JP3166142B2 - 半導体ウエーハの熱処理方法 - Google Patents
半導体ウエーハの熱処理方法Info
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- JP3166142B2 JP3166142B2 JP8238194A JP8238194A JP3166142B2 JP 3166142 B2 JP3166142 B2 JP 3166142B2 JP 8238194 A JP8238194 A JP 8238194A JP 8238194 A JP8238194 A JP 8238194A JP 3166142 B2 JP3166142 B2 JP 3166142B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の半導体ウエーハ
を熱処理炉内にて熱処理する方法に関する。
を熱処理炉内にて熱処理する方法に関する。
【０００２】
【発明の背景技術】半導体装置の製造工程においては、
一般に円板状の半導体ウエーハを熱処理炉内にて酸化、
デポジション、拡散等の熱処理を施す工程が複数回行わ
れる。これらの熱処理工程においては、複数の半導体ウ
エーハを保持装置に保持して熱処理炉内に収容し、熱処
理炉を所定温度まで昇温して熱処理を施す。例えば４０
０℃程度の比較的低温から１２００℃程度の比較的高温
の雰囲気下で、熱処理炉内に反応ガスあるいは不活性ガ
スを流しながら熱処理を行う。
一般に円板状の半導体ウエーハを熱処理炉内にて酸化、
デポジション、拡散等の熱処理を施す工程が複数回行わ
れる。これらの熱処理工程においては、複数の半導体ウ
エーハを保持装置に保持して熱処理炉内に収容し、熱処
理炉を所定温度まで昇温して熱処理を施す。例えば４０
０℃程度の比較的低温から１２００℃程度の比較的高温
の雰囲気下で、熱処理炉内に反応ガスあるいは不活性ガ
スを流しながら熱処理を行う。
【０００３】この種の熱処理工程では、多数の半導体ウ
エーハを同時に処理するバッチ処理化とともに取扱いの
容易化を図るため、多数枚の半導体ウエーハを整列して
保持することができる一般にウエーハボートと呼ばれる
ウエーハ保持装置が用いられる。
エーハを同時に処理するバッチ処理化とともに取扱いの
容易化を図るため、多数枚の半導体ウエーハを整列して
保持することができる一般にウエーハボートと呼ばれる
ウエーハ保持装置が用いられる。
【０００４】図５及び図６は、従来のウエーハボートの
一例を示し、図５はその側面図、図６は平面図である。
各図において、ウエーハボート１０は、相互に平行に設
けられた４本の支持棒１１、１２、１３及び１４を有
し、両端部において連結棒１６、１７及び１８により相
互に固定されている。そして、これら４本の支持棒の軸
線と垂直な面での相互位置は、支持する半導体ウエーハ
（以下「ウエーハ」という。）Ａのほぼ周縁上に沿う４
点上に設けられる。また、各支持棒には、ウエーハ挿入
溝１５が支持棒の軸と垂直な面に沿って設けられ、且つ
このようなウエーハ挿入溝１５が一定間隔を置いて軸方
向に複数個設けられている。
一例を示し、図５はその側面図、図６は平面図である。
各図において、ウエーハボート１０は、相互に平行に設
けられた４本の支持棒１１、１２、１３及び１４を有
し、両端部において連結棒１６、１７及び１８により相
互に固定されている。そして、これら４本の支持棒の軸
線と垂直な面での相互位置は、支持する半導体ウエーハ
（以下「ウエーハ」という。）Ａのほぼ周縁上に沿う４
点上に設けられる。また、各支持棒には、ウエーハ挿入
溝１５が支持棒の軸と垂直な面に沿って設けられ、且つ
このようなウエーハ挿入溝１５が一定間隔を置いて軸方
向に複数個設けられている。
【０００５】ウエーハＡは、４本の支持棒の同一平面上
にある４つのウエーハ挿入溝１５によりその周縁上でほ
ぼ垂直に保持され、ウエーハＡは、その中心寄りの半導
体素子が形成される領域には支持棒が接触しないように
保持される。このようにして複数のウエーハＡが一定間
隔を置いて複数枚保持され、熱処理炉内にてバッチ処理
がなされる。
にある４つのウエーハ挿入溝１５によりその周縁上でほ
ぼ垂直に保持され、ウエーハＡは、その中心寄りの半導
体素子が形成される領域には支持棒が接触しないように
保持される。このようにして複数のウエーハＡが一定間
隔を置いて複数枚保持され、熱処理炉内にてバッチ処理
がなされる。
【０００６】ウエーハボートは、耐熱性があり、且つ高
温時においても処理する半導体ウエーハの汚染の原因と
ならない材料で形成され、一般に石英ガラス、炭化珪素
あるいはシリコン等から成る。
温時においても処理する半導体ウエーハの汚染の原因と
ならない材料で形成され、一般に石英ガラス、炭化珪素
あるいはシリコン等から成る。
【０００７】また、図７は４本の支持棒を有する従来の
ウエーハボートの他の例を示す。図７のウエーハボート
の基本構造は図５のウエーハボートと同じであるが、４
本の支持棒の相対位置が比較的近くなっている。従っ
て、ウエーハＡはその周縁部の比較的接近した４点で支
持される。
ウエーハボートの他の例を示す。図７のウエーハボート
の基本構造は図５のウエーハボートと同じであるが、４
本の支持棒の相対位置が比較的近くなっている。従っ
て、ウエーハＡはその周縁部の比較的接近した４点で支
持される。
【０００８】さらに、図８は３本の支持棒を有する従来
のウエーハボートを示す。このウエーハボート３０は、
支持棒３１、３２及び３３が相互に平行に設けられ、且
つ各支持棒の軸線方向と垂直な面において、支持棒３１
の中心軸を頂点として支持棒３２及び３３の中心軸が二
等辺三角形を成し且つその頂角がほぼ９０°となるよう
に配置されている。また、各支持棒は、その両端部にお
いて、それぞれ連結棒３５及び３６により相互に連結さ
れている。その他の構造は上述した４点支持のウエーハ
ボートと同じである。
のウエーハボートを示す。このウエーハボート３０は、
支持棒３１、３２及び３３が相互に平行に設けられ、且
つ各支持棒の軸線方向と垂直な面において、支持棒３１
の中心軸を頂点として支持棒３２及び３３の中心軸が二
等辺三角形を成し且つその頂角がほぼ９０°となるよう
に配置されている。また、各支持棒は、その両端部にお
いて、それぞれ連結棒３５及び３６により相互に連結さ
れている。その他の構造は上述した４点支持のウエーハ
ボートと同じである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図５及び図７に示した
ような従来の４点支持のウエーハ保持装置を用いて熱処
理を行う場合、図９（ａ）及び（ｂ）におけるＩで示さ
れるようにウエーハを４点で支持して保持するため、一
枚のウエーハを保持するための４個のウエーハ挿入溝が
同一平面から僅かでもずれた位置にある場合はウエーハ
にストレスが掛り易く、図９（ａ）及び（ｂ）における
IIで示されるように、各支持棒との接触部にスリップを
生じる場合があった。
ような従来の４点支持のウエーハ保持装置を用いて熱処
理を行う場合、図９（ａ）及び（ｂ）におけるＩで示さ
れるようにウエーハを４点で支持して保持するため、一
枚のウエーハを保持するための４個のウエーハ挿入溝が
同一平面から僅かでもずれた位置にある場合はウエーハ
にストレスが掛り易く、図９（ａ）及び（ｂ）における
IIで示されるように、各支持棒との接触部にスリップを
生じる場合があった。
【００１０】また、図８に示した従来の３点支持のウエ
ーハ保持装置を用いる場合、図９（ｃ）におけるＩで示
されるようにウエーハを３点で支持して保持するので、
４点支持のウエーハボートに比べるとストレスが掛りに
くいが、やはり図９（ｃ）におけるIIで示されるように
各支持棒との接触部にスリップを生じる場合があった。
ーハ保持装置を用いる場合、図９（ｃ）におけるＩで示
されるようにウエーハを３点で支持して保持するので、
４点支持のウエーハボートに比べるとストレスが掛りに
くいが、やはり図９（ｃ）におけるIIで示されるように
各支持棒との接触部にスリップを生じる場合があった。
【００１１】従来のＤＺ−ＩＧ処理したウエーハ（ＤＺ
ウエーハ）は、デバイス製造工程においてしばしば割れ
る現象が発生していたが、その原因の多くはウエーハに
発生したスリップに起因することが確認されており、ウ
エーハの保持状態がデバイス製造工程における歩留りを
左右する一因となっていた。
ウエーハ）は、デバイス製造工程においてしばしば割れ
る現象が発生していたが、その原因の多くはウエーハに
発生したスリップに起因することが確認されており、ウ
エーハの保持状態がデバイス製造工程における歩留りを
左右する一因となっていた。
【００１２】上記のようなスリップの発生は１１００℃
以下の熱処理ではあまり問題となっていなかったが、Ｄ
Ｚ−ＩＧ処理やウエル拡散のような１１５０℃以上の高
温熱処理を行うと特に顕著となっており、その解決が望
まれていた。
以下の熱処理ではあまり問題となっていなかったが、Ｄ
Ｚ−ＩＧ処理やウエル拡散のような１１５０℃以上の高
温熱処理を行うと特に顕著となっており、その解決が望
まれていた。
【００１３】本発明はかかる従来技術の欠点に鑑みてな
され、ウエーハの熱処理工程時にスリップが発生しない
ウエーハの熱処理方法を提供することを目的とする。
され、ウエーハの熱処理工程時にスリップが発生しない
ウエーハの熱処理方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、各々半導体ウ
エーハを支持するための複数のウエーハ挿入溝を有し且
つ相互に平行に設けられた第１ないし第３の支持棒を備
え、該第１ないし第３の支持棒の軸線方向と垂直な面に
おける各支持棒の位置関係が、第１の支持棒の中心軸を
頂点として第２及び第３の支持棒の中心軸が二等辺三角
形を成し且つその頂角がほぼ１３５°となるように配置
され、半導体ウエーハをその周縁上の３点で支持する半
導体ウエーハ保持装置の各挿入溝にウエーハを保持さ
せ、それらウエーハを半導体ウエーハ保持装置とともに
熱処理炉内にて、１１００℃を超え１２００℃以下の温
度で熱処理するようにした。
エーハを支持するための複数のウエーハ挿入溝を有し且
つ相互に平行に設けられた第１ないし第３の支持棒を備
え、該第１ないし第３の支持棒の軸線方向と垂直な面に
おける各支持棒の位置関係が、第１の支持棒の中心軸を
頂点として第２及び第３の支持棒の中心軸が二等辺三角
形を成し且つその頂角がほぼ１３５°となるように配置
され、半導体ウエーハをその周縁上の３点で支持する半
導体ウエーハ保持装置の各挿入溝にウエーハを保持さ
せ、それらウエーハを半導体ウエーハ保持装置とともに
熱処理炉内にて、１１００℃を超え１２００℃以下の温
度で熱処理するようにした。
【００１５】また本発明は、熱処理炉内にて半導体ウエ
ーハを保持する半導体ウエーハ保持装置の製造方法にお
いて、半導体ウエーハをその周縁上の３点で支持するた
めの第１ないし第３の支持棒を相互に平行且つ前記第１
ないし第３の支持棒の軸線方向と垂直な面において前記
第１の支持棒の中心軸を頂点として前記第２及び第３の
支持棒の中心軸が二等辺三角形を成し且つその頂角がほ
ぼ１３５°となるように配置して相互に連結固定した
後、各支持棒について１個ずつ計３個のウエーハ挿入溝
を前記第１ないし第３の支持棒の軸線と垂直な同一面上
にあるように円板状切刻手段により同時に形成するよう
にした。
ーハを保持する半導体ウエーハ保持装置の製造方法にお
いて、半導体ウエーハをその周縁上の３点で支持するた
めの第１ないし第３の支持棒を相互に平行且つ前記第１
ないし第３の支持棒の軸線方向と垂直な面において前記
第１の支持棒の中心軸を頂点として前記第２及び第３の
支持棒の中心軸が二等辺三角形を成し且つその頂角がほ
ぼ１３５°となるように配置して相互に連結固定した
後、各支持棒について１個ずつ計３個のウエーハ挿入溝
を前記第１ないし第３の支持棒の軸線と垂直な同一面上
にあるように円板状切刻手段により同時に形成するよう
にした。
【００１６】
【作用】本発明のウエーハの熱処理方法においては、第
１ないし第３の支持棒が、第１ないし第３の支持棒の軸
線方向と垂直な面における各支持棒の位置関係が前記第
１の支持棒の中心軸を頂点として前記第２及び第３の支
持棒の中心軸が二等辺三角形を成し且つその頂角がほぼ
１３５°となるように配置されているので、ウエーハに
無用のストレスが掛らなくなり、スリップの発生が防止
される。
１ないし第３の支持棒が、第１ないし第３の支持棒の軸
線方向と垂直な面における各支持棒の位置関係が前記第
１の支持棒の中心軸を頂点として前記第２及び第３の支
持棒の中心軸が二等辺三角形を成し且つその頂角がほぼ
１３５°となるように配置されているので、ウエーハに
無用のストレスが掛らなくなり、スリップの発生が防止
される。
【００１７】具体的には、従来のように４点支持による
ウエーハの保持装置では、ウエーハ挿入溝の相互位置の
同一平面からの僅かなずれによってもストレスが生じて
スリップ発生の原因となるのに対し、本発明においては
３点支持であるので、ウエーハ挿入溝の相互位置のずれ
があっても一定以下であればストレスを生じることなく
且つ確実にウエーハを保持することができる。
ウエーハの保持装置では、ウエーハ挿入溝の相互位置の
同一平面からの僅かなずれによってもストレスが生じて
スリップ発生の原因となるのに対し、本発明においては
３点支持であるので、ウエーハ挿入溝の相互位置のずれ
があっても一定以下であればストレスを生じることなく
且つ確実にウエーハを保持することができる。
【００１８】また、３点支持であっても従来のようにそ
の相互位置が１点を頂点として９０℃である場合は４点
支持の場合と同様にストレスを生じるが、これはこの頂
点角度に問題があったと考えられる。本発明者らはスト
レスを生じない最適な頂点角度があると考えて鋭意検討
した結果、本発明のウエーハ支持装置では頂点角度を１
３５°とした。この角度においてウエーハに掛るストレ
スが最も小さくなる。
の相互位置が１点を頂点として９０℃である場合は４点
支持の場合と同様にストレスを生じるが、これはこの頂
点角度に問題があったと考えられる。本発明者らはスト
レスを生じない最適な頂点角度があると考えて鋭意検討
した結果、本発明のウエーハ支持装置では頂点角度を１
３５°とした。この角度においてウエーハに掛るストレ
スが最も小さくなる。
【００１９】また、本発明のウエーハ支持装置の製造方
法においては、半導体ウエーハをその周縁上の３点で支
持するための第１ないし第３の支持棒を相互に平行且つ
前記第１ないし第３の支持棒の軸線方向と垂直な面にお
いて前記第１の支持棒の中心軸を頂点として前記第２及
び第３の支持棒の中心軸が二等辺三角形を成し且つその
頂角がほぼ１３５°となるように配置して相互に連結固
定した後、前記第１ないし第３の支持棒の軸線と垂直な
同一面上にあるように半導体ウエーハ挿入溝を一枚の半
導体ウエーハについて各支持棒に１個計３個で半導体ウ
エーハを支持する半導体ウエーハ挿入溝３個を円板状切
刻手段により同時に形成するようにしたので、一枚のウ
エーハを保持する各支持棒に形成された計３個のウエー
ハ挿入溝が常に同一平面上にあるように形成される。従
って、各支持棒のウエーハ挿入溝同士の相互位置が同一
平面上からずれて形成されることがなく、ウエーハを保
持した際にストレスを与えることがなく、スリップの発
生を防止することができる。
法においては、半導体ウエーハをその周縁上の３点で支
持するための第１ないし第３の支持棒を相互に平行且つ
前記第１ないし第３の支持棒の軸線方向と垂直な面にお
いて前記第１の支持棒の中心軸を頂点として前記第２及
び第３の支持棒の中心軸が二等辺三角形を成し且つその
頂角がほぼ１３５°となるように配置して相互に連結固
定した後、前記第１ないし第３の支持棒の軸線と垂直な
同一面上にあるように半導体ウエーハ挿入溝を一枚の半
導体ウエーハについて各支持棒に１個計３個で半導体ウ
エーハを支持する半導体ウエーハ挿入溝３個を円板状切
刻手段により同時に形成するようにしたので、一枚のウ
エーハを保持する各支持棒に形成された計３個のウエー
ハ挿入溝が常に同一平面上にあるように形成される。従
って、各支持棒のウエーハ挿入溝同士の相互位置が同一
平面上からずれて形成されることがなく、ウエーハを保
持した際にストレスを与えることがなく、スリップの発
生を防止することができる。
【００２０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の好適な実施例
を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載
されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置
などは、特に特定的な記載がない限りはこの発明の範囲
をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過
ぎない。
を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載
されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置
などは、特に特定的な記載がない限りはこの発明の範囲
をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過
ぎない。
【００２１】図１ないし図３は本発明のウエーハ支持装
置（ウエーハボート）の一実施例を示すものであり、そ
れぞれ正面図、平面図及び側面図を示す。各図におい
て、ウエーハボート２０は、支持棒２１、２２及び２３
が相互に平行に設けられ、且つ各支持棒の軸線方向と垂
直な面において、支持棒２１の中心軸を頂点として支持
棒２２及び２３の中心軸が二等辺三角形を成し且つその
頂角αがほぼ１３５°となるように配置されている。ま
た、各支持棒は、その両端部において、それぞれ連結棒
２５及び２６により相互に連結されている。これら支持
棒及び連結棒の部材は例えば石英からなる。
置（ウエーハボート）の一実施例を示すものであり、そ
れぞれ正面図、平面図及び側面図を示す。各図におい
て、ウエーハボート２０は、支持棒２１、２２及び２３
が相互に平行に設けられ、且つ各支持棒の軸線方向と垂
直な面において、支持棒２１の中心軸を頂点として支持
棒２２及び２３の中心軸が二等辺三角形を成し且つその
頂角αがほぼ１３５°となるように配置されている。ま
た、各支持棒は、その両端部において、それぞれ連結棒
２５及び２６により相互に連結されている。これら支持
棒及び連結棒の部材は例えば石英からなる。
【００２２】各支持棒には、ウエーハ挿入溝２４が支持
棒の軸と垂直な面に沿って設けられ、且つこのようなウ
エーハ挿入溝２４が一定間隔を置いて軸方向に複数個設
けられている。１枚のウエーハＡはその周縁部を３個の
ウエーハ挿入溝２４に挿入することによって保持され
る。
棒の軸と垂直な面に沿って設けられ、且つこのようなウ
エーハ挿入溝２４が一定間隔を置いて軸方向に複数個設
けられている。１枚のウエーハＡはその周縁部を３個の
ウエーハ挿入溝２４に挿入することによって保持され
る。
【００２３】次に、上記ウエーハボートの製造方法の一
例を説明する。まず、３本の支持棒２１、２２及び２３
を相互に平行に、且つ各支持棒の軸線方向と垂直な面に
おいて、支持棒２１の中心軸を頂点として支持棒２２及
び２３の中心軸が二等辺三角形を成し且つその頂角αが
ほぼ１３５°となるように配置して連結部材２５、２６
と溶着し、フレームを形成する。次に、図４に示すよう
に、保持対象となるウエーハＡとほぼ同径の円板状のダ
イヤモンドカッターＢを用いて各支持棒を同時に切刻
し、一回の切刻工程でそれぞれの支持棒に１個ずつ計３
個のウエーハ挿入溝２４を同時に形成する。
例を説明する。まず、３本の支持棒２１、２２及び２３
を相互に平行に、且つ各支持棒の軸線方向と垂直な面に
おいて、支持棒２１の中心軸を頂点として支持棒２２及
び２３の中心軸が二等辺三角形を成し且つその頂角αが
ほぼ１３５°となるように配置して連結部材２５、２６
と溶着し、フレームを形成する。次に、図４に示すよう
に、保持対象となるウエーハＡとほぼ同径の円板状のダ
イヤモンドカッターＢを用いて各支持棒を同時に切刻
し、一回の切刻工程でそれぞれの支持棒に１個ずつ計３
個のウエーハ挿入溝２４を同時に形成する。
【００２４】上記のようにして、一回の切刻工程で各支
持棒に１個ずつ計３個のウエーハ挿入溝を形成し、支持
棒の軸方向に所定距離ずつずらしながら切刻工程を繰り
返すことにより、多数のウエーハ挿入溝２４が各支持棒
の軸線に沿って所定距離を置いて形成される。このよう
にして形成されるウエーハ挿入溝２４は、一枚のウエー
ハを保持する３個のウエーハ挿入溝が同一平面上に形成
されるので、溝位置のずれによりウエーハにストレスが
掛るという問題も生じない。
持棒に１個ずつ計３個のウエーハ挿入溝を形成し、支持
棒の軸方向に所定距離ずつずらしながら切刻工程を繰り
返すことにより、多数のウエーハ挿入溝２４が各支持棒
の軸線に沿って所定距離を置いて形成される。このよう
にして形成されるウエーハ挿入溝２４は、一枚のウエー
ハを保持する３個のウエーハ挿入溝が同一平面上に形成
されるので、溝位置のずれによりウエーハにストレスが
掛るという問題も生じない。
【００２５】ウエーハ挿入溝の形成の際には、本実施例
のように形成しようとするウエーハ挿入溝２４の断面形
状と同じ断面形状を有する外周刃を備えたカッターを用
いて一度の切刻工程で溝を形成するようにしてもよい
が、断面矩形状の外周刃を有するカッターでまず矩形状
の溝を形成した後、断面凸三角形状の外周刃を有するカ
ッターにより溝上部のテーパーを形成するようにしても
よい。
のように形成しようとするウエーハ挿入溝２４の断面形
状と同じ断面形状を有する外周刃を備えたカッターを用
いて一度の切刻工程で溝を形成するようにしてもよい
が、断面矩形状の外周刃を有するカッターでまず矩形状
の溝を形成した後、断面凸三角形状の外周刃を有するカ
ッターにより溝上部のテーパーを形成するようにしても
よい。
【００２６】なお、連結棒２５の形状や固定位置は適宜
変更可能である。例えば、本実施例では連結棒２５をコ
の字形に形成したが、各支持棒を所定の相互位置に固定
することができる限り、他の形状を採用することもでき
る。また、強度を確保するために、ウエーハボートの端
部と端部の間の途中の所望の位置に補強材を付加しても
よい。
変更可能である。例えば、本実施例では連結棒２５をコ
の字形に形成したが、各支持棒を所定の相互位置に固定
することができる限り、他の形状を採用することもでき
る。また、強度を確保するために、ウエーハボートの端
部と端部の間の途中の所望の位置に補強材を付加しても
よい。
【００２７】本実施例におけるウエーハボートを用いた
場合、図９（ｄ）におけるＩに示すように、頂点角度が
約１３５°の３点支持であるため、図９（ｄ）における
IIに示すようにウエーハにはスリップが発生せず、従来
のような不具合が発生しない。
場合、図９（ｄ）におけるＩに示すように、頂点角度が
約１３５°の３点支持であるため、図９（ｄ）における
IIに示すようにウエーハにはスリップが発生せず、従来
のような不具合が発生しない。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明のウエーハ保
持装置によれば、ウエーハに無用のストレスが掛らなく
なり、スリップの発生が防止される。また、本発明のウ
エーハ支持装置の製造方法によれば、一枚のウエーハを
保持する各支持棒に形成された計３個のウエーハ挿入溝
が常に同一平面上にあるように形成することができ、ウ
エーハ保持装置の製造時にウエーハ挿入溝の相互位置が
ずれて形成されることがなく、スリップの発生しないウ
エーハ保持装置を製造することができる。
持装置によれば、ウエーハに無用のストレスが掛らなく
なり、スリップの発生が防止される。また、本発明のウ
エーハ支持装置の製造方法によれば、一枚のウエーハを
保持する各支持棒に形成された計３個のウエーハ挿入溝
が常に同一平面上にあるように形成することができ、ウ
エーハ保持装置の製造時にウエーハ挿入溝の相互位置が
ずれて形成されることがなく、スリップの発生しないウ
エーハ保持装置を製造することができる。
【図１】本発明のウエーハボート（ウエーハ保持装置）
の一実施例を示す正面図である。
の一実施例を示す正面図である。
【図２】本発明のウエーハボートの一実施例を示す側面
図である。
図である。
【図３】本発明のウエーハボートの一実施例を示す平面
図である。
図である。
【図４】本発明のウエーハボートの製造方法を示す説明
図である。
図である。
【図５】従来のウエーハボートの一例を示す正面図であ
る。
る。
【図６】従来のウエーハボートの一例を示す平面図であ
る。
る。
【図７】従来のウエーハボートの他の例を示す正面図で
ある。
ある。
【図８】従来のウエーハボートの他の例を示す正面図で
ある。
ある。
【図９】ウエーハの支持位置とスリップの発生の様子を
示す説明図である。
示す説明図である。
２０ ウエーハボート（ウエーハ保持装置） ２１，２２，２３ 支持棒 ２４ ウエーハ挿入溝 ２４ａ 溝下部 ２４ｂ 溝上部 ２５，２６ 連結棒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−60145（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−54924（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−123713（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−199037（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭49−63845（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/22 501 H01L 21/31 H01L 21/68
Claims (2)
- 【請求項１】 各々半導体ウエーハを支持するための複
数のウエーハ挿入溝を有し且つ相互に平行に設けられた
第１ないし第３の支持棒を備え、該第１ないし第３の支
持棒の軸線方向と垂直な面における各支持棒の位置関係
が、前記第１の支持棒の中心軸を頂点として前記第２及
び第３の支持棒の中心軸が二等辺三角形を成し且つその
頂角がほぼ１３５°となるように配置され、前記半導体
ウエーハをその周縁上の３点で支持する半導体ウエーハ
保持装置の各挿入溝にウエーハを保持させ、それらウエ
ーハを前記半導体ウエーハ保持装置とともに熱処理炉内
にて、１１００℃を超え１２００℃以下の温度で熱処理
することを特徴とする半導体ウエーハの熱処理方法。 - 【請求項２】 前記熱処理の温度が１１５０℃以上であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエーハの熱
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8238194A JP3166142B2 (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体ウエーハの熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8238194A JP3166142B2 (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体ウエーハの熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273056A JPH07273056A (ja) | 1995-10-20 |
| JP3166142B2 true JP3166142B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=13773010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8238194A Expired - Fee Related JP3166142B2 (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体ウエーハの熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3166142B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7055702B1 (en) | 2000-06-06 | 2006-06-06 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat |
| US11521876B2 (en) * | 2018-03-07 | 2022-12-06 | Tokyo Electron Limited | Horizontal substrate boat |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP8238194A patent/JP3166142B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07273056A (ja) | 1995-10-20 |
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