JPS63179586A - 磁気抵抗素子の温度補償回路 - Google Patents
磁気抵抗素子の温度補償回路Info
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- JPS63179586A JPS63179586A JP62012104A JP1210487A JPS63179586A JP S63179586 A JPS63179586 A JP S63179586A JP 62012104 A JP62012104 A JP 62012104A JP 1210487 A JP1210487 A JP 1210487A JP S63179586 A JPS63179586 A JP S63179586A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、磁気式エンコーダ等に適用される磁気抵抗
素子の温度補償回路に関するものである。
素子の温度補償回路に関するものである。
磁気式エンコーダを第５図ないし第８図に示す。
すなわち、この磁気式エンコーダは、周方向にとッチλ
で交互に異なる磁極Ｎ、Ｓが着磁されたロータ５０と、
このロータ５０の磁極Ｎ、Ｓに対向して磁極Ｎ、Ｓの強
弱を検出する検出部５１と、フレキシブルプリント回路
板５１ａを介して検出部５１の出力電圧を処理する信号
処理回路部５２とを備えている。
で交互に異なる磁極Ｎ、Ｓが着磁されたロータ５０と、
このロータ５０の磁極Ｎ、Ｓに対向して磁極Ｎ、Ｓの強
弱を検出する検出部５１と、フレキシブルプリント回路
板５１ａを介して検出部５１の出力電圧を処理する信号
処理回路部５２とを備えている。
前記ロータ５０は、フェライト系磁石、希土類磁石、プ
ラスチックマグネット等の磁気媒体により磁極Ｎ、 Ｓ
を形成している。
ラスチックマグネット等の磁気媒体により磁極Ｎ、 Ｓ
を形成している。
前記検出部５１は磁気抵抗素子５３．５３’を有し、た
とえばガラスにＮｉＣｏ、ＮｉＦｅ等を数１００人の厚
さに蒸着しそれをホトエツチングして第６図のような一
定のパターンに形成している。磁気抵抗素子５３．５３
’はエレメント群Ｒａｇ〜Ｒａ４およびエレメント群Ｒ
ｂ、〜Ｒｂ４からなり、それぞれを構成する複数のエレ
メント５４．５５は折返しパターンの形状をもち互いに
直列に接続されて、ロータ５０の磁極Ｎ、Ｓに対して第
６図のような関係で配置されている（図ではエレメント
群Ｒａ １〜Ｒａ ４およびエレメント群Ｒｂ、〜Ｒｂ
、が磁極Ｎ、Ｓの並び方向と直角な方向にずれているが
、並び方向の一直線上に並んでもよい）、すなわち、た
とえばエレメント群Ｒａｌ、Ｒａ４が磁極Ｎ、Ｓに対向
するとき、エレメント群Ｒａ２．Ｒａ３はピンチλのＡ
周方向にずれ、エレメント群Ｒｂ１〜Ｒｂ、はエレメン
ト群Ｒａ １〜Ｒａ ４に対して周方向の一方向にそれ
ぞれ２ずれている。
とえばガラスにＮｉＣｏ、ＮｉＦｅ等を数１００人の厚
さに蒸着しそれをホトエツチングして第６図のような一
定のパターンに形成している。磁気抵抗素子５３．５３
’はエレメント群Ｒａｇ〜Ｒａ４およびエレメント群Ｒ
ｂ、〜Ｒｂ４からなり、それぞれを構成する複数のエレ
メント５４．５５は折返しパターンの形状をもち互いに
直列に接続されて、ロータ５０の磁極Ｎ、Ｓに対して第
６図のような関係で配置されている（図ではエレメント
群Ｒａ １〜Ｒａ ４およびエレメント群Ｒｂ、〜Ｒｂ
、が磁極Ｎ、Ｓの並び方向と直角な方向にずれているが
、並び方向の一直線上に並んでもよい）、すなわち、た
とえばエレメント群Ｒａｌ、Ｒａ４が磁極Ｎ、Ｓに対向
するとき、エレメント群Ｒａ２．Ｒａ３はピンチλのＡ
周方向にずれ、エレメント群Ｒｂ１〜Ｒｂ、はエレメン
ト群Ｒａ １〜Ｒａ ４に対して周方向の一方向にそれ
ぞれ２ずれている。
これらのエレメント群Ｒａ １〜Ｒａ ４およびエレメ
ント群Ｒｈ、〜Ｒｂ４がそれぞれ第７図のようにブリッ
ジ接続され、その出力電圧Ｖ ａ Ｈ。
ント群Ｒｈ、〜Ｒｂ４がそれぞれ第７図のようにブリッ
ジ接続され、その出力電圧Ｖ ａ Ｈ。
Ｖａ２．Ｖｂｌ、Ｖｂ２が信号処理回路部５２のコンパ
レータＣ０Ｍ１．ＣＯＭ、に接続される。
レータＣ０Ｍ１．ＣＯＭ、に接続される。
図でＶｃｃ、Ｖｇは磁気抵抗素子５３．５３’の両端の
入力電位である。
入力電位である。
第８図は各部の出力波形であり、同図（ａｌはロータ５
０の回転に伴う出力電圧Ｖ ａ １の電圧波形、同図（
ｂｌは同じく出力電圧Ｖ ａ ２の電圧波形、同図（ｅ
）はコンパレータＣ０Ｍ１の出力端の電圧波形でＡ相信
号となる。同図（ｄ）はロータ５０の回転に伴う出力電
圧ｖｂ、の電圧波形、同図Ｔａ）は同じく出力電圧■ｂ
２の電圧波形、同１ｇ （［１はコンパレータＣ０Ｍ２
の出力端の電圧波形でＢ相信号となり、Ａ相信号とＢ相
信号とは９０度位相がずれたものとなる。
０の回転に伴う出力電圧Ｖ ａ １の電圧波形、同図（
ｂｌは同じく出力電圧Ｖ ａ ２の電圧波形、同図（ｅ
）はコンパレータＣ０Ｍ１の出力端の電圧波形でＡ相信
号となる。同図（ｄ）はロータ５０の回転に伴う出力電
圧ｖｂ、の電圧波形、同図Ｔａ）は同じく出力電圧■ｂ
２の電圧波形、同１ｇ （［１はコンパレータＣ０Ｍ２
の出力端の電圧波形でＢ相信号となり、Ａ相信号とＢ相
信号とは９０度位相がずれたものとなる。
ところが、ロータ５０の磁極Ｎ、Ｓは磁気媒体にフェラ
イト系を用いた場合その保持力が−０，１８％／℃の温
度係数を有し、磁気抵抗素子５３゜５３′にＮｉＣ０系
を用いた場合抵抗変化率ΔＲは−０，３％／℃の温度係
数を有するため、全体として出力電圧は約−０，４８％
／℃の温度係数を有する。
イト系を用いた場合その保持力が−０，１８％／℃の温
度係数を有し、磁気抵抗素子５３゜５３′にＮｉＣ０系
を用いた場合抵抗変化率ΔＲは−０，３％／℃の温度係
数を有するため、全体として出力電圧は約−０，４８％
／℃の温度係数を有する。
また磁気媒体に希±ｌ！ｉ磁石を用いた場合には保持力
の温度係数は−０，０４％／℃であり、磁気抵抗素子５
３．５３’はＮｉＦｅ系でも同様に抵抗変化率ΔＲが約
−０，３％／℃の温度係数を有するため、全体として出
力電圧は約−〇、３４％／℃の温度係数を有していた。
の温度係数は−０，０４％／℃であり、磁気抵抗素子５
３．５３’はＮｉＦｅ系でも同様に抵抗変化率ΔＲが約
−０，３％／℃の温度係数を有するため、全体として出
力電圧は約−〇、３４％／℃の温度係数を有していた。
したがって、たとえば周囲温度０〜６０℃の範囲での出
力電圧の変化は、−０，３４％／’ｅｘ６０℃＝ −２
０，４％−０，４８％／１Ｘ６０℃＝ −２８，８％と
非常に大きなものになってしまうという欠点があった。
力電圧の変化は、−０，３４％／’ｅｘ６０℃＝ −２
０，４％−０，４８％／１Ｘ６０℃＝ −２８，８％と
非常に大きなものになってしまうという欠点があった。
このように、磁気式エンコーダにおいては、磁気抵抗素
子５３．５３’の出力電圧の周囲温度に対する変化が非
常に大きいため、波形整形をしパルス波形にして使用す
る必要があった。
子５３．５３’の出力電圧の周囲温度に対する変化が非
常に大きいため、波形整形をしパルス波形にして使用す
る必要があった。
この発明の目的は、周囲温度の変化に対して磁気抵抗素
子の出力電圧を安定化することができる磁気抵抗素子の
温度補償回路を提供することである。
子の出力電圧を安定化することができる磁気抵抗素子の
温度補償回路を提供することである。
この発明の磁気抵抗素子の温度補償回路は、順次接近す
る磁極を検出する磁気抵抗素子と、前記磁極の平均磁束
を検出するとともに前記磁気抵抗素子に接続されて前記
磁気抵抗素子の温度変化による出力電圧の変化を少な（
するように前記磁気抵抗素子に印加する電圧を変化する
平均磁束検出用磁気抵抗素子で構成された温度補償回路
部を有する電源とを備えたものである。
る磁極を検出する磁気抵抗素子と、前記磁極の平均磁束
を検出するとともに前記磁気抵抗素子に接続されて前記
磁気抵抗素子の温度変化による出力電圧の変化を少な（
するように前記磁気抵抗素子に印加する電圧を変化する
平均磁束検出用磁気抵抗素子で構成された温度補償回路
部を有する電源とを備えたものである。
この発明の構成によれば、磁気抵抗素子が検出する磁極
の平均磁束を検出する平均磁束検出用磁気抵抗素子で構
成された温度補償回路部の温度特性により、磁気抵抗素
子に印加する電圧を変化するため、周囲温度が変化して
も磁気抵抗素子の出力電圧を安定化することができる。
の平均磁束を検出する平均磁束検出用磁気抵抗素子で構
成された温度補償回路部の温度特性により、磁気抵抗素
子に印加する電圧を変化するため、周囲温度が変化して
も磁気抵抗素子の出力電圧を安定化することができる。
実施例
この発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説
明する。すなわち、この磁気抵抗素子の温度補償回路は
、順次接近する磁極Ｎ、 Ｓを検出する磁気抵抗素子１
．２と、磁極Ｎ、Ｓの平均磁束を検出するとともに磁気
抵抗素子１．２に接続されて磁気抵抗素子１．２の温度
変化による出力電圧の変化を少なくするように磁気抵抗
素子１゜２に印加する電圧を変化する平均磁束検出用磁
気抵抗素子４．５で構成された温度補償回路部３を有す
る電源とを備えている。
明する。すなわち、この磁気抵抗素子の温度補償回路は
、順次接近する磁極Ｎ、 Ｓを検出する磁気抵抗素子１
．２と、磁極Ｎ、Ｓの平均磁束を検出するとともに磁気
抵抗素子１．２に接続されて磁気抵抗素子１．２の温度
変化による出力電圧の変化を少なくするように磁気抵抗
素子１゜２に印加する電圧を変化する平均磁束検出用磁
気抵抗素子４．５で構成された温度補償回路部３を有す
る電源とを備えている。
前記磁気抵抗素子１．２は磁気式エンコーダに適用され
るもので第５図および第６図と同構成であり、かつ第７
図と同様にブリッジ接続されているので、同一箇所に同
一符号を付している。
るもので第５図および第６図と同構成であり、かつ第７
図と同様にブリッジ接続されているので、同一箇所に同
一符号を付している。
前記電源（図示せず）は一定電圧Ｖｏを発生するもので
あり、その出力側に前記温度補償回路部３が設けられて
いる。
あり、その出力側に前記温度補償回路部３が設けられて
いる。
この温度補償回路部３の前記平均磁束検出用磁気抵抗素
子４（抵抗値Ｒｆ、）、５（抵抗値Ｒｆ２）は、磁気抵
抗素子１２の両側に位置し、それぞれロータ５０の磁極
Ｎ、Ｓに対して磁気抵抗素子１．２と同じ折返しパター
ンの形状をなすエレメントがピッチλのＡ周方向にずれ
るように複数個配置されるとともに直列に接続されてい
る。平均磁束検出用磁気抵抗素子４．５のエレメント数
は平均磁束検出用のため４の倍数が好ましい、そして、
前記平均磁束検出用磁気抵抗素子４．５に抵抗Ｒｏｌ
、 Ｒｏ２が直列に接続されてその中点Ｖｆ１゜Ｖｆ２
がアンプＡｍｐ３．Ａｍｐ４の入力端に接続され、アン
プＡｍｐ３．Ａｍｐ４の出力端が磁気抵抗素子１．２の
両端に接続されている。Ｒ１−Ｒ４はアンプＡ ｒｒＬ
ｐ ３ 、 Ａ ｍ ｐ ４の外付は抵抗である。
子４（抵抗値Ｒｆ、）、５（抵抗値Ｒｆ２）は、磁気抵
抗素子１２の両側に位置し、それぞれロータ５０の磁極
Ｎ、Ｓに対して磁気抵抗素子１．２と同じ折返しパター
ンの形状をなすエレメントがピッチλのＡ周方向にずれ
るように複数個配置されるとともに直列に接続されてい
る。平均磁束検出用磁気抵抗素子４．５のエレメント数
は平均磁束検出用のため４の倍数が好ましい、そして、
前記平均磁束検出用磁気抵抗素子４．５に抵抗Ｒｏｌ
、 Ｒｏ２が直列に接続されてその中点Ｖｆ１゜Ｖｆ２
がアンプＡｍｐ３．Ａｍｐ４の入力端に接続され、アン
プＡｍｐ３．Ａｍｐ４の出力端が磁気抵抗素子１．２の
両端に接続されている。Ｒ１−Ｒ４はアンプＡ ｒｒＬ
ｐ ３ 、 Ａ ｍ ｐ ４の外付は抵抗である。
信号処理回路部６は、差動増幅器Ａｍｐ１゜Ａｍｐ２を
実施例とし、その出力端よりＡ相信号。
実施例とし、その出力端よりＡ相信号。
およびＢ相信号を出力する。この場合、抵抗Ｒ６”’
Ｒ１４は差動増幅器Ａｍｐ １ 、Ａｍｐ２の外付は素
子であり、また抵抗Ｒ６，Ｒ１１でＡ相信号およびＢ相
信号の振幅を調整し、抵抗Ｒ９，Ｒ１４でＡ相信号およ
びＢ相信号の直流レベルを調整する。
Ｒ１４は差動増幅器Ａｍｐ １ 、Ａｍｐ２の外付は素
子であり、また抵抗Ｒ６，Ｒ１１でＡ相信号およびＢ相
信号の振幅を調整し、抵抗Ｒ９，Ｒ１４でＡ相信号およ
びＢ相信号の直流レベルを調整する。
第３図は各部の電圧波形を示し、同図（ａｌはロータ５
０の回転に伴う出力電圧Ｖ ａ １の電圧波形、同図（
ｂｌは同じく出力電圧Ｖ ａ ２の電圧波形、同図ｔｃ
＋は差動増幅器Ａｍｐ１の出力端の電圧波形、同図（ｄ
）はロータ５０の回転に伴う出力電圧ｖｂ、の電圧波形
、同図（ｅ）は同じく出力電圧ｖｂ２の電圧波形、同図
（ｆ）は差動増幅器Ａ ｍ ｐ ２の出力端の電圧波形
である。
０の回転に伴う出力電圧Ｖ ａ １の電圧波形、同図（
ｂｌは同じく出力電圧Ｖ ａ ２の電圧波形、同図ｔｃ
＋は差動増幅器Ａｍｐ１の出力端の電圧波形、同図（ｄ
）はロータ５０の回転に伴う出力電圧ｖｂ、の電圧波形
、同図（ｅ）は同じく出力電圧ｖｂ２の電圧波形、同図
（ｆ）は差動増幅器Ａ ｍ ｐ ２の出力端の電圧波形
である。
この磁気抵抗素子の温度補償回路の温度変化に対する動
作について説明する。
作について説明する。
すなわち、磁気抵抗素子１に印加される電圧は、Ｖｃｃ
−Ｖ ｇである。
−Ｖ ｇである。
（以下余白）
Ｖｃｃ−Ｖｇ＝Ｖｏ−（１＋Ｒｔ／Ｒｔ）（Ｒｏｌ ／
Ｒｏｌ ＋Ｒｆｌ ）−（１＋ Ｒａ／Ｒｓン（Ｒｏ
２ ／ Ｒｏ２ ＋Ｒｆ２ ） ＝・・・−
（１）一方、磁気抵抗素子１の出力電圧Ｖａ １ 、
Ｖｇ２の振幅Ｖ□ａ、Ｉ＋Ｖｅｅｍｔ （第３図）は、
Ｒ１１Ｉ＋ Ｒｓ。
Ｒｏｌ ＋Ｒｆｌ ）−（１＋ Ｒａ／Ｒｓン（Ｒｏ
２ ／ Ｒｏ２ ＋Ｒｆ２ ） ＝・・・−
（１）一方、磁気抵抗素子１の出力電圧Ｖａ １ 、
Ｖｇ２の振幅Ｖ□ａ、Ｉ＋Ｖｅｅｍｔ （第３図）は、
Ｒ１１Ｉ＋ Ｒｓ。
＝に ・ａＲ（Ｖｃｃ −Ｖｇ） −・＝ −（２１同
様に、ＶｐｐａｔｍＫ ・ａＲ（Ｖｃｃ−Ｖｇ） ・
・・・・・・・・（３）ここで、Ｋは磁界強度に比例す
る定数、ａＲは磁気抵抗素子１．２の抵抗変化率である
。
様に、ＶｐｐａｔｍＫ ・ａＲ（Ｖｃｃ−Ｖｇ） ・
・・・・・・・・（３）ここで、Ｋは磁界強度に比例す
る定数、ａＲは磁気抵抗素子１．２の抵抗変化率である
。
Ｋ＝にｏ（１＋ Ｃｌ ｌｌ、（Ｔａ ２５））
・・”・”・・＋４１ΔＲ＝ΔＲｏｏ （１＋ ａ Ｒ
（Ｔａ −２５））・・・・・・−（４） ’ここで、
に０は２５℃におけるＫの定数、α□はＸの温度係数、
Ｔａは温度、ΔＲｏｏは２５℃におけるａＲの定数、α
１はａＲの温度係数である。
・・”・”・・＋４１ΔＲ＝ΔＲｏｏ （１＋ ａ Ｒ
（Ｔａ −２５））・・・・・・−（４） ’ここで、
に０は２５℃におけるＫの定数、α□はＸの温度係数、
Ｔａは温度、ΔＲｏｏは２５℃におけるａＲの定数、α
１はａＲの温度係数である。
” Ｖｅｅａ＋ ＝ Ｋｏ（１＋ α１ｌｌ（Ｔａ −
２５））ΔＲｏ。
２５））ΔＲｏ。
Ｘ （１＋ ＣＩ Ｒ（Ｔａ −２５））（Ｖｃｃ−Ｖ
ｇ）ｖｅｐａ＋の温度変化に対する特性は、（以下余白
） Ｔａ ＋ ａ、 ａＲ（Ｔａ −２５） ） 十Ｋｏ（
１＋ ａｔｍ（Ｔａ −２５））となり、Ｔａ ＝
２５℃における温度係数は、Ｔａ ＝２５
７ａ ＝２５・・・・・・・・・（６） したがって、従来のように磁気抵抗素子の印加電圧（Ｖ
ｃｃ −Ｖｇ）が温度に対して一定であれば、式（６）
％式％ の温度係数を有することになる。
ｇ）ｖｅｐａ＋の温度変化に対する特性は、（以下余白
） Ｔａ ＋ ａ、 ａＲ（Ｔａ −２５） ） 十Ｋｏ（
１＋ ａｔｍ（Ｔａ −２５））となり、Ｔａ ＝
２５℃における温度係数は、Ｔａ ＝２５
７ａ ＝２５・・・・・・・・・（６） したがって、従来のように磁気抵抗素子の印加電圧（Ｖ
ｃｃ −Ｖｇ）が温度に対して一定であれば、式（６）
％式％ の温度係数を有することになる。
一方この実施例によれば、式＋１１においてＲｆ＋−Ｒ
ｆ＋ｅ（１−ΔＲｆＩｏ（１＋ ａｍ （Ｔａ −２５
）））Ｒｂ−ＲＦｚ＊（１−ΔＲｆｇｏ（１＋０１ｍ
（Ｔａ ２５）））である、ここで、Ｒｆｌ。、Ｒｆ
ｌ。は２５℃におけるＲｆｌ。
ｆ＋ｅ（１−ΔＲｆＩｏ（１＋ ａｍ （Ｔａ −２５
）））Ｒｂ−ＲＦｚ＊（１−ΔＲｆｇｏ（１＋０１ｍ
（Ｔａ ２５）））である、ここで、Ｒｆｌ。、Ｒｆ
ｌ。は２５℃におけるＲｆｌ。
Ｒｆｌ 、ΔＲｆｌ。、ΔＲｆｘ。はその抵抗変化率で
ある。
ある。
ＸＲｆ富。（−ΔＲｆ意。αえ）・・・・・・・・・（
刀となる。ところで、通常α、、α１は前記のように負
の係数であり、式（７）は正の係数である。したがって
、式（７）に示すようにＶｏ 、 Ｒｔ／Ｒ＋＋ ２４
／Ｒｓ＋Ｒｏ１＋ Ｒｆｔ＋ Ｒｏｔ、 Ｒｒｌを選定
することにより式（６）の温度係数を小さくまたはほと
んどない状態にすることができる。つまり磁気抵抗素子
ｌの出力電圧ＶａＩ＋ ｖａ２の振幅ＶＰ＃ｍｌ＋ＶＩ
ｌｔｌｌ！を温度に関係なく一定にすることができる。
刀となる。ところで、通常α、、α１は前記のように負
の係数であり、式（７）は正の係数である。したがって
、式（７）に示すようにＶｏ 、 Ｒｔ／Ｒ＋＋ ２４
／Ｒｓ＋Ｒｏ１＋ Ｒｆｔ＋ Ｒｏｔ、 Ｒｒｌを選定
することにより式（６）の温度係数を小さくまたはほと
んどない状態にすることができる。つまり磁気抵抗素子
ｌの出力電圧ＶａＩ＋ ｖａ２の振幅ＶＰ＃ｍｌ＋ＶＩ
ｌｔｌｌ！を温度に関係なく一定にすることができる。
［気抵抗素子２の出力電圧も同様である。
この実施例によれば、磁気抵抗素子１．２が検出する磁
極Ｎ、Ｓの平均磁束を検出する平均磁束検出用磁気抵抗
素子４．５で構成された温度補償回路部３の温度特性に
より、磁気抵抗素子１． ２に印加する電圧を変化する
ため、周囲温度が変化しても磁気抵抗素子１．２の出力
電圧を安定化することができる。
極Ｎ、Ｓの平均磁束を検出する平均磁束検出用磁気抵抗
素子４．５で構成された温度補償回路部３の温度特性に
より、磁気抵抗素子１． ２に印加する電圧を変化する
ため、周囲温度が変化しても磁気抵抗素子１．２の出力
電圧を安定化することができる。
すなわち、温度補償回路部３により磁気抵抗素子１，２
および磁極Ｎ、Ｓを着磁する磁気媒体の温度係数を打ち
消し、磁気抵抗素子１．２の出力電圧の振幅の温度特性
がほとんどない理想的な状態にすることができる。また
従来は出力電圧の振幅の温度変化が大きいため、アナロ
グ出力タイプの磁気式エンコーダはできず波形整形をし
ていたが、この実施例のように出力電圧の振幅の温度変
化をごく小さくすることができるので、付加的効果とし
てアナログ出力タイプの磁気式エンコーダを実現するこ
とができる。
および磁極Ｎ、Ｓを着磁する磁気媒体の温度係数を打ち
消し、磁気抵抗素子１．２の出力電圧の振幅の温度特性
がほとんどない理想的な状態にすることができる。また
従来は出力電圧の振幅の温度変化が大きいため、アナロ
グ出力タイプの磁気式エンコーダはできず波形整形をし
ていたが、この実施例のように出力電圧の振幅の温度変
化をごく小さくすることができるので、付加的効果とし
てアナログ出力タイプの磁気式エンコーダを実現するこ
とができる。
この実施例の変形例として、平均磁束検出用磁気抵抗素
子４，５およびアンプＡｍｐ３．Ａｍｐ。
子４，５およびアンプＡｍｐ３．Ａｍｐ。
をそれぞれ一方のみとすることが可能である。
この発明の他の実施例として、第４図に示す温度補償回
路部３が考えられる。すなわち、基準抵抗Ｒｏの両端に
抵抗ＲＩＳＩＲＩＩＩを接続し、基準抵抗Ｒ。
路部３が考えられる。すなわち、基準抵抗Ｒｏの両端に
抵抗ＲＩＳＩＲＩＩＩを接続し、基準抵抗Ｒ。
の両端にアンプＡｍｐ３．Ａｍｐ、の入力端を接続する
とともに、アンプＡｍｐ３．Ａｍｐ、の前記外付は抵抗
Ｒ２，Ｒ４に代えて、平均磁束検出用磁気抵抗素子４，
５を接続したものであり、前記式（７）と同様の式が成
立する。
とともに、アンプＡｍｐ３．Ａｍｐ、の前記外付は抵抗
Ｒ２，Ｒ４に代えて、平均磁束検出用磁気抵抗素子４，
５を接続したものであり、前記式（７）と同様の式が成
立する。
この発明の磁気抵抗素子の温度補償回路によれば、磁気
抵抗素子が検出する磁極の平均磁束を検出する平均磁束
検出用磁気抵抗素子で構成された温度補償回路部の温度
特性により、磁気抵抗素子に印加する電圧を変化するた
め、周囲温度が変化しても磁気抵抗素子の出力電圧を安
定化することができるという効果がある。
抵抗素子が検出する磁極の平均磁束を検出する平均磁束
検出用磁気抵抗素子で構成された温度補償回路部の温度
特性により、磁気抵抗素子に印加する電圧を変化するた
め、周囲温度が変化しても磁気抵抗素子の出力電圧を安
定化することができるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の回路図、第２図は磁気抵
抗素子とロータの磁極との位置関係を説明する説明図、
第３図はその各部の電圧波形図、第４図は他の実施例の
温度補償回路部の回路図、第５図は磁気式エンコーダの
説明図、第６図は磁気抵抗素子とロータの磁極との位置
関係を説明する説明図、第７図は磁気抵抗素子の結線図
、第８図はその各部の電圧波形図である。 １、 ２・・・磁気抵抗素子、３・・・温度補償回路部
、４．５・・・平均磁束検出用磁気抵抗素子ｍ３図 第４図 第５図 第７図 第８図 手続補正書峨） 昭和６２年０４月０３日 昭和６２年特許願第０１２１０４号 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 ４、代理人 ５、補正命令の日付 自発補正 （１） 明細書の特許請求の範囲の記載を別紙のとお
り補正する。 （２）明細書第１頁第１８行、「第５図ないし第８図」
とあるを「第４図ないし第７図」と訂正する。 （３） 明細書第２頁第１２行、同第１８行、「第６
図」とあるを「第５図」と訂正する。 （４）明細書第３頁第９行、「第７図」とあるを「第６
図」と訂正する。 （５）明細書第３頁第１５行、「第８図」とあるを「第
７図」と訂正する。 （６）明細書第５頁第１９行から第２０行、第６頁第１
６行から第１７行、「を有する電源」とあるを削除する
。 （７）明細書第６頁第１９行から第２０行、「第５図・
・・・・・・・・第７図」とあるを「第４図および第５
図と同構成であり、かつ第６図」と訂正する。 （８）明細書第７頁第２行から第４行、「前記電源・・
・・・・・・・設けられている。」とあるを削除する。 （９）明細書第９頁第１行から第２行、ｒ Ｖｃｃ−
Ｖｇ＝Ｖｏ−（１＋ Ｒ２／Ｒ１） （Ｒｏｔ／ＲＯＩ
＋ Ｒｆ＋）−（１＋ Ｒ４／Ｒ３） （Ｒｏｔ
／Ｒｏｔ ＋ Ｒｆｚ） ・−・・−・−（ｉ） Ｊと
あるをｒＶｃｃ Ｖｇ＝Ｖｏ−（１＋Ｒｚ／Ｒ＋）
（Ｒｏｔ／（Ｒｏ＋＋Ｒｆ＋））−（１＋Ｒ４／Ｒ：ｌ
） （Ｒｏｔ／（Ｒｏｚ＋Ｒｆｚ）） ・・−・・・・
・・（１）Ｊと訂正する。 α〔明細書第１２頁第１７行から第１３頁第４行、「こ
の発明の・・・・・・・・・成立する。」とあるを削除
する。 αＤ 明細書第１３頁第１７行から第２０行、「第４図
は・・・・・・・・・第８」とあるを「第４図は磁気式
エンコーダの説明図、第５図は磁気抵抗素子とロータの
磁極との位置関係を説明する説明図、第６図は磁気抵抗
素子の結線図、第７」と訂正する。 （２）図面の第４図を削除し、第５図ないし第８図の図
番を別紙のとおり第４図ないし第７図に繰２、特許請求
の範囲 順次接近する磁極を検出する磁気抵抗素子と、前記磁極
の平均磁束を検出するとともに前記磁気抵抗素子に接続
されて前記磁気抵抗素子の温度変化による出力電圧の変
化を少なくするように前記磁気抵抗素子に印加する電圧
を変化する平均磁束検出用磁気抵抗素子で構成された温
度補償回路皿上を備えた磁気抵抗素子の温度補償回路。 第４図 第６図 第７図
抗素子とロータの磁極との位置関係を説明する説明図、
第３図はその各部の電圧波形図、第４図は他の実施例の
温度補償回路部の回路図、第５図は磁気式エンコーダの
説明図、第６図は磁気抵抗素子とロータの磁極との位置
関係を説明する説明図、第７図は磁気抵抗素子の結線図
、第８図はその各部の電圧波形図である。 １、 ２・・・磁気抵抗素子、３・・・温度補償回路部
、４．５・・・平均磁束検出用磁気抵抗素子ｍ３図 第４図 第５図 第７図 第８図 手続補正書峨） 昭和６２年０４月０３日 昭和６２年特許願第０１２１０４号 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 ４、代理人 ５、補正命令の日付 自発補正 （１） 明細書の特許請求の範囲の記載を別紙のとお
り補正する。 （２）明細書第１頁第１８行、「第５図ないし第８図」
とあるを「第４図ないし第７図」と訂正する。 （３） 明細書第２頁第１２行、同第１８行、「第６
図」とあるを「第５図」と訂正する。 （４）明細書第３頁第９行、「第７図」とあるを「第６
図」と訂正する。 （５）明細書第３頁第１５行、「第８図」とあるを「第
７図」と訂正する。 （６）明細書第５頁第１９行から第２０行、第６頁第１
６行から第１７行、「を有する電源」とあるを削除する
。 （７）明細書第６頁第１９行から第２０行、「第５図・
・・・・・・・・第７図」とあるを「第４図および第５
図と同構成であり、かつ第６図」と訂正する。 （８）明細書第７頁第２行から第４行、「前記電源・・
・・・・・・・設けられている。」とあるを削除する。 （９）明細書第９頁第１行から第２行、ｒ Ｖｃｃ−
Ｖｇ＝Ｖｏ−（１＋ Ｒ２／Ｒ１） （Ｒｏｔ／ＲＯＩ
＋ Ｒｆ＋）−（１＋ Ｒ４／Ｒ３） （Ｒｏｔ
／Ｒｏｔ ＋ Ｒｆｚ） ・−・・−・−（ｉ） Ｊと
あるをｒＶｃｃ Ｖｇ＝Ｖｏ−（１＋Ｒｚ／Ｒ＋）
（Ｒｏｔ／（Ｒｏ＋＋Ｒｆ＋））−（１＋Ｒ４／Ｒ：ｌ
） （Ｒｏｔ／（Ｒｏｚ＋Ｒｆｚ）） ・・−・・・・
・・（１）Ｊと訂正する。 α〔明細書第１２頁第１７行から第１３頁第４行、「こ
の発明の・・・・・・・・・成立する。」とあるを削除
する。 αＤ 明細書第１３頁第１７行から第２０行、「第４図
は・・・・・・・・・第８」とあるを「第４図は磁気式
エンコーダの説明図、第５図は磁気抵抗素子とロータの
磁極との位置関係を説明する説明図、第６図は磁気抵抗
素子の結線図、第７」と訂正する。 （２）図面の第４図を削除し、第５図ないし第８図の図
番を別紙のとおり第４図ないし第７図に繰２、特許請求
の範囲 順次接近する磁極を検出する磁気抵抗素子と、前記磁極
の平均磁束を検出するとともに前記磁気抵抗素子に接続
されて前記磁気抵抗素子の温度変化による出力電圧の変
化を少なくするように前記磁気抵抗素子に印加する電圧
を変化する平均磁束検出用磁気抵抗素子で構成された温
度補償回路皿上を備えた磁気抵抗素子の温度補償回路。 第４図 第６図 第７図
Claims (1)
- 順次接近する磁極を検出する磁気抵抗素子と、前記磁極
の平均磁束を検出するとともに前記磁気抵抗素子に接続
されて前記磁気抵抗素子の温度変化による出力電圧の変
化を少なくするように前記磁気抵抗素子に印加する電圧
を変化する平均磁束検出用磁気抵抗素子で構成された温
度補償回路部を有する電源とを備えた磁気抵抗素子の温
度補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012104A JPS63179586A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 磁気抵抗素子の温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012104A JPS63179586A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 磁気抵抗素子の温度補償回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63179586A true JPS63179586A (ja) | 1988-07-23 |
Family
ID=11796258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62012104A Pending JPS63179586A (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 磁気抵抗素子の温度補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63179586A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6262858B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-07-17 | Fujitsu Limited | Magnetic disk device for controlling a sense current supplied to a magneto-resistive head based on an ambient temperature |
| US8061556B2 (en) | 2003-12-02 | 2011-11-22 | Restaurant Technology, Inc. | Automated freezer component |
| US8207732B2 (en) | 2003-09-11 | 2012-06-26 | Meas Deutschland Gmbh | Magneto-resistive sensor for measuring a magnetic field based on an anisotropic magneto-resistive (AMR) effect or a gigantic magneto-resistive (GMR) effect |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP62012104A patent/JPS63179586A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6262858B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-07-17 | Fujitsu Limited | Magnetic disk device for controlling a sense current supplied to a magneto-resistive head based on an ambient temperature |
| US8207732B2 (en) | 2003-09-11 | 2012-06-26 | Meas Deutschland Gmbh | Magneto-resistive sensor for measuring a magnetic field based on an anisotropic magneto-resistive (AMR) effect or a gigantic magneto-resistive (GMR) effect |
| US9140766B2 (en) | 2003-09-11 | 2015-09-22 | Meas Deutschland Gmbh | Temperature compensating magneto-resistive sensor for measuring magnetic fields |
| US8061556B2 (en) | 2003-12-02 | 2011-11-22 | Restaurant Technology, Inc. | Automated freezer component |
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