JPS61237062A - 感磁性センサ抵抗を有する集積化回転数センサ - Google Patents
感磁性センサ抵抗を有する集積化回転数センサInfo
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- JPS61237062A JPS61237062A JP61082438A JP8243886A JPS61237062A JP S61237062 A JPS61237062 A JP S61237062A JP 61082438 A JP61082438 A JP 61082438A JP 8243886 A JP8243886 A JP 8243886A JP S61237062 A JPS61237062 A JP S61237062A
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- Japan
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- resistance
- sensor
- resistor
- speed sensor
- rotational speed
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P1/00—Details of instruments
- G01P1/006—Details of instruments used for thermal compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は特許請求の範囲第１項記載の上位概念による集
積化回転数センサを前提とする。
積化回転数センサを前提とする。
従来技術
ブリッジ回路に配設した養つの磁気抵抗性センサ部材か
らなり、ブリッジ電圧が差動増幅器に供給され、その出
力信号が測定信号となる回転数センサがす１に公知−１
！ある。この種の回転数センサは永久磁石といっしょに
たとえば歯車の歯の領域に配設することが１き、その結
果歯車の回転時に回転センサのそばを通過する歯によっ
てブリッジ回路の周期的な離調が起こる。
らなり、ブリッジ電圧が差動増幅器に供給され、その出
力信号が測定信号となる回転数センサがす１に公知−１
！ある。この種の回転数センサは永久磁石といっしょに
たとえば歯車の歯の領域に配設することが１き、その結
果歯車の回転時に回転センサのそばを通過する歯によっ
てブリッジ回路の周期的な離調が起こる。
そのため測定信号が発生し、その周波数が回転数センサ
のそばを通過する単位時間当シの歯の数に左右される。
のそばを通過する単位時間当シの歯の数に左右される。
しかし、公知の回転数センサはそれら、の測定信号振幅
が大幅に温度に左右されるという欠点を有する。通常セ
ンサ抵抗として使われる。Ｒ−マロイ薄膜抵抗は、温度
が上昇するにつれて測定効果が低減する。さらに測定装
置の増幅率はセンサ抵抗のＰＴＣ４Ｉ性のため温度の上
昇にしたがって減少する（ＰＴＣ抵抗＝正温度係数を有
する抵抗）。
が大幅に温度に左右されるという欠点を有する。通常セ
ンサ抵抗として使われる。Ｒ−マロイ薄膜抵抗は、温度
が上昇するにつれて測定効果が低減する。さらに測定装
置の増幅率はセンサ抵抗のＰＴＣ４Ｉ性のため温度の上
昇にしたがって減少する（ＰＴＣ抵抗＝正温度係数を有
する抵抗）。
本発明の利点
特許請求の範囲第１項に記載の特徴を有する本発明によ
る回転数センサは、それに対して簡単に十分な温度補償
を達成できると１う利点を有する。差動増幅器の帰還抵
抗はこの目的のためセンサ抵抗と同様にパーマロイ薄膜
抵抗として形成しておくことが′ｅきる。したがって帰
還抵抗はセンサ抵抗と同様に温度に依存する抵抗の変化
を示し、そのため装置全体に少なくとも部分的な温度補
償が達成できる。磁気抵抗性の帰還抵抗の抵抗値が１き
るだけ磁界に左右されないように、この抵抗のばあい膜
厚と抵抗導体路幅′との比を１きるだけ大きく選ぶ。
る回転数センサは、それに対して簡単に十分な温度補償
を達成できると１う利点を有する。差動増幅器の帰還抵
抗はこの目的のためセンサ抵抗と同様にパーマロイ薄膜
抵抗として形成しておくことが′ｅきる。したがって帰
還抵抗はセンサ抵抗と同様に温度に依存する抵抗の変化
を示し、そのため装置全体に少なくとも部分的な温度補
償が達成できる。磁気抵抗性の帰還抵抗の抵抗値が１き
るだけ磁界に左右されないように、この抵抗のばあい膜
厚と抵抗導体路幅′との比を１きるだけ大きく選ぶ。
温度補償線さらに、差動増幅器の入力に、その抵抗値が
それと接続された２つのセンサ抵抗の並列回路の抵抗値
よりも大幅に大きい温度依存性前置抵抗を前置すること
によって改善することができる。このようＫして測定装
置の増幅率が正の温度係数による温度依存性になシ、そ
の結果、温度の上昇と共に起ζるセンサ信号（ブリッジ
電圧）の低下が補償される。
それと接続された２つのセンサ抵抗の並列回路の抵抗値
よりも大幅に大きい温度依存性前置抵抗を前置すること
によって改善することができる。このようＫして測定装
置の増幅率が正の温度係数による温度依存性になシ、そ
の結果、温度の上昇と共に起ζるセンサ信号（ブリッジ
電圧）の低下が補償される。
帰還抵抗の抵抗値の磁界非依存性を１きるだけ大きくす
るためには、その抵抗導体路の経路をたとえば相互に９
００の角度ずらした２つの同じ大きさの領域に分割する
ことができる。しかし抵抗導体路の経論は、その磁界依
存性が相互に相殺されるように相互に回転されている２
つ以上の領域に分割することもできる。
るためには、その抵抗導体路の経路をたとえば相互に９
００の角度ずらした２つの同じ大きさの領域に分割する
ことができる。しかし抵抗導体路の経論は、その磁界依
存性が相互に相殺されるように相互に回転されている２
つ以上の領域に分割することもできる。
実施例
本発明は以下において図面に基づいて詳細に説明される
。
。
第１図においては集積化回転数センサ１が永久磁石２の
磁界内に配設されている。回転数センサ１の上方に部分
的にのみ示した歯車養の２りの歯３が示されている。歯
車養がたとえば図示した矢印ａの向きに回転すると、そ
の結果永久磁石２によって作）出場れる磁界の周期的な
変化が起トシ、そのためこの図に詳しくは描いてないセ
ンサ部材の周期的影響が起ζる。センサ部材として磁界
依存性の抵抗をブリッジ回路に使用すれば、磁界の周期
的影響によってブリッジ回路の周期的な離調が起こる。
磁界内に配設されている。回転数センサ１の上方に部分
的にのみ示した歯車養の２りの歯３が示されている。歯
車養がたとえば図示した矢印ａの向きに回転すると、そ
の結果永久磁石２によって作）出場れる磁界の周期的な
変化が起トシ、そのためこの図に詳しくは描いてないセ
ンサ部材の周期的影響が起ζる。センサ部材として磁界
依存性の抵抗をブリッジ回路に使用すれば、磁界の周期
的影響によってブリッジ回路の周期的な離調が起こる。
第２図には集積化回転数センサの接続図が示しであるが
、このセンサは４つの磁界依存性のセンサ抵抗Ｒ１から
Ｒ４ｔ”？を有し、それらはブリッジ回路に配設されて
いる。ブリッジ回路には、付加的なトリム抵抗ＲＴが挿
入され、それによってブリッジ電圧ｕＢの零平衡調整を
行なうことができる。ブリッジ電圧υＢは差動増幅器ｖ
１のプラスおよび゛マイナスの入力に供給される。
、このセンサは４つの磁界依存性のセンサ抵抗Ｒ１から
Ｒ４ｔ”？を有し、それらはブリッジ回路に配設されて
いる。ブリッジ回路には、付加的なトリム抵抗ＲＴが挿
入され、それによってブリッジ電圧ｕＢの零平衡調整を
行なうことができる。ブリッジ電圧υＢは差動増幅器ｖ
１のプラスおよび゛マイナスの入力に供給される。
測定信号Ｕ、が発生する差動増幅器Ｖｌの出力は帰還抵
抗Ｒ１＜を介してそのマイナスの入力に帰還させる。供
給電圧としてはプラスの電圧Ｕ＋が用いられ、それには
ブリッジ回路および差動増幅器■１が接続されている。
抗Ｒ１＜を介してそのマイナスの入力に帰還させる。供
給電圧としてはプラスの電圧Ｕ＋が用いられ、それには
ブリッジ回路および差動増幅器■１が接続されている。
９
第３図に示した接続図は第２図の接続図とは、差動増幅
器Ｖｌのマイナスの入力に前置抵抗Ｒｖが前置されてい
る点が異る。
器Ｖｌのマイナスの入力に前置抵抗Ｒｖが前置されてい
る点が異る。
セ／す抵抗Ｒ１からＲ４まではニッケル・鉄合金（パー
マロイ）から構成することが１き、したがってセンサ抵
抗の抵抗値は磁界依存性である。帰還抵抗Ｒ）（も同じ
材料から構成することができる。帰還抵抗がセ／す抵抗
Ｒ１からＲ４までと同じ温度特性を示すようにｔ’ある
。このようにして温度に規定される振幅特性は少なくと
も部分的には補償することが１きる。帰還抵抗ＲｋＯ感
磁性ができるかぎシ小さくなるように、パーマロイ抵抗
の感磁性はその幾何学的寸法によって変化するという事
実が利用される。すなわち感磁性はその膜厚ｔと抵抗導
体路幅Ｗとの比によって規定でれる。感磁性はこの比を
小さく選ぶほど、それだけ大きくなる。磁気抵抗部材の
代表的逢設計選定値はｔ＝０．０３μｍおよびＷ＝２０
μｍの値である。したがってこのようなセンサ抵抗につ
いては次の値が得られる。
マロイ）から構成することが１き、したがってセンサ抵
抗の抵抗値は磁界依存性である。帰還抵抗Ｒ）（も同じ
材料から構成することができる。帰還抵抗がセ／す抵抗
Ｒ１からＲ４までと同じ温度特性を示すようにｔ’ある
。このようにして温度に規定される振幅特性は少なくと
も部分的には補償することが１きる。帰還抵抗ＲｋＯ感
磁性ができるかぎシ小さくなるように、パーマロイ抵抗
の感磁性はその幾何学的寸法によって変化するという事
実が利用される。すなわち感磁性はその膜厚ｔと抵抗導
体路幅Ｗとの比によって規定でれる。感磁性はこの比を
小さく選ぶほど、それだけ大きくなる。磁気抵抗部材の
代表的逢設計選定値はｔ＝０．０３μｍおよびＷ＝２０
μｍの値である。したがってこのようなセンサ抵抗につ
いては次の値が得られる。
ｔ／Ｗ＝０．０３／２０＝Ｏ，０Ｏ１５（セ／す抵抗に
ついて）したがって次の代表的な相対抵抗変化が得られ
る。
ついて）したがって次の代表的な相対抵抗変化が得られ
る。
ΔＲ
／ ΔＨ＝ １−・−２％ ２００ｅ
帰還抵抗Ｒｋを実現するためｔ＝０．３μｍの膜厚およ
びＷ＝５μｍの抵抗導体路幅を選べば、次の値が得られ
る。
びＷ＝５μｍの抵抗導体路幅を選べば、次の値が得られ
る。
ｔ／ｗ＝ｏ、３１５＝０．０６ （帰還抵抗について）
したがって次の概略の相対抵抗変化が得られる。
したがって次の概略の相対抵抗変化が得られる。
ΔＲ
Ｔ−／ ΔＨ（０，０５’ｌｒ ／ ２０ Ｑｅつまル
感磁性はセンサ抵抗に比して、比ｔ／Ｗが大きくなるの
とほぼ同程度に小さくなシ、シたがって帰還抵抗Ｒｋは
センサ抵抗Ｒ１からＲ４までに比して無視）きる感磁性
を有するが、しかし少なくとも同じ温度感度を有する。
感磁性はセンサ抵抗に比して、比ｔ／Ｗが大きくなるの
とほぼ同程度に小さくなシ、シたがって帰還抵抗Ｒｋは
センサ抵抗Ｒ１からＲ４までに比して無視）きる感磁性
を有するが、しかし少なくとも同じ温度感度を有する。
膜厚ｔが増すと共に温度系数は大きくなシ、かつむく材
料に似てくる。なぜならば薄い膜では限界効果が起こる
からである。
料に似てくる。なぜならば薄い膜では限界効果が起こる
からである。
温度特性の完全な補償は、温度に左右される前置抵抗Ｒ
Ｖによって達成できる。したがって増幅率には次の式が
適用される。
Ｖによって達成できる。したがって増幅率には次の式が
適用される。
したがって増幅率はプラスの温度係数を有し、ブリッジ
電圧ＵＢの温度依存変化が補償される。
電圧ＵＢの温度依存変化が補償される。
前置（バイアス）抵抗Ｒｖの抵抗値を適切に選ぶことに
よって、必要な温度依存性が調整され得る。Ｒｖ ｔ
Ｒ２／ Ｒ４よりも大幅に大きく選べば、増幅率Ｖは帰
還抵抗Ｒｋ（ｔｌ’）と同様に温度依存性になる。それ
に反して前置抵抗Ｒｖ ｔ Ｒ２／ Ｒ４よりも大幅に
小さく選ぶとすれば、増幅率Ｖは温度非依存性になるで
あろう。
よって、必要な温度依存性が調整され得る。Ｒｖ ｔ
Ｒ２／ Ｒ４よりも大幅に大きく選べば、増幅率Ｖは帰
還抵抗Ｒｋ（ｔｌ’）と同様に温度依存性になる。それ
に反して前置抵抗Ｒｖ ｔ Ｒ２／ Ｒ４よりも大幅に
小さく選ぶとすれば、増幅率Ｖは温度非依存性になるで
あろう。
・ぐ−マロイからなる帰還抵抗Ｒｋが実現すれば、他の
考えられる材料、たとえばニッケル、白金等に比して、
回転数センサの製造のため膜被着工程に使用する材料の
種類の数が少なくなるという利点が得られるｔ’あろう
。そしてそれは製造費の低減に寄与する。
考えられる材料、たとえばニッケル、白金等に比して、
回転数センサの製造のため膜被着工程に使用する材料の
種類の数が少なくなるという利点が得られるｔ’あろう
。そしてそれは製造費の低減に寄与する。
帰還抵抗Ｒｋの感磁性を低下させるにはさらに付加的に
別の手段を講じることが１きるが、それは第壬図に基づ
いて説明する。膜厚ｔと抵抗導体路幅Ｗとの比を変える
以外に感磁性はまた、帰還抵抗Ｒｋの抵抗導体路の半分
ずつを９０’相互にずらすことによっても低下させるこ
とがマきる。第壬図では、帰還抵抗Ｒ１＜の最初の半部
Ｈ１の抵抗導体路は垂直に延び、他方第２の半部Ｈ２の
抵抗導体路は水平に延びている。それによって外部の磁
界の作用時に１方の半部は最大の抵抗を有するが、他方
の半部は最小の抵抗を有する。したがってこの２つの領
域を直列に接続することによって、抵抗全体として磁界
の如何によることなく常に同じ平均的抵抗値が得られる
。抵抗導体路の方向が小さい空間で変化する頻度が多い
ほど、それだけ外部の非均質な磁昇に対する帰還抵抗Ｒ
ｋの感度は小さくなる。
別の手段を講じることが１きるが、それは第壬図に基づ
いて説明する。膜厚ｔと抵抗導体路幅Ｗとの比を変える
以外に感磁性はまた、帰還抵抗Ｒｋの抵抗導体路の半分
ずつを９０’相互にずらすことによっても低下させるこ
とがマきる。第壬図では、帰還抵抗Ｒ１＜の最初の半部
Ｈ１の抵抗導体路は垂直に延び、他方第２の半部Ｈ２の
抵抗導体路は水平に延びている。それによって外部の磁
界の作用時に１方の半部は最大の抵抗を有するが、他方
の半部は最小の抵抗を有する。したがってこの２つの領
域を直列に接続することによって、抵抗全体として磁界
の如何によることなく常に同じ平均的抵抗値が得られる
。抵抗導体路の方向が小さい空間で変化する頻度が多い
ほど、それだけ外部の非均質な磁昇に対する帰還抵抗Ｒ
ｋの感度は小さくなる。
第４図にはさらにまたセンサ抵抗Ｒ１からＲ壬ま１の配
置が概念的に示しである。図示した平面図は大幅に拡大
してあシ、略図のため大幅に簡略化しである。
置が概念的に示しである。図示した平面図は大幅に拡大
してあシ、略図のため大幅に簡略化しである。
帰還抵抗Ｒｋはセンサ抵抗Ｒ２、Ｒ４の材料よりも大き
い温度係数を有する材料、たとえばチタンから構成する
ことが１きる。この手段によって増幅率のプラスの温度
係数が得られ、それによってセンサ信号（ブリッジ電圧
）の温度依存的減少の補償も同様に達成！きる。
い温度係数を有する材料、たとえばチタンから構成する
ことが１きる。この手段によって増幅率のプラスの温度
係数が得られ、それによってセンサ信号（ブリッジ電圧
）の温度依存的減少の補償も同様に達成！きる。
発明の効果
本発明により、測定値が著しく温度に左右された）温度
上昇と共に測定装置の増幅率が減少したシする等の従来
技術の欠点を克服し、簡単且十分な温度補償を達成ｆき
る回転数センサを実現し得る。
上昇と共に測定装置の増幅率が減少したシする等の従来
技術の欠点を克服し、簡単且十分な温度補償を達成ｆき
る回転数センサを実現し得る。
第１図は歯車付近１の集積回転センサの立体的配置構成
図、第２図は第１の実施例の電気接続図、第３図は第２
実施例の電気接続図、第４図はＡ−マロイセンサの拡大
平面図である。 ｌ・・・回転数センサ、２・・・永久磁石、Ｒ１＜・・
・帰還抵抗。
図、第２図は第１の実施例の電気接続図、第３図は第２
実施例の電気接続図、第４図はＡ−マロイセンサの拡大
平面図である。 ｌ・・・回転数センサ、２・・・永久磁石、Ｒ１＜・・
・帰還抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、とくにパーマロイからなる薄膜抵抗として形成され
た感磁性センサ抵抗のブリツジ回路および帰還抵抗を備
え、該ブリツジ電圧を増幅する差動増幅器を有する集積
化回転数センサにおいて、帰還抵抗（Ｒｋ）がセンサ抵
抗（Ｒ１からＲ４まで）と同様に温度に依存する抵抗材
料からなり帰還抵抗（Ｒｋ）における膜厚（ｔ）と抵抗
導体路幅（ｗ）との比がセンサ抵抗（Ｒ１からＲ４まで
）におけるよりも著しく大きいことを特徴とする回転数
センサ。 ２、帰還抵抗（Ｒｋ）における膜厚と抵抗導体路幅との
比（ｔ／ｗ）が０．０５より大きく、かつセンサ抵抗（
Ｒ１からＲ４まで）のばあいの約４０倍である特許請求
の範囲第１項記載の回転数センサ。 ３、帰還抵抗（Ｒｋ）がパーマロイまたはチタンからな
る特許請求の範囲第１項または第２項のいずれかに記載
の回転数センサ。 ４、帰還抵抗（Ｒｋ）が接続されている差動増幅器（Ｖ
１）の入力と該ブリツジ回路との間に温度依存性前置抵
抗（Ｒｖ）が挿入され、その抵抗値がそれと接続された
２つのセンサ抵抗（Ｒ２，Ｒ４）の並列回路の抵抗値よ
りも大幅に大きい特許請求の範囲第１項から第３項まで
のいずれかに記載の回転数センサ。 ５、帰還抵抗（Ｒｋ）の抵抗導体路が少なくとも２つの
同じ大きさの領域（Ｈ１，Ｈ２）に分割され、領域が異
れば抵抗導体路の向きが相互に異る特許請求の範囲第１
項から第４項までのいずれかに記載の回転数センサ。 ６、抵抗導体路が２つの半部（Ｈ１，Ｈ２）に分割され
ており該半部延在方向の向きがそれぞれ９０°ずらして
ある特許請求の範囲第６項記載の回転数センサ。 ７、帰還抵抗（Ｒｋ）がセンサ抵抗（Ｒ２，Ｒ４）の温
度係数よりも高い温度係数を有する材料からなる特許請
求の範囲第１項から第４項までのいずれかに記載の回転
数センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3513148.9 | 1985-04-12 | ||
| DE19853513148 DE3513148A1 (de) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | Integrierter drehzahlsensor mit magnetfeldabhaengigen sensorwiderstaenden |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61237062A true JPS61237062A (ja) | 1986-10-22 |
| JPH0695097B2 JPH0695097B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=6267837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61082438A Expired - Lifetime JPH0695097B2 (ja) | 1985-04-12 | 1986-04-11 | 感磁性センサ抵抗を有する集積化回転数センサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0201682B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0695097B2 (ja) |
| DE (2) | DE3513148A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE456368B (sv) * | 1987-02-12 | 1988-09-26 | Scanpump Ab | Kombinationsgivare for overvakning av driftstillstandet hos en pumphjulsaxel |
| US5068606A (en) * | 1989-09-19 | 1991-11-26 | Kawate Keith W | Two wire modulated output current circuit for use with a magnetoresistive bridge speed/position sensor |
| DE4030085A1 (de) * | 1990-09-22 | 1992-03-26 | Philips Patentverwaltung | Auswerteschaltung fuer einen magnetoresistiven drehzahlsensor o. dgl. |
| GB2259807B (en) * | 1991-09-23 | 1995-09-06 | Crystal Semiconductor Corp | Low drift resistor structure |
| JP2720681B2 (ja) * | 1992-01-06 | 1998-03-04 | 株式会社村田製作所 | 移動体の移動検出装置 |
| DE9215228U1 (ja) * | 1992-11-09 | 1993-04-01 | Woelke Magnetbandtechnik Gmbh & Co Kg, 8069 Schweitenkirchen, De | |
| DE4343677A1 (de) * | 1993-12-21 | 1995-06-22 | Teves Gmbh Alfred | Schaltungsanordnung zur Auswertung des Meßsignals einer Brückenschaltung |
| DE29614974U1 (de) * | 1996-06-11 | 1996-11-28 | Woelke Magnetbandtechnik Gmbh | Steuervorrichtung zur Kompensation von Offset-Anteilen eines periodischen Signals |
| JP4521808B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2010-08-11 | ハイデンハイン株式会社 | エンコーダ |
| DE102019115396A1 (de) * | 2019-06-06 | 2020-12-10 | Knorr-Bremse Systeme für Nutzfahrzeuge GmbH | Raddrehzahlsensor für ein Nutzfahrzeug |
| US11169228B2 (en) * | 2019-08-27 | 2021-11-09 | Western Digital Technologies, Inc. | Magnetic sensor with serial resistor for asymmetric sensing field range |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5798103A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-18 | Hitachi Ltd | Regenerative amplifying circuit for magnetic reluctance effective type magnetic head |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2442919A1 (de) * | 1974-09-07 | 1976-03-25 | Labom Mess Und Regeltechnik Gm | Feldplatten-weggeber, insbesondere fuer die messwert-fernuebertragung |
| EP0057766A3 (en) * | 1981-02-07 | 1984-07-18 | Hitachi, Ltd. | Magnetoelectrical transducer |
| DE3132549A1 (de) * | 1981-08-18 | 1983-03-03 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Vorrichtung zur erfassung der drehzahl von rotierenden teilen |
| DE3435867A1 (de) * | 1984-09-29 | 1986-04-10 | Bosch Gmbh Robert | Differentialsensor |
-
1985
- 1985-04-12 DE DE19853513148 patent/DE3513148A1/de not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-03-07 DE DE8686103079T patent/DE3664006D1/de not_active Expired
- 1986-03-07 EP EP86103079A patent/EP0201682B1/de not_active Expired
- 1986-04-11 JP JP61082438A patent/JPH0695097B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5798103A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-18 | Hitachi Ltd | Regenerative amplifying circuit for magnetic reluctance effective type magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3513148A1 (de) | 1986-10-23 |
| JPH0695097B2 (ja) | 1994-11-24 |
| EP0201682A1 (de) | 1986-11-20 |
| EP0201682B1 (de) | 1989-06-14 |
| DE3664006D1 (en) | 1989-07-20 |
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