JPS6317300A - 石英ガラス製炉芯管 - Google Patents
石英ガラス製炉芯管Info
- Publication number
- JPS6317300A JPS6317300A JP61160608A JP16060886A JPS6317300A JP S6317300 A JPS6317300 A JP S6317300A JP 61160608 A JP61160608 A JP 61160608A JP 16060886 A JP16060886 A JP 16060886A JP S6317300 A JPS6317300 A JP S6317300A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- furnace core
- core tube
- main body
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 abstract 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005338 frosted glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェーハの熱処理に用いられる石英ガ
ラス製炉芯管の改良に関し、特に炉芯管本体の端部近傍
を微細気泡入り半透明石英ガラスで構成することにより
、炉芯管端部刃・らの輻射熱を低減した炉芯管の提供を
目的とする。
ラス製炉芯管の改良に関し、特に炉芯管本体の端部近傍
を微細気泡入り半透明石英ガラスで構成することにより
、炉芯管端部刃・らの輻射熱を低減した炉芯管の提供を
目的とする。
（従来の技術とその問題点）
一般に、半導体ウェーハの熱処理に使用される炉芯管↓
は、第５図に示すように、処理物の搬出入側端部２が熱
処理用横型炉３から露出し装着されている。このため加
熱体４で加熱を行なうと、石英ガラスは赤外線の透過性
がきわめて高いので。
は、第５図に示すように、処理物の搬出入側端部２が熱
処理用横型炉３から露出し装着されている。このため加
熱体４で加熱を行なうと、石英ガラスは赤外線の透過性
がきわめて高いので。
赤外線による輻射熱の一部が石英ガラスを通して搬出入
側端部２に達し、端部近傍の温度を上昇させ、さらに熱
エネルギーを無駄に外部へ捨てることになる。また搬出
入側端部２の温度が上がると、これと嵌合している蓋５
にとりつけたシール用ゴムパツキン（図示せず）等が劣
化し、密閉性が悪くなり、また蓋５の排気管６に結合し
ている有機材系の配管（図示せず）が焼損し易いという
不利があるので、これらの改良が望まれていた。
側端部２に達し、端部近傍の温度を上昇させ、さらに熱
エネルギーを無駄に外部へ捨てることになる。また搬出
入側端部２の温度が上がると、これと嵌合している蓋５
にとりつけたシール用ゴムパツキン（図示せず）等が劣
化し、密閉性が悪くなり、また蓋５の排気管６に結合し
ている有機材系の配管（図示せず）が焼損し易いという
不利があるので、これらの改良が望まれていた。
この対策として、搬出入側端部２の表面をスリガラスに
し、これによって輻射熱の外部への洩れを抑制する提案
があるが、この効果は必ずしも充分ではなく、しかも端
部の温度上昇をおさえることはできない。そのうえ表面
をスリガラスに加工すると、ここには微細な粉塵が付着
し易く、これは洗浄しても完全に除去することは不可能
で、この粉塵が半導体ウェーハを汚染するという不利が
ある。さらにスリ合せ加工によりマイクロクラックげ多
数発生して炉芯管の機械的強度を低下させる。
し、これによって輻射熱の外部への洩れを抑制する提案
があるが、この効果は必ずしも充分ではなく、しかも端
部の温度上昇をおさえることはできない。そのうえ表面
をスリガラスに加工すると、ここには微細な粉塵が付着
し易く、これは洗浄しても完全に除去することは不可能
で、この粉塵が半導体ウェーハを汚染するという不利が
ある。さらにスリ合せ加工によりマイクロクラックげ多
数発生して炉芯管の機械的強度を低下させる。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、前記問題点を検討し、これを解決する手
段として本発明を完成したものであって。
段として本発明を完成したものであって。
これは石英ガラス製炉芯管において、炉芯管本体の端部
近傍さらには該本体に付属する石英ガラス製部品を微細
気泡入り半透明石英ガラスで構成したことを特徴とする
石英ガラス製炉芯管を要旨とするものである。
近傍さらには該本体に付属する石英ガラス製部品を微細
気泡入り半透明石英ガラスで構成したことを特徴とする
石英ガラス製炉芯管を要旨とするものである。
（作用）
以下図面によって本発明を説明する。
第１図（ａ）に例示するように１本発明の石英ガラス製
炉芯管上は、右端が処理物を出し入れする搬出入側端部
２である。前述したように本発明では、この搬出入側端
部２が微細気泡７を含む石英ガラスから構成されている
半透明部８を有することが重要な点である。かかる本発
明の炉芯管上の中央を加熱体４によって加熱すると、炉
芯管内に収容されている処理物（図示せず）は所望温度
に加熱される。輻射熱の一部は石英ガラスを透過して炉
芯管の搬出入側端部２に達するが、半透明部８に含まれ
ている微細気泡７により散乱、反射され、端部近傍の温
度上昇が防がれる。
炉芯管上は、右端が処理物を出し入れする搬出入側端部
２である。前述したように本発明では、この搬出入側端
部２が微細気泡７を含む石英ガラスから構成されている
半透明部８を有することが重要な点である。かかる本発
明の炉芯管上の中央を加熱体４によって加熱すると、炉
芯管内に収容されている処理物（図示せず）は所望温度
に加熱される。輻射熱の一部は石英ガラスを透過して炉
芯管の搬出入側端部２に達するが、半透明部８に含まれ
ている微細気泡７により散乱、反射され、端部近傍の温
度上昇が防がれる。
このとき微細気孔の大きさは１５〜１０００．ｎである
ことが適当で、この範囲より小さいと製造が困難であり
、一方大きいと機械的強度が低下する。
ことが適当で、この範囲より小さいと製造が困難であり
、一方大きいと機械的強度が低下する。
また、半透明部８は第１図（ｂ）に示すように、尾管側
端部９に設けてもよく、さらに（ｃ）に示すように、搬
出入側端部２と尾管側端部９の両側に設ければ前記効果
は一層大きい。
端部９に設けてもよく、さらに（ｃ）に示すように、搬
出入側端部２と尾管側端部９の両側に設ければ前記効果
は一層大きい。
半透明部８は端部先端まで設けず、第２図（ａ）、（ｂ
）、（Ｃ）に示すように、やや内側に設けても同様の効
果を得ることができる。
）、（Ｃ）に示すように、やや内側に設けても同様の効
果を得ることができる。
さらに本発明の炉芯管では、本体に限らず、これに付属
する石英ガラス部品、たとえば第３図に示すように、尾
管１０．枝管１１あるいは排気管６の先端近くに半透明
部８を設ければ、これらに接続する有機材系配管の焼損
を防ぐことができ、また第４図（ａｌ）、（ｂｌ）およ
び（ａ２）、（ｂ２）に示すように、蓋１２あるいは取
手１３を半透明ガラスとすれば、これらが過熱しないた
め取り扱い易い。
する石英ガラス部品、たとえば第３図に示すように、尾
管１０．枝管１１あるいは排気管６の先端近くに半透明
部８を設ければ、これらに接続する有機材系配管の焼損
を防ぐことができ、また第４図（ａｌ）、（ｂｌ）およ
び（ａ２）、（ｂ２）に示すように、蓋１２あるいは取
手１３を半透明ガラスとすれば、これらが過熱しないた
め取り扱い易い。
（実施例）
１０５０℃に加熱した炉長２０００ ＋ｍ、均熱長１０
００ｍｍの半導体ウェーハ熱処理用横型炉内に、長さ２
３００ ｍの石英ガラス製炉芯管を装着した。このとき
両端部は各々１５０ｍづつ炉外部に露出していた。Ｎｏ
。
００ｍｍの半導体ウェーハ熱処理用横型炉内に、長さ２
３００ ｍの石英ガラス製炉芯管を装着した。このとき
両端部は各々１５０ｍづつ炉外部に露出していた。Ｎｏ
。
１、Ｎｏ、２は本発明の炉芯管で、Ｎｏ、１は搬出入側
端部より１０Ｇｍを微細気泡を含む半透明石英ガラスと
し、Ｎｏ、２は搬出入側端部および尾管側端部よりおの
おの１０Ｇを微細気泡を含む半透明石英ガラスとした。
端部より１０Ｇｍを微細気泡を含む半透明石英ガラスと
し、Ｎｏ、２は搬出入側端部および尾管側端部よりおの
おの１０Ｇを微細気泡を含む半透明石英ガラスとした。
炉芯管Ｎ０１３は従来どおり搬出入側端部よりｌ０ＱＩ
Ｉをスリガラスとし、炉芯管Ｎｏ、４は半透明、石英ガ
ラスを全く用いないで全体を透明石英ガラスとした。
Ｉをスリガラスとし、炉芯管Ｎｏ、４は半透明、石英ガ
ラスを全く用いないで全体を透明石英ガラスとした。
上記炉芯管Ｎｏ、１〜４を、半導体ウェーハ熱処理用横
型炉内で３０分加熱した後、各炉芯管両端部の温度を測
定した結果を第１表に示す。
型炉内で３０分加熱した後、各炉芯管両端部の温度を測
定した結果を第１表に示す。
第１表
このように、本発明の炉芯管Ｎｏ、１、Ｎｏ、２は従来
の炉芯管Ｎｏ、３、Ｎｏ、４に比べ、端部温度が明らか
に低温化されている。
の炉芯管Ｎｏ、３、Ｎｏ、４に比べ、端部温度が明らか
に低温化されている。
（発明の効果）
以上説明したように、炉芯管の端部を微細気泡を含む石
英ガラスの半透明部とすることにより加熱エネルギーの
ロスが少なく、端部近傍の温度上昇がおさえられ、ガス
洩れまたはシール用ゴムパツキン等の劣化を防止し、あ
るいは尾管、枝管または排気管等につなぐ有機材系の配
管の焼損もないので、本発明は産業上すぐれたものであ
る。
英ガラスの半透明部とすることにより加熱エネルギーの
ロスが少なく、端部近傍の温度上昇がおさえられ、ガス
洩れまたはシール用ゴムパツキン等の劣化を防止し、あ
るいは尾管、枝管または排気管等につなぐ有機材系の配
管の焼損もないので、本発明は産業上すぐれたものであ
る。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および第２図（ａ）、（
ｂ）、（ｃ）および第３図は本発明を例示する、端部に
半透明石英ガラス部分を設けた炉芯管の正面図を、第４
図（ａｌ）、（ｂｌ）はそれぞれ本発明を例示する蓋を
半透明石英ガラスとした炉芯管の側面図、正面図を、第
４図（ａ ２）。 （ｂ２）はそれぞれ本発明を例示する取手を半透明石英
ガラスとした炉芯管の側面図、正面図を。 第５図は従来の炉芯管を熱処理用横型炉に装着したとき
の説明図を示す。 １ ・・・炉芯管、 ２・・・搬出入側端部
、３・・・熱処理用横型炉、 ４・・・加熱体、５・・
・蓋、 ６・・・排気管。 ７・・・泡、 ８・・・半透明部、９・
・・尾管側端部、 １０・・・尾管。 １１・・・枝管、 １２・・・蓋。 １３・・・取手。
ｂ）、（ｃ）および第３図は本発明を例示する、端部に
半透明石英ガラス部分を設けた炉芯管の正面図を、第４
図（ａｌ）、（ｂｌ）はそれぞれ本発明を例示する蓋を
半透明石英ガラスとした炉芯管の側面図、正面図を、第
４図（ａ ２）。 （ｂ２）はそれぞれ本発明を例示する取手を半透明石英
ガラスとした炉芯管の側面図、正面図を。 第５図は従来の炉芯管を熱処理用横型炉に装着したとき
の説明図を示す。 １ ・・・炉芯管、 ２・・・搬出入側端部
、３・・・熱処理用横型炉、 ４・・・加熱体、５・・
・蓋、 ６・・・排気管。 ７・・・泡、 ８・・・半透明部、９・
・・尾管側端部、 １０・・・尾管。 １１・・・枝管、 １２・・・蓋。 １３・・・取手。
Claims (1)
- 石英ガラス製炉芯管において、炉芯管本体の端部近傍さ
らには該本体に付属する石英ガラス製部品を微細気泡入
り半透明石英ガラスで構成したことを特徴とする石英ガ
ラス製炉芯管。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61160608A JPS6317300A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 石英ガラス製炉芯管 |
| KR1019870001654A KR900003251B1 (ko) | 1986-07-08 | 1987-02-26 | 석영유리제 노심관 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61160608A JPS6317300A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 石英ガラス製炉芯管 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5782594A Division JPH0774122A (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 石英ガラス製の炉芯管 |
| JP5777494A Division JPH0774121A (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 石英ガラス製炉芯管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6317300A true JPS6317300A (ja) | 1988-01-25 |
| JPH0468279B2 JPH0468279B2 (ja) | 1992-10-30 |
Family
ID=15718619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61160608A Granted JPS6317300A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 石英ガラス製炉芯管 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6317300A (ja) |
| KR (1) | KR900003251B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01162234U (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-10 | ||
| JPH1053499A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | ウエーハ熱処理装置及びそのウエーハ装填方法 |
| JPH10163122A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Fukui Shinetsu Sekiei:Kk | 半導体ウエハの熱処理装置及び炉心管 |
| JP2005526370A (ja) * | 2001-05-14 | 2005-09-02 | セムコ エンジニアリング エス．アー． | 減圧下でのシリコンウェーハのドーピング、拡散、および酸化の方法と装置 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP61160608A patent/JPS6317300A/ja active Granted
-
1987
- 1987-02-26 KR KR1019870001654A patent/KR900003251B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01162234U (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-10 | ||
| JPH1053499A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | ウエーハ熱処理装置及びそのウエーハ装填方法 |
| JPH10163122A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Fukui Shinetsu Sekiei:Kk | 半導体ウエハの熱処理装置及び炉心管 |
| JP2005526370A (ja) * | 2001-05-14 | 2005-09-02 | セムコ エンジニアリング エス．アー． | 減圧下でのシリコンウェーハのドーピング、拡散、および酸化の方法と装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0468279B2 (ja) | 1992-10-30 |
| KR900003251B1 (ko) | 1990-05-12 |
| KR880002240A (ko) | 1988-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6317300A (ja) | 石英ガラス製炉芯管 | |
| TW355820B (en) | Heat treatment method for a silicon wafer and a silicon wafer heat-treated by the method | |
| EP0614216A4 (en) | APPARATUS FOR FORMING AN OXIDE FILM, HOT PROCESSING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF. | |
| CN104157533A (zh) | 一种行波管阴极的玻管真空包装方法 | |
| CN103849735A (zh) | 节能型热处理加热炉 | |
| JPS6358822A (ja) | 石英ガラス製ウエ−ハ搬送・保持用治具 | |
| JPH0774121A (ja) | 石英ガラス製炉芯管 | |
| JPH0513400A (ja) | 治具洗浄乾燥方法および装置 | |
| JPH0542812B2 (ja) | ||
| JPS57112033A (en) | Unit for chemical vapor growth | |
| JPS6335091B2 (ja) | ||
| JPS59179791A (ja) | 核燃料棒用被覆管の表面処理方法 | |
| JPH0493026A (ja) | 絶縁膜形成装置 | |
| JPS5443679A (en) | Thermal oxidation method of semiconductor device | |
| JPH02290490A (ja) | 縦型熱処理炉 | |
| JPS56150821A (en) | Boat for heat treatment of semiconductor | |
| JPS5829259B2 (ja) | 黒色石英ガラス | |
| JPS6221001Y2 (ja) | ||
| JPH0851083A (ja) | 縦型熱処理炉 | |
| JPS55144437A (en) | Producing optical fiber matrix | |
| JPS54102865A (en) | Core tube for semiconductor device diffusion | |
| JPS62123713A (ja) | ウエハチヤ−ジ治具及びウエハ表面処理方法 | |
| JPS59194428A (ja) | プロセスチユ−ブ | |
| JPS54159169A (en) | Impurity diffusion method to semiconductor | |
| JPS57155735A (en) | Manufacture of semiconductor device |