JPS58216416A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS58216416A JPS58216416A JP9876882A JP9876882A JPS58216416A JP S58216416 A JPS58216416 A JP S58216416A JP 9876882 A JP9876882 A JP 9876882A JP 9876882 A JP9876882 A JP 9876882A JP S58216416 A JPS58216416 A JP S58216416A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- furnace tube
- wall surface
- furnace
- internal
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体製造装置に関する。
従来、半導体基板に所望の不純物拡散層を形成するため
に、例えば第１図に示す半導体製造装置Ｊ（１１が使用
されてａる。この半導体基板上ｗりは、反応ガス供給管
１を一端部に有し、他端部に排気口２を有する酸化ケイ
素からなる炉管３の外周にコイルヒータ４を巻装し、オ
キシ塩化リン等の反応ガス源６から反応ガス供給管１を
経て炉管３内に反応ガスを供給するようにしたものであ
る。而して、炉管３内に被処理体である半導体基板を載
置したサセプタを設置し、管内を所定の温度に設定して
キャリアガスと共に管内に供給され九オキシ塩化リン等
の反応ガスにより、半導体基板に拡散層を形成している
。
に、例えば第１図に示す半導体製造装置Ｊ（１１が使用
されてａる。この半導体基板上ｗりは、反応ガス供給管
１を一端部に有し、他端部に排気口２を有する酸化ケイ
素からなる炉管３の外周にコイルヒータ４を巻装し、オ
キシ塩化リン等の反応ガス源６から反応ガス供給管１を
経て炉管３内に反応ガスを供給するようにしたものであ
る。而して、炉管３内に被処理体である半導体基板を載
置したサセプタを設置し、管内を所定の温度に設定して
キャリアガスと共に管内に供給され九オキシ塩化リン等
の反応ガスにより、半導体基板に拡散層を形成している
。
しかしながら、従来の半導体製造装置１０では、管内の
反応ガスが半導体基板上に例えばリンガラスを形成して
拡散層を形成するが、余剰の反応ガスが排気口２近傍の
管内壁面に付着し。
反応ガスが半導体基板上に例えばリンガラスを形成して
拡散層を形成するが、余剰の反応ガスが排気口２近傍の
管内壁面に付着し。
リン塩化物等からなる汚染物質の堆積層を形成する。こ
の汚染物質が更に半導体基板上に落下して，半導体基板
に異常拡散を引き起こす。その結果、半導体装置の製造
歩留シを著しく低下させる。この問題を解消するために
は、通常管長が約２ｆｆ＋にも達する炉管Ｓを頻繁に洗
浄しなければならない欠点があった。
の汚染物質が更に半導体基板上に落下して，半導体基板
に異常拡散を引き起こす。その結果、半導体装置の製造
歩留シを著しく低下させる。この問題を解消するために
は、通常管長が約２ｆｆ＋にも達する炉管Ｓを頻繁に洗
浄しなければならない欠点があった。
本発明は、炉管内を常に高い洗浄度に保づて高品質の半
導体装置を容易に得ることができる半導体製造装置を提
供することをその目的とするものである。
導体装置を容易に得ることができる半導体製造装置を提
供することをその目的とするものである。
本発明は、炉管の排気口側の内部に内管を出入自在に挿
入した構造にし、内管の洗浄度を常に高く保って反応ガ
スによる汚染物質の堆積を阻止し、異常拡散のない高品
質の半導体装置を容易に得ることができる半導体製造装
置である。
入した構造にし、内管の洗浄度を常に高く保って反応ガ
スによる汚染物質の堆積を阻止し、異常拡散のない高品
質の半導体装置を容易に得ることができる半導体製造装
置である。
以下、本発明の一実施例について第２図を参照して説明
する。
する。
図中２０は、一端部に反応ガスの供給管２ノを有し、他
端部に排気口２２を形成した炉管である。炉管２０は、
酸化ケイ素などの材質で形成されている。炉管２Ｑの排
気口２２の内壁面はその肉厚に略等しい厚さ分だけ外部
に向って膨出している。この膨出によって内径が大きく
なった部分には、炉管２０と略等しい肉厚の内管２３が
、内壁面に密着するようにして出入自在に挿入されてい
る。内管２３は、炉管２０と同様に酸化ケイ素等の材質
で形成されている。
端部に排気口２２を形成した炉管である。炉管２０は、
酸化ケイ素などの材質で形成されている。炉管２Ｑの排
気口２２の内壁面はその肉厚に略等しい厚さ分だけ外部
に向って膨出している。この膨出によって内径が大きく
なった部分には、炉管２０と略等しい肉厚の内管２３が
、内壁面に密着するようにして出入自在に挿入されてい
る。内管２３は、炉管２０と同様に酸化ケイ素等の材質
で形成されている。
排気口２２の近傍の炉管２０の膨出量は、内管２３を挿
入した際に内管２３の内壁面２３１と炉管ｒｅの内壁面
２０ｍが略同一平面をなして、後述する半導体基板等の
被処理体を搭載したす化ゲタの出入れ操作が容易になる
ように設定するのが望ましい。また、膨出部の長さ、つ
まシ、内管２３の長さは、炉管２０内の温度が低下して
反応ガスが付着し易い部分の長さである炉管２０の全長
の約１／４に設定するのが望ましい。
入した際に内管２３の内壁面２３１と炉管ｒｅの内壁面
２０ｍが略同一平面をなして、後述する半導体基板等の
被処理体を搭載したす化ゲタの出入れ操作が容易になる
ように設定するのが望ましい。また、膨出部の長さ、つ
まシ、内管２３の長さは、炉管２０内の温度が低下して
反応ガスが付着し易い部分の長さである炉管２０の全長
の約１／４に設定するのが望ましい。
炉管２０の外周には、コイルヒータ２４が巻装されてい
る。供給管２１は、オキシ塩化リン等の反応ガス源２４
に接続されている。
る。供給管２１は、オキシ塩化リン等の反応ガス源２４
に接続されている。
而して、このように構成された牛導体復造装 “
置３０によれば、炉管２０内に供給管２１から
□キャリアガスと共にオキシ塩化リン等の反応ガスを供
給し、所定の割合で排気口２２からこれを排気した状態
で炉管２０内の温度をコイルヒ火− 一夕２４よ）所定湯度に設定して、炉管２０内に設置さ
れたザセプタ（図示せず）上の半導体基板に不純物拡散
処理を施Ｊ０このような不純物拡散処理によって低温側
でおる排気口２２の近傍の内壁ｍ ｚ ３１にリン塩化
物等の不純物が堆積すると、速やかに内管２３剖分を炉
管２０から外し、酸等によって洗浄する。その結果、炉
管２０内を常に洗浄度に保ち、不純物拡散処理の際に異
常拡散が起自るのを阻止することがで籾る。従って、高
品質の半導体装置を容易に得ることができる。
置３０によれば、炉管２０内に供給管２１から
□キャリアガスと共にオキシ塩化リン等の反応ガスを供
給し、所定の割合で排気口２２からこれを排気した状態
で炉管２０内の温度をコイルヒ火− 一夕２４よ）所定湯度に設定して、炉管２０内に設置さ
れたザセプタ（図示せず）上の半導体基板に不純物拡散
処理を施Ｊ０このような不純物拡散処理によって低温側
でおる排気口２２の近傍の内壁ｍ ｚ ３１にリン塩化
物等の不純物が堆積すると、速やかに内管２３剖分を炉
管２０から外し、酸等によって洗浄する。その結果、炉
管２０内を常に洗浄度に保ち、不純物拡散処理の際に異
常拡散が起自るのを阻止することがで籾る。従って、高
品質の半導体装置を容易に得ることができる。
また、炉管２０内の洗浄度は、汚染物質？付着し易い領
域だけを内管２３として取出し、これを洗浄することに
よって高い洗浄度に保つことができ、洗浄操作は容易で
あり、作業性を高めて製造歩留の向上を達成できる。
域だけを内管２３として取出し、これを洗浄することに
よって高い洗浄度に保つことができ、洗浄操作は容易で
あり、作業性を高めて製造歩留の向上を達成できる。
なお、実施例の半導体製造装置、９０にて約１万個の半
導体基板に不純物拡散処理を施し、異常拡散の発生率を
調べたところ１〜３％以下であっ九。これと比較するた
めに、第１図に示す従来の半導体製造装置１０にて同様
の不純物拡散処理を施し、異常拡散の発生率を刺べたと
ころ２０〜４０％でおりた０ 〔発明の効果〕 以上説明した如く、本発明に係る半導体製造装置によれ
ば、炉管内を常に高い洗浄度に保って高品質の半導体装
置を容易に得ることができるものである・
導体基板に不純物拡散処理を施し、異常拡散の発生率を
調べたところ１〜３％以下であっ九。これと比較するた
めに、第１図に示す従来の半導体製造装置１０にて同様
の不純物拡散処理を施し、異常拡散の発生率を刺べたと
ころ２０〜４０％でおりた０ 〔発明の効果〕 以上説明した如く、本発明に係る半導体製造装置によれ
ば、炉管内を常に高い洗浄度に保って高品質の半導体装
置を容易に得ることができるものである・
第１図は、従来の半導体製造装置の断面図、第２図は、
本発明の一実施例の断面図である。 ２１Ｏ・・・炉管、２１・・・供給管、２２・・・排気
口、２３・・・内管、２４・・・反応ガス源、８０・・
・半導体製造装ｆｌ。
本発明の一実施例の断面図である。 ２１Ｏ・・・炉管、２１・・・供給管、２２・・・排気
口、２３・・・内管、２４・・・反応ガス源、８０・・
・半導体製造装ｆｌ。
Claims (1)
- 一端部に反応ガスの供給管を有し、他端部に排気口を有
する炉管と、該炉管の排気口側の内壁面に密着するよう
にして出入自在に挿入された内管とを具備することを特
徴とする半導体製造装置・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9876882A JPS58216416A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9876882A JPS58216416A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58216416A true JPS58216416A (ja) | 1983-12-16 |
Family
ID=14228563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9876882A Pending JPS58216416A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58216416A (ja) |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP9876882A patent/JPS58216416A/ja active Pending
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