JPS6317546A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6317546A
JPS6317546A JP16140886A JP16140886A JPS6317546A JP S6317546 A JPS6317546 A JP S6317546A JP 16140886 A JP16140886 A JP 16140886A JP 16140886 A JP16140886 A JP 16140886A JP S6317546 A JPS6317546 A JP S6317546A
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JP
Japan
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plate
electrode
semiconductor device
molybdenum
transistor chip
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JP16140886A
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Hiroshi Ando
宏 安藤
Yoshio Takagi
義夫 高木
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置に係シ、特に半導体チップマクン
ト部の構造に関するものである。
〔従来の技術〕
第３図（ａ）　、　（ｂ）は従来の半導体装置の内部構
造の一部を示す平面図、側面図である。同図において、
１は銅ベース板、２はアルミナ絶縁基板で半田付部には
メタライズが施されている。３はベース電極、４はエミ
ッタ電極、５はコレクタ電極板であシ、ペース電極３．
エミッタ電極４およびコレクタ電極板５は銅製で表面に
Ｎｉメッキが施されている。６はモリブデン板、７はト
ランジスターチップ、８はアルミワイヤ、９はトランジ
スターチップ７とモリブデン板６との間を接合する高温
半田層、１０は低温半田層でがる。
このように構成される半導体装置は、半導体装置の集積
度が高まるにしたがってベース電極３とコレクタ電極板
５との間の間隔およびエミッタ電極４とコレクタ電極５
との間の間隔が狭くなる。
また、モリブデン板６およびコレクタ電極板５はトラン
ジスターチップ７の熱放散を考えると、可能な限シ大き
くすることが望ましい。この結果、アルミワイヤボンデ
ィング時に図中、Ａ、Ｂ部で示すようにモリブデン板６
とアルミワイヤＢとが接触し易くなる。こ・のようなワ
イヤ接触が発生すると、ワイヤボンド工程の後でアルミ
ワイヤａｔ−１本ずつ整形する必要があるだけでなく、
アルミワイヤ８とモリブデン板６とが極めて接近してい
る場合、製造工程中ではこのワイヤ接触が発見されず、
素子が動作を始めてから接触していることが判明し、重
大な不良となる可能性もある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置は、以上のように構成されているので
、その高集積化に伴い、ボンディングワイヤの整形を必
要とし、また、ワイヤがモリブデンなど半導体チップ下
の金属板に接触しゃすく、致命的な不良が発生しやすい
という問題があった。
また、このボンディングワイヤ接触の問題が高集積化、
小型化への弊害となっていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体装置の集積度を上げてもボンディング
ワイヤが半導体チップ下の金属板に接触しに＜〈、高集
積化、小型化を可能とした半導体装置を得ることを目的
とする。
〔問題点を解決するだめの手段〕
この発明に係る半導体装置は、半導体チップ下に設けら
れた金属板を角錐台形とすることにょシ。
半導体装置が高集積化、小型化された場合でもボンディ
ングワイヤが金属板などに接触しにくい構造としたもの
である。
〔作用〕
この発明における半導体装置は、半導体チップ下に設け
られた金属板を角錐台形に形成することによシ、ポンデ
ィングワイヤが金属板などに接触しにくくなる。
〔実施例〕
以下、図面を用いてこの発明の詳細な説明する。
第１図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す図
で同図（、）は平面図、同図（′ｂ）はその断面図でラ
シ、前述の図と同一部分には同一符号を付しである。同
図において、１１はトランジスタチップＴの下に設けら
れたモリブデン板でアシ、このモリブデン板１１は、ト
ランジスタチップ７との接合面側の角部が面取シされ、
傾斜面１１ｍを有する角錐台形に形成されている。この
角錐台形はモリブデン板１１の上部側に形成され、その
下部側は角柱形で形成されている。
このような構成によれば、モリブデン板１１は。
トランジスタチップフ側角部に傾斜面１１ｍを有する角
錐台形に形成されているので、トランジスタチップＴと
ペース電極３．エミッタ電極４との間にワイヤボンドさ
れたアルミワイヤ８がモリブデン板１１と極めて接触し
にくい構造となる。これによってベース電極３とコレク
タ電極板５との間の間隔およびエミッタ電極４とコレク
タ電極板５との間の間隔をせまくすることができ、また
、モリブデン板１１の形状も大きくすることができ、ト
ランジスタチップ７の熱放散をそこなわずに。
小凰化、高集積化を行なうことができる。
第２図はこの発明における他の実施例を示すものである
。同図において、１２は側面に傾斜面１２ｍが形成され
、全体形状が角錐台形に形成されたそリブデン板である
。このような構成においても第１図と全く同様の効果を
奏する。
なお、上記実施例においては、金属板としてモリブデン
板を用いた場合について説明したが、これが銅などの他
の金属でも良い。また、ボンディングワイヤもアルミワ
イヤ以外の金ワイヤなどでも良いことは明白であシ、さ
らにボンディングもウェッジボンディング、ボールボン
ディングのどちらでも同様の効果を奏する。また１本実
施例においては、半導体チップはトランジスタとして図
示し説明したが、これが他の半導体チップ、ダイオード
などでも良いことは明白であシ、電極板が絶縁形放熱基
板の導電パターンであるとしても同様の効果を奏するこ
とは明白である。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、半導体チップ下
の金属板を角錐台形に形成することにょシ、ボンディン
グワイヤが金属板などに接触しにくい構造となシ、半導
体装置の集積度を、信頼性をそこなうことなく、向上す
ることができ、小型化を図ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す平
面図、側面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す平
面図、側面図、第３図は従来の半導体装置を示す平面図
、側面図である。 ３・・１１＠ペース電極、４・・・・エミッタ電極、５
・・・・コレクタ電極板、７・・・・半導体チップ、８
・・・・ボンディングワイヤ、９・・・・高温半田層、
１０・・・・低温半田層、１１・・Φ・モリブデン板、
１１ａ・・・・傾斜面、１２・・・・モリブデン板、１
２ａ・・・・傾斜面。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属板上に半導体チップを搭載し、前記金属板を電極板
    上に接合配置するとともに半導体チップと電極とをワイ
    ヤボンドさせた半導体装置において、前記金属板を角錐
    台形に形成したことを特徴とする半導体装置。
JP16140886A 1986-07-09 1986-07-09 半導体装置 Pending JPS6317546A (ja)

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JP16140886A JPS6317546A (ja) 1986-07-09 1986-07-09 半導体装置

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JP16140886A Pending JPS6317546A (ja) 1986-07-09 1986-07-09 半導体装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231877A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Sony Corp 素子配列型装置、素子配列型装置の製造方法、及び画像表示装置
JP2006229568A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Kyocera Corp 高周波線路−導波管変換器および電子装置

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