JPH0824140B2 - シリコンウエ−ハ処理用治具 - Google Patents
シリコンウエ−ハ処理用治具Info
- Publication number
- JPH0824140B2 JPH0824140B2 JP61310261A JP31026186A JPH0824140B2 JP H0824140 B2 JPH0824140 B2 JP H0824140B2 JP 61310261 A JP61310261 A JP 61310261A JP 31026186 A JP31026186 A JP 31026186A JP H0824140 B2 JPH0824140 B2 JP H0824140B2
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- JP
- Japan
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- wafer
- silicon wafer
- silicon
- base
- processing
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Description
【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 ［産業上の利用分野］ 本発明は、シリコンウェーハ処理用治具に関し、特に
炭化珪素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によっ
て形成された基台の表面に対し、石英ガラスによって形
成されたウェーハ支持部材をその少なくとも一側面を全
長にわたり接触することにより載置してなるボート等の
シリコンウェーハ処理用治具に関するものである。
炭化珪素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によっ
て形成された基台の表面に対し、石英ガラスによって形
成されたウェーハ支持部材をその少なくとも一側面を全
長にわたり接触することにより載置してなるボート等の
シリコンウェーハ処理用治具に関するものである。
［従来の技術］ 従来この種のシリコンウェーハ処理用治具としては、
全部石英ガラスからできているか全部炭化珪素からでき
ている製品が普通であるが、第３図に示すように、石英
ガラスによって形成された２つの弧状部材１、２に対
し、シリコンウェーハ（図示せず）の支持用の溝部3Aが
長手方向に所定の間隔（たとえば等間隔）で穿設された
炭化珪素または炭化珪素−金属珪素よりなるウェーハ支
持部材３の両端部のみが接触され、かつネジ部材４によ
って固着した複合材料が開発されたが、充分満足いくも
のではなかった。
全部石英ガラスからできているか全部炭化珪素からでき
ている製品が普通であるが、第３図に示すように、石英
ガラスによって形成された２つの弧状部材１、２に対
し、シリコンウェーハ（図示せず）の支持用の溝部3Aが
長手方向に所定の間隔（たとえば等間隔）で穿設された
炭化珪素または炭化珪素−金属珪素よりなるウェーハ支
持部材３の両端部のみが接触され、かつネジ部材４によ
って固着した複合材料が開発されたが、充分満足いくも
のではなかった。
［解決すべき問題点］ このような従来のシリコンウェーハ処理用治具では、
最近のように大型でかつシリコンウェーハの処理温度が
高温（たとえば1050℃以上）となってくると、石英ガラ
スによって形成されたウェーハ処理用治具は長時間の処
理中に軟化してしまい、自重および支持されたシリコン
ウェーハの重量によって変形する欠点があり、結果的に
シリコンウェーハを処理中に破損する欠点があり、また
再使用できない欠点もあった。更にシリコンウェーハと
直接接触する溝部が炭化珪素であれば石英ガラスに比べ
不純物の含有量の増加する欠点があり、その大きな硬度
に伴なって溝部の穿設精度が低下する欠点もあった。
最近のように大型でかつシリコンウェーハの処理温度が
高温（たとえば1050℃以上）となってくると、石英ガラ
スによって形成されたウェーハ処理用治具は長時間の処
理中に軟化してしまい、自重および支持されたシリコン
ウェーハの重量によって変形する欠点があり、結果的に
シリコンウェーハを処理中に破損する欠点があり、また
再使用できない欠点もあった。更にシリコンウェーハと
直接接触する溝部が炭化珪素であれば石英ガラスに比べ
不純物の含有量の増加する欠点があり、その大きな硬度
に伴なって溝部の穿設精度が低下する欠点もあった。
そこで本発明は、上述した欠点を除去し、シリコンウ
ェーハの処理温度が上昇してもその処理中にウェーハ支
持部材が変形せず、ひいてはシリコンウェーハを処理中
に破損することがなく、また再使用可能なシリコンウェ
ーハ処理用治具を提供せんとするものである。
ェーハの処理温度が上昇してもその処理中にウェーハ支
持部材が変形せず、ひいてはシリコンウェーハを処理中
に破損することがなく、また再使用可能なシリコンウェ
ーハ処理用治具を提供せんとするものである。
（２）発明の構成 ［問題点の解決手段］ 本発明によって提供される解決手段は、「（ａ）炭化
珪素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によって形
成された基台と、（ｂ）前記基台の表面上に少なくとも
一側面が全長にわたり接触して載置されており、石英ガ
ラスによって形成されかつシリコンウェーハ支持用の溝
部が穿設された複数のウェーハ支持部材とを備えてなる
ことを特徴とするシリコンウェーハ処理用治具」であ
る。
珪素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によって形
成された基台と、（ｂ）前記基台の表面上に少なくとも
一側面が全長にわたり接触して載置されており、石英ガ
ラスによって形成されかつシリコンウェーハ支持用の溝
部が穿設された複数のウェーハ支持部材とを備えてなる
ことを特徴とするシリコンウェーハ処理用治具」であ
る。
［作用］ 本発明にかかるシリコンウェーハ処理用治具は、炭化
珪素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によって形
成された基台の表面に対し、石英ガラスによって形成さ
れかつシリコンウェーハ支持用の溝部が穿設された複数
のウェーハ支持部材をその少なくとも一側面を全長にわ
たり接触して載置しており、シリコンウェーハ処理温度
の上昇に伴なってウェーハ支持部材が軟化した場合にも
変形することを防止する作用をなし、結果的にシリコン
ウェーハが処理中に破損されることを回避する作用をな
し、また再使用を可能とする作用もなす。
珪素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によって形
成された基台の表面に対し、石英ガラスによって形成さ
れかつシリコンウェーハ支持用の溝部が穿設された複数
のウェーハ支持部材をその少なくとも一側面を全長にわ
たり接触して載置しており、シリコンウェーハ処理温度
の上昇に伴なってウェーハ支持部材が軟化した場合にも
変形することを防止する作用をなし、結果的にシリコン
ウェーハが処理中に破損されることを回避する作用をな
し、また再使用を可能とする作用もなす。
［実施例］ 次に本発明について実施例を挙げ具体的に説明する。
第１図は、本発明のシリコンウェーハ処理用治具の一
実施例を示す全体斜視図である。第２図は、同他の実施
例を示す部分斜視図である。
実施例を示す全体斜視図である。第２図は、同他の実施
例を示す部分斜視図である。
10は本発明のシリコンウェーハ処理用治具で、炭化珪
素（SiC）または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素（SiC
−Si）によって形成された基台20を包有している。基台
20は、中央部21と両側縁部31,41が連設されいる。中央
部21には、両側縁にそってそれぞれ平行に延長されたリ
ブ22,24が形成されており、リブ22,24間に窓部26が穿設
されている。リブ22,24の表面には、その延長方向に向
けてそれぞれ溝部23,25が穿設されている。第１の側縁
部31には、前記リブ22,24の延長方向と同一方向に向け
てリブ32が形成されている。リブ32の表面には、中央部
21の溝部23,25の開口方向と同一方向に開口しかつ並行
に延長する溝部33が穿設されている。また第１の側縁部
31には、窓部34が穿設されている。第２の側縁部41に
は、前記リブ22,24の延長方向と同一方向に向けてリブ4
2が形成されている。リブ42の表面には、中央部21の溝
部23,25の開口方向と同一方向に開口しかつ並行に延長
する溝部43が穿設されている。また第２の側縁部41に
は、窓部44（第１図では見えない）が穿設されている。
窓部26,34,44は、基台20の両端面近傍まで延長されてお
り、シリコンウェーハの処理に際して加熱を均等化する
ために形成されている。
素（SiC）または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素（SiC
−Si）によって形成された基台20を包有している。基台
20は、中央部21と両側縁部31,41が連設されいる。中央
部21には、両側縁にそってそれぞれ平行に延長されたリ
ブ22,24が形成されており、リブ22,24間に窓部26が穿設
されている。リブ22,24の表面には、その延長方向に向
けてそれぞれ溝部23,25が穿設されている。第１の側縁
部31には、前記リブ22,24の延長方向と同一方向に向け
てリブ32が形成されている。リブ32の表面には、中央部
21の溝部23,25の開口方向と同一方向に開口しかつ並行
に延長する溝部33が穿設されている。また第１の側縁部
31には、窓部34が穿設されている。第２の側縁部41に
は、前記リブ22,24の延長方向と同一方向に向けてリブ4
2が形成されている。リブ42の表面には、中央部21の溝
部23,25の開口方向と同一方向に開口しかつ並行に延長
する溝部43が穿設されている。また第２の側縁部41に
は、窓部44（第１図では見えない）が穿設されている。
窓部26,34,44は、基台20の両端面近傍まで延長されてお
り、シリコンウェーハの処理に際して加熱を均等化する
ために形成されている。
50A〜50Dは第１ないし第４のウェーハ支持部材で、と
もに石英ガラス（SiO2）によって形成されており、それ
ぞれ基台20の溝部23,25,33,43に対し交換可能に嵌入固
定されている。ウェーハ支持部材50A〜50Dには、それぞ
れ一側面に複数の溝部51A〜51Dが等間隔で穿設されてい
る。ウェーハ支持部材50A〜50Dは、それぞれ溝部51A〜5
1Dが互いに同一平面上に位置するように溝部23,25,33,4
3に対し位置決めされ固定されている。そのためには、
ウェーハ支持部材50A〜50D（たとえば基台20の溝部23,2
5,33,43への挿入側面）に対し適宜の突起（図示せず）
を形成しておき、基台20の溝部23,25,33,43の内周面に
形成した凹部（図示せず）に対し嵌合せしめればよい。
もに石英ガラス（SiO2）によって形成されており、それ
ぞれ基台20の溝部23,25,33,43に対し交換可能に嵌入固
定されている。ウェーハ支持部材50A〜50Dには、それぞ
れ一側面に複数の溝部51A〜51Dが等間隔で穿設されてい
る。ウェーハ支持部材50A〜50Dは、それぞれ溝部51A〜5
1Dが互いに同一平面上に位置するように溝部23,25,33,4
3に対し位置決めされ固定されている。そのためには、
ウェーハ支持部材50A〜50D（たとえば基台20の溝部23,2
5,33,43への挿入側面）に対し適宜の突起（図示せず）
を形成しておき、基台20の溝部23,25,33,43の内周面に
形成した凹部（図示せず）に対し嵌合せしめればよい。
しかして本発明のシリコンウェーハ処理用治具の作用
について説明する。
について説明する。
基台20の溝部23,25,33,43に対し、第１ないし第４の
ウェーハ支持部材50A〜50Dを嵌入する。第１ないし第４
のウェーハ支持部材50A〜50Dは、それぞれの溝部51A〜5
1Dが互いに同一平面上に位置するように位置決めし、溝
部23,25,33,43に対して固定する。
ウェーハ支持部材50A〜50Dを嵌入する。第１ないし第４
のウェーハ支持部材50A〜50Dは、それぞれの溝部51A〜5
1Dが互いに同一平面上に位置するように位置決めし、溝
部23,25,33,43に対して固定する。
この状態で、第１〜第４のウェーハ支持部材50A〜50D
の溝部51A〜51Dに対し円板状のシリコンウェーハ（図示
せず）を順次挿入して支持する。
の溝部51A〜51Dに対し円板状のシリコンウェーハ（図示
せず）を順次挿入して支持する。
そののちシリコンウェーハを支持した状態で、本発明
のシリコンウェーハ処理用治具を拡散炉芯管（図示せ
ず）に対し挿入し、シリコンウェーハに対し適宜の処理
を施す。このとき基台20に窓部26,34,44が形成されてい
るので、シリコンウェーハに対し均等に熱が伝達され
る。更に炭化珪素中の全不純物量を減少させることがで
きる。
のシリコンウェーハ処理用治具を拡散炉芯管（図示せ
ず）に対し挿入し、シリコンウェーハに対し適宜の処理
を施す。このとき基台20に窓部26,34,44が形成されてい
るので、シリコンウェーハに対し均等に熱が伝達され
る。更に炭化珪素中の全不純物量を減少させることがで
きる。
本発明のシリコンウェーハ処理用治具の使用中に、石
英ガラス製ウェーハ支持部材50A〜50Dのうちその溝部51
A〜51Dに欠損が生じあるいはその一部に失透などが生じ
た場合には、その欠損あるいは失透などの生じたウェー
ハ支持部材のみを新たなウェーハ支持部材と交換すれ
ば、再使用が可能である。
英ガラス製ウェーハ支持部材50A〜50Dのうちその溝部51
A〜51Dに欠損が生じあるいはその一部に失透などが生じ
た場合には、その欠損あるいは失透などの生じたウェー
ハ支持部材のみを新たなウェーハ支持部材と交換すれ
ば、再使用が可能である。
なお上述においては基台20上にリブ22,24,32,42を形
成し、それぞれに溝部23,25,33,43を穿設してウェーハ
支持部材50A〜50Dを固定しているため、これでは基台20
の露出表面積が大きくなり、基台20から析出する不純物
の量が増大するおそれもある。そこで第２図に示したよ
うに基台20上に突起22A,24A,32A,42A（突起24A,32A,42A
は図示せず）を形成し、かつこの突起22A,4A,32A,42Aが
嵌入される溝部52A,52B,52C,52D（溝部52B,52C,52Dは図
示せず）をウェーハ支持部材50A〜50Dの一側面に穿設す
ることにより、基台20の露出表面積を小さくでき、結果
的に基台20から析出する不純物の量を削減できる。
成し、それぞれに溝部23,25,33,43を穿設してウェーハ
支持部材50A〜50Dを固定しているため、これでは基台20
の露出表面積が大きくなり、基台20から析出する不純物
の量が増大するおそれもある。そこで第２図に示したよ
うに基台20上に突起22A,24A,32A,42A（突起24A,32A,42A
は図示せず）を形成し、かつこの突起22A,4A,32A,42Aが
嵌入される溝部52A,52B,52C,52D（溝部52B,52C,52Dは図
示せず）をウェーハ支持部材50A〜50Dの一側面に穿設す
ることにより、基台20の露出表面積を小さくでき、結果
的に基台20から析出する不純物の量を削減できる。
（３）発明の効果 上述より明らかなように本発明のシリコンウェーハ処
理用治具は、（ａ）炭化珪素または金属珪素を含浸せし
めた炭化珪素によって形成された基台と、（ｂ）前記基
台の表面上に少なくとも一側面が全長にわたり接触して
載置されており、石英ガラスによって形成されかつシリ
コンウェーハ支持用の溝部が穿設された複数のウェーハ
支持部材とを備えているので、 （ｉ）シリコンウェーハの処理温度の上昇に伴なってウ
ェーハ支持部材が長時間の使用でも変形することを防止
できる （ii）その結果シリコンウェーハが処理中に破損される
ことを防止できる （iii）ウェーハ支持部材のうち欠損もしくは失透など
を生じたもののみ交換することにより反復使用すること
が可能となる （iv）シリコンウェーハの処理数に応じて溝部の数の異
なるウェーハ支持部材をカートリッジ方式に選定して使
用できる （ｖ）ウェーハ支持部材を石英に比べ不純物量の多い炭
化珪素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によって
形成することを回避し、溝部の穿設作業を容易化し、併
せてシリコーンウェーハとの接触面積を削減して高品質
を達成できる などの諸効果を有する。
理用治具は、（ａ）炭化珪素または金属珪素を含浸せし
めた炭化珪素によって形成された基台と、（ｂ）前記基
台の表面上に少なくとも一側面が全長にわたり接触して
載置されており、石英ガラスによって形成されかつシリ
コンウェーハ支持用の溝部が穿設された複数のウェーハ
支持部材とを備えているので、 （ｉ）シリコンウェーハの処理温度の上昇に伴なってウ
ェーハ支持部材が長時間の使用でも変形することを防止
できる （ii）その結果シリコンウェーハが処理中に破損される
ことを防止できる （iii）ウェーハ支持部材のうち欠損もしくは失透など
を生じたもののみ交換することにより反復使用すること
が可能となる （iv）シリコンウェーハの処理数に応じて溝部の数の異
なるウェーハ支持部材をカートリッジ方式に選定して使
用できる （ｖ）ウェーハ支持部材を石英に比べ不純物量の多い炭
化珪素または金属珪素を含浸せしめた炭化珪素によって
形成することを回避し、溝部の穿設作業を容易化し、併
せてシリコーンウェーハとの接触面積を削減して高品質
を達成できる などの諸効果を有する。
第１図は本発明のシリコンウェーハ処理用治具の一実施
例を示す全体斜視図、第２図は同他の実施例を示す部分
斜視図、第３図は従来例を示す斜視図である。10 ……シリコンウェーハ処理用治具 20……基台 21……中央部 22,24,32,42……リブ 22A……突起 23,25,33,43……溝部 26,34,44……窓部 31,41……側縁部 50A〜50D……ウェーハ支持部材 51A〜51D,52A……溝部
例を示す全体斜視図、第２図は同他の実施例を示す部分
斜視図、第３図は従来例を示す斜視図である。10 ……シリコンウェーハ処理用治具 20……基台 21……中央部 22,24,32,42……リブ 22A……突起 23,25,33,43……溝部 26,34,44……窓部 31,41……側縁部 50A〜50D……ウェーハ支持部材 51A〜51D,52A……溝部
Claims (4)
- 【請求項１】（ａ）炭化珪素または金属珪素を含浸せし
めた炭化珪素によって形成された基台と、 （ｂ）前記基台の表面上に少なくとも一側面が全長にわ
たり接触して載置されており、石英ガラスによって形成
されかつシリコンウェーハ支持用の溝部が穿設された複
数のウェーハ支持部材と を備えてなることを特徴とするシリコンウェーハ処理用
治具。 - 【請求項２】基台が、ウェーハ支持部材を嵌入固定する
溝部の穿設されたリブを包有してなることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載のシリコンウェーハ処理
用治具。 - 【請求項３】基台が、ウェーハ支持部材の溝部に嵌入固
定される突起を包有してなることを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載のシリコンウェーハ処理用治具。 - 【請求項４】基台が、窓部を包有してなることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項ないし第（３）項のいず
れか一項記載のシリコンウェーハ処理用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310261A JPH0824140B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | シリコンウエ−ハ処理用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310261A JPH0824140B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | シリコンウエ−ハ処理用治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164312A JPS63164312A (ja) | 1988-07-07 |
| JPH0824140B2 true JPH0824140B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=18003118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61310261A Expired - Lifetime JPH0824140B2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | シリコンウエ−ハ処理用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0824140B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7055702B1 (en) | 2000-06-06 | 2006-06-06 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat |
| US20040188319A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Wafer carrier having improved processing characteristics |
| CN111892419A (zh) * | 2020-08-03 | 2020-11-06 | 福赛特(唐山)新材料有限公司 | 一种高抗震性碳化硅舟及其制备方法 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61310261A patent/JPH0824140B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63164312A (ja) | 1988-07-07 |
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