JPS63164312A - シリコンウエ−ハ処理用治具 - Google Patents
シリコンウエ−ハ処理用治具Info
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- JPS63164312A JPS63164312A JP61310261A JP31026186A JPS63164312A JP S63164312 A JPS63164312 A JP S63164312A JP 61310261 A JP61310261 A JP 61310261A JP 31026186 A JP31026186 A JP 31026186A JP S63164312 A JPS63164312 A JP S63164312A
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- silicon wafer
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 59
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 80
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 2
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- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の目的
［＆梁上の利用分野］
本発明は、シリコンウェーハ処理用治具に関し、特に炭
化珪素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によって
形成された基台の表面に対し、石英ガラスによって形成
されたウェーハ支持部材をその少なくとも一側面を全長
にわたり接触することによりＪ！置してなるボート等の
シリコンウェーハ処理用治具に関するものである。
化珪素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によって
形成された基台の表面に対し、石英ガラスによって形成
されたウェーハ支持部材をその少なくとも一側面を全長
にわたり接触することによりＪ！置してなるボート等の
シリコンウェーハ処理用治具に関するものである。
［従来の技術］ 。
従来この種のシリコンウェーハ処理用治具としては、全
部石英ガラスからできているか全部炭化珪素からできて
いる製品が普通であるが、第３図に示すように、石英ガ
ラスによって形成された２つの弧状部材１．２に対し、
シリコンウェーハ（図示せず）の支持用の溝部３Ａが長
手方向に所定の間隔（たとえば等間隔）で穿設された炭
化珪素または炭化珪素−金属珪素よりなるウェーハ支持
部材３の両端部のみが接触され、かつネジ部材４によっ
て固着した複合材料が開発されたが、充分満足いくもの
ではなかった。
部石英ガラスからできているか全部炭化珪素からできて
いる製品が普通であるが、第３図に示すように、石英ガ
ラスによって形成された２つの弧状部材１．２に対し、
シリコンウェーハ（図示せず）の支持用の溝部３Ａが長
手方向に所定の間隔（たとえば等間隔）で穿設された炭
化珪素または炭化珪素−金属珪素よりなるウェーハ支持
部材３の両端部のみが接触され、かつネジ部材４によっ
て固着した複合材料が開発されたが、充分満足いくもの
ではなかった。
［解決すべき問題点］
このような従来のシリコンウェーハ処理用治具では、最
近のように大型でかつシリコンウェーへの処理温度が高
温（たとえば１０５０℃以上）となってくると１石英ガ
ラスによりて形成されたウェー八処理用治具は長時間の
処理中に軟化してしまい、自重および支持されたシリコ
ンウェーへの重量によりて変形する欠点があり、結果的
にシリコンウェーハを処理中に破損する欠点があり、ま
た再使用できない欠点もあった。更にシリコンウェーハ
と直接接触する溝部が炭化珪素であれば石英ガラスに比
べ不純物の含有量の増加する欠点があり、その大きな硬
度に伴なって溝部の穿設精度が低下する欠点もあった。
近のように大型でかつシリコンウェーへの処理温度が高
温（たとえば１０５０℃以上）となってくると１石英ガ
ラスによりて形成されたウェー八処理用治具は長時間の
処理中に軟化してしまい、自重および支持されたシリコ
ンウェーへの重量によりて変形する欠点があり、結果的
にシリコンウェーハを処理中に破損する欠点があり、ま
た再使用できない欠点もあった。更にシリコンウェーハ
と直接接触する溝部が炭化珪素であれば石英ガラスに比
べ不純物の含有量の増加する欠点があり、その大きな硬
度に伴なって溝部の穿設精度が低下する欠点もあった。
そこで本発明は、Ｌ達した欠点を除去し、シリコンウェ
ーへの処理温度が上昇してもその処理中にウェーハ支持
部材が変形せず、ひいてはシリコンウェーハを処理中に
破損することがなく、また再使用可能なシリコンウェー
ハ処理用治具を提供せんとするものである。
ーへの処理温度が上昇してもその処理中にウェーハ支持
部材が変形せず、ひいてはシリコンウェーハを処理中に
破損することがなく、また再使用可能なシリコンウェー
ハ処理用治具を提供せんとするものである。
（２）発明の構成
［問題点の解決手段］
本発明によって提供される解決手段は。
「（ａ）炭化珪素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪
素によって形成された基台と、（ｂ）前記基台の表面上
に少なくとも一側面が全長にわたり接触してａｉ？！さ
れており１石英ガラスによって形成されかつシリコンウ
ェーハ支持用の溝部が穿設された複数のウェーハ支持部
材とを備えてなることを特徴とするシリコンウェーハ処
理用治具」である。
素によって形成された基台と、（ｂ）前記基台の表面上
に少なくとも一側面が全長にわたり接触してａｉ？！さ
れており１石英ガラスによって形成されかつシリコンウ
ェーハ支持用の溝部が穿設された複数のウェーハ支持部
材とを備えてなることを特徴とするシリコンウェーハ処
理用治具」である。
［作用］
本発明にかかるシリコンウェーハ処理用治具は、炭化珪
素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によって形成
された基台の表面に対し、石英ガラスによって形成され
かつシリコンウェーハ支持用の溝部が穿設された複数の
ウェーハ支持部材をその少なくとも一側面を全長にわた
り接触してａｍしており、シリコンウェーハ処理温度の
上昇に伴なってウェーハ支持部材が軟化した場合にも変
形することを防止する作用をなし、結果的にシリコンウ
ェーハが処理中に破損されることを回避する作用をなし
、また再使用を可能とする作用もなす。
素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によって形成
された基台の表面に対し、石英ガラスによって形成され
かつシリコンウェーハ支持用の溝部が穿設された複数の
ウェーハ支持部材をその少なくとも一側面を全長にわた
り接触してａｍしており、シリコンウェーハ処理温度の
上昇に伴なってウェーハ支持部材が軟化した場合にも変
形することを防止する作用をなし、結果的にシリコンウ
ェーハが処理中に破損されることを回避する作用をなし
、また再使用を可能とする作用もなす。
［実施例］
次に本発明について実施例を挙げ具体的に説明する。
第１図は１本発明のシリコンウェーハ処理用治具の一実
施例を示す全体斜視図である。第２図は、回能の実施例
を示す部分斜視図である。
施例を示す全体斜視図である。第２図は、回能の実施例
を示す部分斜視図である。
■は本発明のシリコンウェーハ処理用治具で、炭化珪素
（ＳｉＣ）または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素（Ｓ
ａｃ −Ｓｉ）によって形成された基台２０を包イｆし
ている。ノ＾台２０は、中央部２１と両側縁部３１゜４
１が連設されいる。中央部２１には１両側縁にそってそ
れぞれ平行に延長されたリブ２２．２４が形成されてお
り、リブ２２．２４間に窓ｖＡ２Ｂが穿設されている。
（ＳｉＣ）または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素（Ｓ
ａｃ −Ｓｉ）によって形成された基台２０を包イｆし
ている。ノ＾台２０は、中央部２１と両側縁部３１゜４
１が連設されいる。中央部２１には１両側縁にそってそ
れぞれ平行に延長されたリブ２２．２４が形成されてお
り、リブ２２．２４間に窓ｖＡ２Ｂが穿設されている。
リブ２２．２４の表面には、その延長方向に向けてそれ
ぞれ溝部２３．２５が穿設されている。第１の側縁部３
１には、前記リブ２２．２４の延長方向と同一方向に向
けてリブ３２が形成されている。リブ３２の表面には、
中央部２１の溝部２３．２５の開口方向と同一方向に開
口しかつ並行に延長する溝部３３が穿設されている。ま
た第１の側縁部３１には、窓部３４が穿設されている。
ぞれ溝部２３．２５が穿設されている。第１の側縁部３
１には、前記リブ２２．２４の延長方向と同一方向に向
けてリブ３２が形成されている。リブ３２の表面には、
中央部２１の溝部２３．２５の開口方向と同一方向に開
口しかつ並行に延長する溝部３３が穿設されている。ま
た第１の側縁部３１には、窓部３４が穿設されている。
第２の側縁部４１には、前記リブ２２、２４の延長方向
と同一方向に向けてリブ４２が形成されている。リブ４
２の表面には、中央部２１の溝部２３．２５の開口方向
と同一方向に開口しかつ並行に延長する溝部４３が穿設
されている。また第２の側縁部４！には、窓部４４（第
１図では見えない）が穿設されている。窓部２６．３４
．４４は、基台２０の両端面近傍まで延長されており、
シリコーンウェーへの処理に際して加熱を均等化するた
めに形成されている。
と同一方向に向けてリブ４２が形成されている。リブ４
２の表面には、中央部２１の溝部２３．２５の開口方向
と同一方向に開口しかつ並行に延長する溝部４３が穿設
されている。また第２の側縁部４！には、窓部４４（第
１図では見えない）が穿設されている。窓部２６．３４
．４４は、基台２０の両端面近傍まで延長されており、
シリコーンウェーへの処理に際して加熱を均等化するた
めに形成されている。
５０＾〜ＳＯＤは第１ないし第４のウェーハ支持部材で
、ともに石英ガラス（ＳｉＯ□）によって形成されてお
り、それぞれ基台２０の溝部２３．２５．３：ｌ、 ４
３に対し交換可能に嵌入固定されている。ウェーハ支持
部材５０Ａ〜５０Ｄには、それぞれ−側面に＃Ｉａの溝
部５１＾〜５１Ｄが等間隔で穿設されている。
、ともに石英ガラス（ＳｉＯ□）によって形成されてお
り、それぞれ基台２０の溝部２３．２５．３：ｌ、 ４
３に対し交換可能に嵌入固定されている。ウェーハ支持
部材５０Ａ〜５０Ｄには、それぞれ−側面に＃Ｉａの溝
部５１＾〜５１Ｄが等間隔で穿設されている。
ウェーハ支持部材５０＾〜５０Ｄは、それぞれ溝部５１
Ａ〜５１０が互いに同一平面上に位置するように溝部２
３．２５．３３．４３に対し位置決めされ固定されてい
る。そのためには、ウェーハ支持部材５ＱＡ〜５０Ｄ
（たとえば基台２０の溝部２３．２５． ：１３．４３
への挿入側面）に対し適宜の突起（図示せず）を形成し
ておき、基台２０の溝部２３．２５． ：１３．４３の
内周面に形成した凹部（図示せず）に対し嵌合せしめれ
ばよい。
Ａ〜５１０が互いに同一平面上に位置するように溝部２
３．２５．３３．４３に対し位置決めされ固定されてい
る。そのためには、ウェーハ支持部材５ＱＡ〜５０Ｄ
（たとえば基台２０の溝部２３．２５． ：１３．４３
への挿入側面）に対し適宜の突起（図示せず）を形成し
ておき、基台２０の溝部２３．２５． ：１３．４３の
内周面に形成した凹部（図示せず）に対し嵌合せしめれ
ばよい。
しかして本発明のシリコンウェーハ処理用治具の作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
基台２０の溝部２３．２５．３３．４３に対し、第１な
いし第４のウェーハ支持部材５０Ａ〜５００を嵌入する
。第１ないし第４のウェーハ支持部材５０Ａ〜ＳＯＤは
、それぞれの溝部５１Ａ）５１０が互いに同−ｆ面１−
に位こするように位置決めし、溝部２３゜２５．３コ、
４３に対して固定する。
いし第４のウェーハ支持部材５０Ａ〜５００を嵌入する
。第１ないし第４のウェーハ支持部材５０Ａ〜ＳＯＤは
、それぞれの溝部５１Ａ）５１０が互いに同−ｆ面１−
に位こするように位置決めし、溝部２３゜２５．３コ、
４３に対して固定する。
この状態で、第１〜第４のウェーハ支持部材５０八〜５
（１０の溝部５ＪＡ〜５１１）に対し円板状のシリコン
ウェーハ（図示せず）を順次挿入して支持する。
（１０の溝部５ＪＡ〜５１１）に対し円板状のシリコン
ウェーハ（図示せず）を順次挿入して支持する。
そののちシリコンウェーハを支持した状態で、本発明の
シリコンウェーハ処理用治具を拡散炉芯’ｆ？（図示せ
ず）に対し挿入し、シリコンウェーハに対し適宜の処理
を施す、このとき基台２０に窓部２６、 ｆｆ４．４４
が形成されているので、シリコンウェーハに対し均等に
熱が伝達される。更に炭化珪素中の全不純物量を減少さ
せることができる。
シリコンウェーハ処理用治具を拡散炉芯’ｆ？（図示せ
ず）に対し挿入し、シリコンウェーハに対し適宜の処理
を施す、このとき基台２０に窓部２６、 ｆｆ４．４４
が形成されているので、シリコンウェーハに対し均等に
熱が伝達される。更に炭化珪素中の全不純物量を減少さ
せることができる。
本発明のシリコンウェーハ処理用治具の使用中に、石英
ガラス製ウェーハ支持部材５０Ａ〜５００のうちその溝
部ＳＩＡ〜ＳＩＤに欠損が生じあるいはその一部に失透
などが生じた場合には、その欠損あるいは失透などの生
じたウェーハ支持部材のみを新たなウェーハ支持部材と
交換すれば、再使用が可能である。
ガラス製ウェーハ支持部材５０Ａ〜５００のうちその溝
部ＳＩＡ〜ＳＩＤに欠損が生じあるいはその一部に失透
などが生じた場合には、その欠損あるいは失透などの生
じたウェーハ支持部材のみを新たなウェーハ支持部材と
交換すれば、再使用が可能である。
なおＬ述においては基台２０上にリブ２２．２４゜３２
、４２を形成し、それぞれに溝部２３．２５．３３．４
３を穿設してウェーハ支持部材５０＾〜５０Ｄを固定し
ているため、これでは基台２０の露出表面積が大きくな
り、基台２０から析出する不純物の量が増大するおそれ
もある。そこでｆｆ１２［ｇに示したように基台２０上
に突起２２Ａ 、 ２４Ａ 、 ３２Ａ 、 ４２＾
（突起２４＾、 ３２Ａ 、 ４ＺＡは図示せず）を形
成し、かっこの突起２２Ａ 、 ４＾、 １２Ａ 、
４２Ａが嵌入される溝部５２八 、 ５２８ 、
５２Ｇ 、 ５２Ｄ （溝部５２Ｂ 、
５２Ｇ 、 ５２［１は図示せず）をウェーハ支持
部材５０＾〜５００の一側面に穿設することにより、基
台２０の露出表面積を小さくでき、結果的に基台２０か
ら析出する不純物の量を削減できる。
、４２を形成し、それぞれに溝部２３．２５．３３．４
３を穿設してウェーハ支持部材５０＾〜５０Ｄを固定し
ているため、これでは基台２０の露出表面積が大きくな
り、基台２０から析出する不純物の量が増大するおそれ
もある。そこでｆｆ１２［ｇに示したように基台２０上
に突起２２Ａ 、 ２４Ａ 、 ３２Ａ 、 ４２＾
（突起２４＾、 ３２Ａ 、 ４ＺＡは図示せず）を形
成し、かっこの突起２２Ａ 、 ４＾、 １２Ａ 、
４２Ａが嵌入される溝部５２八 、 ５２８ 、
５２Ｇ 、 ５２Ｄ （溝部５２Ｂ 、
５２Ｇ 、 ５２［１は図示せず）をウェーハ支持
部材５０＾〜５００の一側面に穿設することにより、基
台２０の露出表面積を小さくでき、結果的に基台２０か
ら析出する不純物の量を削減できる。
（３）発明の効果
１述より明らかなように本発明のシリコンウェーハ処理
用治具は、（ａ）炭化珪素または金属珪素を含浸せしめ
た炭化珪素によって形成された基台と、（ｂ）前記基台
の表面上に少なくとも−・側面が全長にわたり接触して
ａ２！１されており、石英ガラスによって形成されかつ
シリコンウェーハ支持部の溝部が穿設された複数のウェ
ーハ支持部材とを備えているので。
用治具は、（ａ）炭化珪素または金属珪素を含浸せしめ
た炭化珪素によって形成された基台と、（ｂ）前記基台
の表面上に少なくとも−・側面が全長にわたり接触して
ａ２！１されており、石英ガラスによって形成されかつ
シリコンウェーハ支持部の溝部が穿設された複数のウェ
ーハ支持部材とを備えているので。
（ｉ）シリコンウェーへの処理温度の１−昇に伴なって
ウェーハ支持部材が長時間の 使用でも変形することを防１ｈできる （ｉ＋）その結果シリコンウェーハが処理中に破損され
ることを防止できる （ｉｉｉ）ウェーハ支持部材のうち欠損もしくは失透な
どを生じたもののみ交換するこ とにより反復使用することが可能とな る （ｉリシリコンウエーへの処ＪＩ！！数に応じて溝部の
数の異なるウェーハ支持部材を カートリッジ方式に選定して使用でき る （Ｖ）ウェーハ支持部材を石英に比べ不純物量の多い炭
化珪素または金属珪素を含 浸せしめた炭化珪素によって形成する ことを回避し１１部の穿設作業を容易 化し、併せてシリコーンウェー八との 接触面積を削減して高品質を達成でき る などの諸効果を有する。
ウェーハ支持部材が長時間の 使用でも変形することを防１ｈできる （ｉ＋）その結果シリコンウェーハが処理中に破損され
ることを防止できる （ｉｉｉ）ウェーハ支持部材のうち欠損もしくは失透な
どを生じたもののみ交換するこ とにより反復使用することが可能とな る （ｉリシリコンウエーへの処ＪＩ！！数に応じて溝部の
数の異なるウェーハ支持部材を カートリッジ方式に選定して使用でき る （Ｖ）ウェーハ支持部材を石英に比べ不純物量の多い炭
化珪素または金属珪素を含 浸せしめた炭化珪素によって形成する ことを回避し１１部の穿設作業を容易 化し、併せてシリコーンウェー八との 接触面積を削減して高品質を達成でき る などの諸効果を有する。
第１図は本発明のシリコンウェーハ処理用治具の一実施
例を示す全体斜視図、第２図は回能の実施例を示す部分
斜視図、第３図は従来例を示す斜視図である。 １０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・シ
リコンウェーハ処理用治具 ２０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・基
台２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・中央
部２２、２４．３２．４２・・・・・・・・リブ２２Ａ
・・・・・・・・・・・・・・・・・・突起２３、２５
，３３ 、４３・・・・・・・・溝部２６、３４．４４
・・・・・・・・・・・・窓部３１、４１・・・・・・
・・・・・・・・・・側縁部５０＾〜５００・・・・・
・・・・・・・・・ウェーハ支持部材５１＾〜５１Ｄ、
５２＾・・・・・・・・溝部特許出願人 東芝セラミ
ックス株式会社株式会社 東 芝
例を示す全体斜視図、第２図は回能の実施例を示す部分
斜視図、第３図は従来例を示す斜視図である。 １０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・シ
リコンウェーハ処理用治具 ２０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・基
台２１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・中央
部２２、２４．３２．４２・・・・・・・・リブ２２Ａ
・・・・・・・・・・・・・・・・・・突起２３、２５
，３３ 、４３・・・・・・・・溝部２６、３４．４４
・・・・・・・・・・・・窓部３１、４１・・・・・・
・・・・・・・・・・側縁部５０＾〜５００・・・・・
・・・・・・・・・ウェーハ支持部材５１＾〜５１Ｄ、
５２＾・・・・・・・・溝部特許出願人 東芝セラミ
ックス株式会社株式会社 東 芝
Claims (4)
- （１）（ａ）炭化珪素または金属珪素を含浸せしめた炭
化珪素によって形成された基台と、 （ｂ）前記基台の表面上に少なくとも一側面が全長にわ
たり接触して載置されており、 石英ガラスによって形成されかつシリコンウェーハ支持
用の溝部が穿設された複数のウェーハ支持部材と を備えてなることを特徴とするシリコンウェーハ処理用
治具。 - （２）基台が、ウェーハ支持部材を嵌入固定する溝部の
穿設されたリブを包有してなることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載のシリコンウェーハ処理用治具
。 - （３）基台が、ウェーハ支持部材の溝部に嵌入固定され
る突起を包有してなることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載のシリコンウェーハ処理用治具。 - （４）基台が、窓部を包有してなることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項ないし第（３）項のいずれか一
項記載のシリコンウェーハ処理用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310261A JPH0824140B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | シリコンウエ−ハ処理用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310261A JPH0824140B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | シリコンウエ−ハ処理用治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164312A true JPS63164312A (ja) | 1988-07-07 |
| JPH0824140B2 JPH0824140B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=18003118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61310261A Expired - Lifetime JPH0824140B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | シリコンウエ−ハ処理用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0824140B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004095545A3 (en) * | 2003-03-28 | 2005-05-12 | Saint Gobain Ceramics | Wafer carrier having improved processing characteristics |
| US7055702B1 (en) | 2000-06-06 | 2006-06-06 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat |
| CN111892419A (zh) * | 2020-08-03 | 2020-11-06 | 福赛特(唐山)新材料有限公司 | 一种高抗震性碳化硅舟及其制备方法 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61310261A patent/JPH0824140B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7055702B1 (en) | 2000-06-06 | 2006-06-06 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat |
| WO2004095545A3 (en) * | 2003-03-28 | 2005-05-12 | Saint Gobain Ceramics | Wafer carrier having improved processing characteristics |
| CN111892419A (zh) * | 2020-08-03 | 2020-11-06 | 福赛特(唐山)新材料有限公司 | 一种高抗震性碳化硅舟及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0824140B2 (ja) | 1996-03-06 |
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