JPH09260295A - 縦型半導体製造装置のウエハ支持具 - Google Patents
縦型半導体製造装置のウエハ支持具Info
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- JPH09260295A JPH09260295A JP7081096A JP7081096A JPH09260295A JP H09260295 A JPH09260295 A JP H09260295A JP 7081096 A JP7081096 A JP 7081096A JP 7081096 A JP7081096 A JP 7081096A JP H09260295 A JPH09260295 A JP H09260295A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ支持具のウエハと接触する平面を滑ら
かにして、ウエハと平面接触をさせることにより、ウエ
ハの自重応力によるスリップを防止するとともに、ウエ
ハ自重を分散して支え、自重ストレスを軽減できる縦型
半導体製造装置のウエハ支持具を提供する。 【解決手段】 縦型半導体製造装置におけるウエハ支持
具において、ボート支持部２に馬蹄形状のサファイア製
プレート４を設置し、この馬蹄形状のサファイア製プレ
ート４のウエハとの接触面を鏡面加工してなる。
かにして、ウエハと平面接触をさせることにより、ウエ
ハの自重応力によるスリップを防止するとともに、ウエ
ハ自重を分散して支え、自重ストレスを軽減できる縦型
半導体製造装置のウエハ支持具を提供する。 【解決手段】 縦型半導体製造装置におけるウエハ支持
具において、ボート支持部２に馬蹄形状のサファイア製
プレート４を設置し、この馬蹄形状のサファイア製プレ
ート４のウエハとの接触面を鏡面加工してなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、縦型半導体製造装
置におけるウエハ支持具に関するものである。
置におけるウエハ支持具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開平０７−０４５６９１号公報に開示される
ものがあった。上記文献に開示される従来の縦型半導体
製造装置のウエハ支持具によれば、ウエハホルダと称さ
れるＳｉＣ製支持板を設置し、ウエハの自重を分散して
保持することができ、１０００℃以上の高温に加熱して
も、ウエハのスリップや割れ、欠けが生じ難くなるよう
にしている。
例えば、特開平０７−０４５６９１号公報に開示される
ものがあった。上記文献に開示される従来の縦型半導体
製造装置のウエハ支持具によれば、ウエハホルダと称さ
れるＳｉＣ製支持板を設置し、ウエハの自重を分散して
保持することができ、１０００℃以上の高温に加熱して
も、ウエハのスリップや割れ、欠けが生じ難くなるよう
にしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の装置では、ＳｉＣを機械的に加工し、ウエハと
接触する平面を形成するため、面内に突起状のピットが
できてしまい、ウエハとウエハホルダは点接触すること
になり、ここからウエハの自重応力によるスリップが導
入されてしまうという問題点があった。
た従来の装置では、ＳｉＣを機械的に加工し、ウエハと
接触する平面を形成するため、面内に突起状のピットが
できてしまい、ウエハとウエハホルダは点接触すること
になり、ここからウエハの自重応力によるスリップが導
入されてしまうという問題点があった。
【０００４】本発明は、上記問題点を除去し、ウエハ支
持具のウエハと接触する平面を滑らかにして、ウエハと
平面接触をさせることにより、ウエハの自重応力による
スリップを防止するとともに、ウエハ自重を分散して支
え、自重ストレスを軽減できる縦型半導体製造装置のウ
エハ支持具を提供することを目的とする。
持具のウエハと接触する平面を滑らかにして、ウエハと
平面接触をさせることにより、ウエハの自重応力による
スリップを防止するとともに、ウエハ自重を分散して支
え、自重ストレスを軽減できる縦型半導体製造装置のウ
エハ支持具を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）縦型半導体製造装置のウエハ支持具において、ボ
ート支持部に馬蹄形状のサファイア製プレートを設置
し、この馬蹄形状のサファイア製プレートのウエハとの
接触面を鏡面加工するようにしたものである。
成するために、 （１）縦型半導体製造装置のウエハ支持具において、ボ
ート支持部に馬蹄形状のサファイア製プレートを設置
し、この馬蹄形状のサファイア製プレートのウエハとの
接触面を鏡面加工するようにしたものである。
【０００６】したがって、鏡面研磨したサファイア製プ
レートでウエハを受けることにより、ウエハを点接触で
支えることがなくなり、スリップフリーとなる。また、
ウエハ周辺部を面で支えることから、ウエハ自重を分散
して支えることができ、自重ストレスを軽減できる。 （２）上記（１）記載の縦型半導体製造装置のウエハ支
持具において、前記馬蹄形状のサファイア製プレートか
ら中央部に延びる突出部を形成するようにしたものであ
る。
レートでウエハを受けることにより、ウエハを点接触で
支えることがなくなり、スリップフリーとなる。また、
ウエハ周辺部を面で支えることから、ウエハ自重を分散
して支えることができ、自重ストレスを軽減できる。 （２）上記（１）記載の縦型半導体製造装置のウエハ支
持具において、前記馬蹄形状のサファイア製プレートか
ら中央部に延びる突出部を形成するようにしたものであ
る。
【０００７】このように、ウエハ中央部を支える部分に
もサファイア製プレートを配置することにより、ウエハ
自重による、中央部の凹みを防止することができる。こ
れにより、上記（１）の効果に加えて、ウエハの自重変
形に起因するウエハとサファイア製プレートとの点接触
が回避でき、スリップの導入原因を排除できる。
もサファイア製プレートを配置することにより、ウエハ
自重による、中央部の凹みを防止することができる。こ
れにより、上記（１）の効果に加えて、ウエハの自重変
形に起因するウエハとサファイア製プレートとの点接触
が回避でき、スリップの導入原因を排除できる。
【０００８】また、上記（１）記載の縦型半導体製造装
置のウエハ支持具よりさらに、多くのウエハ接触面が得
られ、ウエハ自重を一層分散することができる。
置のウエハ支持具よりさらに、多くのウエハ接触面が得
られ、ウエハ自重を一層分散することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実
施例を示すＳｉＣボートに設置したサファイア製プレー
トの平面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は本発
明の第１実施例を示す縦型半導体製造装置のウエハ支持
具の全体斜視図である。
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実
施例を示すＳｉＣボートに設置したサファイア製プレー
トの平面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は本発
明の第１実施例を示す縦型半導体製造装置のウエハ支持
具の全体斜視図である。
【００１０】これらの図に示すように、ＳｉＣボートの
支柱１にＳｉＣのボート支持部２を設け、フラットネス
１μｍ以下の鏡面に研磨した馬蹄形状のサファイア製プ
レート４を置き、この鏡面全体でウエハを受ける。人工
サファイアは融点２０５０℃、強度７０００ｋｇ／ｃｍ
2 と耐熱性・強度とも十分高温熱処理に耐えられる。Ｓ
ｉＣのボート支持部２には、図２に示すように、内側の
先端部に突起３ａからなる位置決め部３を設け、サファ
イア製プレート４の落下等を防止する。
支柱１にＳｉＣのボート支持部２を設け、フラットネス
１μｍ以下の鏡面に研磨した馬蹄形状のサファイア製プ
レート４を置き、この鏡面全体でウエハを受ける。人工
サファイアは融点２０５０℃、強度７０００ｋｇ／ｃｍ
2 と耐熱性・強度とも十分高温熱処理に耐えられる。Ｓ
ｉＣのボート支持部２には、図２に示すように、内側の
先端部に突起３ａからなる位置決め部３を設け、サファ
イア製プレート４の落下等を防止する。
【００１１】このように構成されたサファイア製プレー
ト４を、図３に示すような、縦型半導体製造装置に棚の
ように形成されるＳｉＣボートのボート支持部２にセッ
トする。上記したように、この実施例によれば、鏡面研
磨したサファイア製プレートでウエハを受けることによ
り、ウエハを点接触で支えることがなくなり、スリップ
フリーとなる。また、ウエハ周辺部を面で支えることか
ら、ウエハ自重を分散して支えることができ、自重スト
レスを軽減できる。
ト４を、図３に示すような、縦型半導体製造装置に棚の
ように形成されるＳｉＣボートのボート支持部２にセッ
トする。上記したように、この実施例によれば、鏡面研
磨したサファイア製プレートでウエハを受けることによ
り、ウエハを点接触で支えることがなくなり、スリップ
フリーとなる。また、ウエハ周辺部を面で支えることか
ら、ウエハ自重を分散して支えることができ、自重スト
レスを軽減できる。
【００１２】図４は本発明の第２実施例を示すＳｉＣボ
ートに設置したサファイア製プレートの平面図、図５は
図４のＢ−Ｂ線断面図である。なお、第１実施例と同じ
部分には同じ番号を付してその説明は省略する。これら
の図に示すように、フラットネス１μｍ以下の鏡面に研
磨した馬蹄形状のサファイア製プレート１１は、その馬
蹄形状のサファイア製プレート１１から中央部に延びる
突出部１２を形成している。この突出部１２でウエハの
中央部を支えるようにする。
ートに設置したサファイア製プレートの平面図、図５は
図４のＢ−Ｂ線断面図である。なお、第１実施例と同じ
部分には同じ番号を付してその説明は省略する。これら
の図に示すように、フラットネス１μｍ以下の鏡面に研
磨した馬蹄形状のサファイア製プレート１１は、その馬
蹄形状のサファイア製プレート１１から中央部に延びる
突出部１２を形成している。この突出部１２でウエハの
中央部を支えるようにする。
【００１３】このように構成したので、第２実施例によ
れば、ウエハ中央部を支える部分にもサファイア製プレ
ートを配置することにより、ウエハ自重による、中央部
の凹みを防止することができる。これにより、上記第１
実施例の効果に加えて、ウエハの自重変形に起因するウ
エハとサファイア製プレートとの点接触が回避でき、ス
リップの導入原因を排除できる。
れば、ウエハ中央部を支える部分にもサファイア製プレ
ートを配置することにより、ウエハ自重による、中央部
の凹みを防止することができる。これにより、上記第１
実施例の効果に加えて、ウエハの自重変形に起因するウ
エハとサファイア製プレートとの点接触が回避でき、ス
リップの導入原因を排除できる。
【００１４】また、上記第１実施例よりさらに、多くの
ウエハ接触面が得られ、ウエハ自重を一層分散すること
ができる。なお、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能で
あり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
ウエハ接触面が得られ、ウエハ自重を一層分散すること
ができる。なお、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能で
あり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、鏡面研磨したサフ
ァイア製プレートでウエハを受けることにより、ウエハ
を点接触で支えることがなくなり、スリップフリーとな
る。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、鏡面研磨したサフ
ァイア製プレートでウエハを受けることにより、ウエハ
を点接触で支えることがなくなり、スリップフリーとな
る。
【００１６】また、ウエハ周辺部を面で支えることか
ら、ウエハ自重を分散して支えることができ、自重スト
レスを軽減できる。 （２）請求項２記載の発明によれば、ウエハ中央部を支
える部分にもサファイア製プレートを配置することによ
り、ウエハ自重による、中央部の凹みを防止することが
できる。
ら、ウエハ自重を分散して支えることができ、自重スト
レスを軽減できる。 （２）請求項２記載の発明によれば、ウエハ中央部を支
える部分にもサファイア製プレートを配置することによ
り、ウエハ自重による、中央部の凹みを防止することが
できる。
【００１７】これにより、上記（１）の効果に加えて、
ウエハの自重変形に起因するウエハとサファイア製プレ
ートとの点接触が回避でき、スリップの導入原因を排除
できる。また、上記（１）記載の発明よりさらに、多く
のウエハ接触面が得られ、ウエハ自重を一層分散するこ
とができる。
ウエハの自重変形に起因するウエハとサファイア製プレ
ートとの点接触が回避でき、スリップの導入原因を排除
できる。また、上記（１）記載の発明よりさらに、多く
のウエハ接触面が得られ、ウエハ自重を一層分散するこ
とができる。
【図１】本発明の第１実施例を示すＳｉＣボートに設置
したサファイア製プレートの平面図である。
したサファイア製プレートの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示す縦型半導体製造装置
のウエハ支持具の全体斜視図である。
のウエハ支持具の全体斜視図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すＳｉＣボートに設置
したサファイア製プレートの平面図である。
したサファイア製プレートの平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線断面図である。
１ ＳｉＣボートの支柱 ２ ＳｉＣのボート支持部 ３ 位置決め部 ３ａ 突起 ４，１１ サファイア製プレート（表面を鏡面に研
磨） １２ 突出部
磨） １２ 突出部
Claims (2)
- 【請求項１】 縦型半導体製造装置におけるウエハ支持
具において、 ボート支持部に馬蹄形状のサファイア製プレートを設置
し、該馬蹄形状のサファイア製プレートのウエハとの接
触面を鏡面加工してなる縦型半導体製造装置のウエハ支
持具。 - 【請求項２】 請求項１記載の縦型半導体製造装置のウ
エハ支持具において、前記馬蹄形状のサファイア製プレ
ートから中央部に延びる突出部を形成してなる縦型半導
体製造装置のウエハ支持具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7081096A JP3483698B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 縦型半導体製造装置のウエハ支持具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7081096A JP3483698B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 縦型半導体製造装置のウエハ支持具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260295A true JPH09260295A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3483698B2 JP3483698B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=13442305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7081096A Expired - Fee Related JP3483698B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 縦型半導体製造装置のウエハ支持具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3483698B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1091391A1 (de) * | 1999-10-05 | 2001-04-11 | SICO Produktions- und Handelsges.m.b.H. | Haltevorrichtung für Halbleiterscheiben |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP7081096A patent/JP3483698B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1091391A1 (de) * | 1999-10-05 | 2001-04-11 | SICO Produktions- und Handelsges.m.b.H. | Haltevorrichtung für Halbleiterscheiben |
| WO2001026140A1 (de) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Sico Produktions- Und Handelsges.M.B.H. | Haltevorrichtung für halbleiterscheiben |
| JP2003521109A (ja) * | 1999-10-05 | 2003-07-08 | ジーコ・プロドゥクツィオーンス−ウント・ハンデルスゲゼルシャフト・エム・ベー・ハー | 半導体ウエハ用保持装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3483698B2 (ja) | 2004-01-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031007 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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