JPH0592615U - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPH0592615U JPH0592615U JP040555U JP4055592U JPH0592615U JP H0592615 U JPH0592615 U JP H0592615U JP 040555 U JP040555 U JP 040555U JP 4055592 U JP4055592 U JP 4055592U JP H0592615 U JPH0592615 U JP H0592615U
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- resistance value
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 中点電位を変位させても高精度な波形の出力
電圧を得る。 【構成】 強磁性薄膜からなる第1及び第2の感磁スト
ライプR1、R2とを有し、これら感磁ストライプ間の
出力端子から出力電圧を得るようにした磁気抵抗素子で
あって、第1及び第2の感磁ストライプR1、R2のい
ずれか一方に、強磁性薄膜からなる調整抵抗R3を一体
に接続し、調整抵抗R3を変化磁界に対して抵抗値が変
化しない位置に形成させる。 【効果】 第1及び第2の感磁ストライプのみが変化磁
界に対して抵抗値が変化し、調整抵抗は抵抗値が変化し
ないように構成でき、従って、電源電圧側と接地側とで
等しい波形の出力電圧が検出され、しかも波形の歪みを
生じさせることなく中点電位を変位させることができ
る。
電圧を得る。 【構成】 強磁性薄膜からなる第1及び第2の感磁スト
ライプR1、R2とを有し、これら感磁ストライプ間の
出力端子から出力電圧を得るようにした磁気抵抗素子で
あって、第1及び第2の感磁ストライプR1、R2のい
ずれか一方に、強磁性薄膜からなる調整抵抗R3を一体
に接続し、調整抵抗R3を変化磁界に対して抵抗値が変
化しない位置に形成させる。 【効果】 第1及び第2の感磁ストライプのみが変化磁
界に対して抵抗値が変化し、調整抵抗は抵抗値が変化し
ないように構成でき、従って、電源電圧側と接地側とで
等しい波形の出力電圧が検出され、しかも波形の歪みを
生じさせることなく中点電位を変位させることができ
る。
Description
【0001】
本考案は、出力電圧の中点電位を変位させることのできる磁気抵抗素子に関す る。
【0002】
従来この種の磁気抵抗素子は、例えば回転体の周面や側面に設けた磁気記録媒 体に磁気抵抗素子を近接対向させ、磁気記録媒体に着磁されたNS磁極からの変 化磁界を受け、抵抗値の変化による電圧変化を出力電圧として検出するようにし ている。
【0003】 磁気抵抗素子2は、第1の感磁ストライプR1と第2の感磁ストライプR2を 有している。これら第1及び第2の感磁ストライプR1、R2間のピッチは、図 6に示すように磁気記録媒体1のN極からS極間の着磁ピッチをλ/2としたと き、一般には(2n+1)λ/4(但しnは自然数)に設定されている。尚、上 記ピッチは、一般には(2n+1)λ/2に設定することもあるが、以下の説明 は便宜上λ/4型について説明する。また、磁気抵抗素子2の第1の感磁ストラ イプR1の一端は電源端子Vccに接続され、第2の感磁ストライプR2の一端 は接地端子GNDに接続し、両感磁ストライプR1、R2間の接続点は出力端子 FGに接続されている。
【0004】 かかる磁気抵抗素子2においては、一般的に、両感磁ストライプR1、R2の 抵抗値及び磁気抵抗効果の感度を等しく設定し、出力端子FGから得られる出力 電圧の中点電位CVを、電源電圧Vccの1/2の電圧値に設定することが常識 であった。つまり、両感磁ストライプR1、R2を等しく設定した場合には、磁 気記録媒体1から正弦波状の変化磁界を加えたとき、第1及び第2の感磁ストラ イプR1、R2の抵抗値は図7に示すように変化する。この変化は、両感磁スト ライプR1、R2の抵抗値の変化量をΔR1、ΔR2としたとき、この変化量を 二分した中間値を結ぶ値に対して上下で変化量が相違しているため、クロス点間 隔LA1とLA2、及び、LB1とLB2が各々相違している。ここで、図中R 10、R20は両感磁ストライプR1、R2に磁界を印加しないときの抵抗値を 表している。ところが、両感磁ストライプR1、R2の抵抗値の変化が等しいこ とからこれらを合成すると、出力端子FGからは図8に示すようにピーク電圧V C=VDの状態では、中点電位CVのクロス点間隔をLC=LDが略等しくなり 、精度が良好な波形が検出される。
【0005】 ところで、磁気抵抗素子2の出力端子FGから得られる出力電圧は、図示しな いオペアンプ等に入力され、波形成形或いは基準電圧との比較が行われる。しか しながら、オペアンプの出力において、回路上基準電源は電源電圧Vccの1/ 2より高めの設定の方が出力波形を最も効果的にすることができることがある。 ところが、このことを前述のように磁気抵抗素子2の中点電位CVを電源電圧V ccの1/2とした場合には、基準電圧との電位差により電源ノイズを増幅して しまい、オペアンプの出力に大きなノイズを発生してしまうという不具合を生じ る。
【0006】 そこで、磁気抵抗素子2の出力電圧の中点電位CVを上記オペアンプに合致さ せるべく、中点電位CVを変位させることが試みられている。図9及び図10は その一例であり、図9は第1の感磁ストライプR1の幅を大きくすることにより 抵抗値を変化させ、中点電位CVを変位させようとするものであり、図10は第 2の感磁ストライプR2を1本増設して抵抗値を高くすることにより中点電位C Vを変位させようとするものである。その他にも、一方の感磁ストライプに抵抗 体を直列接続して中点電圧CVを変位させることも行っていた。
【0007】
上記従来の磁気抵抗素子にあっては、中点電位CVを変化させようとして、感 磁ストライプR1、R2の一方のストライプの幅や長さを変化させ、これら感磁 ストライプR1、R2に磁気記録媒体1から変化磁界を加えると、当然ながら図 11のように第1及び第2の感磁ストライプR1、R2の抵抗値が各々異なって しまう。この結果、図12に示すように上下のピーク電圧VC、VDが等しくな る中点レベルを見ると、クロス点の間隔LC、LDが異なってしまい、時間間隔 の誤差によって精度が悪化してしまう問題がある。また、外部に抵抗体を接続し た場合には抵抗値の調整が必要であったり、しかも温度変化により中点電位にド リフトが生じて検出精度が悪化する問題もある。
【0008】 本考案は、このような問題点を解消するためになされたもので、中点電位を変 位させても高精度な波形の出力電圧を得ることのできる磁気抵抗素子を提供する ことを目的とする。
【0009】
本考案は、強磁性薄膜からなる第1及び第2の感磁ストライプを変化磁界に対 向する磁気抵抗素子であって、上記第1及び第2の感磁ストライプのいずれか一 方に強磁性薄膜からなる調整抵抗を一体に接続し、上記調整抵抗は上記変化磁界 に対して抵抗値が変化しない位置に形成されたことを特徴としている。
【0010】
第1及び第2の感磁ストライプの一方に、強磁性薄膜からなる調整抵抗を一体 に接続し、調整抵抗を変化磁界に対して抵抗値が変化しない位置に形成すると、 第1及び第2の感磁ストライプのみが変化磁界に対して抵抗値が変化し、調整抵 抗は抵抗値が変化しない。従って、電源電圧側と接地側とで等しい波形の出力電 圧が検出され、しかも波形の歪みを生じさせることなく中点電位が変位する。ま た、調整抵抗は第1及び第2の感磁ストライプと同じ強磁性薄膜によって形成さ れるので温度変化に対して中点電位は変動せず、抵抗値調整作業が不要になって 工程が簡略化される。
【0011】
以下、本考案にかかる磁気抵抗素子の一実施例について図面を参照しながら説 明する。尚、前述した従来例と同符号は同部品を示し、その詳細な説明は省略す る。
【0012】 図1において、強磁性薄膜からなる磁気抵抗素子10は、第1の感磁ストライ プR1と第2の感磁ストライプR2を有している。これら第1及び第2の感磁ス トライプR1、R2間のピッチは、前述した磁気記録媒体1のN極からS極間の 着磁ピッチをλ/2としたとき、(2n+1)λ/4(但しnは自然数)に設定 されている。磁気抵抗素子2の第1の感磁ストライプR1の一端は電源端子Vc cに接続され、第2の感磁ストライプR2の一端は調整抵抗R3を介して接地端 子GNDに接続し、両感磁ストライプR1、R2間の接続点は出力端子FGに接 続されている。
【0013】 調整抵抗R3は図1及び図2に示すように、磁気記録媒体1の変化磁界の範囲 から離脱させ、この変化磁界により抵抗値が変化しないように構成されている。 即ち、調整抵抗R3は第1及び第2の感磁ストライプR1、R2と一体の強磁性 薄膜によって形成され、両感磁ストライプR1、R2に対して90度の角度をも たせて配置し、第2の感磁ストライプR2に直列接続されている。このとき、調 整抵抗R3の長さやストライプ幅は所望の抵抗値となるように設定されている。
【0014】 このように構成するならば、調整抵抗R3は磁気記録媒体1の変化磁界の影響 は軽微であるが、さらに変化磁界の影響を無くす場合は、これら感磁ストライプ R1、R2が対向する磁気記録媒体1のNS磁極の着磁ピッチをλ/2としたと き、調整抵抗R3の長さをmλ/2(mは1以上の整数)に設定すればよい。尚 、図5に示すように、バイアス磁界を印加して感磁ストライプR1、R2のピッ チを(2n+1)λ/2とした場合には、調整抵抗R3の長さをmλに設定すれ ばよい。図5において左方に向けた矢示は、バイアス磁界を示している。
【0015】 以上のように構成すると、抵抗値が変化するのは第1及び第2の感磁ストライ プR1、R2であるから、抵抗値の変化は図3に示すように従来の図8で示した 良好な変化状態と同じになることから、出力端子FGからも、図4のようにピー ク電圧VC=VDの状態としたとき、中点電位CVのクロス点間隔LC、LDが 等しくなり、精度が良好な波形が検出される。ところがこのとき、第2の感磁ス トライプR2に調整抵抗R3が接続しているため、中点電位CVは従来よりも高 くなっている。この中点電位CVは調整抵抗R3の抵抗値を適宜に設定すれば、 所望の電位が得られる。また、調整抵抗R3を第1の感磁ストライプR1に直列 接続すれば、中点電位CVを低くすることもでき、任意に設定可能である。
【0016】 尚、上述の実施例は一例を示すもので、磁気抵抗素子の感磁ストライプ、調整 抵抗は複数回屈曲させてつづら折り状に形成したり、1本のみの感磁ストライプ でもよく、本考案を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【0017】
以上の説明から明らかなように、本考案の磁気抵抗素子は、第1及び第2の感 磁ストライプの一方に、強磁性薄膜からなる調整抵抗を一体に接続し、調整抵抗 を変化磁界に対して抵抗値が変化しない位置に形成したことから、第1及び第2 の感磁ストライプのみが変化磁界に対して抵抗値が変化し、調整抵抗は抵抗値が 変化しないように構成でき、従って、電源電圧側と接地側とで等しい波形の出力 電圧が検出され、しかも波形の歪みを生じさせることなく中点電位を変位させる ことができる。また、調整抵抗は第1及び第2の感磁ストライプと同じ強磁性薄 膜によって形成されるので温度ドリフトを抑止でき、従って、中点電位の変動を 無くすことができる利点がある。
【0018】
【提出日】平成5年5月6日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0004
【補正方法】変更
【0004】 かかる磁気抵抗素子2においては、一般的に、両感磁ストライプR1、R2の 抵抗値及び磁気抵抗効果の感度を等しく設定し、出力端子FGから得られる出力 電圧の中点電位CVを、電源電圧Vccの1/2の電圧値に設定することが常識 であった。つまり、両感磁ストライプR1、R2を等しく設定した場合には、磁 気記録媒体1から正弦波状の変化磁界を加えたとき、第1及び第2の感磁ストラ イプR1、R2の抵抗値は図7に示すように変化する。この変化は、両感磁スト ライプR1、R2の抵抗値の変化量をΔR1、ΔR2としたとき、この変化量を 二分した中間値を結ぶ値に対して上下で変化量が相違しているため、クロス点間 隔LA1とLA2、及び、LB1とLB2が各々相違している。ここで、図中R 10、R20は両感磁ストライプR1、R2に磁界を印加しないときの抵抗値を 表している。ところが、両感磁ストライプR1、R2の抵抗値の変化が等しいこ とからこれらを合成すると、出力端子FGからは図8に示すようにピーク電圧V C=VDの状態では、中点電位CVのクロス点間隔LC,LDが略等しくなり、 精度が良好な波形が検出される。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0005
【補正方法】変更
【0005】 ところで、磁気抵抗素子2の出力端子FGから得られる出力電圧は、図示しな いオペアンプ等に入力され、波形成形或いは基準電圧との比較が行われる。しか しながら、オペアンプの出力において、回路上基準電圧は電源電圧Vccの1/ 2より高めの設定の方が出力波形を最も効果的にすることができることがある。 ところが、このことを前述のように磁気抵抗素子2の中点電位CVを電源電圧V ccの1/2とした場合には、基準電圧との電位差により電源ノイズを増幅して しまい、オペアンプの出力に大きなノイズを発生してしまうという不具合を生じ る。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【0007】
上記従来の磁気抵抗素子にあっては、中点電位CVを変化させようとして、感 磁ストライプR1、R2の一方のストライプの幅や長さを変化させ、これら感磁 ストライプR1、R2に磁気記録媒体1から変化磁界を加えると、当然ながら図 11のように第1及び第2の感磁ストライプR1、R2の抵抗値変化が各々異な ってしまう。この結果、図12に示すように上下のピーク電圧VC、VDが等し くなる中点レベルを見ると、クロス点の間隔LC、LDが異なってしまい、時間 間隔の誤差によって精度が悪化してしまう問題がある。また、外部に抵抗体を接 続した場合には抵抗値の調整が必要であったり、しかも温度変化により中点電位 にドリフトが生じて検出精度が悪化する問題もある。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【0010】
第1及び第2の感磁ストライプの一方に、強磁性薄膜からなる調整抵抗を一体 に接続し、調整抵抗を変化磁界に対して抵抗値が変化しない位置に形成すると、 第1及び第2の感磁ストライプのみが変化磁界に対して抵抗値が変化し、調整抵 抗は抵抗値が変化しない。従って、電源電圧側と接地側とで等しい波形の抵抗値 変化となり、 波形の歪みを生じさせることなく中点電位が変位する。また、調整 抵抗は第1及び第2の感磁ストライプと同じ強磁性薄膜によって形成されるので 温度変化に対して中点電位は変動せず、抵抗値調整作業が不要になって工程が簡 略化される。
【図1】本考案にかかる磁気抵抗素子の実施例を示す説
明図である。
明図である。
【図2】同上磁気抵抗素子を磁気記録媒体に対向させた
状態を示す斜視図である。
状態を示す斜視図である。
【図3】同上磁気抵抗素子の抵抗値の変化を示す特性図
である。
である。
【図4】同上磁気抵抗素子の出力電圧を示す特性図であ
る。
る。
【図5】λ/2型の磁気抵抗素子の実施例を示す説明図
である。
である。
【図6】従来の磁気抵抗素子の実施例を示す説明図であ
る。
る。
【図7】同磁気抵抗素子の抵抗値の変化を示す特性図で
ある。
ある。
【図8】同磁気抵抗素子の出力電圧を示す特性図であ
る。
る。
【図9】同磁気抵抗素子の第1の変形例を示す説明図で
ある。
ある。
【図10】同磁気抵抗素子の第2の変形例を示す説明図で
ある。
ある。
【図11】図9及び図10における磁気抵抗素子の抵抗値
の変位を特性図である。
の変位を特性図である。
【図12】同図における磁気抵抗素子の出力電圧を示す特
性図である。
性図である。
1 磁気記録媒体 10 磁気抵抗素子 R1 第1の感磁ストライプ R2 第2の感磁ストライプ R3 調整抵抗
Claims (1)
- 【請求項1】 強磁性薄膜からなる第1及び第2の感磁
ストライプを変化磁界に対向する磁気抵抗素子であっ
て、上記第1及び第2の感磁ストライプのいずれか一方
に強磁性薄膜からなる調整抵抗を一体に接続し、上記調
整抵抗は上記変化磁界に対して抵抗値が変化しない位置
に形成されてなる磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP040555U JPH0592615U (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP040555U JPH0592615U (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 磁気抵抗素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0592615U true JPH0592615U (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=12583699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP040555U Withdrawn JPH0592615U (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0592615U (ja) |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP040555U patent/JPH0592615U/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19960801 |