JPH0634711Y2 - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH0634711Y2 JPH0634711Y2 JP1989003166U JP316689U JPH0634711Y2 JP H0634711 Y2 JPH0634711 Y2 JP H0634711Y2 JP 1989003166 U JP1989003166 U JP 1989003166U JP 316689 U JP316689 U JP 316689U JP H0634711 Y2 JPH0634711 Y2 JP H0634711Y2
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は物体の回転および位置検出等に用いられる検出
装置に組み込まれる磁気センサに関し、特に強磁性体か
らなる磁気抵抗素子およびその波形処理回路が同一チツ
プ内に集積化された磁気センサに関するものである。
装置に組み込まれる磁気センサに関し、特に強磁性体か
らなる磁気抵抗素子およびその波形処理回路が同一チツ
プ内に集積化された磁気センサに関するものである。
〔従来の技術〕 従来、この種の磁気センサとしては、特公昭54-41335号
公報に開示されているように繰り返し磁気信号を発生す
る磁気記録媒体より有限の距離を隔てた位置に連続的に
折り返し構造を有する磁気抵抗素子を直列に接続し、接
続部より出力を得る構造が開示されている。
公報に開示されているように繰り返し磁気信号を発生す
る磁気記録媒体より有限の距離を隔てた位置に連続的に
折り返し構造を有する磁気抵抗素子を直列に接続し、接
続部より出力を得る構造が開示されている。
従来の磁気センサは、コンパレータ回路の帰還抵抗部を
ハイブリツドIC基板上に形成されたRuOなどの厚膜抵抗
体を用いているため、この厚膜抵抗体の温度特性の影響
を受け、磁気センサとしての磁界感度の温度特性にも大
きな影響を与えるという問題があつた。
ハイブリツドIC基板上に形成されたRuOなどの厚膜抵抗
体を用いているため、この厚膜抵抗体の温度特性の影響
を受け、磁気センサとしての磁界感度の温度特性にも大
きな影響を与えるという問題があつた。
本考案の磁気センサは、磁気抵抗効果を有する強磁性薄
膜により磁気抵抗素子がパターン形成され、かつ同一半
導体基板内にコンパレータ回路が形成されるとともに帰
還抵抗がイオン注入抵抗により形成されている。
膜により磁気抵抗素子がパターン形成され、かつ同一半
導体基板内にコンパレータ回路が形成されるとともに帰
還抵抗がイオン注入抵抗により形成されている。
本考案においては、イオン注入抵抗と磁気抵抗素子の温
度係数との相互作用により高温度になるのに伴なつてコ
ンパレータ回路のスレツシヨルド幅が狭くなる。
度係数との相互作用により高温度になるのに伴なつてコ
ンパレータ回路のスレツシヨルド幅が狭くなる。
次に本考案について図面を参照して説明する。
第１図は本考案による磁気センサの一実施例を示す等価
回路図である。同図において、1,2,3,4は磁気抵抗効果
を有する磁気抵抗体であり、これらの磁気抵抗体1,2,3,
4はシリコン基板の表面にNi−Fe,Ni−Coなどの強磁性体
合金を蒸着し、特定の形状にパターニングすることによ
り形成され、電源端子５とグランド端子６との間にブリ
ツジ接続されて磁気抵抗素子７を構成している。８はブ
リツジ接続された磁気抵抗体1,3の接続点Ｘと磁気抵抗
体2,4の接続点Ｙとの間の電位差を比較するコンパレー
タ回路であり、このコンパレータ回路８も半導体基板内
に形成されている。９はコンパレータ回路８の出力の一
部を反転入力端子もしくは非反転入力端子へ帰還させる
帰還抵抗であり、この帰還抵抗９はシリコン基板内にボ
ロンもしくはリン等のイオンを打ち込むことにより形成
されたイオン注入抵抗により形成されている。10はセツ
ト抵抗、11は出力端子であり、これらの各構成要素はシ
リコン基板の同一チツプ内に集積化して形成されてい
る。
回路図である。同図において、1,2,3,4は磁気抵抗効果
を有する磁気抵抗体であり、これらの磁気抵抗体1,2,3,
4はシリコン基板の表面にNi−Fe,Ni−Coなどの強磁性体
合金を蒸着し、特定の形状にパターニングすることによ
り形成され、電源端子５とグランド端子６との間にブリ
ツジ接続されて磁気抵抗素子７を構成している。８はブ
リツジ接続された磁気抵抗体1,3の接続点Ｘと磁気抵抗
体2,4の接続点Ｙとの間の電位差を比較するコンパレー
タ回路であり、このコンパレータ回路８も半導体基板内
に形成されている。９はコンパレータ回路８の出力の一
部を反転入力端子もしくは非反転入力端子へ帰還させる
帰還抵抗であり、この帰還抵抗９はシリコン基板内にボ
ロンもしくはリン等のイオンを打ち込むことにより形成
されたイオン注入抵抗により形成されている。10はセツ
ト抵抗、11は出力端子であり、これらの各構成要素はシ
リコン基板の同一チツプ内に集積化して形成されてい
る。
このように構成された磁気センサにおいて、コンパレー
タ回路８は磁気抵抗素子７の接続点Ｘの信号電圧が接続
点Ｙの信号電圧より大きいと「１」を出力し、その逆の
場合には「０」を出力する。この場合、帰還抵抗９は、
コンパレータ回路８の出力の一部を反転入力端子もしく
は非反転入力端子へ帰還させることにより、ヒステリシ
スをもたせている。
タ回路８は磁気抵抗素子７の接続点Ｘの信号電圧が接続
点Ｙの信号電圧より大きいと「１」を出力し、その逆の
場合には「０」を出力する。この場合、帰還抵抗９は、
コンパレータ回路８の出力の一部を反転入力端子もしく
は非反転入力端子へ帰還させることにより、ヒステリシ
スをもたせている。
第２図は前述した帰還抵抗の温度係数を変化させた場合
のコンパレータ回路８のスレツシヨルド幅の変動を示し
たものである。同図に示すように帰還抵抗がRUO2により
形成された場合には温度係数（100ppm/deg）21であり、
またRuO2系統により形成された場合には温度係数（500p
pm/deg）22,温度係数（1000pmm/deg）23であるのに対し
てイオン注入抵抗により形成された場合には温度係数
（4000ppm/deg）24となり、さらに温度係数（2000ppm/d
eg）25および温度係数（3000ppm/deg）26も容易に形成
することができる。これによつて磁気センサの感度は、
第３図に示すように帰還抵抗にRuO2を用いた場合の温度
特性31に対してイオン注入抵抗を用いた場合には温度特
性32となり、温度特性に大きな差が生じて改善されるこ
とになる。
のコンパレータ回路８のスレツシヨルド幅の変動を示し
たものである。同図に示すように帰還抵抗がRUO2により
形成された場合には温度係数（100ppm/deg）21であり、
またRuO2系統により形成された場合には温度係数（500p
pm/deg）22,温度係数（1000pmm/deg）23であるのに対し
てイオン注入抵抗により形成された場合には温度係数
（4000ppm/deg）24となり、さらに温度係数（2000ppm/d
eg）25および温度係数（3000ppm/deg）26も容易に形成
することができる。これによつて磁気センサの感度は、
第３図に示すように帰還抵抗にRuO2を用いた場合の温度
特性31に対してイオン注入抵抗を用いた場合には温度特
性32となり、温度特性に大きな差が生じて改善されるこ
とになる。
以上説明したように本考案による磁気センサによれば、
帰還抵抗部をイオン注入抵抗で形成することにより、温
度特性に優れた磁気センサが得られるという極めて優れ
た効果を有する。
帰還抵抗部をイオン注入抵抗で形成することにより、温
度特性に優れた磁気センサが得られるという極めて優れ
た効果を有する。
第１図は本考案による磁気センサの一実施例を示す等価
回路図、第２図は帰還抵抗の温度係数を変化させた場合
のコンパレータのスレツシヨルド幅の変動を示す図、第
３図は従来の帰還抵抗にRuO2体を用いた場合と本考案の
イオン注入抵抗体を用いた場合との磁気センサの感度の
変化を示す図である。 1,2,3,4……磁気抵抗体、５……電源端子、６……グラ
ンド端子、７……磁気抵抗素子、８……コンパレータ回
路、９……帰還抵抗（イオン注入抵抗）、10……セツト
抵抗、11……出力端子。
回路図、第２図は帰還抵抗の温度係数を変化させた場合
のコンパレータのスレツシヨルド幅の変動を示す図、第
３図は従来の帰還抵抗にRuO2体を用いた場合と本考案の
イオン注入抵抗体を用いた場合との磁気センサの感度の
変化を示す図である。 1,2,3,4……磁気抵抗体、５……電源端子、６……グラ
ンド端子、７……磁気抵抗素子、８……コンパレータ回
路、９……帰還抵抗（イオン注入抵抗）、10……セツト
抵抗、11……出力端子。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に形成された磁気抵抗効果を
有する磁気抵抗素子と、前記半導体基板内に形成されか
つ前記磁気抵抗素子の出力を比較するコンパレータ回路
と、前記半導体基板内にイオン注入により形成されかつ
前記コンパレータ回路の出力の一部を反転入力端子もし
くは非反転入力端子へ帰還させるイオン注入抵抗とを備
えたことを特徴とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989003166U JPH0634711Y2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989003166U JPH0634711Y2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0295880U JPH0295880U (ja) | 1990-07-31 |
| JPH0634711Y2 true JPH0634711Y2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=31204559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989003166U Expired - Fee Related JPH0634711Y2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634711Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4613509B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2011-01-19 | パナソニック株式会社 | 回転数センサ |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP1989003166U patent/JPH0634711Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0295880U (ja) | 1990-07-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |