JPH09199509A - 半導体成膜装置 - Google Patents
半導体成膜装置Info
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- JPH09199509A JPH09199509A JP571096A JP571096A JPH09199509A JP H09199509 A JPH09199509 A JP H09199509A JP 571096 A JP571096 A JP 571096A JP 571096 A JP571096 A JP 571096A JP H09199509 A JPH09199509 A JP H09199509A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クライオポンプの連続的使用が可能なチャン
バを有する半導体成膜装置を提供することである。 【解決手段】 内部にチャンバ１２を有するハウジング
１４と、チャンバ内を加熱するウエハ加熱器を備える半
導体成膜装置において、チャンバ１２は、内部にウエハ
保持部２０を有すると共にチャンバ内のガスを排気する
クライオポンプ用排気ポート１８を有し、ウエハ保持部
２０とクライオポンプ用排気ポート１８の間にヒートシ
ールド２６を備える。
バを有する半導体成膜装置を提供することである。 【解決手段】 内部にチャンバ１２を有するハウジング
１４と、チャンバ内を加熱するウエハ加熱器を備える半
導体成膜装置において、チャンバ１２は、内部にウエハ
保持部２０を有すると共にチャンバ内のガスを排気する
クライオポンプ用排気ポート１８を有し、ウエハ保持部
２０とクライオポンプ用排気ポート１８の間にヒートシ
ールド２６を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、内部が加熱され
るチャンバを有する半導体成膜装置に関するものであ
る。
るチャンバを有する半導体成膜装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、Ａｌリ
フロープロセス等チャンバ内の加熱を必要とするプロセ
スが存在する。ここで、Ａｌリフロープロセスとは、ス
パッタリングによりＡｌ膜を形成し、このＡｌ膜により
電極等の形成を行なう際に、Ａｌ膜形成後、ウエハの加
熱を行なうことにより電気的導通を完全にするものであ
る。即ち、半導体デバイスの集積度が上がるとコンタク
トホール等も微細化し、スパッタリングによりＡｌ膜を
形成した場合に、コンタクトホール内にＡｌ膜の形成が
行なわれないことから電気的導通が不完全になる。そこ
で、Ａｌリフロープロセスにおいて、スパッタリングに
よりＡｌ膜を形成した後に、ウエハを加熱することによ
りＡｌ膜を溶融させ、コンタクトホール内にＡｌを流し
込み電気的導通を完全にするものである。
フロープロセス等チャンバ内の加熱を必要とするプロセ
スが存在する。ここで、Ａｌリフロープロセスとは、ス
パッタリングによりＡｌ膜を形成し、このＡｌ膜により
電極等の形成を行なう際に、Ａｌ膜形成後、ウエハの加
熱を行なうことにより電気的導通を完全にするものであ
る。即ち、半導体デバイスの集積度が上がるとコンタク
トホール等も微細化し、スパッタリングによりＡｌ膜を
形成した場合に、コンタクトホール内にＡｌ膜の形成が
行なわれないことから電気的導通が不完全になる。そこ
で、Ａｌリフロープロセスにおいて、スパッタリングに
よりＡｌ膜を形成した後に、ウエハを加熱することによ
りＡｌ膜を溶融させ、コンタクトホール内にＡｌを流し
込み電気的導通を完全にするものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｌリ
フロープロセスにおいては、リフローチャンバ内のウエ
ハを６００℃程度に加熱する必要があるため、高温にな
ったプロセスガスや、ウエハ加熱器からの輻射熱によ
り、低温（約−２６０℃）での運転を必要とするクライ
オポンプの連続的使用が不可能になるという問題があっ
た。即ち、従来の、リフローチャンバ等においては、チ
ャンバ内のガスの排気効率を高めるため、ウエハ加熱器
とクライオポンプが近接して設置されていることからク
ライオポンプが高温のプロセスガスや、ウエハ加熱器か
らの輻射熱の影響を受けやすくクライオポンプを低温に
保つことが困難になり、クライオポンプを冷却する間、
使用が不可能になるという問題があった。
フロープロセスにおいては、リフローチャンバ内のウエ
ハを６００℃程度に加熱する必要があるため、高温にな
ったプロセスガスや、ウエハ加熱器からの輻射熱によ
り、低温（約−２６０℃）での運転を必要とするクライ
オポンプの連続的使用が不可能になるという問題があっ
た。即ち、従来の、リフローチャンバ等においては、チ
ャンバ内のガスの排気効率を高めるため、ウエハ加熱器
とクライオポンプが近接して設置されていることからク
ライオポンプが高温のプロセスガスや、ウエハ加熱器か
らの輻射熱の影響を受けやすくクライオポンプを低温に
保つことが困難になり、クライオポンプを冷却する間、
使用が不可能になるという問題があった。
【０００４】この発明の課題は、充分な排気速度を確保
しつつクライオポンプの連続的使用が可能なチャンバを
有する半導体成膜装置を提供することである。
しつつクライオポンプの連続的使用が可能なチャンバを
有する半導体成膜装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体成
膜装置は、内部にチャンバを有するハウジングと、チャ
ンバ内を加熱するウエハ加熱器を備える半導体成膜装置
において、前記チャンバは、内部にウエハ保持部を有す
ると共に前記チャンバ内のガスを排気する排気ポートを
有し、前記ウエハ保持部と前記排気ポートの間にヒート
シールドを備えることを特徴とする。
膜装置は、内部にチャンバを有するハウジングと、チャ
ンバ内を加熱するウエハ加熱器を備える半導体成膜装置
において、前記チャンバは、内部にウエハ保持部を有す
ると共に前記チャンバ内のガスを排気する排気ポートを
有し、前記ウエハ保持部と前記排気ポートの間にヒート
シールドを備えることを特徴とする。
【０００６】従って、チャンバ内のウエハ保持部側で加
熱されたガスがウエハ保持部と排気ポートの間に設けら
れているヒートシールドにぶつかり、冷却され、方向を
変えられた後に排気ポートから排出されることとなるた
め、チャンバ内のウエハ保持部側の熱が排気ポートに伝
わりにくくなる。
熱されたガスがウエハ保持部と排気ポートの間に設けら
れているヒートシールドにぶつかり、冷却され、方向を
変えられた後に排気ポートから排出されることとなるた
め、チャンバ内のウエハ保持部側の熱が排気ポートに伝
わりにくくなる。
【０００７】また、請求項２記載の半導体成膜装置は、
請求項１記載の半導体成膜装置の前記チャンバを、Ａｌ
リフローチャンバとしたことを特徴とする。
請求項１記載の半導体成膜装置の前記チャンバを、Ａｌ
リフローチャンバとしたことを特徴とする。
【０００８】従って、Ａｌリフロープロセスを連続的に
行なうことができ、Ａｌリフロー膜の量産が可能とな
る。
行なうことができ、Ａｌリフロー膜の量産が可能とな
る。
【０００９】また、請求項３記載の半導体成膜装置は、
請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置の前記ヒー
トシールドの前記ウエハ保持部側の表面に反射防止処理
を施したことを特徴とする。
請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置の前記ヒー
トシールドの前記ウエハ保持部側の表面に反射防止処理
を施したことを特徴とする。
【００１０】従って、チャンバ内を加熱するために用い
られるハロゲンランプの光を反射防止処理が施されてい
るヒートシールドのウエハ保持部側の表面で吸収し、熱
をハウジングに逃がすことができることから、排気ポー
ト側のチャンバ内の温度の上昇を抑制することができ
る。
られるハロゲンランプの光を反射防止処理が施されてい
るヒートシールドのウエハ保持部側の表面で吸収し、熱
をハウジングに逃がすことができることから、排気ポー
ト側のチャンバ内の温度の上昇を抑制することができ
る。
【００１１】また、請求項４記載の半導体成膜装置は、
請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置の前記ハウ
ジングの外壁面に、更にウォータジャケットを備え、前
記ヒートシールドは、前記ウォータジャケットが接して
いるハウジングの外壁面に対応する前記ハウジングの内
壁面に備えられていることを特徴とする。
請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置の前記ハウ
ジングの外壁面に、更にウォータジャケットを備え、前
記ヒートシールドは、前記ウォータジャケットが接して
いるハウジングの外壁面に対応する前記ハウジングの内
壁面に備えられていることを特徴とする。
【００１２】従って、ヒートシールドから伝えられた熱
により加熱されたハウジングは、ウォータジャケットに
より効率的に冷却される。
により加熱されたハウジングは、ウォータジャケットに
より効率的に冷却される。
【００１３】また、請求項５記載の半導体成膜装置は、
請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置の前記排気
ポートが、前記チャンバの前記ウエハ保持部が備えられ
ている位置に対して反対側であり、前記チャンバを構成
するハウジングの底面に設けられていることを特徴とす
る。
請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置の前記排気
ポートが、前記チャンバの前記ウエハ保持部が備えられ
ている位置に対して反対側であり、前記チャンバを構成
するハウジングの底面に設けられていることを特徴とす
る。
【００１４】従って、ヒートシールドを通過したガスは
排気ポート側のハウジングの内壁等にぶつかり方向が変
えられた後に排気ポートから排出されることとなり、高
温のガスが直接排気ポートから排出されるのを防止する
ことができる。
排気ポート側のハウジングの内壁等にぶつかり方向が変
えられた後に排気ポートから排出されることとなり、高
温のガスが直接排気ポートから排出されるのを防止する
ことができる。
【００１５】また、請求項６記載の半導体成膜装置は、
請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置の前記ハウ
ジングの前記ウエハ保持部側の内壁面に、鏡面処理が施
されていることを特徴とする。
請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置の前記ハウ
ジングの前記ウエハ保持部側の内壁面に、鏡面処理が施
されていることを特徴とする。
【００１６】従って、チャンバ内の加熱を行なうための
ハロゲンランプの光を反射させ、チャンバ内を効率的に
加熱することができる。
ハロゲンランプの光を反射させ、チャンバ内を効率的に
加熱することができる。
【００１７】更に、請求項７記載の半導体成膜装置は、
請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置の前記ハウ
ジングの前記排気ポート側の内壁面に、反射防止処理が
施されていることを特徴とする。
請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置の前記ハウ
ジングの前記排気ポート側の内壁面に、反射防止処理が
施されていることを特徴とする。
【００１８】従って、チャンバ内の加熱を行なうための
ハロゲンランプの光が、チャンバの排気ポート側に入射
した場合であっても、反射防止処理が施されている排気
ポート側の内壁面で吸収することができ、反射した光が
直接排気ポートを照射することを防止することができ
る。
ハロゲンランプの光が、チャンバの排気ポート側に入射
した場合であっても、反射防止処理が施されている排気
ポート側の内壁面で吸収することができ、反射した光が
直接排気ポートを照射することを防止することができ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態を説明する。
の実施の形態を説明する。
【００２０】図１及び図２において符号１０で示すもの
は、この発明の実施の形態にかかる半導体成膜装置のＡ
ｌリフローチャンバであり、マルチチャンバシステムの
１つのチャンバとして用いられるものである。
は、この発明の実施の形態にかかる半導体成膜装置のＡ
ｌリフローチャンバであり、マルチチャンバシステムの
１つのチャンバとして用いられるものである。
【００２１】Ａｌリフローチャンバ１０は、内部にチャ
ンバ１２を有するハウジング１４を備え、このハウジン
グ１４の一端の側壁にはウエハ搬送口１６が設けられて
いると共に、ハウジング１４の他端の底面には、クライ
オポンプ用排気ポート１８が設けられている。また、ハ
ウジング１４の上面には、開口部が設けられ、この開口
部は蓋体１４ａにより覆われている。
ンバ１２を有するハウジング１４を備え、このハウジン
グ１４の一端の側壁にはウエハ搬送口１６が設けられて
いると共に、ハウジング１４の他端の底面には、クライ
オポンプ用排気ポート１８が設けられている。また、ハ
ウジング１４の上面には、開口部が設けられ、この開口
部は蓋体１４ａにより覆われている。
【００２２】ハウジング１４のウエハ搬送口１６側のウ
エハ搬送口側内壁面１４ｂ及び蓋体１４ａの裏面１４ｃ
には、鏡面処理が施されている。一方、ハウジング１４
のクライオポンプ用排気ポート１８側のクライオポンプ
用排気ポート側内壁面１４ｄには、反射防止処理が施さ
れている。
エハ搬送口側内壁面１４ｂ及び蓋体１４ａの裏面１４ｃ
には、鏡面処理が施されている。一方、ハウジング１４
のクライオポンプ用排気ポート１８側のクライオポンプ
用排気ポート側内壁面１４ｄには、反射防止処理が施さ
れている。
【００２３】チャンバ１２内には、ウエハ搬送口１６側
の底面にウエハ加熱器（図示せず）を内蔵する円盤状の
ウエハ保持部２０が設置され、ウエハ２２はその上面に
おいて保持される。また、ウエハ保持部２０の両側部に
は、チャンバ１２内を加熱するための円筒状のハロゲン
ランプ２４が設置されている。
の底面にウエハ加熱器（図示せず）を内蔵する円盤状の
ウエハ保持部２０が設置され、ウエハ２２はその上面に
おいて保持される。また、ウエハ保持部２０の両側部に
は、チャンバ１２内を加熱するための円筒状のハロゲン
ランプ２４が設置されている。
【００２４】また、チャンバ１２内には、ウエハ保持部
２０とクライオポンプ用排気ポート１８との間に、チャ
ンバ１２内のウエハ保持部２０側の熱を遮断し、クライ
オポンプ用排気ポート１８側に伝えないようにするため
のヒートシールド２６が設けられている。ここで、ヒー
トシールド２６は、円弧状のアッパーヒートシールド２
６ａ及びロワーヒートシルド２６ｂから構成され、アッ
パーヒートシールド２６ａは、ウエハ保持部２０を囲む
ように形成され、ハウジング１４の蓋体１４ａの裏面に
取り付けられている。また、ロワーヒートシルド２６ｂ
は、クライオポンプ用排気ポート１８を囲むように形成
され、ハウジング１４の底面に取り付けられている。こ
こで、アッパーヒートシールド２６ａ及びロワーヒート
シルド２６ｂのウエハ保持部２０側の表面には、反射防
止処理が施されている。
２０とクライオポンプ用排気ポート１８との間に、チャ
ンバ１２内のウエハ保持部２０側の熱を遮断し、クライ
オポンプ用排気ポート１８側に伝えないようにするため
のヒートシールド２６が設けられている。ここで、ヒー
トシールド２６は、円弧状のアッパーヒートシールド２
６ａ及びロワーヒートシルド２６ｂから構成され、アッ
パーヒートシールド２６ａは、ウエハ保持部２０を囲む
ように形成され、ハウジング１４の蓋体１４ａの裏面に
取り付けられている。また、ロワーヒートシルド２６ｂ
は、クライオポンプ用排気ポート１８を囲むように形成
され、ハウジング１４の底面に取り付けられている。こ
こで、アッパーヒートシールド２６ａ及びロワーヒート
シルド２６ｂのウエハ保持部２０側の表面には、反射防
止処理が施されている。
【００２５】なお、アッパーヒートシールド２６ａの下
端とロワーヒートシルド２６ｂの側面との距離Ｘは、チ
ャンバ１２内の圧力が１ｍＴｏｒｒの場合には、５０ｍ
ｍとされる。これは、チャンバ１２内の圧力が１ｍＴｏ
ｒｒの場合のガスの平均自由行程が５０ｍｍであること
から、ガスの排気を効率的に行なうためには、平均自由
行程よりも大きい隙間が必要になるためである。
端とロワーヒートシルド２６ｂの側面との距離Ｘは、チ
ャンバ１２内の圧力が１ｍＴｏｒｒの場合には、５０ｍ
ｍとされる。これは、チャンバ１２内の圧力が１ｍＴｏ
ｒｒの場合のガスの平均自由行程が５０ｍｍであること
から、ガスの排気を効率的に行なうためには、平均自由
行程よりも大きい隙間が必要になるためである。
【００２６】更に、ハウジング１４の上面の略全体、ハ
ウジング１４の下面のロワーヒートシルド２６ｂが取り
付けられている位置に対応する位置及びクライオポンプ
用排気ポート１８側の外側壁には、ハウジング１４を冷
水を流すことにより冷却するためのウォータジャケット
２８が設けられている。
ウジング１４の下面のロワーヒートシルド２６ｂが取り
付けられている位置に対応する位置及びクライオポンプ
用排気ポート１８側の外側壁には、ハウジング１４を冷
水を流すことにより冷却するためのウォータジャケット
２８が設けられている。
【００２７】なお、クライオポンプ用排気ポート１８に
は、バルブ３０を介して、チャンバ１２内のガスを排気
するためのクライオポンプ３２が接続されている。
は、バルブ３０を介して、チャンバ１２内のガスを排気
するためのクライオポンプ３２が接続されている。
【００２８】次に、このＡｌリフローチャンバ１０を、
Ａｌリフロープロセスにおいて用いる場合について説明
する。
Ａｌリフロープロセスにおいて用いる場合について説明
する。
【００２９】まず、チャンバ１２内のウエハ保持部２０
を約６００℃に加熱し、さらにウエハ保持部２０の両側
部に備えられているハロゲンランプ２４の光により、充
分、チャンバベークを行ない、チャンバ１２内に存在す
るガスをクライオポンプ３２により排気する。
を約６００℃に加熱し、さらにウエハ保持部２０の両側
部に備えられているハロゲンランプ２４の光により、充
分、チャンバベークを行ない、チャンバ１２内に存在す
るガスをクライオポンプ３２により排気する。
【００３０】ここで、ハウジング１４のウエハ保持部２
０側のウエハ搬送口側内壁面１４ｂには、鏡面処理が施
されていることから、ハロゲンランプ２４の光が鏡面処
理が施されているウエハ搬送口側内壁面１４ｂにより反
射して、チャンバ１２内を効率良く加熱することができ
る。
０側のウエハ搬送口側内壁面１４ｂには、鏡面処理が施
されていることから、ハロゲンランプ２４の光が鏡面処
理が施されているウエハ搬送口側内壁面１４ｂにより反
射して、チャンバ１２内を効率良く加熱することができ
る。
【００３１】一方、ウエハ保持部２０側のチャンバ内で
加熱されたガスは、クライオポンプ３２により排気され
る際に、ヒートシールド２６にぶつかり、進路を変更さ
れた後にクライオポンプ３２により吸引されるため、加
熱されたガスが直接クライオポンプ３２により吸引され
ることがなく、クライオポンプ３２の温度の上昇を抑制
することができる。
加熱されたガスは、クライオポンプ３２により排気され
る際に、ヒートシールド２６にぶつかり、進路を変更さ
れた後にクライオポンプ３２により吸引されるため、加
熱されたガスが直接クライオポンプ３２により吸引され
ることがなく、クライオポンプ３２の温度の上昇を抑制
することができる。
【００３２】また、アッパーヒートシールド２６ａ及び
ロワーヒートシルド２６ｂのウエハ保持部２０側の表面
には、反射防止処理が施されているため、ハロゲンラン
プ２４の光が、このアッパーヒートシールド２６ａ及び
ロワーヒートシルド２６ｂのウエハ保持部２０側の表面
により吸収される。この光の吸収により、アッパーヒー
トシールド２６ａ及びロワーヒートシルド２６ｂの温度
は上昇するが、アッパーヒートシールド２６ａ及びロワ
ーヒートシルド２６ｂの取り付けられているハウジング
１４の位置に対応するハウジング１４の上面及び下面に
は、ウォータージャケット２８が備えられていることか
ら、アッパーヒートシールド２６ａ及びロワーヒートシ
ルド２６ｂの熱を、ウォータージャケット２８側に逃が
すことができ、クライオポンプ用排気ポート１８側のチ
ャンバ１２内の温度を上昇させることがない。
ロワーヒートシルド２６ｂのウエハ保持部２０側の表面
には、反射防止処理が施されているため、ハロゲンラン
プ２４の光が、このアッパーヒートシールド２６ａ及び
ロワーヒートシルド２６ｂのウエハ保持部２０側の表面
により吸収される。この光の吸収により、アッパーヒー
トシールド２６ａ及びロワーヒートシルド２６ｂの温度
は上昇するが、アッパーヒートシールド２６ａ及びロワ
ーヒートシルド２６ｂの取り付けられているハウジング
１４の位置に対応するハウジング１４の上面及び下面に
は、ウォータージャケット２８が備えられていることか
ら、アッパーヒートシールド２６ａ及びロワーヒートシ
ルド２６ｂの熱を、ウォータージャケット２８側に逃が
すことができ、クライオポンプ用排気ポート１８側のチ
ャンバ１２内の温度を上昇させることがない。
【００３３】更に、ハロゲンランプ２４の光がクライオ
ポンプ用排気ポート１８側のチャンバ１２に入射した場
合であっても、反射防止処理が施されているクライオポ
ンプ用排気ポート側内壁面１４ｄにより光が吸収される
ため、ハロゲンランプ２４の光がクライオポンプ用排気
ポート１８を直接照射することがない。
ポンプ用排気ポート１８側のチャンバ１２に入射した場
合であっても、反射防止処理が施されているクライオポ
ンプ用排気ポート側内壁面１４ｄにより光が吸収される
ため、ハロゲンランプ２４の光がクライオポンプ用排気
ポート１８を直接照射することがない。
【００３４】また、ウエハ搬送口側内壁面１４ｂに、鏡
面処理が施されていることからウエハ搬送口側内壁面１
４ｂの表面積が減少すると共に、チャンバ１２内のガス
のウエハ搬送口側内壁面１４ｂへの付着量を減少させる
ことができ、チャンバ１２内のガスの排気を十分に行な
うことができる。
面処理が施されていることからウエハ搬送口側内壁面１
４ｂの表面積が減少すると共に、チャンバ１２内のガス
のウエハ搬送口側内壁面１４ｂへの付着量を減少させる
ことができ、チャンバ１２内のガスの排気を十分に行な
うことができる。
【００３５】上述のようにして、チャンバ１２内を加熱
し、チャンバ１２内のガスを排気した後に、ウエハ２２
をウエハ搬送口１６からチャンバ１２内に搬入し、ウエ
ハ保持部２０の上面で保持する。このウエハ保持部２０
により保持されているウエハ２２は、ウエハ保持部２０
に内蔵されているウエハ加熱器の輻射熱及びウエハ保持
部２０の両側部に備えられているハロゲンランプの光に
より約６００℃まで加熱され、Ａｌリフローが実行され
る。
し、チャンバ１２内のガスを排気した後に、ウエハ２２
をウエハ搬送口１６からチャンバ１２内に搬入し、ウエ
ハ保持部２０の上面で保持する。このウエハ保持部２０
により保持されているウエハ２２は、ウエハ保持部２０
に内蔵されているウエハ加熱器の輻射熱及びウエハ保持
部２０の両側部に備えられているハロゲンランプの光に
より約６００℃まで加熱され、Ａｌリフローが実行され
る。
【００３６】この発明の実施の形態のＡｌリフローチャ
ンバによれば、クライオポンプ３２に対する熱負荷を減
少されることができ、クライオポンプの連続運転が可能
になる。従って、Ａｌリフローチャンバの効率的な運転
が可能となり、安定したＡｌリフロー膜を大量に生産す
ることができる。
ンバによれば、クライオポンプ３２に対する熱負荷を減
少されることができ、クライオポンプの連続運転が可能
になる。従って、Ａｌリフローチャンバの効率的な運転
が可能となり、安定したＡｌリフロー膜を大量に生産す
ることができる。
【００３７】なお、上述の実施の形態においては、ヒー
トシールド２６がアッパーヒートシールド２６ａ及びロ
ワーヒートシルド２６ｂにより構成されているが、これ
に限定されることなく、１枚のヒートシールドにより構
成してもよい。
トシールド２６がアッパーヒートシールド２６ａ及びロ
ワーヒートシルド２６ｂにより構成されているが、これ
に限定されることなく、１枚のヒートシールドにより構
成してもよい。
【００３８】また、上述の実施の形態においては、Ａｌ
リフローチャンバについて説明したが、これに限定され
ることなく、ＳｉＯＮ膜を形成する熱酸窒化処理等で用
いられるチャンバであってもよい。
リフローチャンバについて説明したが、これに限定され
ることなく、ＳｉＯＮ膜を形成する熱酸窒化処理等で用
いられるチャンバであってもよい。
【００３９】
【発明の効果】この発明によれば、ウエハ保持部と排気
ポートとの間にヒートシールドを備えるため、チャンバ
内のウエハ保持部側の熱が排気ポートに伝わりにくくな
り、クライオポンプの温度上昇を抑制することができ、
クライオポンプを連続的に運転することができる。
ポートとの間にヒートシールドを備えるため、チャンバ
内のウエハ保持部側の熱が排気ポートに伝わりにくくな
り、クライオポンプの温度上昇を抑制することができ、
クライオポンプを連続的に運転することができる。
【００４０】また、チャンバをＡｌリフローチャンバと
した場合には、Ａｌリフロープロセスを連続的に行なう
ことができ、Ａｌリフロー膜の量産が可能となる。
した場合には、Ａｌリフロープロセスを連続的に行なう
ことができ、Ａｌリフロー膜の量産が可能となる。
【００４１】また、ヒートシールドのウエハ保持部側の
表面に反射防止処理を施した場合には、チャンバ内を加
熱するために用いられるハロゲンランプの光を反射防止
処理が施されているヒートシールドのウエハ保持部側の
表面で吸収し、熱をハウジングに逃がすことができるこ
とから、排気ポート側のチャンバ内の温度の上昇を抑制
することができる。
表面に反射防止処理を施した場合には、チャンバ内を加
熱するために用いられるハロゲンランプの光を反射防止
処理が施されているヒートシールドのウエハ保持部側の
表面で吸収し、熱をハウジングに逃がすことができるこ
とから、排気ポート側のチャンバ内の温度の上昇を抑制
することができる。
【００４２】また、ハウジングの外壁面にウォータジャ
ケットを備え、ヒートシールドをウォータジャケットが
接しているハウジングの外壁面に対応するハウジングの
内壁面に備える場合には、ヒートシールドから伝えられ
た熱により加熱されたハウジングは、ウォータジャケッ
トにより効率的に冷却される。
ケットを備え、ヒートシールドをウォータジャケットが
接しているハウジングの外壁面に対応するハウジングの
内壁面に備える場合には、ヒートシールドから伝えられ
た熱により加熱されたハウジングは、ウォータジャケッ
トにより効率的に冷却される。
【００４３】また、排気ポートをチャンバのウエハ保持
部が備えられている位置に対して反対側であり、チャン
バを構成するハウジングの底面に設ける場合には、ヒー
トシールドを通過したガスは排気ポート側のハウジング
の内壁等にぶつかり方向が変えられた後に排気ポートか
ら排出されることとなり、高温のガスが直接排気ポート
から排出されるのを防止することができる。
部が備えられている位置に対して反対側であり、チャン
バを構成するハウジングの底面に設ける場合には、ヒー
トシールドを通過したガスは排気ポート側のハウジング
の内壁等にぶつかり方向が変えられた後に排気ポートか
ら排出されることとなり、高温のガスが直接排気ポート
から排出されるのを防止することができる。
【００４４】また、ハウジングのウエハ保持部側の内壁
面に鏡面処理が施されている場合には、チャンバ内の加
熱を行なうためのハロゲンランプの光を反射させ、チャ
ンバ内を効率的に加熱することができる。
面に鏡面処理が施されている場合には、チャンバ内の加
熱を行なうためのハロゲンランプの光を反射させ、チャ
ンバ内を効率的に加熱することができる。
【００４５】更に、ハウジングの排気ポート側の内壁面
に反射防止処理が施されている場合には、チャンバ内の
加熱を行なうためのハロゲンランプの光が、チャンバの
排気ポート側に入射した場合であっても、反射防止処理
が施されている排気ポート側の内壁面で吸収することが
でき、反射した光が直接排気ポートを照射することを防
止することができる。
に反射防止処理が施されている場合には、チャンバ内の
加熱を行なうためのハロゲンランプの光が、チャンバの
排気ポート側に入射した場合であっても、反射防止処理
が施されている排気ポート側の内壁面で吸収することが
でき、反射した光が直接排気ポートを照射することを防
止することができる。
【図１】この発明の実施の形態にかかる半導体成膜装置
のＡｌリフローチャンバの垂直断面図である。
のＡｌリフローチャンバの垂直断面図である。
【図２】この発明の実施の形態にかかる半導体成膜装置
のＡｌリフローチャンバの水平断面図である。
のＡｌリフローチャンバの水平断面図である。
【符号の説明】 １０…Ａｌリフローチャンバ、１２…チャンバ、１４…
ハウジング、１４ａ…蓋体、１４ｂ…ウエハ搬送口側内
壁面、１４ｄ…クライオポンプ用排気ポート側内壁面、
１６…ウエハ搬送口、１８…クライオポンプ用排気ポー
ト、２０…ウエハ保持部、２２…ウエハ、２４…ハロゲ
ンランプ、２６…ヒートシールド、２６ａ…アッパーヒ
ートシールド、２６ｂ…ロワーヒートシールド、２８…
ウォータジャケット、３０…バルブ、３２…クライオポ
ンプ。
ハウジング、１４ａ…蓋体、１４ｂ…ウエハ搬送口側内
壁面、１４ｄ…クライオポンプ用排気ポート側内壁面、
１６…ウエハ搬送口、１８…クライオポンプ用排気ポー
ト、２０…ウエハ保持部、２２…ウエハ、２４…ハロゲ
ンランプ、２６…ヒートシールド、２６ａ…アッパーヒ
ートシールド、２６ｂ…ロワーヒートシールド、２８…
ウォータジャケット、３０…バルブ、３２…クライオポ
ンプ。
フロントページの続き (72)発明者 高浜 宏行 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 中村 哲也 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 斎藤 昭彦 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 内部にチャンバを有するハウジングと、
チャンバ内を加熱するウエハ加熱器を備える半導体成膜
装置において、 前記チャンバは、内部にウエハ保持部を有すると共に前
記チャンバ内のガスを排気する排気ポートを有し、前記
ウエハ保持部と前記排気ポートの間にヒートシールドを
備えることを特徴とする半導体成膜装置。 - 【請求項２】 前記チャンバは、Ａｌリフローチャンバ
であることを特徴とする請求項１記載の半導体成膜装
置。 - 【請求項３】 前記ヒートシールドは、前記ウエハ保持
部側の表面に反射防止処理が施されていることを特徴と
する請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置。 - 【請求項４】 前記ハウジングの外壁面に、更にウォー
タジャケットを備え、前記ヒートシールドは、前記ウォ
ータジャケットが接しているハウジングの外壁面に対応
する前記ハウジングの内壁面に備えられていることを特
徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置。 - 【請求項５】 前記排気ポートは、前記チャンバの前記
ウエハ保持部が備えられている位置に対して反対側であ
り、前記チャンバを構成するハウジングの底面に設けら
れていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
半導体成膜装置。 - 【請求項６】 前記ハウジングの前記ウエハ保持部側の
内壁面は、鏡面処理が施されていることを特徴とする請
求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置。 - 【請求項７】 前記ハウジングの前記排気ポート側の内
壁面は、反射防止処理が施されていることを特徴とする
請求項１又は請求項２記載の半導体成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP571096A JP2971022B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 半導体成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP571096A JP2971022B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 半導体成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199509A true JPH09199509A (ja) | 1997-07-31 |
| JP2971022B2 JP2971022B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=11618683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP571096A Expired - Fee Related JP2971022B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 半導体成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2971022B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007503118A (ja) * | 2003-08-18 | 2007-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度を制御したチャンバシールドの使用によるパーティクルの低減化 |
| KR100707053B1 (ko) * | 2000-02-24 | 2007-04-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 웨이퍼 프로세싱 챔버로부터 부품을 차폐하기 위한 방법 및 장치 |
| JP2008263189A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-30 | Applied Materials Inc | 太陽電池用の反射防止又はパッシベーション層を製造する方法及び装置 |
| WO2011016223A1 (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | キヤノンアネルバ株式会社 | 加熱処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
-
1996
- 1996-01-17 JP JP571096A patent/JP2971022B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100707053B1 (ko) * | 2000-02-24 | 2007-04-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 웨이퍼 프로세싱 챔버로부터 부품을 차폐하기 위한 방법 및 장치 |
| JP2007503118A (ja) * | 2003-08-18 | 2007-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度を制御したチャンバシールドの使用によるパーティクルの低減化 |
| JP4879738B2 (ja) * | 2003-08-18 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度を制御したチャンバシールドの使用によるパーティクルの低減化 |
| JP2008263189A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-30 | Applied Materials Inc | 太陽電池用の反射防止又はパッシベーション層を製造する方法及び装置 |
| WO2011016223A1 (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | キヤノンアネルバ株式会社 | 加熱処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
| US20110117753A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-05-19 | C/O Canon Anelva Corporation | Heat treatment apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| CN102473641A (zh) * | 2009-08-04 | 2012-05-23 | 佳能安内华股份有限公司 | 热处理设备以及半导体装置制造方法 |
| JP5497765B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2014-05-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | 加熱処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
| US9147742B2 (en) | 2009-08-04 | 2015-09-29 | Canon Anelva Corporation | Heat treatment apparatus and semiconductor device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2971022B2 (ja) | 1999-11-02 |
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