JPS63170984A - 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高出力動作が可能な半導体レーザ装置およ
びその製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、半導体レーザ装置を高出力化する方法として、レ
ーザ光が出射する共振器端面近傍の実効的なバンドギャ
ップを内部領域より大きくした、いわゆる窓構造が知ら
れている。

第８図（ａ）は１例えばＩＥＥＥ　　ＪＯＵＲＮＡＬＯ
Ｆ　　ＱＵＡＮＴＵＭ　　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ３（７
）ＶＯＬ　　ＱＥ−１５（１９７９）ノア　７５〜７８
１ページに示されたＺｎ拡散を利用した窓構造レーザの
断面図である。この図において、１はｎ形ＧａＡｓから
なる基板、９は拡散領域、１０はＰ電極、１１は口電極
、１２はｎ形Ａ　ｌ　ｏ、　３Ｇ　ＩＬｏ、　７Ａ　Ｓ
からなるクラッド層、１３はｎ形Ａ　ｌ　ｇ、　。、Ｇ
　ａ、）、　、。

Ａｓからなる活性層、１３ａはｐ形Ａｊ６．ｏｇＧａ６
、＠４Ａｓからなる活性層、１４はｎ形Ａ　ｊ　６．３
　Ｇ　＆（１，７Ａｓからなるクラッド層、１５は５ｉ
ｆｔからなる絶縁膜である。

次に、この従来の半導体レーザ装置の製造方法および動
作について説明する。

まず、基板１上にクラッド層１２．活性層１３゜クラッ
ド層１４の各層を順次結晶成長させる。次いで、第８図
（ｂ）に示すように、絶縁膜１５を形成した後、共振器
端面近傍を残してストライプ状に絶縁膜１５を除去する
。次に、絶縁膜１５のストライプ状に除去された部分か
ら選択的にＺｎを活性層１３中まで拡散する。この結果
、活性層１３は共振器端面近傍ではｎ形であるが、内部
でｐ形で端面とは導電形が異なるようになる。この構造
によると、ｐ形の活性層１３ａの禁制帯幅はバンドティ
リング効果によりアンドープの場合よりも小さくなる。

一方、ｎ形の活性層１３では、バースタイン効果により
実効的な禁制帯幅はアンドープの場合よりも大きくなる
。この結果、共振器端面近傍のｎ形の活性層１３は、ｐ
形の活性層１３ａの領域で生じたレーザ光に対しては透
明となり、レーザ破壊の原因となる共振器端面近傍での
界面準位による吸収が減少し高出力動作が可能となる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のような従来の半導体レーザ装置では、表面から約
２μｍ厚のクラッド層１４を通して拡散したＺｎの拡散
領域９を、約０．１μｍの厚さの活性層１３中で正確に
止める必要がある。もし、拡散領域９が活性層１３に達
しないと窓効果が得られず、また、拡散領域９が活性層
１３より深い領域に達するとｐ　−ｎ接合がダブルへテ
ロ構造の界面からずれる、いわゆるリモートジャンクシ
ョンとなり、しきい値電流の上昇や発振自体が困難にな
る等の問題が生じる。このため、Ｚｎ拡散の制御を厳密
に行う必要があり、良好なレーザ特性を再現性２歩留り
よく得るのは困難であった。さらに、この構造では、活
性層１３ａに平行方向の光閉じ込めは、活性層１３，１
３ａのｎ形−ｐ形の導電形の差による小さな屈折率差に
よってなされているため、横モードの制御が十分にでき
ず、また、ｎ形、ｐ形それぞれのキャリア濃度のわずか
な変化によっても屈折率差は大きく変化する。

この結果、しきい値電流や放射パターンの遠視舒像等の
素子特性の再現性、均一性が悪くなるという問題点もあ
った。

この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、不純物拡散による窓構造を有し、横モードが安定
で高出力動作が可能であり、かつ容易に歩留りよ（量産
できる半導体レーザ装置およびその製造方法を得ること
を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る半導体レーザ装置は、半導体基板と、こ
の半導体基板上に形成された第１のクラッド層と、この
第１のクラッド層上に形成されたその屈折率が第１のク
ラッド層より大きく禁制帯幅が小さい活性層と、この活
性層上に形成されたその屈折率が活性層より小さく禁制
帯幅が大きし）第２のクラッド層と、この第２のクラッ
ド層上に共振器端面近傍を除いてストライプ状に形成さ
れたその屈折率が第２のクラッド層より大きく活性層よ
り小さい光ガイド層と、この光ガイド層上および第２の
クラッド層上に光ガイド層に対応するリッジ部を有して
形成されたその屈折率が活性層より小さく禁制帯幅が大
きい第３のクラッド層と、この第３のクラッド層上に光
ガイド層に対応するリッジ部を有して形成された電流ブ
ロック層と、この電流ブロック層上に形成されたコンタ
クト層とから構成され、第３のクラッド層、光ガイド層
。

コンタクト層、光ガイド層の直下の領域の第２のクラッ
ド層および活性層を第１導電形、その他の領域を第２導
電形とするとともに、活性層の共振器端面近傍の禁制帯
幅をその内部より大きくしたものである。

また、この発明に係る製造方法は、第２導電形の半導体
基板上に高不純物濃度で第２導電形の第１のクラッド層
を形成する工程と、第１のクラッド層上にその屈折率が
第１のクラッド層より大きく禁制帯幅が小さい第２導電
形の活性層を形成する工程と、活性層上にその屈折率が
活性層より小さく禁制帯幅が大きい高不純物濃度で第２
導電形の第２のクラッド層を形成する工程と、第２のク
ラッド層上にその屈折率が第２のクラッド層より大きく
活性層より小さい高不純物濃度で第１導電形の光ガイド
層を共振器端面近傍を除いてストライプ状に形成する工
程と、光ガイド層上および第２のクラッド層上にその屈
折率が活性層より小さく禁制帯幅が大きい低不純物濃度
で第１導電形の第３のクラッド層を光ガイド層に対応す
るりツジ部を有するように形成する工程と、第３のクラ
ッド層上に第２導電形の電流ブロック層を光ガイド層に
対応するリッジ部を有するように形成する工程と、電流
ブロック層上に高不純物濃度で第２導電形のコンタクト
層を形成する工程と、光ガイド層中およびコンタクト層
中の不純物をそれぞれ第２のクラッド層、活性層中と、
電流ブロック層中へ拡散させて、光ガイド層直下の領域
の第２のクラッド層、活性層および電流ブロック層のリ
ッジ部の導電形を反転させる工程とを含むものである。

〔作用〕

この発明においては、コンタクト層のリッジ部。

第３のクラッド層のリッジ部、光ガイド層、この光ガイ
ド層の直下の領域の第２のクラッド層および活性層を介
して電流が流れる。また、光ガイド層の直下の活性層の
実効屈折率が高くなる。

また、この発明の製造方法においては、光ガイド層およ
びコンタクト層からの不純物の拡散によって光ガイド層
の直下の領域の第２のクラッド層。

活性層および電流ブロック層のリッジ部の導電形が反転
して電流通路が形成されるとともに、活性層の共振器端
面近傍の禁制帯幅が大きくなる。

〔実施例〕

第１図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す
断面図である。この図において、第８図（ａ）、（ｂ）
と同一符号は同一部分を示し、２はｎ形Ａ　ｌ　６．　
＠６　Ｇ　＆（１，＠６　Ａ　Ｓからなる、例えば不純
物としてのＳｅの濃度が７　Ｘ　１０　”ｃｍ−”以上
の高濃度の第１のクラッド層、３はｎ形Ａ　ｌ　６．１
ｇＧ　ａ６．ｓＡｓからなる、例えば不純物としてのＳ
ｅの濃度が２　Ｘ　１０　”ｃｒｇ−３程度の活性層、
３ａはｐ形Ａｌｏ、　ｘｓＧ　ａｏ、　ｓｏＡ　ｓから
なる活性層、４はｎ形Ａｊ。、、。Ｇａｏ、ｓ。Ａｓか
らなる第２のクラッド層、４ａはｐ形Ａ　ｌ　＠、　ｓ
ｏ　Ｇ　ａｏ、　ｓ＋ｅ−Ａ　Ｓからなる第２のクラッ
ド層、５はｐ形Ａ　ｌ　６．＠６　Ｇ　ａｏ、　ｇｏ　
Ａ　’からなる、例えば不純物としてのＺｎの濃度がＩ
　Ｘ　１０　”ｃ−一３以下の低濃度の第３のクラッド
層、６はｎ形Ａｌｏ、　ｓｏＧ　ａｏ、　５＠Ａ　ｓか
らなる電流ブロック層、６ａはｐ形Ａ　ｌ　０．　、。

Ｇａ（、、、。Ａｓからなる電流ブロック層、７はｐ形
ＧａＡｓからなる、例えば不純物としてのＺｎの濃度が
５　Ｘ、１０　”ｃ＋ｍ−’以上の高濃度のコンタクト
層、８はｐ形Ａ　Ｊ　６．ｘｓＧ　１１０．７＠Ａ　ｓ
からナル、例えば不純物としてのＺｎの濃度が５×１０
１１１ｃ１１−３以上の高濃度の光ガイド層である。

次に、第２図〜第６図をもとに、この発明の半導体レー
ザ装置の製造方法を説明する。

まず、第２図に示すように、基板１上にクラッド層２、
例えばＺｎの濃度が２　Ｘ　１０　”ｃｍ−３程度の活
性Ｈ３、クラッド層４、例えばＺｎ濃度が５Ｘ　１０　
”ｃｏ＋−”以上の高濃度の光ガイド層８を順次液相成
長法またはＭＯ−ＣＶＤ法等により結晶成長させる。次
に、フォトリソグラフィ技術によってストライプ上にレ
ジスト膜（図示せず）を残し、共振器端面近傍の窓構造
とする部分の上のレジスト膜は除去する。次に、このレ
ジスト膜をマスクとして光ガイドＨ８のみをクラッド層
４の表面まで選択的にエツチングし、レジスト膜に覆わ
れた部分以外を除去する。この状態が第３図である。

第４図は光ガイド層８の長手方向に、基板１と垂直な面
で切断した状態の断面図である。このような選択性を示
すエツチング溶液としては、例えばＮＨ４ＯＨ／Ｈ，Ｏ
，系溶液があげられる。エツチング後、レジスト膜を除
去し、第５図に示すように、例えばＺｎの濃度がＩ　Ｘ
　１０１７ｃｍ−”以下の低濃度のクラッド層５．電流
ブロック層６、例えばＺｎの濃度が５　Ｘ　１０　”ａ
ｍ−’以上の高濃度のコンタクト層７をそれぞれ成長さ
せる。この時、第１図から明らかなように、各層はリッ
ジ状の光ガイド層８に対応するリッジ部を有して成長す
る。

ここで、各層の成長中あるいは成長後も加熱し続けるこ
とによって第６図に示すように、光ガイド層８とコンタ
クト層７のＺｎが拡散する。この時、電流ブロック層６
内のリッジ状の光ガイド層８の斜面部分に垂直な方向、
っまｔ）＜１１１＞方向へのＺｎの拡散速度は基板１に
垂直な方向、すなわち＜ｉｏｏ＞方向に比べて２倍以上
早い。したがって、光ガイド層８上のリッジ部以外の部
分で、コンタクト層７からクラッドＨ５にＺｎ拡散が達
して電流ブロック層６がｐ形に反転する前に加熱を止め
ることにより、光ガイド層８上の電流ブロック層６のリ
ッジ部のみが反転してｐ形の電流ブロック層６ａとなる
。

したがって、この発明では何らの位置きわせ工程などす
ることなしに、自動的にｐ形の電流通路が電流ブロック
層６ａのリッジ部の斜面にのみ形成される。また、コン
タクト層７．光ガイド層８間のＺｎ拡散と同時に、光ガ
イド層８からクラッドＨ４を通って活性層３にもＺｎ拡
散が生じるが、クラッド層２を十分に高濃度、例えば７
Ｘ１０”ａｍ　−”以上ｎ形不純物、例えばＳｅ（セレ
ン）をドーピングしておくことにより、クラッド層２内
へＺｎが拡散してもｎからｐへの反転は生じない。

したがって、クラッド層４および活性層３内のＺｎが拡
散した部分のみがｐ形のクラッドＪＩ４ａおよび活性層
３ａに反転する。そして、最後にウニへの基板１側にｎ
電極１１、コンタクト層７側にｐ電極１０を形成するこ
とにより、第１図に示した半導体レーザ装置が完成する
。

次に、この発明の半導体レーザ装置の動作について説明
する。

すなわち、この発明の半導体レーザ装置では、光ガイド
層８上のリッジ部から離れた領域では、基板１に垂直方
向の各層の伝導形が基板１側からｎｐｎｐの順となって
いる。したがって、ｐ電極１ｏに正（＋）、ｎｔｌ極１
１に負（−）となるように電圧を印加した場合、クラッ
ド層５と電流ブロック層６の間のｐｎ接合は逆バイアス
となる。このため、この領域ではｆＩ流は全く流れない
。これに対し、光ガイド層８の近傍では第１図の斜線で
示されるように、ｐ形の拡散領域９（電流ブロック層６
ａ）によりコンタクト層７と光ガイド層８とがつながっ
ているため、電流は矢印で示される経路で流れ、光ガイ
ド層８の下方でクラッド層４ａからホールが、クラッド
層２から電子が活性層３ａに注入され、電子とホールの
再結合による発光が生じる。流す電流レベルを十分に増
加させることより、やがて誘導放出が始まりレーザ発振
に至る。

したがって、この発明の半導体レーザ装置は、ストライ
プ状電極等の付加的電流狭窄構造を設ける乙となく、自
己整合的（セルファライン）に電流をストライプ状に形
成された光ガイドＨ８の直下の活性層３ａに集中させる
乙とができ、低いしきい値電流で発振させることができ
る。

次に、光ガイド層８の横モード安定化の機能について説
明する。

活性層３ａの光ガイド層８に近接している領域では、光
ガイド層８の屈折率がクラッド層５の屈折率よりも大き
いため、これに影響されて光ガイド層８がない部分より
も実効屈折率差が大きくなる。したがって、活性層３ａ
に平行方向にステップ状の屈折率分布が生じ、実効的に
横方向の光の閉じ込めがなされる。

第７図（ａ）、（ｂ）は共振器方向に垂直な方向のリッ
ジ部分の断面図および成長層に平行方向の実効屈折率分
布の模式図である。

そして、光ガイド層８の幅を、例えば３μｍ以下にする
ことにより、低しきい値発振と安定した基本横モードが
可能となる。

次に、高出力動作について説明する。

第６図より明らかなように、共振器端面近傍には光ガイ
ドＨ８がないため、この部分の活性Ｈ３は高濃度ｎ形の
ままであり、チップ内部は光ガイド層８からの拡散によ
り高濃度のｐ形の活性層３ａとなっているため、共振器
端面近傍で内部より実効的にバンドキャップが広くなっ
ている窓構造が形成されている。したがって、共振器端
面近傍での光吸収が減少し、この結果、共振器端面が破
壊しにくくなり高出力動作が可能となる。

なお、上記実施例では、ＡＪＧａＡｓ系半導体レーザ装
置について説明したが、他の混晶系、例えばＩ　ｎ　Ｇ
ａＡｓＰ、　Ａ　Ｉ　ＧａＩ　ｎＰ系の半導体レーザ装
置にも同様に適用することができる。

また、上記実施例では、不純物としてＺｎ、Ｓｅを用い
たが、これ以外に、例えばＣｄ、Ｓ等を用いてもよいこ
とはいうまでもない。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとおり、半導体基板と、この半
導体基板上に形成された第１のクラッド層と、この第１
のクラッド層上に形成されたその屈折率が第１のクラッ
ド層より大きく禁制帯幅が小さい活性層と、この活性層
上に形成されたその屈折率が活性層より小さく禁制帯幅
が大きい第２のクラッド層と、この第２のクラッド層上
に共振器端面近傍を除いてストライプ状に形成されたそ
の屈折率が第２のクラッド層より大きく活性層より小さ
い光ガイド層と、この光ガイド層上および第２のクラッ
ド層上に光ガイド層に対応するリッジ部を有して形成さ
れたその屈折率が活性層より小さく禁制帯幅が大きい第
３のクラッド層と、この第３のクラッド層上に光ガイド
層に対応するリッジ部を有して形成された電流ブロック
層と、この電流ブロック層上に形成されたコンタクト層
とから構成し、第３のクラッド層、光ガイド層２コンタ
クト層、光ガイド層の直下の領域の第２のクラッド層お
よび活性層を第１導電形で、その他の領域を第２導電形
とするとともに、活性層の共振器端面近傍の禁制帯幅を
その内部より大きくしたので、横モードが安定で高出力
動作が可能であり、素子特性が優れているという効果が
ある。

また、この発明の製造方法は以上説明したとおり、第２
導電形の半導体基板上に高不純物濃度で第２導電形の第
１のクラッド層を形成する工程と、第１のクラッド層上
にその屈折率が第１のクラッド層より大きく禁制帯幅が
小さい第２導電形の活性層を形成する工程と、活性層上
にその屈折率が活性層より小さく禁制帯幅が大きい高不
純濃度で第２導電形の第２のクラッド層を形成する工程
と、第２のクラッド層上にその屈折率が第２のクラッド
層より大きく活性層より小さい高不純物濃度で第１導電
形の光ガイド層を共振器端面近傍を除いてストライプ状
に形成する工程と、光ガイド層上および第２のクラッド
層上にその屈折率が活性層より小さく禁制帯幅が大きい
低不純物濃度で第１導電形の第３のクラッド層を光ガイ
ド層に対応するリッジ部を有するように形成する工程と
、第３のクラッド層上に第２導電形の電流ブロック層を
光ガイド層に対応するリッジ部を有するように形成する
工程と、電流ブロック層上に高不純物濃度で第２導電形
のコンタクト層を形成する工程と、光ガイド層中および
コンタクト層中の不純物をそれぞれ第２のクラッド層、
活性層中と、電流ブロック層中へ拡散させ、光ガイド層
直下の領域の第２のクラッド層、活性層および電流ブロ
ック層のリッジ部の導電形を反転させる工程とを含むの
で、素子特性の優れた半導体レーザ装置を量産性よく容
易に得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す
断面図、第２図〜第６図はこの発明の半導体レーザ装置
の製造方法の一実施例を説明するための図、第７図はこ
の発明の半導体レーザ装置の活性層中の実効屈折率分布
を説明するための図、第８図は従来の半導体レーザ装置
を説明するための図である。 図において、１は基板、２，４，４ａ、５はクラッド層
、３，３ａは活性層、６，６ａは電流ブロック層、７は
コンタクト層、８は光ガイド層、９は拡散領域、１ｏは
ｐ電極、１１はｎ電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 ］１　ｎ′電才組 第２図 第３図 第４図 第５図 第７図 届＃争分布 第８図 手続補正書（自発） ６撃１１゛６ 昭和　　　　　月　　日 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　　　　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
　称　　（６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住　所　　　　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄２発明の詳細な説明の欄お
よび図面 ６．６Ｉ９正の内容 （１）　　明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正
する。 （２）明細書第５頁１行の「９は拡散領域」を、「９は
Ｚｎ拡散領域」と補正する。 （３）　　同じく第５頁１５行の１選択的に」を、削除
する。 （４）同じく第６頁１２行のｌ−Ｚ　ｎの拡散領域９」
を、１−Ｚｎ拡散領域９」と補正する。 （５）同じく第６頁１４行、１５行、第１５頁３行の１
゛拡散領域９」を、いずれもｒＺｎ拡散領域９」と補正
する。 （６）同じく第７頁２行の１活性層１３ａに平行方向の
」を、「共振器に垂直で活性層１３に平行な方向の」と
補正する。 （７）同じく第７頁３行の［活性層１３，１３ａのｎ形
−ｐ形Ｊを、１活性層１３中のＺｎ拡散によｔ）ｐ形に
反転した領域とｎ形の領域、ｌと補正する。 （８）同じく第９頁５行の１゛高不純物濃度で−１を、
削除する。 （９）同じく第１０頁１５行の「禁制帯幅が大きくなる
。」を、「Ｍ制帯輻が活性層中の不純物の拡散領域に比
べて相対的に太き（なる。］と補正する。 （１０）同じく第１１頁４行の１−３ａはｐ形」を、１
’３ａはＺｎ拡散によりｐ形に反転した」と補正する。 （１１）同じ（第１１頁７行、１２行の１ｐ形１を、そ
れぞれＩ’Ｚｎ拡散によりｐ形に反転した」と補正する
。 （１２）同じく第１６頁１９行の１バンドギヤツプが広
く」を、１−バンドギャップが大きく、［と補正する。 （１３）同じく第１８頁９行の１第１導電形で、」を、
［第１導電形−１と補正する。 （１４）同じく第１８頁２０行の１高不純物部度で」を
、削除する。 （１５）同じ（第２０頁１２行の「９は拡散領域」を、
「９はＺｎ拡散領域」と補正する。 （１６）第１図を別紙のように補正する。 以　　上 ２、特許請求の範囲 （１）半導体基板と、この半導体基板上に形成さ・れな
第１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に形成さ
れたその屈折率が前記第１のクラッド層より大きく禁制
帯幅が小さい活性層と、この活性ｊｄ上に形成されたそ
の屈折率が前記活性層より小さく禁制帯幅が大きい第２
のクラッド層と、この第２のクラッド層上に共振器端面
近傍を除いてストライプ状に形成されたその屈折率が前
記第２のクラッド１ｄより大きく前記活性層より小さい
光ガイド層と、この光ガイド層上および前記第２のクラ
ッド層上に前記光ガイド層に対応するリッジ部を有して
形成されたその屈折率が前記活性層より小さく禁制帯幅
が大きい第３のクラッド層と、この第３のクラッド層上
に前記光ガイド層に対応するリッジ部を有して形成され
た電流ブロック層と、この電流ブロック層上に形成され
たコンタクト層とから構成される半導体レーザ装置であ
って、前記第３のクラッド層、前記光ガイド層、前記コ
ンタクト層、前記光ガイド層の直下の領域の前記第２の
クラッド層および前記活性層を第１導電形、その他の領
域を第２導電形とするとともに、前記活性層の共振器端
面近傍の禁制帯幅をその内部より大きくしたことを特徴
とする半導体レーザ装置。 （２）半導体基板がＧａＡｓ、第１のクラッド層がＡ　
Ｉ　ＸＧ　ａｌ−、Ａ　ｓｐ活性層がＡ　Ｉ　、Ｇ　ａ
ｌ−ｙＡ　ｓ、第２のクラッド層がＡ　Ｉ　、Ｇ　ａｌ
−Ｊ　Ｓ、光ガイド層がＡ　ｌ　ｃＬＧ　ａｌ−ｍＡ　
Ｓ、第３のクラッド層がＡ　ｌ　ｓ　Ｇ　ａｌ−）Ａｓ
から構成され、０≦ｙくα＜ｘ、ｚ、βである乙とを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導体レーザ
装置。 （３）第２導電形の半導体基板上に高不純物濃度で第２
導電形の第１のクラッド層を形成する工程と、前記第１
のクラッド層上にその屈折率が前記第１のクラッド層よ
り大きく禁制帯幅が小さい第２導電形の活性層を形成す
る工程と、前記活性層上にその屈折率が前記活性層より
小さく禁制帯幅が大さ旦乗２導電形の第２のクラッド層
を形成する工程と、前記第２のクラッド層上にその屈折
率が前記第２のクラッド層より大きく前記活性層より小
さい高不純物濃度で第１導電形の光ガイド層を共振器端
面近傍を除いてストライプ状に形成する工程と、前記光
ガイド層上および前記第２のクラッド層上にその屈折率
が前記活性層より小さく禁制帯幅が大きい低不純物濃度
で第１導電形の第３のクラッド層を前記光ガイド層に対
応するリッジ部を有するように形成する工程と、前記第
３のクラッド層上に第２導電形の電流ブロック層を前記
光ガイド層に対応するリッジ部を有するように形成する
工程と、前記電流ブロック層上に高不純物濃度で第２導
電形のコンタクト層を形成する工程と、前記光ガイド層
中および前記コンタクト層中の不純物をそれぞれ前記第
２のクラッド層、前記活性層中と、前記電流ブロック層
中へ拡散させて、前記光ガイド層直下の領域の前記第２
のクラツド層２前記活性層および前記電流ブロック層の
リッジ部の導電形を反転させる工程とを含むことを特徴
とする半導体レーザ装置の製造方法。 （４）半導体基板がＧａＡｓであり、ＧａＡｓの（１０
０）面上に各層を成長させることを特徴とする特許請求
の範囲第（３）項記載の半導体レーザ装置の製造方法。 第１図 手続補正書く方式） 昭和　６〜２月２４日 持許庁長宮殿 １、事件の表示　　　特願昭６１−２０７３３７号２・
発明（７）　名称　　　　半導体レーザ装置およびその
製造方法３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　　　　東京都千代田区丸の内皿丁目２番３号名
　称　　（６０１）三菱電機株式会社代表者　志　岐　
守　哉 ４、代理人 住　所　　　　　東京都千代田区丸の内皿丁目２番３号
５、補正命令の日付 昭和６３年２月　２日 ６、補正の対象 昭和６２年１１月２６日付提出の手続補正書の差出書 ７、補正の内容 昭和６２年１１月２６日付提出の手続補正書の差出書を
別紙のとおり補正する。 以　　上 手続補正書く自発） 昭和６２年１１月１６日 持許庁長宮殿 １、事件の表示　　　特願昭８１−２０７３３７号２、
発明の名称　半導体レーザ装置およびその製造方法３、
補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 住　所　　　　東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三
菱電機株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板と、この半導体基板上に形成された第
   １のクラッド層と、この第１のクラッド層上に形成され
   たその屈折率が前記第１のクラッド層より大きく禁制帯
   幅が小さい活性層と、この活性層上に形成されたその屈
   折率が前記活性層より小さく禁制帯幅が大きい第２のク
   ラッド層と、この第２のクラッド層上に共振器端面近傍
   を除いてストライプ状に形成されたその屈折率が前記第
   ２のクラッド層より大きく前記活性層より小さい光ガイ
   ド層と、この光ガイド層上および前記第２のクラッド層
   上に前記光ガイド層に対応するリッジ部を有して形成さ
   れたその屈折率が前記活性層より小さく禁制帯幅が大き
   い第３のクラッド層と、この第３のクラッド層上に前記
   光ガイド層に対応するリッジ部を有して形成された電流
   ブロック層と、この電流ブロック層上に形成されたコン
   タクト層とから構成される半導体レーザ装置であって、
   前記第３のクラッド層、前記光ガイド層、前記コンタク
   ト層、前記光ガイド層の直下の領域の前記第２のクラッ
   ド層および前記活性層を第１導電形、その他の領域を第
   ２導電形とするとともに、前記活性層の共振器端面近傍
   の禁制帯幅をその内部より大きくしたことを特徴とする
   半導体レーザ装置。
2. （２）半導体基板がＧａＡｓ、第１のクラッド層がＡｌ
   ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ、活性層がＡｌ＿ｙＧａ＿１
   ＿−＿ｙＡｓ、第２のクラッド層がＡｌ＿ｚＧａ＿１＿
   −＿ｚＡｓ、光ガイド層がＡｌ＿αＧａ＿１＿−＿αＡ
   ｓ、第３のクラッド層がＡｌ＿ρＧａ＿１＿−＿ρＡｓ
   から構成され、０≦ｙ＜α＜ｘ、ｚ、βであることを特
   徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導体レーザ
   装置。
3. （３）第２導電形の半導体基板上に高不純物濃度で第２
   導電形の第１のクラッド層を形成する工程と、前記第１
   のクラッド層上にその屈折率が前記第１のクラッド層よ
   り大きく禁制帯幅が小さい第２導電形の活性層を形成す
   る工程と、前記活性層上にその屈折率が前記活性層より
   小さく禁制帯幅が大きい高不純物濃度で第２導電形の第
   ２のクラッド層を形成する工程と、前記第２のクラッド
   層上にその屈折率が前記第２のクラッド層より大きく前
   記活性層より小さい高不純物濃度で第１導電形の光ガイ
   ド層を共振器端面近傍を除いてストライプ状に形成する
   工程と、前記光ガイド層上および前記第２のクラッド層
   上にその屈折率が前記活性層より小さく禁制帯幅が大き
   い低不純物濃度で第１導電形の第３のクラッド層を前記
   光ガイド層に対応するリッジ部を有するように形成する
   工程と、前記第３のクラッド層上に第２導電形の電流ブ
   ロック層を前記光ガイド層に対応するリッジ部を有する
   ように形成する工程と、前記電流ブロック層上に高不純
   物濃度で第２導電形のコンタクト層を形成する工程と、
   前記光ガイド層中および前記コンタクト層中の不純物を
   それぞれ前記第２のクラッド層、前記活性層中と、前記
   電流ブロック層中へ拡散させて、前記光ガイド層直下の
   領域の前記第２のクラッド層、前記活性層および前記電
   流ブロック層のリッジ部の導電形を反転させる工程とを
   含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
4. （４）半導体基板がＧａＡｓであり、ＧａＡｓの（１０
   ０）面上に各層を成長させることを特徴とする特許請求
   の範囲第（３）項記載の半導体レーザ装置の製造方法。