JPS63164346A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
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- JPS63164346A JPS63164346A JP30965186A JP30965186A JPS63164346A JP S63164346 A JPS63164346 A JP S63164346A JP 30965186 A JP30965186 A JP 30965186A JP 30965186 A JP30965186 A JP 30965186A JP S63164346 A JPS63164346 A JP S63164346A
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- Japan
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子を含む混成集積回路の構造に関する
ものである。
ものである。
従来、この種の混成集積回路の構造は、第３図に示すよ
うに金属製のリードフレーム５のアイランドに回路基板
６を接着剤７により接着し、半導体素子、能動素子及び
受動素子等の素子４を搭載し、これを金属細線２を用い
て回路を製作し、これをトランスファーモールド法を用
いて外装樹脂１によって封止を行うｔＫｍとなっている
。
うに金属製のリードフレーム５のアイランドに回路基板
６を接着剤７により接着し、半導体素子、能動素子及び
受動素子等の素子４を搭載し、これを金属細線２を用い
て回路を製作し、これをトランスファーモールド法を用
いて外装樹脂１によって封止を行うｔＫｍとなっている
。
上述した従来の混成集積回路は、搭載素子４を直接トラ
ンスファーモールド封止する構造となっているため、多
種類になり、構造、特性の差による品質トラブルが発生
する。例えば、搭載素子のクラック特性変動等が発生す
る。
ンスファーモールド封止する構造となっているため、多
種類になり、構造、特性の差による品質トラブルが発生
する。例えば、搭載素子のクラック特性変動等が発生す
る。
このような問題を解決するため第３図に示すように金属
線Ｉ１２などの保護用シリコン系プリコート剤９．９′
によって、二重、三重に保護されている構造もある。し
かし、この様な構造では、次の様な問題が発生する。
線Ｉ１２などの保護用シリコン系プリコート剤９．９′
によって、二重、三重に保護されている構造もある。し
かし、この様な構造では、次の様な問題が発生する。
ｌ）プリコート剤を用いる場合は、トランスファーモー
ルド樹脂１と、シリコン系プリコート剤９′とで金線細
ｖＡ２を分割しあっているので、両樹脂１．９′の特性
差により金線細線２をトランスファーモールド樹脂１と
シリコン系プリコート剤９′との境界面で断線させる。
ルド樹脂１と、シリコン系プリコート剤９′とで金線細
ｖＡ２を分割しあっているので、両樹脂１．９′の特性
差により金線細線２をトランスファーモールド樹脂１と
シリコン系プリコート剤９′との境界面で断線させる。
２）プリコート剤９の場合は、トンランスファーモール
ド樹脂１よりもシリコン系プリコート剤９の熱膨張係数
が大きいため、温度差の繰り返しによるストレスがシリ
コン系プリコート剤９側に加わり、シリコン系プリコー
ト剤９の内部に入っている金属細線２を断線させる。
ド樹脂１よりもシリコン系プリコート剤９の熱膨張係数
が大きいため、温度差の繰り返しによるストレスがシリ
コン系プリコート剤９側に加わり、シリコン系プリコー
ト剤９の内部に入っている金属細線２を断線させる。
本発明の目的は、これらの欠点を除き、樹脂、プリコー
ト剤による断線をなくした混成集積回路を提供すること
にある。
ト剤による断線をなくした混成集積回路を提供すること
にある。
本発明の混成集積回路の構成は、配線基板上に半導体素
子、能動素子あるいは受動素子を搭載し、これら素子と
前記基板の所定の箇所同志を電気的に接合し、さらにこ
れら素子上にトランスファーモールド樹脂と同等の熱特
性をもつフェノール系樹脂を塗布してこの樹脂上を前記
トランスファーモールド樹脂により外装樹脂封止されて
形成されたことを特徴とする。
子、能動素子あるいは受動素子を搭載し、これら素子と
前記基板の所定の箇所同志を電気的に接合し、さらにこ
れら素子上にトランスファーモールド樹脂と同等の熱特
性をもつフェノール系樹脂を塗布してこの樹脂上を前記
トランスファーモールド樹脂により外装樹脂封止されて
形成されたことを特徴とする。
次に本発明について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。本実施
例は金属性リードフレーム５に接着剤７を用いて回路基
板６を接着し、半導体素子、能動素子あるいは受動素子
４を搭載し、金属細線２等を用いて所定の回路を形成し
、搭載した素子４及び金属細線２等の保護のためのフェ
ノール系プリコート剤３を塗布し、更にトランスファー
モールド法を用いて外装封止樹脂１を実施した構造とな
っている。
例は金属性リードフレーム５に接着剤７を用いて回路基
板６を接着し、半導体素子、能動素子あるいは受動素子
４を搭載し、金属細線２等を用いて所定の回路を形成し
、搭載した素子４及び金属細線２等の保護のためのフェ
ノール系プリコート剤３を塗布し、更にトランスファー
モールド法を用いて外装封止樹脂１を実施した構造とな
っている。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図でディンプル構
造を示している。本実施例では、金属性リードフレーム
５に電気的接合剤（例えば半田導電性ペースト等）８を
用いて、回路基板６と電気的かつ機械的に接合し、半導
体素子、能動素子あるいは受動素子４を搭載し、金属細
線２等を用いて所定の回路を形成し、搭載した素子及び
金属細線２等の保護のためフェノール系プリコート剤３
を塗布し、更にトランスファーモールド法を用いて外装
封止樹脂１により封止を実施したものである。
造を示している。本実施例では、金属性リードフレーム
５に電気的接合剤（例えば半田導電性ペースト等）８を
用いて、回路基板６と電気的かつ機械的に接合し、半導
体素子、能動素子あるいは受動素子４を搭載し、金属細
線２等を用いて所定の回路を形成し、搭載した素子及び
金属細線２等の保護のためフェノール系プリコート剤３
を塗布し、更にトランスファーモールド法を用いて外装
封止樹脂１により封止を実施したものである。
以上説明したように、本発明は、保護剤とにトランスフ
ァーモールド樹脂１と同じ特性を有するフェノール系の
樹脂３を用いた構造にすることにより、搭載素子４に与
えるストレスを低減し、品質を安定させる効果がある。
ァーモールド樹脂１と同じ特性を有するフェノール系の
樹脂３を用いた構造にすることにより、搭載素子４に与
えるストレスを低減し、品質を安定させる効果がある。
第１図、第２図は本発明の第１および第２の実施例を示
す断面図、第３図は従来の混成ＩＣの一例の断面図であ
る。 １・・・外装封止樹脂、２・・・金属細線、３・・・フ
ェノール系アリコート剤、４・・・半導体素子、能動素
子及び受動素子、５・・・金属製リードフレーム、６・
・・回路基板、７・・・接着剤、８・・・電気接合部材
、９゜９′・・・シリコン系プリコート剤。
す断面図、第３図は従来の混成ＩＣの一例の断面図であ
る。 １・・・外装封止樹脂、２・・・金属細線、３・・・フ
ェノール系アリコート剤、４・・・半導体素子、能動素
子及び受動素子、５・・・金属製リードフレーム、６・
・・回路基板、７・・・接着剤、８・・・電気接合部材
、９゜９′・・・シリコン系プリコート剤。
Claims (1)
- 配線基板上に半導体素子，能動素子あるいは受動素子を
搭載し、これら素子と前記基板の所定の箇所同志を電気
的に接合し、さらにこれら素子上にトランスファーモー
ルド樹脂と同等の熱特性をもつフェノール系樹脂を塗布
してこの樹脂上を前記トランスファーモールド樹脂によ
り外装樹脂封止されて形成されたことを特徴とする混成
集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30965186A JPS63164346A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30965186A JPS63164346A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164346A true JPS63164346A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=17995612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30965186A Pending JPS63164346A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125644A (ja) * | 1988-11-05 | 1990-05-14 | Seiko Epson Corp | 樹脂封止半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5537856A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Revolution speed controller for motor |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP30965186A patent/JPS63164346A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5537856A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Revolution speed controller for motor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125644A (ja) * | 1988-11-05 | 1990-05-14 | Seiko Epson Corp | 樹脂封止半導体装置 |
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