JPS59194428A - プロセスチユ−ブ - Google Patents
プロセスチユ−ブInfo
- Publication number
- JPS59194428A JPS59194428A JP6859783A JP6859783A JPS59194428A JP S59194428 A JPS59194428 A JP S59194428A JP 6859783 A JP6859783 A JP 6859783A JP 6859783 A JP6859783 A JP 6859783A JP S59194428 A JPS59194428 A JP S59194428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- quartz
- cap
- inner tube
- open end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術的背景〕
本発明は半導体装置を製造する際に、不純物拡散等の熱
処理工程を行なうためのプロセスチューブに関する。
処理工程を行なうためのプロセスチューブに関する。
半導体装置の製造においては、半導体ウェハーに高温で
不純物を拡散する工程が含まれている。この不純物拡散
工程は、第１図（４）の）に示すように石英製のプロセ
スチューブを用いて杓なわれている。
不純物を拡散する工程が含まれている。この不純物拡散
工程は、第１図（４）の）に示すように石英製のプロセ
スチューブを用いて杓なわれている。
第１図（４の）において、１は石英管である。該石英管
１の開口端には石英製のキャップ２が着脱自在に設けら
れ、このキャップ２には小孔３が開孔されている。そし
て、石英管ｌ内のドーピングガスを排気する際には、第
１図（４）に示すように小孔３に排気ダクト４を挿入し
、図中矢印で示すようにこの排気ダクトを通してドーピ
ングガスを除去する。また、第１図（Ｂ）に示すように
半導体ウェハー１０を立設した石英ポート１１を石英管
１内に出し入れする際には、小孔３から操作棒１２を石
英管１内に挿入して行なうＯ 〔背景技術の問題点〕 上記従来のプロセスチューブには次のような問題があり
た。
１の開口端には石英製のキャップ２が着脱自在に設けら
れ、このキャップ２には小孔３が開孔されている。そし
て、石英管ｌ内のドーピングガスを排気する際には、第
１図（４）に示すように小孔３に排気ダクト４を挿入し
、図中矢印で示すようにこの排気ダクトを通してドーピ
ングガスを除去する。また、第１図（Ｂ）に示すように
半導体ウェハー１０を立設した石英ポート１１を石英管
１内に出し入れする際には、小孔３から操作棒１２を石
英管１内に挿入して行なうＯ 〔背景技術の問題点〕 上記従来のプロセスチューブには次のような問題があり
た。
第１の問題は、第１図（４）のようにしてドーピングガ
スを排気しているときに誤ってキャップ２を開けた場合
、人体に有害なドーピングガスが直接大気中へ流出して
しまうため、安全管理上の不都合を生じることである。
スを排気しているときに誤ってキャップ２を開けた場合
、人体に有害なドーピングガスが直接大気中へ流出して
しまうため、安全管理上の不都合を生じることである。
第２の問題は、第１図の）のようにして半導体ウニと・
−１０を出し入れする際、小孔３を通して図中矢印Ｘで
示すようにドーピングガスが流出すると共に、矢印Ｙで
示すように大気が石英管１内に逆流することである。こ
の結果、ドーピングガスの流出による安全性の問題以外
に、石英管１内に逆流した大気によって半導体ウニ／−
−、Ｉ Ｑの製品特性が劣化するという問題が生じる。
−１０を出し入れする際、小孔３を通して図中矢印Ｘで
示すようにドーピングガスが流出すると共に、矢印Ｙで
示すように大気が石英管１内に逆流することである。こ
の結果、ドーピングガスの流出による安全性の問題以外
に、石英管１内に逆流した大気によって半導体ウニ／−
−、Ｉ Ｑの製品特性が劣化するという問題が生じる。
そのため、従来のプロセスチューブを用いる場合には、
石英ボート１１の引き出し端側に多数のダミーウェハー
を立設したシ、大口径のダミーウェハーを立設すること
によシ、逆流した大気による製品ウェハー１０の特性劣
化を防止しなければならないという問題があった。
石英ボート１１の引き出し端側に多数のダミーウェハー
を立設したシ、大口径のダミーウェハーを立設すること
によシ、逆流した大気による製品ウェハー１０の特性劣
化を防止しなければならないという問題があった。
ところで、第１図φ）のようにキャラｆ２に設けた小孔
を介してウェハー１０の出し入ｉｔを行なうのは、上記
のような大気の逆流を抑制するためであるが、その結果
、製品の取出し操作が不便であるという問題がめった。
を介してウェハー１０の出し入ｉｔを行なうのは、上記
のような大気の逆流を抑制するためであるが、その結果
、製品の取出し操作が不便であるという問題がめった。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてな妊れたもので、キャップを
完全に取シ外しても内部のドーピングガスの流出および
プロセスチューブ内への大気の逆流を防止でき、もって
安全性セよひ作業性に優れると共に半導体ウェハーの特
性劣化を防止できるプロセスチューブを提供するもので
ある。
完全に取シ外しても内部のドーピングガスの流出および
プロセスチューブ内への大気の逆流を防止でき、もって
安全性セよひ作業性に優れると共に半導体ウェハーの特
性劣化を防止できるプロセスチューブを提供するもので
ある。
本発明によるプロセスチューブは、処理されるべき半導
体ウェハーが収容される石英製の内管と、該内管の外側
に鞘状に設けられた石英製の外管と、該外管の開口端に
着脱自在に設けられたキャップとを具備し、前記内管の
一口端を外管の開口端よシも内側に“配置すると共に、
内管と外管との間隙を排気通路として用いたことを特徴
とするものである・ 上記本発明によれは内管開目端部力・ら流出するドーピ
ングガスは、外管とのＩＩＪに設けられた排気通路を通
って排気されるから、外管の開口端に被冠されたキャッ
プを取シ外したときにも、ドーピングガスが大気中に流
出するのを防止することができ、また内管に大気が逆流
するのも防止できる。
体ウェハーが収容される石英製の内管と、該内管の外側
に鞘状に設けられた石英製の外管と、該外管の開口端に
着脱自在に設けられたキャップとを具備し、前記内管の
一口端を外管の開口端よシも内側に“配置すると共に、
内管と外管との間隙を排気通路として用いたことを特徴
とするものである・ 上記本発明によれは内管開目端部力・ら流出するドーピ
ングガスは、外管とのＩＩＪに設けられた排気通路を通
って排気されるから、外管の開口端に被冠されたキャッ
プを取シ外したときにも、ドーピングガスが大気中に流
出するのを防止することができ、また内管に大気が逆流
するのも防止できる。
以下、第２図および第３図を参照して本発明の一実施例
を説明する。
を説明する。
第２図は本発明の一実施例になるプロセスチューブの断
面図である。同図において、２１は石英製の内管である
。該内管２２は処理さるべき半導体ウェハーを石英ポー
トに載置して収容するようになっている。この内管２１
の外側には同じく石英製の外管２２が鞘状に設けられて
おシ、該外管２２はその開口端を前記内管２１の開口端
よシも外側に張多出して設けられている。そして、外管
２２の開口端には石英製のキャップ２３が着脱自在に嵌
着されている。このキャップ２３には従来品における小
孔は設けられていない。
面図である。同図において、２１は石英製の内管である
。該内管２２は処理さるべき半導体ウェハーを石英ポー
トに載置して収容するようになっている。この内管２１
の外側には同じく石英製の外管２２が鞘状に設けられて
おシ、該外管２２はその開口端を前記内管２１の開口端
よシも外側に張多出して設けられている。そして、外管
２２の開口端には石英製のキャップ２３が着脱自在に嵌
着されている。このキャップ２３には従来品における小
孔は設けられていない。
上記実施例のプロセスチューブにおいて、内管２１内の
ドーピングガスを排出する際には、内ｖ２１と外管２２
との間の空隙を排気通路として用い、図中矢印で示すよ
うにして排気を行なう０この結果、第３図について次に
説明するように、たとえ排気中にキヤ、ｆ２３を誤って
取）外したとしても、ドーピングガスが大気中へ流出す
るのを防止できる。
ドーピングガスを排出する際には、内ｖ２１と外管２２
との間の空隙を排気通路として用い、図中矢印で示すよ
うにして排気を行なう０この結果、第３図について次に
説明するように、たとえ排気中にキヤ、ｆ２３を誤って
取）外したとしても、ドーピングガスが大気中へ流出す
るのを防止できる。
第３図は上記実施例のプロセスチューブを用いて半導体
ウニ／−−１Ｑの処理を行なう場合に、半導体つ巴ノ・
−１０を載置した石英ｙＪ？−ト１１の出し入れ作業を
示す説明図である。図示のように、上記実施例のグロセ
ステユープではキャップ２３を取シ外して作業を行なう
から、作業性は従来よシも極めて良好である。しかも、
このようにしてチューブの端部を開放して作業を行なっ
ても、ドーピングガスは内管２１と外管２２との間の排
気通路に吸い込まれて排気されるから、大気中への流出
は防止される。更に、図中矢印Ｙで示すようにチューブ
内に逆流して来た大気もドーピングガスと一緒に排気通
路に吸い込まれて排気されるから、逆流して来た大気が
内管２１内に侵入してウェハー１０の特性が低下するの
を防止できる。従って、従来のようにダミーウェハーを
使用する必要がなくなる。
ウニ／−−１Ｑの処理を行なう場合に、半導体つ巴ノ・
−１０を載置した石英ｙＪ？−ト１１の出し入れ作業を
示す説明図である。図示のように、上記実施例のグロセ
ステユープではキャップ２３を取シ外して作業を行なう
から、作業性は従来よシも極めて良好である。しかも、
このようにしてチューブの端部を開放して作業を行なっ
ても、ドーピングガスは内管２１と外管２２との間の排
気通路に吸い込まれて排気されるから、大気中への流出
は防止される。更に、図中矢印Ｙで示すようにチューブ
内に逆流して来た大気もドーピングガスと一緒に排気通
路に吸い込まれて排気されるから、逆流して来た大気が
内管２１内に侵入してウェハー１０の特性が低下するの
を防止できる。従って、従来のようにダミーウェハーを
使用する必要がなくなる。
なお、第２図の実施例において、キャップ１３に図中想
像線で示すようなダンノｆ −２４を設けてもよい。
像線で示すようなダンノｆ −２４を設けてもよい。
以上詳述したように、本発明によるプロセスチューブに
よればキャップを完全に取シ外した状態で作業性よく半
導体ウェハーの出し入れを行なうことができ、かつドー
ピングガスｆ） Ｒ，出による危険および大気の逆流に
よる製品の特性劣化を防止できる等、顕著な効果が得ら
れるものである。
よればキャップを完全に取シ外した状態で作業性よく半
導体ウェハーの出し入れを行なうことができ、かつドー
ピングガスｆ） Ｒ，出による危険および大気の逆流に
よる製品の特性劣化を防止できる等、顕著な効果が得ら
れるものである。
第１図に）および（Ｂ）は従来のプロセスチューブ、と
その問題点を示す説明図、第２図は本発明の一実施例に
なるグロセスチーーブを示す断面図、であシ、第３図は
その作用を示す説明図である０２１・・・内管、２２・
・・外管、２３・・・キャップ。
その問題点を示す説明図、第２図は本発明の一実施例に
なるグロセスチーーブを示す断面図、であシ、第３図は
その作用を示す説明図である０２１・・・内管、２２・
・・外管、２３・・・キャップ。
Claims (1)
- 処理されるべき半導体ウェハーが収容される石英製の内
管と、該内管の外側に鞘状に設けられた石英製の外管と
、該外管の開口端に着脱自在に設けられたキャップとを
具備し、前記内管の開口端を外管の開口端よシも内側に
設けると共に、内管と外管との間隙を排気通路として用
いたことを特徴とするグロセスナーーブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6859783A JPS59194428A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | プロセスチユ−ブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6859783A JPS59194428A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | プロセスチユ−ブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59194428A true JPS59194428A (ja) | 1984-11-05 |
Family
ID=13378356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6859783A Pending JPS59194428A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | プロセスチユ−ブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59194428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0328817A2 (en) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Nortel Networks Corporation | Method and apparatus for marking silicon-on-insulator subtrates |
-
1983
- 1983-04-19 JP JP6859783A patent/JPS59194428A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0328817A2 (en) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Nortel Networks Corporation | Method and apparatus for marking silicon-on-insulator subtrates |
| EP0328817A3 (en) * | 1988-02-18 | 1991-03-13 | Nortel Networks Corporation | Method and apparatus for marking silicon-on-insulator subtrates |
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