JP2577564Y2 - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JP2577564Y2 JP2577564Y2 JP1992040556U JP4055692U JP2577564Y2 JP 2577564 Y2 JP2577564 Y2 JP 2577564Y2 JP 1992040556 U JP1992040556 U JP 1992040556U JP 4055692 U JP4055692 U JP 4055692U JP 2577564 Y2 JP2577564 Y2 JP 2577564Y2
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、出力電圧の中点電位を
変位させることのできる磁気抵抗素子に関する。
変位させることのできる磁気抵抗素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の磁気抵抗素子は、例えば回
転体の周面や側面に設けた磁気記録媒体に磁気抵抗素子
を近接対向させ、磁気記録媒体に着磁されたＮＳ磁極か
らの変化磁界を受け、抵抗値の変化による電圧変化を出
力電圧として検出するようにしている。
転体の周面や側面に設けた磁気記録媒体に磁気抵抗素子
を近接対向させ、磁気記録媒体に着磁されたＮＳ磁極か
らの変化磁界を受け、抵抗値の変化による電圧変化を出
力電圧として検出するようにしている。
【０００３】磁気抵抗素子２は、第１の感磁ストライプ
Ｒ１と第２の感磁ストライプＲ２を有している。これら
第１及び第２の感磁ストライプＲ１、Ｒ２間のピッチ
は、図６に示すように磁気記録媒体１のＮ極からＳ極間
の着磁ピッチをλ／２としたとき、一般には（２ｎ＋
１）λ／４（但しｎは自然数）に設定されている。尚、
上記ピッチは、一般には（２ｎ＋１）λ／２に設定する
こともあるが、以下の説明は便宜上λ／４型について説
明する。また、磁気抵抗素子２の第１の感磁ストライプ
Ｒ１の一端は電源端子Ｖｃｃに接続され、第２の感磁ス
トライプＲ２の一端は接地端子ＧＮＤに接続し、両感磁
ストライプＲ１、Ｒ２間の接続点は出力端子ＦＧに接続
されている。
Ｒ１と第２の感磁ストライプＲ２を有している。これら
第１及び第２の感磁ストライプＲ１、Ｒ２間のピッチ
は、図６に示すように磁気記録媒体１のＮ極からＳ極間
の着磁ピッチをλ／２としたとき、一般には（２ｎ＋
１）λ／４（但しｎは自然数）に設定されている。尚、
上記ピッチは、一般には（２ｎ＋１）λ／２に設定する
こともあるが、以下の説明は便宜上λ／４型について説
明する。また、磁気抵抗素子２の第１の感磁ストライプ
Ｒ１の一端は電源端子Ｖｃｃに接続され、第２の感磁ス
トライプＲ２の一端は接地端子ＧＮＤに接続し、両感磁
ストライプＲ１、Ｒ２間の接続点は出力端子ＦＧに接続
されている。
【０００４】かかる磁気抵抗素子２においては、一般的
に、両感磁ストライプＲ１、Ｒ２の抵抗値及び磁気抵抗
効果の感度を等しく設定し、出力端子ＦＧから得られる
出力電圧の中点電位ＣＶを、電源電圧Ｖｃｃの１／２の
電圧値に設定することが常識であった。つまり、両感磁
ストライプＲ１、Ｒ２を等しく設定した場合には、磁気
記録媒体１から正弦波状の変化磁界を加えたとき、第１
及び第２の感磁ストライプＲ１、Ｒ２の抵抗値は図７に
示すように変化する。この変化は、両感磁ストライプＲ
１、Ｒ２の抵抗値の変化量をΔＲ１、ΔＲ２としたと
き、この変化量を二分した中間値を結ぶ値に対して上下
で変化量が相違しているため、クロス点間隔ＬＡ１とＬ
Ａ２、及び、ＬＢ１とＬＢ２が各々相違している。ここ
で、図中Ｒ１０、Ｒ２０は両感磁ストライプＲ１、Ｒ２
に磁界を印加しないときの抵抗値を表している。ところ
が、両感磁ストライプＲ１、Ｒ２の抵抗値の変化が等し
いことからこれらを合成すると、出力端子ＦＧからは図
８に示すようにピーク電圧ＶＣ＝ＶＤの状態では、中点
電位ＣＶのクロス点間隔ＬＣ，ＬＤが略等しくなり、精
度が良好な波形が検出される。
に、両感磁ストライプＲ１、Ｒ２の抵抗値及び磁気抵抗
効果の感度を等しく設定し、出力端子ＦＧから得られる
出力電圧の中点電位ＣＶを、電源電圧Ｖｃｃの１／２の
電圧値に設定することが常識であった。つまり、両感磁
ストライプＲ１、Ｒ２を等しく設定した場合には、磁気
記録媒体１から正弦波状の変化磁界を加えたとき、第１
及び第２の感磁ストライプＲ１、Ｒ２の抵抗値は図７に
示すように変化する。この変化は、両感磁ストライプＲ
１、Ｒ２の抵抗値の変化量をΔＲ１、ΔＲ２としたと
き、この変化量を二分した中間値を結ぶ値に対して上下
で変化量が相違しているため、クロス点間隔ＬＡ１とＬ
Ａ２、及び、ＬＢ１とＬＢ２が各々相違している。ここ
で、図中Ｒ１０、Ｒ２０は両感磁ストライプＲ１、Ｒ２
に磁界を印加しないときの抵抗値を表している。ところ
が、両感磁ストライプＲ１、Ｒ２の抵抗値の変化が等し
いことからこれらを合成すると、出力端子ＦＧからは図
８に示すようにピーク電圧ＶＣ＝ＶＤの状態では、中点
電位ＣＶのクロス点間隔ＬＣ，ＬＤが略等しくなり、精
度が良好な波形が検出される。
【０００５】ところで、磁気抵抗素子２の出力端子ＦＧ
から得られる出力電圧は、図示しないオペアンプ等に入
力され、波形成形或いは基準電圧との比較が行われる。
しかしながら、オペアンプの出力において、回路上基準
電圧は電源電圧Ｖｃｃの１／２より高めの設定の方が出
力波形を最も効果的にすることができることがある。と
ころが、このことを前述のように磁気抵抗素子２の中点
電位ＣＶを電源電圧Ｖｃｃの１／２とした場合には、基
準電圧との電位差により電源ノイズを増幅してしまい、
オペアンプの出力に大きなノイズを発生してしまうとい
う不具合を生じる。
から得られる出力電圧は、図示しないオペアンプ等に入
力され、波形成形或いは基準電圧との比較が行われる。
しかしながら、オペアンプの出力において、回路上基準
電圧は電源電圧Ｖｃｃの１／２より高めの設定の方が出
力波形を最も効果的にすることができることがある。と
ころが、このことを前述のように磁気抵抗素子２の中点
電位ＣＶを電源電圧Ｖｃｃの１／２とした場合には、基
準電圧との電位差により電源ノイズを増幅してしまい、
オペアンプの出力に大きなノイズを発生してしまうとい
う不具合を生じる。
【０００６】そこで、磁気抵抗素子２の出力電圧の中点
電位ＣＶを上記オペアンプに合致させるべく、中点電位
ＣＶを変位させることが試みられている。図９及び図１
０はその一例であり、図９は第１の感磁ストライプＲ１
の幅を大きくすることにより抵抗値を変化させ、中点電
位ＣＶを変位させようとするものであり、図１０は第２
の感磁ストライプＲ２を１本増設して抵抗値を高くする
ことにより中点電位ＣＶを変位させようとするものであ
る。その他にも、一方の感磁ストライプに抵抗体を直列
接続して中点電圧ＣＶを変位させることも行っていた。
電位ＣＶを上記オペアンプに合致させるべく、中点電位
ＣＶを変位させることが試みられている。図９及び図１
０はその一例であり、図９は第１の感磁ストライプＲ１
の幅を大きくすることにより抵抗値を変化させ、中点電
位ＣＶを変位させようとするものであり、図１０は第２
の感磁ストライプＲ２を１本増設して抵抗値を高くする
ことにより中点電位ＣＶを変位させようとするものであ
る。その他にも、一方の感磁ストライプに抵抗体を直列
接続して中点電圧ＣＶを変位させることも行っていた。
【０００７】
【考案が解決しようとする課題】上記従来の磁気抵抗素
子にあっては、中点電位ＣＶを変化させようとして、感
磁ストライプＲ１、Ｒ２の一方のストライプの幅や長さ
を変化させ、これら感磁ストライプＲ１、Ｒ２に磁気記
録媒体１から変化磁界を加えると、当然ながら図１１の
ように第１及び第２の感磁ストライプＲ１、Ｒ２の抵抗
値変化が各々異なってしまう。この結果、図１２に示す
ように上下のピーク電圧ＶＣ、ＶＤが等しくなる中点レ
ベルを見ると、クロス点の間隔ＬＣ、ＬＤが異なってし
まい、時間間隔の誤差によって精度が悪化してしまう問
題がある。また、外部に抵抗体を接続した場合には抵抗
値の調整が必要であったり、しかも温度変化により中点
電位にドリフトが生じて検出精度が悪化する問題もあ
る。
子にあっては、中点電位ＣＶを変化させようとして、感
磁ストライプＲ１、Ｒ２の一方のストライプの幅や長さ
を変化させ、これら感磁ストライプＲ１、Ｒ２に磁気記
録媒体１から変化磁界を加えると、当然ながら図１１の
ように第１及び第２の感磁ストライプＲ１、Ｒ２の抵抗
値変化が各々異なってしまう。この結果、図１２に示す
ように上下のピーク電圧ＶＣ、ＶＤが等しくなる中点レ
ベルを見ると、クロス点の間隔ＬＣ、ＬＤが異なってし
まい、時間間隔の誤差によって精度が悪化してしまう問
題がある。また、外部に抵抗体を接続した場合には抵抗
値の調整が必要であったり、しかも温度変化により中点
電位にドリフトが生じて検出精度が悪化する問題もあ
る。
【０００８】本考案は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、中点電位を変位させても高精度な
波形の出力電圧を得ることのできる磁気抵抗素子を提供
することを目的とする。
めになされたもので、中点電位を変位させても高精度な
波形の出力電圧を得ることのできる磁気抵抗素子を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】 本考案は、強磁性薄膜
からなる第１及び第２の感磁ストライプが磁気記録媒体
に設けられる変化磁界に対向する磁気抵抗素子であっ
て、上記変化磁界のＮ極からＳ極間の着磁ピッチをλ／
２としたとき、上記第１及び第２の感磁ストライプ間の
ピッチを（２ｎ＋１）λ／４（但しｎは自然数）とし、
上記第１及び第２の感磁ストライプのいずれか一方に強
磁性薄膜からなる調整抵抗を接続し、上記調整抵抗を上
記変化磁界に対して抵抗値が変化しない方向に配置する
と共に、その長さをｍλ／２（但しｍは１以上の整数）
としたことを特徴としている。また、他の考案は、強磁
性薄膜からなる第１及び第２の感磁ストライプが磁気記
録媒体に設けられる変化磁界に対向する磁気抵抗素子で
あって、上記変化磁界のＮ極からＳ極間の着磁ピッチを
λ／２としたとき、上記第１及び第２の感磁ストライプ
間のピッチを（２ｎ＋１）λ／２（但しｎは自然数）と
すると共に上記第１及び第２の感磁ストライプに対して
バイアス磁界を印加し、上記第１及び第２の感磁ストラ
イプのいずれか一方に強磁性薄膜からなる調整抵抗を接
続し、上記調整抵抗を上記変化磁界に対して抵抗値が変
化しない方向に配置すると共に、その長さをｍλ（但し
ｍは１以上の整数）としたことを特徴としている。
からなる第１及び第２の感磁ストライプが磁気記録媒体
に設けられる変化磁界に対向する磁気抵抗素子であっ
て、上記変化磁界のＮ極からＳ極間の着磁ピッチをλ／
２としたとき、上記第１及び第２の感磁ストライプ間の
ピッチを（２ｎ＋１）λ／４（但しｎは自然数）とし、
上記第１及び第２の感磁ストライプのいずれか一方に強
磁性薄膜からなる調整抵抗を接続し、上記調整抵抗を上
記変化磁界に対して抵抗値が変化しない方向に配置する
と共に、その長さをｍλ／２（但しｍは１以上の整数）
としたことを特徴としている。また、他の考案は、強磁
性薄膜からなる第１及び第２の感磁ストライプが磁気記
録媒体に設けられる変化磁界に対向する磁気抵抗素子で
あって、上記変化磁界のＮ極からＳ極間の着磁ピッチを
λ／２としたとき、上記第１及び第２の感磁ストライプ
間のピッチを（２ｎ＋１）λ／２（但しｎは自然数）と
すると共に上記第１及び第２の感磁ストライプに対して
バイアス磁界を印加し、上記第１及び第２の感磁ストラ
イプのいずれか一方に強磁性薄膜からなる調整抵抗を接
続し、上記調整抵抗を上記変化磁界に対して抵抗値が変
化しない方向に配置すると共に、その長さをｍλ（但し
ｍは１以上の整数）としたことを特徴としている。
【００１０】
【作用】 変化磁界のピッチをλ／２とし第１及び第２
の感磁ストライプの間隔を（２ｎ＋１）λ／４（但しｎ
は自然数）とする一方、第１及び第２の感磁ストライプ
の一方に、強磁性薄膜からなる調整抵抗を接続し、調整
抵抗を変化磁界に対して抵抗値が変化しない方向に配置
すると共に、その長さをｍλ／２（但しｍは１以上の整
数）とすると、第１及び第２の感磁ストライプのみが変
化磁界に対して抵抗値が変化し、調整抵抗は抵抗値が変
化しない。従って、電源電圧側と接地側とで等しい波形
の抵抗値値変化となり、しかも波形の歪みを生じさせる
ことなく中点電位が変位する。また、調整抵抗は第１及
び第２の感磁ストライプと同じ強磁性薄膜によって形成
されるので温度変化に対して中点電位は変動せず、抵抗
値調整作業が不要になって工程が簡略化される。また、
両感磁ストライプにバイアス磁界を印加する場合は、両
者の間隔を（２ｎ＋１）λ／２とし、調整抵抗の長さを
ｍλとすることによって同様の作用が得られる。
の感磁ストライプの間隔を（２ｎ＋１）λ／４（但しｎ
は自然数）とする一方、第１及び第２の感磁ストライプ
の一方に、強磁性薄膜からなる調整抵抗を接続し、調整
抵抗を変化磁界に対して抵抗値が変化しない方向に配置
すると共に、その長さをｍλ／２（但しｍは１以上の整
数）とすると、第１及び第２の感磁ストライプのみが変
化磁界に対して抵抗値が変化し、調整抵抗は抵抗値が変
化しない。従って、電源電圧側と接地側とで等しい波形
の抵抗値値変化となり、しかも波形の歪みを生じさせる
ことなく中点電位が変位する。また、調整抵抗は第１及
び第２の感磁ストライプと同じ強磁性薄膜によって形成
されるので温度変化に対して中点電位は変動せず、抵抗
値調整作業が不要になって工程が簡略化される。また、
両感磁ストライプにバイアス磁界を印加する場合は、両
者の間隔を（２ｎ＋１）λ／２とし、調整抵抗の長さを
ｍλとすることによって同様の作用が得られる。
【００１１】
【実施例】以下、本考案にかかる磁気抵抗素子の一実施
例について図面を参照しながら説明する。尚、前述した
従来例と同符号は同部品を示し、その詳細な説明は省略
する。
例について図面を参照しながら説明する。尚、前述した
従来例と同符号は同部品を示し、その詳細な説明は省略
する。
【００１２】 図１において、強磁性薄膜からなる磁気
抵抗素子２０は、第１の感磁ストライプＲ１と第２の感
磁ストライプＲ２を有している。これら第１及び第２の
感磁ストライプＲ１、Ｒ２間のピッチは、前述した磁気
記録媒体１のＮ極からＳ極間の着磁ピッチをλ／２とし
たとき、（２ｎ＋１）λ／４（但しｎは自然数）に設定
されている。磁気抵抗素子２０の第１の感磁ストライプ
Ｒ１の一端は電源端子Ｖｃｃに接続され、第２の感磁ス
トライプＲ２の一端は調整抵抗Ｒ３を介して接地端子Ｇ
ＮＤに接続し、両感磁ストライプＲ１、Ｒ２間の接続点
は出力端子ＦＧに接続されている。
抵抗素子２０は、第１の感磁ストライプＲ１と第２の感
磁ストライプＲ２を有している。これら第１及び第２の
感磁ストライプＲ１、Ｒ２間のピッチは、前述した磁気
記録媒体１のＮ極からＳ極間の着磁ピッチをλ／２とし
たとき、（２ｎ＋１）λ／４（但しｎは自然数）に設定
されている。磁気抵抗素子２０の第１の感磁ストライプ
Ｒ１の一端は電源端子Ｖｃｃに接続され、第２の感磁ス
トライプＲ２の一端は調整抵抗Ｒ３を介して接地端子Ｇ
ＮＤに接続し、両感磁ストライプＲ１、Ｒ２間の接続点
は出力端子ＦＧに接続されている。
【００１３】調整抵抗Ｒ３は第１及び第２の感磁ストラ
イプＲ１、Ｒ２と一体の強磁性薄膜によって形成され、
両感磁ストライプＲ１、Ｒ２に対して９０度の角度をも
たせて配置し、第２の感磁ストライプＲ２に直列接続さ
れている。このとき、調整抵抗Ｒ３の長さやストライプ
幅は所望の抵抗値となるように設定されている。
イプＲ１、Ｒ２と一体の強磁性薄膜によって形成され、
両感磁ストライプＲ１、Ｒ２に対して９０度の角度をも
たせて配置し、第２の感磁ストライプＲ２に直列接続さ
れている。このとき、調整抵抗Ｒ３の長さやストライプ
幅は所望の抵抗値となるように設定されている。
【００１４】 このように構成するならば、調整抵抗Ｒ
３は磁気記録媒体１の変化磁界の影響は軽微であるが、
さらに変化磁界の影響を無くす場合は、これら感磁スト
ライプＲ１、Ｒ２が対向する磁気記録媒体１のＮＳ磁極
の着磁ピッチをλ／２としたとき、調整抵抗Ｒ３の長さ
を、ｍλ／２（ｍは１以上の整数）に設定すればよい。
尚、図４に示すように、バイアス磁界を印加して感磁ス
トライプＲ１、Ｒ２のピッチを（２ｎ＋１）λ／２とし
た場合には、調整抵抗Ｒ３の長さをｍλに設定すればよ
い。図４において左方に向けた矢示は、バイアス磁界を
示している。
３は磁気記録媒体１の変化磁界の影響は軽微であるが、
さらに変化磁界の影響を無くす場合は、これら感磁スト
ライプＲ１、Ｒ２が対向する磁気記録媒体１のＮＳ磁極
の着磁ピッチをλ／２としたとき、調整抵抗Ｒ３の長さ
を、ｍλ／２（ｍは１以上の整数）に設定すればよい。
尚、図４に示すように、バイアス磁界を印加して感磁ス
トライプＲ１、Ｒ２のピッチを（２ｎ＋１）λ／２とし
た場合には、調整抵抗Ｒ３の長さをｍλに設定すればよ
い。図４において左方に向けた矢示は、バイアス磁界を
示している。
【００１５】 以上のように構成すると、抵抗値が変化
するのは第１及び第２の感磁ストライプＲ１、Ｒ２であ
るから、抵抗値の変化は図３に示すように従来の図８で
示した良好な変化状態と同じになることから、出力端子
ＦＧからも、図３のようにピーク電圧ＶＣ＝ＶＤの状態
としたとき、中点電位ＣＶのクロス点間隔ＬＣ、ＬＤが
等しくなり、精度が良好な波形が検出される。ところが
このとき、第２の感磁ストライプＲ２に調整抵抗Ｒ３が
接続しているため、中点電位ＣＶは従来よりも高くなっ
ている。この中点電位ＣＶは調整抵抗Ｒ３の抵抗値を適
宜に設定すれば、所望の電位が得られる。また、調整抵
抗Ｒ３を第１の感磁ストライプＲ１に直列接続すれば、
中点電位ＣＶを低くすることもでき、任意に設定可能で
ある。
するのは第１及び第２の感磁ストライプＲ１、Ｒ２であ
るから、抵抗値の変化は図３に示すように従来の図８で
示した良好な変化状態と同じになることから、出力端子
ＦＧからも、図３のようにピーク電圧ＶＣ＝ＶＤの状態
としたとき、中点電位ＣＶのクロス点間隔ＬＣ、ＬＤが
等しくなり、精度が良好な波形が検出される。ところが
このとき、第２の感磁ストライプＲ２に調整抵抗Ｒ３が
接続しているため、中点電位ＣＶは従来よりも高くなっ
ている。この中点電位ＣＶは調整抵抗Ｒ３の抵抗値を適
宜に設定すれば、所望の電位が得られる。また、調整抵
抗Ｒ３を第１の感磁ストライプＲ１に直列接続すれば、
中点電位ＣＶを低くすることもでき、任意に設定可能で
ある。
【００１６】尚、上述の実施例は一例を示すもので、磁
気抵抗素子の感磁ストライプ、調整抵抗は複数回屈曲さ
せてつづら折り状に形成したり、１本のみの感磁ストラ
イプでもよく、本考案を逸脱しない範囲で種々変更可能
である。
気抵抗素子の感磁ストライプ、調整抵抗は複数回屈曲さ
せてつづら折り状に形成したり、１本のみの感磁ストラ
イプでもよく、本考案を逸脱しない範囲で種々変更可能
である。
【００１７】
【考案の効果】 以上の説明から明らかなように、本考
案の磁気抵抗素子は、第１及び第２の感磁ストライプの
一方に、強磁性薄膜からなる調整抵抗を接続し、調整抵
抗を変化磁界に対して抵抗値が変化しない方向に配置す
ると共に、その長さを変化磁界の影響が出ない長さとし
たことから、第１及び第２の感磁ストライプのみが変化
磁界に対して抵抗値が変化し、調整抵抗は抵抗値が変化
しないこととなる。従って、電源電圧側と接地側とで等
しい波形の出力電圧が検出され、しかも波形の歪みを生
じさせることなく中点電位を変位させることができる。
また、調整抵抗は第１及び第２の感磁ストライプと同じ
強磁性薄膜によって形成されるので温度ドリフトを抑止
でき、従って、中点電位の変動を無くすことができる利
点がある。
案の磁気抵抗素子は、第１及び第２の感磁ストライプの
一方に、強磁性薄膜からなる調整抵抗を接続し、調整抵
抗を変化磁界に対して抵抗値が変化しない方向に配置す
ると共に、その長さを変化磁界の影響が出ない長さとし
たことから、第１及び第２の感磁ストライプのみが変化
磁界に対して抵抗値が変化し、調整抵抗は抵抗値が変化
しないこととなる。従って、電源電圧側と接地側とで等
しい波形の出力電圧が検出され、しかも波形の歪みを生
じさせることなく中点電位を変位させることができる。
また、調整抵抗は第１及び第２の感磁ストライプと同じ
強磁性薄膜によって形成されるので温度ドリフトを抑止
でき、従って、中点電位の変動を無くすことができる利
点がある。
【００１８】
【図１】本考案にかかる磁気抵抗素子の実施例を示す説
明図である。
明図である。
【図２】図１の磁気抵抗素子の抵抗値の変化を示す特性
図である。
図である。
【図３】図１の磁気抵抗素子の出力電圧を示す特性図で
ある。
ある。
【図４】λ／２型の磁気抵抗素子の実施例を示す説明図
である。
である。
【図５】図１の磁気抵抗素子を磁気記録媒体に対向させ
た状態を示す斜視図である。
た状態を示す斜視図である。
【図６】従来の磁気抵抗素子の実施例を示す説明図であ
る。
る。
【図７】従来の磁気抵抗素子の抵抗値の変化を示す特性
図である。
図である。
【図８】同磁気抵抗素子の出力電圧を示す特性図であ
る。
る。
【図９】同磁気抵抗素子の第１の変形例を示す説明図で
ある。
ある。
【図１０】同磁気抵抗素子の第２の変形例を示す説明図
である。
である。
【図１１】図９及び図１０における磁気抵抗素子の抵抗
値の変位を示す特性図である。
値の変位を示す特性図である。
【図１２】同図における磁気抵抗素子の出力電圧を示す
特性図である。
特性図である。
１ 磁気記録媒体２０ 磁気抵抗素子 Ｒ１ 第１の感磁ストライプ Ｒ２ 第２の感磁ストライプ Ｒ３ 調整抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】 強磁性薄膜からなる第１及び第２の感磁
ストライプが磁気記録媒体に設けられる変化磁界に対向
する磁気抵抗素子であって、上記変化磁界のＮ極からＳ
極間の着磁ピッチをλ／２としたとき、上記第１及び第
２の感磁ストライプ間のピッチを（２ｎ＋１）λ／４
（但しｎは自然数）とし、上記第１及び第２の感磁スト
ライプのいずれか一方に強磁性薄膜からなる調整抵抗を
接続し、上記調整抵抗を上記変化磁界に対して抵抗値が
変化しない方向に配置すると共に、その長さをｍλ／２
（但しｍは１以上の整数）としたことを特徴とする磁気
抵抗素子。 - 【請求項２】 強磁性薄膜からなる第１及び第２の感磁
ストライプが磁気記録媒体に設けられる変化磁界に対向
する磁気抵抗素子であって、上記変化磁界のＮ極からＳ
極間の着磁ピッチをλ／２としたとき、上記第１及び第
２の感磁ストライプ間のピッチを（２ｎ＋１）λ／２
（但しｎは自然数）とすると共に上記第１及び第２の感
磁ストライプに対してバイアス磁界を印加し、上記第１
及び第２の感磁ストライプのいずれか一方に強磁性薄膜
からなる調整抵抗を接続し、上記調整抵抗を上記変化磁
界に対して抵抗値が変化しない方向に配置すると共に、
その長さをｍλ（但しｍは１以上の整数）としたことを
特徴とする磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992040556U JP2577564Y2 (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992040556U JP2577564Y2 (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 磁気抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0592641U JPH0592641U (ja) | 1993-12-17 |
| JP2577564Y2 true JP2577564Y2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=12583727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992040556U Expired - Fee Related JP2577564Y2 (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2577564Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01156620A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Omron Tateisi Electron Co | 回転数検出装置 |
| JPH02246176A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気センサ |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP1992040556U patent/JP2577564Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0592641U (ja) | 1993-12-17 |
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