付は素子Ｒ１７〜Ｒ２，を有するア
ンプＡｍｐ３ ’、Ａｍｐ４ ’を適用してもよい。
７図に示すように外付は素子Ｒ１７〜Ｒ２，を有するア
ンプＡｍｐ３ ’、Ａｍｐ４ ’を適用してもよい。
なお、前記アンプＡｍｐ３ ’、Ａｍｐ４’を第３図お
よび第５図に示すアンプＡ ｍ ｐ ３ 、 Ａ ｍ
ｐ ４に代えて適用してもよい。
よび第５図に示すアンプＡ ｍ ｐ ３ 、 Ａ ｍ
ｐ ４に代えて適用してもよい。
この発明の磁気抵抗素子の温度補償回路によれば、温度
補償回路部の温度特性により磁気抵抗素子に印加する電
圧を変化するため、磁気抵抗素子の出力電圧を安定化す
ることができるという効果がある。
補償回路部の温度特性により磁気抵抗素子に印加する電
圧を変化するため、磁気抵抗素子の出力電圧を安定化す
ることができるという効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例の回路図、第２図はそ
の各部の電圧波形図、第３図は第２の実施例の回路図、
第４図は第３の実施例の回路図、第５図は第４の実施例
の回路図、第６図は第５の実施例の回路図、第７図は変
形例の回路図、第８図は磁気式エンコーダの説明図、第
９図は磁気抵抗素子とロータの磁極との位置関係を説明
する説明図、第１０図は磁気抵抗素子の結線図、第１１
図はその各部の電圧波形図である。 １．２・・・磁気抵抗素子、３． ４． ７． ８・・
・温度補償回路部 第１図 第２図 第４図 第７図 第８図 第１０図 第１１図 手続争甫正書（自治 昭和６２年０４月０３日
の各部の電圧波形図、第３図は第２の実施例の回路図、
第４図は第３の実施例の回路図、第５図は第４の実施例
の回路図、第６図は第５の実施例の回路図、第７図は変
形例の回路図、第８図は磁気式エンコーダの説明図、第
９図は磁気抵抗素子とロータの磁極との位置関係を説明
する説明図、第１０図は磁気抵抗素子の結線図、第１１
図はその各部の電圧波形図である。 １．２・・・磁気抵抗素子、３． ４． ７． ８・・
・温度補償回路部 第１図 第２図 第４図 第７図 第８図 第１０図 第１１図 手続争甫正書（自治 昭和６２年０４月０３日
Claims (1)
- 磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子に接続されて前記磁
気抵抗素子の温度変化による出力電圧の変化を少なくす
るように前記磁気抵抗素子に印加する電圧を変化する温
度特性をもった温度補償回路部を有する電源とを備えた
磁気抵抗素子の温度補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012103A JPS63179585A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 磁気抵抗素子の温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012103A JPS63179585A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 磁気抵抗素子の温度補償回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63179585A true JPS63179585A (ja) | 1988-07-23 |
Family
ID=11796231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62012103A Pending JPS63179585A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 磁気抵抗素子の温度補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63179585A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270613A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Hitachi Ltd | 磁気的に位置や速度を検出する装置 |
| JP2011033456A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Tdk Corp | 磁気センサ |
| JP2014095656A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Nidec Sankyo Corp | 磁気センサ装置 |
| JP2015503735A (ja) * | 2011-12-30 | 2015-02-02 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Ｊｉａｎｇ Ｓｕ Ｍｕｌｔｉ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ | 電流センサ |
| CN110987028A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-04-10 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种磁性编码器的温度补偿系统及补偿方法 |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP62012103A patent/JPS63179585A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270613A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Hitachi Ltd | 磁気的に位置や速度を検出する装置 |
| JP2685489B2 (ja) * | 1988-04-22 | 1997-12-03 | 株式会社日立製作所 | 磁気的に位置や速度を検出する装置 |
| JP2011033456A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Tdk Corp | 磁気センサ |
| JP2015503735A (ja) * | 2011-12-30 | 2015-02-02 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Ｊｉａｎｇ Ｓｕ Ｍｕｌｔｉ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ | 電流センサ |
| JP2014095656A (ja) * | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Nidec Sankyo Corp | 磁気センサ装置 |
| CN110987028A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-04-10 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种磁性编码器的温度补偿系统及补偿方法 |
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