JPS63167498A - 不揮発性メモリにおける書込方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、不揮発性メモリのデータ保持時間維持技術に
係る不揮発性メモリにおける書込方法に関するものであ
る。

［従来の技術］ 従来よりマイクロコンピュータ等のデータの書き込み及
び読み出しを行う記憶回路において、例えば、第４図に
示すような１６ビツト×１６ビツトの記憶容量を有する
不揮発性メモリと称される記憶素子が多用されている。

而して、この種の不揮発性メモリは、書き込み許容回数
及びデータ保持時間が限られており、書き込み回数が増
大するとデータ保持時間が減少する特性を有している。

然るに一般には、この種の不揮発性メモリを使用して繰
り返して書き込みを行う場合、常時０゜０番地から書き
込みを行う構造に成り、例えば自動車の積算距離計のメ
モリの場合では、１６ビツト×１６ビツトの記憶容量を
有する不揮発性メモリを使用すると、データ容量が少な
いため、０゜０〜０．１５番地内に収まってしまい　（
第４図に示す斜線部分）、毎回上位の番地か使用される
だけで、下位の番地は殆ど使用されないものであった。

この為、上位の番地での劣化が下位の番地に比べて激し
く、該上位の番地でデータ保持時間が短縮して使用不能
と成り、不揮発性メモリ自体の寿命を短縮するものであ
った。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記不揮発性メモリの上位番地における劣化は、自動車
の積算距離計のメモリの場合だけでなく、不揮発性メモ
リの容量内にデータを記録する各種のメモリに使用する
場合に生じるものであり、結果として該上位の番地の寿
命が不揮発性メモリ自体の寿命を決定していた。

長大化する方法を提唱することを目的とするものである
。

［問題点を解決するための手段］ 本発明の不揮発性メモリにおける書込方法は、書き込み
毎にアドレスを変えるように、１個の不揮発性メモリに
対してデータと一緒に該データのアドレスを害き込み、
記憶容畦の全域を１吏用することを要旨とするものであ
る。

従−）で、マトリクス状にデータ信号記憶部を配列した
ｎＸｎド・ソトの不揮発性メモリに於いて、０．０番地
７１．至０．ｎ−１番地をアドレス領域、１．０番地乃
至ｎ−１，ｎ−１番地をデータ領域として使用し、各デ
ータの書き込みを、前回の書き込み終了番地の属する次
行の始めの番地から行い、該アドレスを上記アドレス領
域の信号によって行うものである。

また、−回ごとのデータ容量が１行に満たない場合は、
上記アドレス領域の信号を順送りにすると共に、該アド
レス信号によって頭出しするデータ領域を１行ごと順送
りすることに依ってアドレスを簡単にすることができる
。

［作用］ 上記不揮発性メモリにおける書込方法に依れば、成るデ
ータのアドレスがアドレス領域の０．ｉ番地に指示され
ていると、該データはｉ、０番地を頭として書き込まれ
ている。そして、該データの書き終わりがｉ十に、ｊ番
地であると、次のデータのアドレスがアドレス領域のＯ
，ｉ＋に番地に指示され、ｉ→−に、０番地を頭として
書き込まれる。

この結果、ｎビット×ｎビットの記憶容量を有する不揮
発性メモリでは、全領域に亘って満遍無く記録使用する
ようになり、全番地が平均的に使用されるため、メモリ
素子の寿命を長大にすることができるものである。

また、アドレス領域ではアドレス信号が一巡ごとに変更
されるだけで、書き込み信号の変更が少ないため、メモ
リ素子の劣化を少なくし、不揮発性メモリ全体の寿命を
損なうことがない。

し実施例コ 以下、本発明の不揮発性メモリにおける書込方法を図面
に従って説明すると、第１図及び第２図は第一の実施例
を示すものである。

実施例は、１６ビツト×１６ビツトの不揮発性メモリの
番地を模式化したものであり、０．０番地乃至０．１５
番地はデータの頭を示すためのアドレス領域Ａであり、
また１、０番地乃至１５゜１５番地はデータを書き込む
ためのデータ領域りである。

先ず、第２図に示すように最初にデータＤ１を書き込む
場合は、アドレス領域Ａの０．１番地だけか「１」状態
になっており、データ領域りの１゜０番地から書き込み
を開始する。

上記データＤ１の終わりが１．１２番地であると、次の
データＤ２のアドレスはアドレス領域Ａの０．２番地だ
けが「１」状態になっており、データ領ｉ！４Ｄの２．
０番地から書き込みを開始する。

更に、上記データＤ２の終わりが４，５番地であると、
その次のデータＤ３のアドレスはアドレス領域Ａの０．
５番地だけが「１」状態になっており、データ領域りの
５．０番地から書き込みを開始するようになる。

上記繰返しによって順次新しいデータを書き込み、該デ
ータがデータｍＶ）、Ｄの１５．１５番地を越えた場合
は続きをデータ領域りの１．０番地に書き込み、又該デ
ータがデータ領域りの１５．０番地の行で終わった場合
は、その次のデータをデータ領域りの１．０番地から書
き込むように、アドレス領域Ａの０．１番地だけを「１
」状態にする。

上記実施例は、１回に書き込むデータ量がランダムであ
り、且つ１６ビツト×１５ビツトに収まる範囲のものに
ついて説明したが、各データ量が１６ビツト×１ビツト
に収まるものについては、第３図に示すように各データ
Ｄｌ、Ｄ２・・・の’Ｍ後の位置に関係なくアドレス領
域Ａのアドレス信号を、０．１番地から０．１５番地を
サイクリックに順送りすると共に、該アドレス信号によ
ってデータ領域りの書き込み頭位置を１．０番地から１
５．０番地に順送りすることができる。

上記に述べた実施例で判るように、本発明の不揮発性メ
モリにおける書込方法は、１６ビツト×１６ビ・・ｌト
の記憶容量を有する不揮発性メモリでは、アドレス領域
Ａの１６ビツト×１ビツト分を除くデータ領域りの１６
ビツト×１５ビツトの全領域に亘って満遍無く記録使用
するようになり、該領域の全番地か平均的に使用される
ため、各番地における書き換え度数は大幅に少なくなり
、メモリ素子の寿命を長大にすることができる。

また、アドレス領域Ａでは各データごとにアドレス信号
が書き込まれるが、該アトしス信号は一巡ごとに変更さ
れろたけて、個々の番地における書き込み信号の変更が
少ないため、メモリ素子の劣１ヒを少なくし、不揮発性
メモリ全体の寿命を損なうことがない。

［発明の効果］ 以上述べたように、本発明の不揮発性メモリにおける書
込方法は、書き込み毎にアドレスを変えるように、１個
の不揮発性メモリに対してデータと一緒に該データのア
ドレスを書き込み、記憶容量の全域を使用するようにし
たことにより、不揮発性メモリの使用に際して該メモリ
素子の寿命を長大１ヒする特徴を有するものであり、本
発明実施による効果は極めて大きい。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明不揮発性メモリにおける書込方法の実施例
を説明するもので、第１図は１６ビ・ソド・ζ１６ビツ
トの不揮発性メモリの番地を模式化したものであり、第
２図はデータの記録例の第一の実施例を示す説明図、第
３図はデータの記録例の第二の実施例を示す説明図、第
４図は１６ビツトＸ１６ビツトの不揮発性メモリの従来
の記録例を示す説明図である。 Ａ・アドレス領域、Ｄ・・・データ領域。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）マトリクス状にデータ信号記憶部を配列したｎ×
   ｎドットの不揮発性メモリに於いて、０、０番地乃至０
   、ｎ−１番地をアドレス領域、１、０番地乃至ｎ−１、
   ｎ−１番地をデータ領域として使用し、各データの書き
   込みを、前回の書き込み終了番地の属する次行の始めの
   番地から行い、該アドレスを上記アドレス領域の信号に
   よって行うことを特徴とする不揮発性メモリにおける書
   込方法。
2. （２）前記アドレス領域の信号を順送りにすると共に、
   該アドレス領域の信号によって頭出しするデータ領域を
   １行ごと順送りすることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の不揮発性メモリにおける書込方法。