JPS63177214A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
基準電圧発生回路Info
- Publication number
- JPS63177214A JPS63177214A JP960587A JP960587A JPS63177214A JP S63177214 A JPS63177214 A JP S63177214A JP 960587 A JP960587 A JP 960587A JP 960587 A JP960587 A JP 960587A JP S63177214 A JPS63177214 A JP S63177214A
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- JP
- Japan
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- transistor
- current
- resistance
- voltage
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、周囲温度変化や電源電圧の変動に依存せず、
かつ低電圧の基準電圧を発生し得る基準電圧発生回路に
関する。
かつ低電圧の基準電圧を発生し得る基準電圧発生回路に
関する。
(ロ)従来の技術
昭和5’7年 9月 10日付で誠文堂新光社から発行
された単行本「ボルテージレギュレータハンドブック」
第1−6頁及び第1−7頁には、トランジスタのベース
・エミッタ間電圧の差(バンドギャップ)に基づく基準
電圧を発生し得る基準電圧発生回路が記載されている。
された単行本「ボルテージレギュレータハンドブック」
第1−6頁及び第1−7頁には、トランジスタのベース
・エミッタ間電圧の差(バンドギャップ)に基づく基準
電圧を発生し得る基準電圧発生回路が記載されている。
第2図は、前記基準電圧発生回路を示すもので、ダイオ
ード接続された第1トランジスタ(1)の電流密度を、
第2トランジスタ(2)の電流密度よりも犬とすること
により、両トランジスタのベース・エミッタ間電圧の差
電圧を第1抵抗(3)の両端に発生させ、前記差電圧に
応じた基準電圧を出力端子(4)に発生きせるものであ
る。いま、第1抵抗(3)に流れる電流を11とすれば
、 Vmtt −Vs+mt + RtIt
・・・・・・・・・(1)となり、出力端子(4)
に得られる基準電圧Vrefは、Vref=VHs +
RxI+ ””””’(2>となる。
ード接続された第1トランジスタ(1)の電流密度を、
第2トランジスタ(2)の電流密度よりも犬とすること
により、両トランジスタのベース・エミッタ間電圧の差
電圧を第1抵抗(3)の両端に発生させ、前記差電圧に
応じた基準電圧を出力端子(4)に発生きせるものであ
る。いま、第1抵抗(3)に流れる電流を11とすれば
、 Vmtt −Vs+mt + RtIt
・・・・・・・・・(1)となり、出力端子(4)
に得られる基準電圧Vrefは、Vref=VHs +
RxI+ ””””’(2>となる。
従って、前記第(1)及び第(2)式から、となる。前
記第(3)式において、周囲温度変化にとすればよく、 となるので、 となる様に、第1及び第2抵抗(3)及び(6)の値を
設定すれば、周囲温度変化に対して安定な基準電圧Vr
efを得ることが出来る。
記第(3)式において、周囲温度変化にとすればよく、 となるので、 となる様に、第1及び第2抵抗(3)及び(6)の値を
設定すれば、周囲温度変化に対して安定な基準電圧Vr
efを得ることが出来る。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
しかしながら、第2図の基準電圧発生回路は、最低1.
3v程度の基準電圧しか得ることが出来ず、1v以下の
低い基準電圧を得ることが出来なは一2mVとなるので
、前記第(5)式から、となり、前記第(6)式を前記
第(3)式に代入すると、Vref = Vats +
2 T ” ・・・・・・(7)と
なる。常温(300@k)において、■□、は約700
mVとなるので、前記第(7)式から、Vrefは、約
1.3vになり、第2図の回路構成ではこれ以下の基準
電圧を得ることは出来ない。
3v程度の基準電圧しか得ることが出来ず、1v以下の
低い基準電圧を得ることが出来なは一2mVとなるので
、前記第(5)式から、となり、前記第(6)式を前記
第(3)式に代入すると、Vref = Vats +
2 T ” ・・・・・・(7)と
なる。常温(300@k)において、■□、は約700
mVとなるので、前記第(7)式から、Vrefは、約
1.3vになり、第2図の回路構成ではこれ以下の基準
電圧を得ることは出来ない。
(ニ)問題点を解決するための手段
本発明は、上述の点に鑑み成されたもので、IV以下の
温度依存性を持たない基準電圧を得る為、バンドギャッ
プ電流を発生する電流発生回路と、該電流発生回路から
得られる電流がそれぞれ供給されるダイオード接続型の
第3トランジスタ及び第2抵抗と、前記第3トランジス
タのコレクタと前記第2抵抗の一端との間に直列接続さ
れる第3及び第4抵抗を設けた点を特徴とする。
温度依存性を持たない基準電圧を得る為、バンドギャッ
プ電流を発生する電流発生回路と、該電流発生回路から
得られる電流がそれぞれ供給されるダイオード接続型の
第3トランジスタ及び第2抵抗と、前記第3トランジス
タのコレクタと前記第2抵抗の一端との間に直列接続さ
れる第3及び第4抵抗を設けた点を特徴とする。
(*)作用
本発明に依れば、第3トランジスタのコレクタに得られ
る所定の温度特性を有する電圧と、第2抵抗の一端に得
られる所定の温度特性を有する電圧とを、第3及び第4
抵抗により分圧して基準電圧を得ているので、第1乃至
第4抵抗の値を適切に設定すれば、周囲温度変化に依存
しない低電圧の基準電圧を発生させることが出来る。
る所定の温度特性を有する電圧と、第2抵抗の一端に得
られる所定の温度特性を有する電圧とを、第3及び第4
抵抗により分圧して基準電圧を得ているので、第1乃至
第4抵抗の値を適切に設定すれば、周囲温度変化に依存
しない低電圧の基準電圧を発生させることが出来る。
(へ)実施例
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図で、(7)は
ダイオード接続された第1トランジスタ、(8)は該第
1トランジスタ(7)に電流ミラー関係に接続された第
2トランジスタ、(9)は該第2トランジスタ(8)の
エミッタとアースとの間に接続された第1抵抗、(10
)は前記第2トランジスタ(8)のコレクタ電流と等し
い電流が供給されるダイオード接続された第3トランジ
スタ、(11)は前記第2トランジスタ(8)のコレク
タ電流と等しい電流が供給される第2抵抗、(12)及
び(13)は、前記第3トランジスタ(10)のコレク
タと前記第2抵抗(11)の一端との間に直列接続され
た第3及び第4抵抗、及び(14)は該第3及び第4抵
抗(12)及び(13)の接続中点に接続された出力端
子である。尚、第4、第5及び第6トランジスタ(15
) 、 (16)及び(17)は、第2トランジスタ(
8)のコレクタ電流と等しい電流を、ダイオード接続さ
れた第7トランジスタ(18)に流す為の帰還路を形成
しており、第8、第9及び第10トランジスタ(19)
、 (20)及び(21)は前記第7トランジスタ(
18)と電流ミラー関係に接続されている。また、抵抗
(22)及びコンデンサ(23)は、発振防止の為に配
置されている。
ダイオード接続された第1トランジスタ、(8)は該第
1トランジスタ(7)に電流ミラー関係に接続された第
2トランジスタ、(9)は該第2トランジスタ(8)の
エミッタとアースとの間に接続された第1抵抗、(10
)は前記第2トランジスタ(8)のコレクタ電流と等し
い電流が供給されるダイオード接続された第3トランジ
スタ、(11)は前記第2トランジスタ(8)のコレク
タ電流と等しい電流が供給される第2抵抗、(12)及
び(13)は、前記第3トランジスタ(10)のコレク
タと前記第2抵抗(11)の一端との間に直列接続され
た第3及び第4抵抗、及び(14)は該第3及び第4抵
抗(12)及び(13)の接続中点に接続された出力端
子である。尚、第4、第5及び第6トランジスタ(15
) 、 (16)及び(17)は、第2トランジスタ(
8)のコレクタ電流と等しい電流を、ダイオード接続さ
れた第7トランジスタ(18)に流す為の帰還路を形成
しており、第8、第9及び第10トランジスタ(19)
、 (20)及び(21)は前記第7トランジスタ(
18)と電流ミラー関係に接続されている。また、抵抗
(22)及びコンデンサ(23)は、発振防止の為に配
置されている。
いま、第1及び第2トランジスタ(7)及び(8)のエ
ミッタの面積比を1:n(ただしn〉1)に設定したと
すれば、第1抵抗(9)に流れる電流11は、 となり、ダイオード接続された第7トランジスタ(18
)と、該第7トランジスタ(18)に電流ミラー関係に
接続きれた第8乃至第10トランジスタ(19〉乃至(
21)にも前記電流I、が流れる。その為、第2抵抗(
11)(7)一端A(7)電圧VAは、〔ただし、R1
は第2抵抗(11)の抵抗値〕となる。一方、第3トラ
ンジスタ(10)のコレクタ電圧は、■□、となるので
、出力端子(14)に得られる基準電圧Vrefは、 ・・・・・・・・・(10) となる。出力端子(14)に得られる基準電圧Vref
がすればよく、 ・・・・・・・・・(11) となるので、 となる様に、第3及び第4抵抗(12)及び(13)の
値を設定すれば、基準電圧Vrefが周囲温度に依存し
なくなる。その時の基準電圧Vrefは、前記第(10
)及び第(12)式より、 となる、ちなみに、n = 10 、 RI−620Ω
、R1−3−9前記第(13)式から0.515Vとな
る。
ミッタの面積比を1:n(ただしn〉1)に設定したと
すれば、第1抵抗(9)に流れる電流11は、 となり、ダイオード接続された第7トランジスタ(18
)と、該第7トランジスタ(18)に電流ミラー関係に
接続きれた第8乃至第10トランジスタ(19〉乃至(
21)にも前記電流I、が流れる。その為、第2抵抗(
11)(7)一端A(7)電圧VAは、〔ただし、R1
は第2抵抗(11)の抵抗値〕となる。一方、第3トラ
ンジスタ(10)のコレクタ電圧は、■□、となるので
、出力端子(14)に得られる基準電圧Vrefは、 ・・・・・・・・・(10) となる。出力端子(14)に得られる基準電圧Vref
がすればよく、 ・・・・・・・・・(11) となるので、 となる様に、第3及び第4抵抗(12)及び(13)の
値を設定すれば、基準電圧Vrefが周囲温度に依存し
なくなる。その時の基準電圧Vrefは、前記第(10
)及び第(12)式より、 となる、ちなみに、n = 10 、 RI−620Ω
、R1−3−9前記第(13)式から0.515Vとな
る。
従って、第1図の回路を用いれば、周囲温度に依存せず
、1v以下の低電圧の基準電圧を、第1乃至第4抵抗(
9)乃至(13)の設定のみにより得ることが出来る。
、1v以下の低電圧の基準電圧を、第1乃至第4抵抗(
9)乃至(13)の設定のみにより得ることが出来る。
尚、第(13)式から、基準電圧Vrefが電源電圧V
。Cの変化に依存しないことも明らかである。
。Cの変化に依存しないことも明らかである。
(ト)発明の効果
以上述べた如く、本発明に依れば、周囲温度の変化や電
源電圧の変動に依存しない基準電圧を発生し得る基準電
圧発生回路を提供出来る。また本発明に依れば、1v以
下の低い基準電圧を発生し得る基準電圧発生回路を提供
出来る。その際、第1乃至第4抵抗の値を設定するだけ
で、前記基準電圧を得ることが出来るので、本発明に依
れば集積回路化に適した基準重圧発生回路を提供出来る
。
源電圧の変動に依存しない基準電圧を発生し得る基準電
圧発生回路を提供出来る。また本発明に依れば、1v以
下の低い基準電圧を発生し得る基準電圧発生回路を提供
出来る。その際、第1乃至第4抵抗の値を設定するだけ
で、前記基準電圧を得ることが出来るので、本発明に依
れば集積回路化に適した基準重圧発生回路を提供出来る
。
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図、及び第2図
は従来の基準電圧発生回路を示す回路図である。 (7)・・・第1トランジスタ、(8)・・・第2トラ
ンジスタ、(9)・・・第1抵抗、(10)・・・第3
トランジスタ、 (11)・・・第2抵抗、 (12)
・・・第3抵抗、(13)・・・第4抵抗。
は従来の基準電圧発生回路を示す回路図である。 (7)・・・第1トランジスタ、(8)・・・第2トラ
ンジスタ、(9)・・・第1抵抗、(10)・・・第3
トランジスタ、 (11)・・・第2抵抗、 (12)
・・・第3抵抗、(13)・・・第4抵抗。
Claims (1)
- (1)ダイオード接続された第1トランジスタ、該第1
トランジスタに電流ミラー関係に接続された第2トラン
ジスタ、及び該第2トランジスタのエミッタに接続され
た第1抵抗によって所定の電流を発生する電流発生回路
と、該電流発生回路から得られる電流が供給されるダイ
オード接続型の第3トランジスタと、前記電流発生回路
から得られる電流が供給される第2抵抗と、前記第3ト
ランジスタのコレクタと前記第2抵抗の一端との間に直
列接続される第3及び第4抵抗とから成り、前記第3及
び第4抵抗の接続中点に基準電圧を発生する様にしたこ
とを特徴とする基準電圧発生回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP960587A JPS63177214A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 基準電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP960587A JPS63177214A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 基準電圧発生回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63177214A true JPS63177214A (ja) | 1988-07-21 |
JPH0578845B2 JPH0578845B2 (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=11724936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP960587A Granted JPS63177214A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 基準電圧発生回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63177214A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0539136A2 (en) * | 1991-10-21 | 1993-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage generating device |
JPH07225628A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-22 | Goldstar Electron Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP960587A patent/JPS63177214A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0539136A2 (en) * | 1991-10-21 | 1993-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage generating device |
US5450004A (en) * | 1991-10-21 | 1995-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage generating device |
JPH07225628A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-22 | Goldstar Electron Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0578845B2 (ja) | 1993-10-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |