JPS63179556A - 半導体装置用セラミツクパツケ−ジ - Google Patents

半導体装置用セラミツクパツケ−ジ

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Publication number
JPS63179556A
JPS63179556A JP1268487A JP1268487A JPS63179556A JP S63179556 A JPS63179556 A JP S63179556A JP 1268487 A JP1268487 A JP 1268487A JP 1268487 A JP1268487 A JP 1268487A JP S63179556 A JPS63179556 A JP S63179556A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
thickness
semiconductor
range
ceramic package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1268487A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Ueda
植田 正夫
Hiroshi Ogi
小木 博志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HARA SEIKI SANGYO KK
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
HARA SEIKI SANGYO KK
NEC Kyushu Ltd
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Publication date
Application filed by HARA SEIKI SANGYO KK, NEC Kyushu Ltd filed Critical HARA SEIKI SANGYO KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用セラミックパッケージに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置用セラミックパッケージは、
一つの外部リードに対し、同一平面上に一つの内部リー
ドしか有していなかった。
第3図、第4図は従来のセラミックパッケージの斜視図
およびその断面図である。このパッケージは、セラミッ
ク基体1上に四部を設は半導体素子MR面3とし、周囲
にウェルドリンク2が設けられ、外部リードがセラミッ
ク基体lの外側に設けられており、この外部リードは素
子搭載面3から一定の膜長に設けられた内部リード53
と接続されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体装置用セラミックパッケージは、
半導体素子搭載面3から、内部リード53までの高さが
一定であるため、半導体装置用セラミックパッケージに
搭載できる半導体素子の厚みの範囲が狭いという欠点が
ある。すなわち、図のように搭載可能な半導体素子の最
大厚L12は、搭載可能な半導体素子の最小厚Lllの
搭載可能な半導体素子厚L13との和となるので、素子
の厚みLi2の範囲が狭かった。
それは、半導体装置用セラミックパッケージに、厚さが
適正範囲外の半導体素子を搭載すると、ワイヤーボンデ
ィングの際に、ワイヤーの半導体素子へのエツジタッチ
やワイヤー変形等の不具合が生じるからである。
本発明の目的は、このような問題点を解決し、取付けら
れる半導体素子の厚みの範囲を広げ融通性をもたせた半
導体装置用セラミックパッケージを提供することにある
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置用セラミックパッケージは、各外部
リードに対し、半導体素子搭載面から高さの異なる複数
の内部リードをそれぞれ備えたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図、第2図は本発明の一実施例の斜視図及び断面図
である。本実施例は、第3図、第4図のセラミックパッ
ケージの内部リード53が半導体素子搭載面3から一定
の高さにあるのに対し、内部リードが半導体素子搭載面
3から低い方の内部リード51と、高い方の内部リード
52との二種類を備えているため、半導体素子の厚みに
よりいずれか一方を選択して取付けが可能となる。
従って、搭載可能な半導体素子の厚みの範囲が従来の狭
い範囲L13から広い範囲L3へと広くすることができ
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、一つの外部リードに対し
半導体素子搭載面より高さの異なる複数の内部リードを
有することにより、搭載させる半導体素子の厚みの範囲
を広くできる効果がある。
従って、従来よりも半導体装置用セラミックパッケージ
の種類は少なくて済み、その設計及び製造コスト低下の
効果も期待できる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明の一実施例の斜視図及び断面図
、第3図、第4図は従来の半導体装置用セラミックパッ
ケージの斜視図及び断面図である。 1・・・セラミック基体、2・・・ウェルドリング、3
・・・半導体素子搭載面、4・・・外部リード、51゜
52.53・・・内部リード、Ll、Lll・・・搭載
可能な半導体素子の最小厚、L2.L12・・・搭載可
能な半導体素子の最大厚、L3.Ll3・・・搭載可能
な半導体素子厚の範囲。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 各外部リードに対し、半導体素子搭載面からの高さの異
    なる複数の内部リードをそれぞれ備えたことを特徴とす
    る半導体装置用セラミックパッケージ。
JP1268487A 1987-01-21 1987-01-21 半導体装置用セラミツクパツケ−ジ Pending JPS63179556A (ja)

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