JPH0468279B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0468279B2
JPH0468279B2 JP61160608A JP16060886A JPH0468279B2 JP H0468279 B2 JPH0468279 B2 JP H0468279B2 JP 61160608 A JP61160608 A JP 61160608A JP 16060886 A JP16060886 A JP 16060886A JP H0468279 B2 JPH0468279 B2 JP H0468279B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core tube
furnace core
quartz glass
furnace
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP61160608A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6317300A (ja
Inventor
Kyoichi Inagi
Hiroshi Kimura
Kazuo Nakamura
Katsuhiko Kenmochi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Quartz Products Co Ltd filed Critical Shin Etsu Quartz Products Co Ltd
Priority to JP61160608A priority Critical patent/JPS6317300A/ja
Priority to KR1019870001654A priority patent/KR900003251B1/ko
Publication of JPS6317300A publication Critical patent/JPS6317300A/ja
Publication of JPH0468279B2 publication Critical patent/JPH0468279B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウエーハの熱処理に用いられ
る石英ガラス製炉芯管の改良に関し、特に炉芯管
本体の端部近傍を微細気泡入り半透明石英ガラス
で構成するとにより、炉芯管端部からの輻射熱を
低減した炉芯管の提供を目的とする。 (従来の技術とその問題点) 一般に、半導体ウエーハの熱処理に使用される
炉芯管は、第5図に示すように、処理物の搬出
入側端部2が熱処理用横型炉3から露出し装着さ
れている。このため加熱体4で加熱を行なうと、
石英ガラスは赤外線の透過性がきわめて高いの
で、赤外線による輻射熱の一部が石英ガラスを通
して搬出入側端部2に達し、端部近傍の温度を上
昇させ、さらに熱エネルギーを無駄に外部へ捨て
ることになる。また搬出入側端部2の温度が上が
ると、これと嵌合している蓋5にとりつけたシー
ル用ゴムパツキン(図示せず)等が劣化し、密閉
性が悪くなり、また蓋5の排気管6に結合してい
る有機材系の配管(図示せず)が焼損し易いとい
う不利があるので、これらの改良が望まれてい
た。 この対策として、搬出入側端部2の表面をスリ
ガラスにし、これによつて輻射熱の外部への洩れ
を抑制する提案があるが、この効果は必ずしも充
分ではなく、しかも端部の温度上昇をおさえるこ
とはできない。そのうえ表面をスリガラスに加工
すると、ここには微細な粉塵が付着し易く、これ
は洗浄しても完全に除去することは不可能で、こ
の粉塵が半導体ウエーハを汚染するという不利が
ある。さらにスリ合せ加工によりマイクロクラツ
クが多数発生して炉芯管の機械的強度を低下させ
る。 (問題点を解決するための手段) 本発明者らは、前記問題点を検討し、これを解
決する手段として本発明を完成したものであつ
て、これは石英ガラス製炉芯管において、炉芯管
本体の端部近傍さらには該本体に付属する石英ガ
ラス製部品を微細気泡入り半透明石英ガラスで構
成したことを特徴とする石英ガラス製炉芯管を要
旨とするものである。 (作用) 以下図面によつて本発明を説明する。 第1図aに例示するように、本発明の石英ガラ
ス製炉芯管は、右端が処理物を出し入れする搬
出入側端部2である。前述したように本発明で
は、この搬出入側端部2が微細気泡7を含む石英
ガラスから構成されている半透明部8を有するこ
とが重要な点である。かかる本発明の炉芯管
中央を加熱体4によつて加熱すると、炉芯管内に
収容されている処理物(図示せず)は所望温度に
加熱される。輻射熱の一部は石英ガラスを透過し
て炉芯管の搬出入側端部2に達するが、半透明部
8に含まれている微細気泡7により散乱、反射さ
れ、端部近傍の温度上昇が防がれる。 このとき微細気孔の大きさは15〜1000μmであ
ることが適当で、この範囲より小さいと製造が困
難であり、一方大きいと機械的強度が低下する。 また、半透明部8は第1図bに示すように、尾
管側端部9に設けてもよく、さらにcに示すよう
に、搬出入側端部2と尾管側端部9の両側に設け
れば前記効果は一層大きい。 半透明部8は端部先端まで設けず、第2図a,
b,cに示すように、やや内側に設けても同様の
効果を得ることができる。 さらに本発明の炉芯管では、本体に限らず、こ
れに付属する石英ガラス部品、たとえば第3図に
示すように、尾管10、枝管11あるいは排気管
6の先端近くに半透明部8を設ければ、これらに
接続する有機材系配管の焼損を防ぐことができ、
また第4図a1,b1およびa2,b2に示すよ
うに、蓋12あるいは取手13を半透明ガラスと
すれば、これらが過熱しないため取り扱い易い。 (実施例) 1050℃に加熱した炉長2000mm、均熱長1000mmの
半導体ウエーハ熱処理用横型炉内に、長さ2300mm
の石英ガラス製炉芯管を装着した。このとき両端
部は各々150mmづつ炉外部に露出していた。No.1、
No.2は本発明の炉芯管で、No.1は搬出入側端部よ
り10cmを微細気泡を含む半透明石英ガラスとし、
No.2は搬出入側端部および尾管側端部よりおのお
の10cmを微細気泡を含む半透明石英ガラスとし
た。炉芯管No.3は従来どおり搬出入側端部より10
cmをスリガラスとし、炉芯管No.4は半透明石英ガ
ラスを全く用いないで全体を透明石英ガラスとし
た。 上記炉芯管No.1〜4を、半導体ウエーハ熱処理
用横型炉内で30分加熱した後、各炉芯管両端部の
温度を測定した結果を第1表に示す。
【表】 このように、本発明の炉芯管No.1、No.2は従来
の炉芯管No.3、No.4に比べ、端部温度が明らかに
低温化されている。 (発明の効果) 以上説明したように、炉芯管の端部を微細気泡
を含む石英ガラスの半透明部とすることにより加
熱エネルギーのロスが少なく、端部近傍の温度上
昇がおさえられ、ガス洩れまたはシール用ゴムパ
ツキン等の劣化を防止し、あるいは尾管、枝管ま
たは排気管等につなぐ有機材系の配管の焼損もな
いので、本発明は産業上すぐれたものである。
【図面の簡単な説明】
第1図a,b,cおよび第2図a,b,cおよ
び第3図は本発明を例示する、端部に半透明石英
ガラス部分を設けた炉芯管の正面図を、第4図a
1,b1はそれぞれ本発明を例示する蓋を半透明
石英ガラスとした炉芯管の側面図、正面図を、第
4図a2,b2はそれぞれ本発明を例示する取手
を半透明石英ガラスとした炉芯管の側面図、正面
図を、第5図は従来の炉芯管を熱処理用横型炉に
装着したときの説明図を示す。 ……炉芯管、2……搬出入側端部、3……熱
処理用横型炉、4……加熱体、5……蓋、6……
排気管、7……泡、8……半透明部、9……尾管
側端部、10……尾管、11……枝管、12……
蓋、13……取手。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 石英ガラス製炉芯管において、炉芯管本体の
    端部近傍さらには該本体に付属する石英ガラス製
    部品を微細気泡入り半透明石英ガラスで構成した
    ことを特徴とする石英ガラス製炉芯管。
JP61160608A 1986-07-08 1986-07-08 石英ガラス製炉芯管 Granted JPS6317300A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61160608A JPS6317300A (ja) 1986-07-08 1986-07-08 石英ガラス製炉芯管
KR1019870001654A KR900003251B1 (ko) 1986-07-08 1987-02-26 석영유리제 노심관

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61160608A JPS6317300A (ja) 1986-07-08 1986-07-08 石英ガラス製炉芯管

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5782594A Division JPH0774122A (ja) 1994-03-28 1994-03-28 石英ガラス製の炉芯管
JP5777494A Division JPH0774121A (ja) 1994-03-28 1994-03-28 石英ガラス製炉芯管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6317300A JPS6317300A (ja) 1988-01-25
JPH0468279B2 true JPH0468279B2 (ja) 1992-10-30

Family

ID=15718619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61160608A Granted JPS6317300A (ja) 1986-07-08 1986-07-08 石英ガラス製炉芯管

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPS6317300A (ja)
KR (1) KR900003251B1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0614480Y2 (ja) * 1988-04-26 1994-04-13 信越石英株式会社 半導体熱処理装置
JP3412735B2 (ja) * 1996-08-07 2003-06-03 株式会社山形信越石英 ウエーハ熱処理装置
JPH10163122A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Fukui Shinetsu Sekiei:Kk 半導体ウエハの熱処理装置及び炉心管
FR2824663B1 (fr) * 2001-05-14 2004-10-01 Semco Sa Procede et dispositif de dopage, diffusion et oxydation pyrolithique de plaquettes de silicium a pression reduite

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6317300A (ja) 1988-01-25
KR900003251B1 (ko) 1990-05-12
KR880002240A (ko) 1988-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0468279B2 (ja)
US2101114A (en) Fluid flow electric switch and method of and apparatus for manufacture of same
EP0614216A4 (en) APPARATUS FOR FORMING AN OXIDE FILM, HOT PROCESSING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF.
JPH0287456A (ja) 光吸収コーティングを有するランプ
JPS6358822A (ja) 石英ガラス製ウエ−ハ搬送・保持用治具
JPS6425543A (en) Manufacture of film including silicon oxide
JPH0774121A (ja) 石英ガラス製炉芯管
JPS5678117A (en) Furnace core tube
JPH0774122A (ja) 石英ガラス製の炉芯管
JP2764436B2 (ja) 縦型拡散炉
JPH0542812B2 (ja)
JPS5841732A (ja) フランジ付石英ガラス容器の製造方法
JPS59137397A (ja) 石英ガラス製ベルジヤ−
JPH0435399Y2 (ja)
JPH09199509A (ja) 半導体成膜装置
JPS6245020A (ja) 半導体加熱用石英管のシ−ル方法
JPS58145643A (ja) 電極ガラス板の製造方法
JP2716076B2 (ja) 縦型熱処理炉
JPS586136A (ja) 半導体ウエ−ハの熱処理法
SU428042A1 (ru) Способ обезжиривания деталей перед отжигом
JPS5829259B2 (ja) 黒色石英ガラス
JPS62226824A (ja) ガラス管の製造方法
JPS58660Y2 (ja) 光フアイバ素材の製造装置
JPS5669838A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS61267319A (ja) 加熱炉用チユ−ブ