JPH03268422A - 縦型ウエハー処理装置 - Google Patents
縦型ウエハー処理装置Info
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- JPH03268422A JPH03268422A JP6889790A JP6889790A JPH03268422A JP H03268422 A JPH03268422 A JP H03268422A JP 6889790 A JP6889790 A JP 6889790A JP 6889790 A JP6889790 A JP 6889790A JP H03268422 A JPH03268422 A JP H03268422A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（４既 要〕
縦型ウェハー処理装置、例えば、縦型に構成した拡散装
置などに関し、 有毒物が付着しないようにフランジを清浄に維持するこ
とを目的とし、 内套管と外套管と、該外套管の上部および側部を包囲す
る加熱体と、 前記内套管の内部にガスを導入するためのガス導入口と
、前記外套管の内部よりガスを排気するためのガス排気
口と、 前記内套管の内部に保持されるウェハーホルダーと、該
ウェハーホルダーを支持するフランジとから構成された
縦型ウェハー処理装置において、前記フランジがガスを
流入するための該フランジ上面に設けた複数の噴射孔と
該フランジを加熱するための加熱体とを備えてなること
を特徴とする。
置などに関し、 有毒物が付着しないようにフランジを清浄に維持するこ
とを目的とし、 内套管と外套管と、該外套管の上部および側部を包囲す
る加熱体と、 前記内套管の内部にガスを導入するためのガス導入口と
、前記外套管の内部よりガスを排気するためのガス排気
口と、 前記内套管の内部に保持されるウェハーホルダーと、該
ウェハーホルダーを支持するフランジとから構成された
縦型ウェハー処理装置において、前記フランジがガスを
流入するための該フランジ上面に設けた複数の噴射孔と
該フランジを加熱するための加熱体とを備えてなること
を特徴とする。
本発明は縦型ウェハー処理装置、例えば、縦型に構成し
た拡散装置などに関する。
た拡散装置などに関する。
近年、半導体デバイスの量産化、ウェハーの大口径化に
伴って、自動化対応の容易な縦型ウェハー処理装置が重
用されつつあり、そのような処理装置は取扱いの容易さ
が望まれている。
伴って、自動化対応の容易な縦型ウェハー処理装置が重
用されつつあり、そのような処理装置は取扱いの容易さ
が望まれている。
例えば、縦型拡散装置は（１）石英ホルダーと石英管と
の接触がないのでゴミが発生しない、（２）大口径ウェ
ハーが処理し易い、（３）自動化対応が容易になる、（
４）スペースが少なくて済む、（５）加熱エネルギーが
節約できる等の利点があり、次第に縦型処理装置が汎用
されてきた。
の接触がないのでゴミが発生しない、（２）大口径ウェ
ハーが処理し易い、（３）自動化対応が容易になる、（
４）スペースが少なくて済む、（５）加熱エネルギーが
節約できる等の利点があり、次第に縦型処理装置が汎用
されてきた。
第３図はそのような従来の縦型拡散装置の要部図を示し
ており、記号ｌは加熱体、２は石英管型の外套管、３は
石英管型の内含管、４はガス導入口４０を有するガス導
入マニホルド（ｍａｎｉｆｏｌｄ） ＋５はガス排気口
５０を有する排気用マニホルド、６はウェハー６０を保
持するウェハーホルダー、７はホルダー受は台、８は密
封するためのフランジ（ｆｌａｎｇｅ） 、 ＯＲはＯ
リングである。
ており、記号ｌは加熱体、２は石英管型の外套管、３は
石英管型の内含管、４はガス導入口４０を有するガス導
入マニホルド（ｍａｎｉｆｏｌｄ） ＋５はガス排気口
５０を有する排気用マニホルド、６はウェハー６０を保
持するウェハーホルダー、７はホルダー受は台、８は密
封するためのフランジ（ｆｌａｎｇｅ） 、 ＯＲはＯ
リングである。
このような縦型拡散装置を用いて、例えば、ウェハー面
に成長させた多結晶シリコン膜に燐（Ｐ）を熱拡散させ
て低抵抗化する場合の処理概要を説明すると、まず、ウ
ェハーを収容したウェハーホルダー６とホルダー受は台
７とをフランジ８上にセットし、フランジ８に接続して
いるエレベータ（図示していない）を上昇させ、フラン
ジ８をガス導入マニホルド４にＯリングを介して密着さ
せて第３図に示す状態にする。次に、ガス導入口４０か
ら窒素（Ｎ２）ガスを導入して内含管３および外套管ｌ
の内部を不活性ガスで置換する。ガスは内含管３の下部
より導入して上部より内含管３と外套管２との間隙に入
り、その間隙の下部より排出される。
に成長させた多結晶シリコン膜に燐（Ｐ）を熱拡散させ
て低抵抗化する場合の処理概要を説明すると、まず、ウ
ェハーを収容したウェハーホルダー６とホルダー受は台
７とをフランジ８上にセットし、フランジ８に接続して
いるエレベータ（図示していない）を上昇させ、フラン
ジ８をガス導入マニホルド４にＯリングを介して密着さ
せて第３図に示す状態にする。次に、ガス導入口４０か
ら窒素（Ｎ２）ガスを導入して内含管３および外套管ｌ
の内部を不活性ガスで置換する。ガスは内含管３の下部
より導入して上部より内含管３と外套管２との間隙に入
り、その間隙の下部より排出される。
次いで、加熱体１によって内部を加熱して８００〜９０
０°Ｃに昇温し、ガス導入口４０から導入するガスを窒
素ガスから塩化燐（ＰＣｌ３ ）十酸素（０２）の混合
ガスに切り換え、且つ、ガス排気口５０から排気して内
部の減圧度を約ｌＯ〜２０Ｔｏｒｒ程度に維持し、多結
晶シリコン膜に燐（Ｐ）を熱拡散させる。
０°Ｃに昇温し、ガス導入口４０から導入するガスを窒
素ガスから塩化燐（ＰＣｌ３ ）十酸素（０２）の混合
ガスに切り換え、且つ、ガス排気口５０から排気して内
部の減圧度を約ｌＯ〜２０Ｔｏｒｒ程度に維持し、多結
晶シリコン膜に燐（Ｐ）を熱拡散させる。
このような縦型の構造は拡散装置のみならず、縦型ＣＶ
Ｄ装置などにも適用されているものである。
Ｄ装置などにも適用されているものである。
本発明はこのような問題点を解消させて、有毒〔発明が
解決しようとする課題〕 ところで、上記例のような塩化燐（ＰＣｈ ）などを使
用すると、それがフランジ８に付着したままとなり、こ
の部分は常温に近い低温度であるから蒸発せずに、液状
のまま残存する。そして、拡散処理の後にエレベータ（
図示していない）を動かしてフランジ８を下降させ、そ
のフランジ上面を空気に曝すと、塩化燐が空気中の水（
Ｈ２０）と反応して亜燐酸（Ｈ□ＰＨＯ，）や塩酸（Ｍ
ＣＩ）を生成する。この塩化燐や亜燐酸、塩酸は劇薬で
あり、人体に有毒で、また、ＳＵＳ （ステンレス）製
のフランジ８は腐蝕されて、しかも、操作者に付着すれ
ば火傷を起こす。さらに、液状になった亜燐酸がウェハ
ーに付着すると、ゴミとなってウェハーの品質を低下さ
せることになる。
解決しようとする課題〕 ところで、上記例のような塩化燐（ＰＣｈ ）などを使
用すると、それがフランジ８に付着したままとなり、こ
の部分は常温に近い低温度であるから蒸発せずに、液状
のまま残存する。そして、拡散処理の後にエレベータ（
図示していない）を動かしてフランジ８を下降させ、そ
のフランジ上面を空気に曝すと、塩化燐が空気中の水（
Ｈ２０）と反応して亜燐酸（Ｈ□ＰＨＯ，）や塩酸（Ｍ
ＣＩ）を生成する。この塩化燐や亜燐酸、塩酸は劇薬で
あり、人体に有毒で、また、ＳＵＳ （ステンレス）製
のフランジ８は腐蝕されて、しかも、操作者に付着すれ
ば火傷を起こす。さらに、液状になった亜燐酸がウェハ
ーに付着すると、ゴミとなってウェハーの品質を低下さ
せることになる。
その課題は、第１図および第２図に示すように、内含管
３と外套管２と、該外套管の上部および側部を包囲する
加熱体１と、 前記内含管の内部にガスを導入するためのガス導入口４
０と、前記外套管の内部よりガスを排気するためのガス
排気口５０と、 前記内含管の内部に保持されるウェハーホルダー６と、
該ウェハーホルダーを支持するフランジＩＯとから構成
された縦型ウェハー処理装置において、前記フランジｌ
Ｏがガスを流入するための該フランジ上面に設けた複数
の噴射孔１２と該フランジを加熱するための加熱体１１
とを備えている縦型ウェハー処理装置によって解決され
る。
３と外套管２と、該外套管の上部および側部を包囲する
加熱体１と、 前記内含管の内部にガスを導入するためのガス導入口４
０と、前記外套管の内部よりガスを排気するためのガス
排気口５０と、 前記内含管の内部に保持されるウェハーホルダー６と、
該ウェハーホルダーを支持するフランジＩＯとから構成
された縦型ウェハー処理装置において、前記フランジｌ
Ｏがガスを流入するための該フランジ上面に設けた複数
の噴射孔１２と該フランジを加熱するための加熱体１１
とを備えている縦型ウェハー処理装置によって解決され
る。
即ち、本発明はフランジ自体を加熱し、且つ、ガスを噴
射させて付着物を排出させる多数の噴射孔を設けたフラ
ンジを備えた処理装置の構造にする。
射させて付着物を排出させる多数の噴射孔を設けたフラ
ンジを備えた処理装置の構造にする。
そうすれば、拡散処理の後に空気に曝してもフランジは
安定であり、操作者は安心して取り扱うことができる。
安定であり、操作者は安心して取り扱うことができる。
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる縦型拡散装置の要部図を示して
おり、図中の記号は第３図と同じく、■は２分割形ヒー
タよりなる加熱体、２は石英管よりなる外套管、３は石
英管よりなる内套管、４はガス導入口４０を有するガス
導入マニホルド、５はガス排気口５０を有する排気用マ
ニホルド、６はウェハー６０を保持するウェハーホルダ
ー、７はホルダー受は台、 ＯＲは０リングであるが、
１０が本発明にかかる多数の噴射孔と加熱体とを備えた
フランジ（ｆｌａｎｇｅ）である。
おり、図中の記号は第３図と同じく、■は２分割形ヒー
タよりなる加熱体、２は石英管よりなる外套管、３は石
英管よりなる内套管、４はガス導入口４０を有するガス
導入マニホルド、５はガス排気口５０を有する排気用マ
ニホルド、６はウェハー６０を保持するウェハーホルダ
ー、７はホルダー受は台、 ＯＲは０リングであるが、
１０が本発明にかかる多数の噴射孔と加熱体とを備えた
フランジ（ｆｌａｎｇｅ）である。
このようなフランジ１０を設けて、拡散処理後に降温さ
せると同時に、フランジ１０を加熱して不活性ガス（例
えば、窒素ガス）を多数の噴射孔から噴射させればフラ
ンジ１０の付着した塩化燐などの付着物は加熱によって
蒸発し、そのガスは不活性ガスによって運ばれてガス排
気口５０から排出され、次に、処理ウェハーを取り出す
ためにフランジ１０を下降させて、そのフランジ１０の
上面を空気中に曝しても、塩化燐のような付着物が除か
れているために、フランジ１０は腐蝕されることなく安
定で、また、操作者も安心して作業できる。
せると同時に、フランジ１０を加熱して不活性ガス（例
えば、窒素ガス）を多数の噴射孔から噴射させればフラ
ンジ１０の付着した塩化燐などの付着物は加熱によって
蒸発し、そのガスは不活性ガスによって運ばれてガス排
気口５０から排出され、次に、処理ウェハーを取り出す
ためにフランジ１０を下降させて、そのフランジ１０の
上面を空気中に曝しても、塩化燐のような付着物が除か
れているために、フランジ１０は腐蝕されることなく安
定で、また、操作者も安心して作業できる。
次に、第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかるフラン
ジの断面図（同図（ａ））と平面図（同図（ｂ））を示
しており、図中の記号１１はヒータを内蔵している加熱
体、 １２は噴射孔、 １３はＯリングＯＲの部分を冷
却させるための水冷部、１４は不活性ガス導入口、１５
は開閉バルブである。
ジの断面図（同図（ａ））と平面図（同図（ｂ））を示
しており、図中の記号１１はヒータを内蔵している加熱
体、 １２は噴射孔、 １３はＯリングＯＲの部分を冷
却させるための水冷部、１４は不活性ガス導入口、１５
は開閉バルブである。
このような構造にすれば、拡散処理後に、フランジ１０
を加熱して不活性ガスを多数の孔から噴射させることが
でき、そのフランジ１０の付着物を取り除いて清浄化で
きる。従って、フランジ１０全而を空気に曝してもフラ
ンジ１０は安定であり、また、操作者も火傷の心配はな
い。且つ、拡散処理工程中は開閉バルブ１５を閉じ、拡
散処理終了後のみに開閉バルブ１５を開いて、上記のフ
ランジ１０の操作をおこなうものである。
を加熱して不活性ガスを多数の孔から噴射させることが
でき、そのフランジ１０の付着物を取り除いて清浄化で
きる。従って、フランジ１０全而を空気に曝してもフラ
ンジ１０は安定であり、また、操作者も火傷の心配はな
い。且つ、拡散処理工程中は開閉バルブ１５を閉じ、拡
散処理終了後のみに開閉バルブ１５を開いて、上記のフ
ランジ１０の操作をおこなうものである。
なお、上記は燐を拡散する縦型拡散装置によって説明し
たが、他の拡散処理や他の縦型ウェハー処理装置にも適
用できることは当然である。
たが、他の拡散処理や他の縦型ウェハー処理装置にも適
用できることは当然である。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる縦型ウ
ェハー処理装置によれば、フランジを常に清浄に保持で
きるために、フランジが腐蝕せずに安定して、操作者に
も害を与えることがなく、しかも、ゴミが除かれるため
にウェハーの品質が良（なって、半導体デバイスの高品
質化にも寄与するものである。
ェハー処理装置によれば、フランジを常に清浄に保持で
きるために、フランジが腐蝕せずに安定して、操作者に
も害を与えることがなく、しかも、ゴミが除かれるため
にウェハーの品質が良（なって、半導体デバイスの高品
質化にも寄与するものである。
第１図は本発明にかかる縦型拡散装置の要部図、第２図
（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかるフランジの断面図と
平面図、 第３図は従来の縦型拡散装置の要部図である。 図において、 １は加熱体、 ２は外套管、３は内套管、
４はガス導入マニホルド、５は排気用マニホ
ルド、６はウェハーボルダ−７はホルダー受は台、 Ｏ
Ｒは０リング、８はフランジ、 １０は本発明にかかるフランジ、 １１はフランジの加熱体、１２は噴射孔、１３は水冷部
、 １４は不活性ガス導入口、１５は開閉バル
ブ、 ４０はガス導入口、５０はガス排気口、
６０はウェハーを示している。 滞発Ｂ％ｈｙ＋・ＰＪ悦Ｙ店教装置の挙帥図ａｉ１１１ ・杢ザざ９１１ ＋＝ｖ・ｐ３フラ〉五′のかｈ辷α幻
絆δ６ｒ１６２Ｂ かＩ弐電セ装置４慢図 １８３ 図
（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかるフランジの断面図と
平面図、 第３図は従来の縦型拡散装置の要部図である。 図において、 １は加熱体、 ２は外套管、３は内套管、
４はガス導入マニホルド、５は排気用マニホ
ルド、６はウェハーボルダ−７はホルダー受は台、 Ｏ
Ｒは０リング、８はフランジ、 １０は本発明にかかるフランジ、 １１はフランジの加熱体、１２は噴射孔、１３は水冷部
、 １４は不活性ガス導入口、１５は開閉バル
ブ、 ４０はガス導入口、５０はガス排気口、
６０はウェハーを示している。 滞発Ｂ％ｈｙ＋・ＰＪ悦Ｙ店教装置の挙帥図ａｉ１１１ ・杢ザざ９１１ ＋＝ｖ・ｐ３フラ〉五′のかｈ辷α幻
絆δ６ｒ１６２Ｂ かＩ弐電セ装置４慢図 １８３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 内套管と外套管と、該外套管の上部および側部を包囲
する加熱体と、 前記内套管の内部にガスを導入するためのガス導入口と
、前記外套管の内部よりガスを排気するだめのガス排気
口と、 前記内套管の内部に保持されるウェハーホルダーと、該
ウェハーホルダーを支持するフランジとから構成された
縦型ウェハー処理装置において、前記フランジがガスを
流入するための該フランジ上面に設けた複数の噴射孔と
該フランジを加熱するための加熱体とを備えてなること
を特徴とする縦型ウェハー処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6889790A JPH03268422A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 縦型ウエハー処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6889790A JPH03268422A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 縦型ウエハー処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268422A true JPH03268422A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13386908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6889790A Pending JPH03268422A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 縦型ウエハー処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268422A (ja) |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6889790A patent/JPH03268422A/ja active Pending
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