JPH1053499A - ウエーハ熱処理装置及びそのウエーハ装填方法 - Google Patents

ウエーハ熱処理装置及びそのウエーハ装填方法

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JPH1053499A
JPH1053499A JP8224401A JP22440196A JPH1053499A JP H1053499 A JPH1053499 A JP H1053499A JP 8224401 A JP8224401 A JP 8224401A JP 22440196 A JP22440196 A JP 22440196A JP H1053499 A JPH1053499 A JP H1053499A
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Abstract

(57)【要約】 石英ガラス製ウエーハ支持治具を用いた場合においても
熱降下や均熱性を維持しつつ而も装置の大型化の抑制や
パーティクルの発生を抑え、高い熱遮断性を維持し得る
枚葉式熱処理装置の提供を目的とする。 【解決手段】半導体ウェーハを1又は2枚直立支持させ
る石英ガラス製ウエーハ支持治具と、前記支持治具に支
持された半導体ウエーハを包被し該ウエーハの熱処理空
間を形成する石英ガラス製反応容器とからなり、前記反
応容器をウエーハ熱処理面側を偏平状の偏平ドーム状に
形成するとともに、前記容器下側開口より延出する前記
支持治具の石英ガラス製延出部の少なくとも一部を泡入
若しくは他の手段により不透明化した不透明部位が存在
することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
拡散処理、酸化処理、減圧CVDなどに使用される半導
体ウェーハ熱処理装置及びそのウエーハ装填方法に係わ
り、特にウェーハを直立状に収納する枚葉式の半導体ウ
ェーハの熱処理装置及びそのウエーハ装填方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より半導体ウェーハの熱処理をする
場合、複数枚のウェーハをウェーハボート積層配設載置
して、反応容器内での一括熱処理するバッチ方式が採用
されている。この方式では、ウェーハとボートとの接触
部分近傍で生じる気流の乱れや、ウェーハを多段積層す
ることで気流に乱れを起し投入ウェーハを均質に処理す
ることは困難であった。また、ウェーハの口径の大口径
化につれ、前記バッチ処理方式では重量負担に対応する
ボート及び支持部の製作が困難であること、また、大口
径化に伴う反応容器の大型化、加熱温度分布やガス分布
の均一化、加熱源の無用の増大化につながり、ウェーハ
の大口径化に対応するのには従来のバッチ方式では対処
困難な種々の問題点があった。さらに、次世代の、64
M、1G等の高集積密度化の半導体製造プロセスではサ
ブミクロン単位の精度が要求され、複数枚のウェーハを
一括処理するバッチシステムではウェーハの積層位置や
ガス流の流入側と排出側とはそれぞれ処理条件にバラツ
キを生じ、また積層されたウェーハ相互間で影響を及ぼ
し合い、またボートの接触部位よりパーティクル等が発
生し、高品質の加工は困難であった。
【0003】上記問題解決のため、一枚若しくは2枚の
ウェーハ毎に熱処理を行なう枚葉式熱処理装置が注目さ
れ、種々の提案がなされているが、例えば特開平5ー2
91154号公報に開示されている熱処理装置において
は、サセプタの下方に設けた加熱源によりサセプタ上に
水平状に載置したウェーハを、低圧反応ガス雰囲気中で
加熱してウェーハ上に成膜するようにしてある。上記水
平状にウェーハを載置する場合は、ウェーハに自重によ
る撓みの発生、反応容器が大型になる、従って加熱源等
の動力源も大きくなる。等の問題がある。
【0004】そこで、本発明者等は、ウェーハの大口径
化と次世代の64M、1G等の高集積密度化に対処すべ
く、枚葉式のウェーハ熱処理装置の開発に携わつてきた
が、収納するウェーハの大きさに対し、必要最小限の大
きさを確保できる形状を持つ枚葉反応容器とウェーハの
直立支持装置を備えた半導体ウェーハの熱処理装置に関
する提案を特願平8ー24823に提案している。(非
公知)
【0005】上記提案においては、ウェーハの収納姿勢
は直立タイプであり、またウェーハ表面への熱分布を均
一と反応ガス流の分布も一様にするため、ウェーハの熱
処理面に対し扁平形状とした扁平ドーム状とし、反応容
器の大きさを必要最小限に押さえる構成としてある。即
ち、図7に示すように、偏平ドーム状の反応容器50と
該容器内にウエーハ10を直立支持する支持治具40と
前記反応容器50の偏平側に対面して配設した一対の平
板状発熱体60からなり、そして反応容器50は、透明
石英ガラスよりなる反応容器本体52の下側開口52a
に非透明石英ガラスよりなるフランジ51を溶接接合す
るとともに、必要に応じて反応ガスは容器52の上部流
入孔53より流入し下部排出孔58より排出するように
してある。また、支持治具40は石英ガラス若しくは炭
化珪素よりなり、前記ウエーハを直立に支持する支持治
具本体41と、該支持治具本体41より容器外に垂下す
る支持棒43(延出部)と、該支持棒43の途中に介在
させ、前記フランジ下面にOリング54を介して密閉す
るベース体42(延出部)からなる。
【0006】上記提案によれば、前記反応容器50は薄
肉を図っても真空強度がある。肉薄の為に軽量化が図れ
る。内側曲面に沿ってガスの流れが良い。等の利点を持
っているが、前記反応容器50内の処理空間は600〜
1000℃前後の高温で熱処理を行うために、前記支持
棒43を介して処理空間内の熱が容器50外に伝搬し、
而も図7に示す装置は容器内空間をウエーハ形状に合せ
て省スペース化しているために、熱降下や均熱性の維持
に困難を有し、結果として高品質のウエーハ熱処理が困
難となる。又前記支持棒43を透明石英ガラスで形成し
た場合、フランジのシール部分に高温が伝搬するのみな
らず、前記支持棒43の基端側に後記する昇降治具や起
伏治具を配した場合その部分にも熱伝搬が生じ、これら
も含めて耐熱治具で構成する事はコスト等からみても問
題である。
【0007】かかる欠点を解消するために、支持治具4
0自体を不透明のSiC等で形成することも考えられる
が、前記構成をとると石英ガラスに比較してSiCは不
純物が多く又パーティクルも発生しやすいために、結果
として高品質のウエーハ熱処理が困難となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の欠点に鑑み、石英ガラス製ウエーハ支持治具を用
いた場合においても熱降下や均熱性を維持しつつ而も装
置の大型化の抑制やパーティクルの発生を抑え、高い熱
遮断性を維持し得る枚葉式熱処理装置の提供を目的とし
たものである。本発明の他の目的は、2枚のウエーハを
直立支持可能にウエーハ支持溝を背中合せに夫々該当位
置に2つづつ配設した石英ガラス製ウエーハ支持治具4
0を反応容器より装出可能に構成したウエーハ熱処理装
置のウエーハ装填方法において容易に且つ簡単な構造で
自動化を達成し得るウエーハ装填方法を提供する事を目
的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
前記第1の目的を達成する為に、半導体ウェーハを1又
は2枚直立支持させる石英ガラス製ウエーハ支持治具
と、前記支持治具に支持された半導体ウエーハを包被し
該ウエーハの熱処理空間を形成する石英ガラス製反応容
器とからなり、前記反応容器をウエーハ熱処理面側を偏
平状の偏平ドーム状に形成するとともに、前記容器下側
開口より延出する前記支持治具の石英ガラス製延出部の
少なくとも一部を泡入若しくは他の手段により不透明化
した不透明部位が存在することを特徴とするウエーハ熱
処理装置を提案する。
【0010】かかる発明によれば前記先願技術と同様
に、ウエーハの熱処理面側の反応容器を偏平化している
為に、その分発熱体を接近させることができ、結果とし
て装置の小型化と加熱源等の動力源も小さくする事が出
来る。又前記反応容器の内部表面への輻射熱の熱分布及
び反応ガス流の分布も一様にするとともに、収納するウ
エーハの大きさに対し、必要最小限の大きさを確保でき
るとともに、高温熱処理にも対処でき、高能率、高精度
の枚葉式のウエーハ熱処理装置を得る事が出来る。
【0011】そして特に本発明は、反応容器下側開口5
2aより延出する前記支持治具の石英ガラス製延出部の
少なくとも一部を泡入若しくは他の手段により不透明化
した為に加熱処理空間内で加熱処理した高温が、前記不
透明部位で遮断され、前記支持棒43を介して処理空間
内の熱が容器外に伝搬しようとした場合でも前記不透明
部位で阻止され、処理空間内の熱降下や均熱性の維持が
可能となり、結果として高品質のウエーハ熱処理が出来
る。又前記支持棒と一体化したベース体も非透明石英ガ
ラス材で形成され延出部位の一部として機能する。
【0012】これによりフランジのシール部分に高温が
伝搬する恐れがなく、前記支持棒43の不透明部位とあ
いまって支持棒基端側に後記する昇降治具や起伏治具を
配した場合その部分にも熱伝搬が生じる恐れがなく、こ
れらを耐熱治具で構成する必要がなくなる。
【0013】この場合、前記ウエーハ支持治具を反応容
器より装出可能に上下動手段を設けるとともに、前記支
持治具が反応容器より装出した際に、前記支持治具がウ
エーハ装填側に起伏可能に構成する事により、次の発明
を容易に達成し得る。
【0014】さて効率化を図る為に、前記支持治具に、
熱処理面が外側(容器側と対面する側)を向くように2
枚のウエーハを直立支持させる2枚熱処理方式を採る場
合がある。この場合ウエーハ支持治具は装填/抜出の容
易化を図る為に、前記したように反応容器下側開口52
aより前記支持治具を抜出した後、ほぼ水平方向に傾動
(伏設)させ、前記2枚のウエーハを装填/抜出する訳
であるが、上側ウエーハについては加熱処理面が上側、
下側ウエーハについては加熱処理面が下側であるため
に、加熱処理面を上側に積層配置した第1のウエーハス
トッカと、加熱処理面を下側に積層配置した第2のウエ
ーハストッカの、2種類のストッカを必要とし結果とし
て装填作業の煩雑化のみならず、自動化が困難になる。
【0015】そこで請求項3記載の発明は、2枚のウエ
ーハをウエーハ支持溝に背中合せに夫々配設した石英ガ
ラス製ウエーハ支持治具を反応容器より装出可能に構成
したウエーハ熱処理装置のウエーハ装填方法において、
前記支持治具起立位置を挟んで左右両側に第1及び第2
のウエーハ装填部を設け、前記支持治具が夫々左右夫々
のウエーハ装填側に向け伏設可能に構成するとともに、
前記支持治具を第1のウエーハ装填部に伏設した状態で
1枚のウエーハを装填若しくは抜出し、その後前記支持
治具を第2の装填部に反転伏設した後、2枚目のウエー
ハを装填/抜出されることを特徴とするものである。か
かる発明によれば、第1の装填位置で上側ウエーハを、
反転した第2の装填位置で下側ウエーハを挿入する事に
より、加熱処理面を上側に積層配置した一のウエーハス
トッカのみで加熱処理面が夫々外側に向けて装填する事
が出来、結果として装填作業の容易化と自動化が達成し
得る。
【0016】又請求項4記載のように2枚のウエーハを
ウエーハ支持溝に背中合せに夫々配設した石英ガラス製
ウエーハ支持治具を反応容器より装出可能に構成したウ
エーハ熱処理装置のウエーハ装填方法において、前記支
持治具起立位置の一側に1のウエーハ装填部を設け、前
記支持治具が前記ウエーハ装填側に向け伏設可能に構成
するとともに、前記支持治具を一のウエーハ装填部に伏
設した状態で1枚のウエーハを装填若しくは抜出し、そ
の後前記支持治具を起立させ180°軸中心に回転させ
た後、再度一のウエーハ装填部に伏設した状態で1枚の
ウエーハを装填若しくは抜出し2枚目のウエーハを装填
/抜出されるようにしてもよい。かかる発明において
も、180°反転してウエーハを装填するために、見掛
け上常に上側ウエーハが装入される事となり、加熱処理
面を上側に積層配置した一のウエーハストッカのみで加
熱処理面が夫々外側に向けて装填する事が出来、結果と
して装填作業の容易化と自動化が達成し得るのみなら
ず、請求項3記載のように左右両側にウエーハストッカ
を用意する必要がなく一側のみに一つのウエーハストッ
カを用意すれば足りる。尚、前記いずれの場合も、前記
熱処理面側に位置する支持治具の支持溝をウエーハ挿入
端側に向けテーパ状に拡開して構成するのがよい。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施例を例示的に詳しく説明する。但しこの実施例
に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相
対的配置等は特に特定的な記載がないかぎりは、この発
明の範囲をそれに限定する趣旨ではなく、単なる説明例
にすぎない。図1及び図2は本発明の実施例に係る枚葉
式熱処理装置の一例を示す概略構成図で、図1は一枚の
ウエーハを加熱処理するもの、図2は2枚のウエーハを
加熱処理するものである。
【0018】図1に示す熱処理装置は、偏平ドーム状の
反応容器50と該容器内にウエーハを直立支持する支持
治具40と前記反応容器50の偏平側に対面して配設し
た一対の平板状発熱体60からなり、前記反応容器50
はウェーハの熱処理面に対し扁平形状とした扁平ドーム
状とし、反応容器50の大きさを必要最小限に押さえる
とともに、該反応容器50は、透明石英ガラスよりなる
一体構成の反応容器本体52に非透明石英ガラス板から
なるフランジ51を溶接接合する。尚、必要に応じて反
応ガスは容器本体52の上部流入孔53より流入し下部
排出孔58より排出するようにしてある。
【0019】支持治具40は石英ガラス材よりなり、前
記ウエーハを直立に支持する支持治具本体41と、該支
持治具本体41より容器50外に垂下する支持棒43
(延出部)と、該支持棒43の途中に介在させ、前記フ
ランジ51下面にOリング54を介して密閉するベース
体42からなる。ウエーハ支持治具40はウエーハ10
を支持した状態で、反応容器50のフランジ51に係合
する昇降手段59により反応容器50を昇動させるか若
しくは支持治具40自体を下降させる事によりウエーハ
が容器下側開口52aより出し入れ可能に構成してあ
る。
【0020】なお、ウエーハ装填時には、該支持治具4
0のベース体42とフランジ51との間に介装したOリ
ング54を押圧して密閉可能の構成にしてある。また、
熱処理時には所定減圧下で、反応ガス供給管53より反
応ガスを反応容器50内に送り排出管58より排出さ
せ、各種成膜がなされる。この場合は反応ガスは反応容
器50の上部よりウエーハ10のそれぞれの熱処理面1
0aに添って淀みなく流れを形成し、均一な成膜を可能
にしてある。又、ウエーハ支持治具は後記するように1
枚のウエーハを3箇所で支持する3点方式や4箇所で支
持する4点方式等があるが特に限定されない。なお、図
2は、2枚のウエーハ10の加熱処理面が外側に位置す
るように互いに裏面を背中合わせに支持してある。
【0021】図3には、図1、図2の熱処理装置に使用
する反応容器50の構造をそれぞれ正面図を(A)に側
面図を(B)に示してあるが、側面図に見るように、球
状曲面を両面に持つフランジ51付き扁平ドーム状の反
応容器40を透明石英ガラス体で一体構造で形成し、フ
ランジ51のみ非透明の石英ガラス体で溶接接合し、反
応容器本体52から前記フランジ51を介して下部への
熱の伝播を防止する構造にしてある。なお、図に見るよ
うに、偏平球面の連続体により形成された偏平反応容器
50は収納する直立ウエーハに対し、必要最小限の大き
さを可能とする無駄のない形態の設計を可能にし、且つ
高真空強度と高耐熱衝撃度を具備させている。そのた
め、スペース効率も上がり、且つ拡散用処理熱の輻射を
可能にし、且つ内面の連続曲面により反応ガスの淀みな
い流れを可能にし、均一な成膜を可能にしている。
【0022】図4には、本発明のウエーハ支持治具40
の概略構成を示してある。図4の(A)は1枚3点式の
ウエーハ支持治具40の斜視図で、半円円弧状の円板状
支持台45の内周面の底部と左右上端面に支持溝部材4
6を固着する。支持溝部材46の溝形状は(B)に示す
ようにY字状、V字状等の形状が考えられるが、2枚の
ウエーハ10の加熱処理面が外側に位置するように互い
に裏面を背中合わせに支持させる場合には、ウエーハの
加熱処理面側がガイドとしてテーパ状に拡開されるよう
に、(C)に示すように中央の仕切壁461を挟んで両
外側の溝壁462がテーパ状(半Y字状)になるように
構成する。そして前記支持台45下面中央より支持棒4
3を垂下するとともに、その途中位置にフランジ51に
当接するためのベース体42を固着する。そして前記支
持棒43の途中位置、具体的には加熱処理域から外れた
ベース体42近傍域及びベース体42を泡入り石英ガラ
スで形成し非透明化43aし、熱遮断機能を持たせる。
【0023】次にかかる実施例に基づく熱処理装置のウ
エーハ装填方法について説明する。先ず、図5に示すよ
うに、前記支持治具40に1枚のウエーハを直立支持さ
せる場合には、前記ウエーハ支持治具本体41のウエー
ハ支持台45より垂下する支持棒43の基端側に起伏機
構が設けられており、前記したように反応容器50下側
開口52aより前記支持治具40を抜出した後(→
)、ほぼ水平方向に傾動(伏設)させ(→)、加
熱処理後の前記1枚のウエーハ10を抜出して処理済ウ
エーハストッカ62に装填した後、未処理ウエーハを未
処理ウエーハ収納ストッカ63より引出し、前記支持治
具40に装填させた後、起立させ所定の処理を行う。
【0024】さて効率化を図る為に、図2に示すよう
に、前記支持治具40に2枚のウエーハ10を直立支持
させる2枚熱処理方式を採る場合には、図6に示すよう
に、前記支持治具40起立位置を挟んで左右両側に処理
済ウエーハストッカ62と未処理ウエーハ収納ストッカ
63が夫々配置してなる第1及び第2のウエーハ装填部
70A、70Bを設け、前記支持治具40が起伏機構を
介して夫々左右夫々のウエーハ装填側に向け伏設可能に
構成する。そして前記したように2枚のウエーハを直立
支持させた支持治具40を反応容器50下側開口52a
より抜出した後(→)、第1のウエーハ装填部70
A側にほぼ水平方向に傾動(伏設)させ(→)、支
持溝462の上側に位置する加熱処理後の第1のウエー
ハ10を抜出して処理済ウエーハストッカ62に装填し
た後、未処理ウエーハ収納ストッカ63より未処理ウエ
ーハを引出し、前記上側支持溝462に装填させる。
【0025】次に、前記支持治具40を第2の装填部側
に180°反転伏設した後(→)、支持溝462の
下側に位置する加熱処理後の第2のウエーハ102を抜
出して処理済ウエーハストッカ62に装填した後、未処
理ウエーハ収納ストッカ63より未処理ウエーハを引出
し、前記下側支持溝462に装填させる。前記支持治具
40に2枚のウエーハ101、102を装填させた後、
起立させ所定の処理を行う。この場合、図4(C)に示
すようにウエーハ10の熱処理面10a側に位置する支
持治具本体41の支持溝46はウエーハ挿入端側に向け
テーパ状に拡開している為に支持溝46にウエーハ熱処
理面が衝接したりする事なく、パーティクルの発生が防
止される。
【0026】かかる実施例によれば、第1の装填位置で
上側ウエーハを、反転した第2の装填位置で下側ウエー
ハを挿入する事により、加熱処理面を上側に積層配置し
たウエーハストッカのみで加熱処理面が夫々外側に向け
て装填する事が出来、結果として装填作業の容易化と自
動化が達成し得る。
【0027】更に図8に示すようなウエーハ装填方式を
取ってもよい。すなわち前記支持治具40起立位置の一
側に処理済ウエーハストッカ62と未処理ウエーハ収納
ストッカ63を配置してなる一のウエーハ装填部70A
を設け、前記支持治具40が不図示の起伏機構を介して
ウエーハ装填側に向け伏設且つ軸を中心として180°
回転可能に構成する。そして前記したように2枚のウエ
ーハを直立支持させた支持治具40を反応容器50下側
開口52aより抜出した後(→)、一のウエーハ装
填部70A側にほぼ水平方向に傾動(伏設)させ(→
)、支持溝462の上側に位置する加熱処理後の第1
のウエーハ10を抜出して処理済ウエーハストッカ62
に装填した後、未処理ウエーハ収納ストッカ63より未
処理ウエーハを引出し、前記上側支持溝462に装填さ
せる。()
【0028】次に、前記支持治具40を直立に起立させ
且つ180°軸中心に回転させた後、()前記一のウ
エーハ装填部70A側にほぼ水平方向に傾動(伏設)さ
せ(→)、支持溝462の上側(180°反転によ
り下側に位置する加熱処理後の第2のウエーハ10が上
側になる)の第2のウエーハ10を抜出して処理済ウエ
ーハストッカ62に装填し、次に未処理ウエーハ収納ス
トッカ63より未処理ウエーハを引出し、180°反転
により上側となった前記下側支持溝462に装填させ
る。() 前記支持治具40に2枚のウエーハを装填させた後、起
立させ所定の処理を行う。(→)
【0029】かかる実施例によれば、上側ウエーハと下
側ウエーハが同一方向位置で挿入する事が出来る為に、
加熱処理面を上側に積層配置した一のウエーハストッカ
のみで加熱処理面が夫々外側に向けて装填する事が出
来、結果として装填作業の容易化と自動化が達成し得
る。
【0030】
【発明の効果】以上記載した如く請求項1記載の発明に
よれば、石英ガラス製ウエーハ支持治具40を用いた場
合においても熱降下や均熱性を維持しつつ而も装置の大
型化の抑制やパーティクルの発生を抑え、高い熱遮断性
を維持し得る。又請求項3及び4記載の発明によれば、
2枚のウエーハを直立支持可能にウエーハ支持溝を背中
合せに夫々該当位置に2つづつ配設した石英ガラス製ウ
エーハ支持治具40を反応容器50より装出可能に構成
したウエーハ熱処理装置のウエーハ装填方法において容
易に且つ簡単な構造で自動化を達成し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の枚葉式熱処理装置において、1枚のウ
エーハを収納した場合の概略の構成を示す断面図であ
る。
【図2】図1において2枚のウエーハを収納した場合の
概略の構成を示す断面図である。
【図3】図1に使用する反応容器の構造を示す図で、
(A)は正面図、(B)は側面図である。
【図4】図1のウエーハ支持治具の構成を示し、(A)
は1枚のウエーハの3点支持の場合を示す斜視図で、
(B)は1枚のウエーハ支持用の1溝支持溝部材を示す
斜視図で、(C)は2枚のウエーハ支持用の2溝支持溝
部材を示す斜視図である。
【図5】1枚のウエーハをウエーハ支持治具に配設した
ウエーハ熱処理装置のウエーハ装填方法を示す作用図で
ある。
【図6】2枚のウエーハをウエーハ支持溝に背中合せに
夫々配設した石英ガラス製ウエーハ支持治具を反応容器
より装出可能に構成したウエーハ熱処理装置のウエーハ
装填方法を示す作用図である。
【図7】先願技術の枚葉式熱処理装置において、1枚の
ウエーハを収納した場合の概略の構成を示す断面図であ
る。
【図8】2枚のウエーハをウエーハ支持溝に背中合せに
夫々配設した石英ガラス製ウエーハ支持治具を反応容器
より装出可能に構成したウエーハ熱処理装置のウエーハ
装填方法を示す作用図である。
【符号の説明】
40 支持治具 41 支持治具本体 42 ベース体 43 支持棒(延出部) 50 反応容器 60 平板状発熱体 51 フランジ 52 反応容器本体 53 上部流入孔 58 下部排出孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 H01L 21/68 A (72)発明者 鈴木 重治 山形県南陽市元中山353番地

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウェーハを1又は2枚直立支持さ
    せる石英ガラス製ウエーハ支持治具と、前記支持治具に
    支持された半導体ウエーハを包被し該ウエーハの熱処理
    空間を形成する石英ガラス製反応容器とからなり、 前記反応容器をウエーハ熱処理面側を偏平状の偏平ドー
    ム状に形成するとともに、前記容器下側開口より延出す
    る前記支持治具の石英ガラス製延出部の少なくとも一部
    に泡入若しくは他の手段により不透明化した不透明部位
    が存在することを特徴とするウエーハ熱処理装置。
  2. 【請求項2】 前記ウエーハ支持治具を反応容器より脱
    出可能に上下動手段を設けるとともに、前記支持治具が
    反応容器より脱出した際に、前記支持治具がウエーハ装
    填側に起伏可能に構成した事を特徴とする請求項1記載
    のウエーハ熱処理装置。
  3. 【請求項3】 2枚のウエーハをウエーハ支持溝に背中
    合せに夫々配設した石英ガラス製ウエーハ支持治具を反
    応容器より装出可能に構成したウエーハ熱処理装置のウ
    エーハ装填方法において、 前記支持治具起立位置を挟んで左右両側に第1及び第2
    のウエーハ装填部を設け、前記支持治具が左右夫々のウ
    エーハ装填側に向け伏設可能に構成するとともに、前記
    支持治具を第1のウエーハ装填部に伏設した状態で1枚
    のウエーハを装填若しくは抜出し、その後前記支持治具
    を第2の装填部に反転伏設した後、2枚目のウエーハを
    装填/抜出されることを特徴とするウエーハ装填方法。
  4. 【請求項4】 2枚のウエーハをウエーハ支持溝に背中
    合せに夫々配設した石英ガラス製ウエーハ支持治具を反
    応容器より装出可能に構成したウエーハ熱処理装置のウ
    エーハ装填方法において、 前記支持治具起立位置の一側に1のウエーハ装填部を設
    け、前記支持治具が前記ウエーハ装填側に向け伏設可能
    に構成するとともに、前記支持治具を一のウエーハ装填
    部に伏設した状態で1枚のウエーハを装填若しくは抜出
    し、その後前記支持治具を起立させ180°軸中心に回
    転させた後、再度一のウエーハ装填部に伏設した状態で
    1枚のウエーハを装填若しくは抜出し2枚目のウエーハ
    を装填/抜出されることを特徴とするウエーハ装填方
    法。
  5. 【請求項5】 前記熱処理面側に位置する支持治具の支
    持溝をウエーハ挿入端側に向けテーパ状に拡開して構成
    したことを特徴とする請求項3又は4記載のウエーハ装
    填方法。
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