JPS63160222A - ウエハホルダ - Google Patents
ウエハホルダInfo
- Publication number
- JPS63160222A JPS63160222A JP61315482A JP31548286A JPS63160222A JP S63160222 A JPS63160222 A JP S63160222A JP 61315482 A JP61315482 A JP 61315482A JP 31548286 A JP31548286 A JP 31548286A JP S63160222 A JPS63160222 A JP S63160222A
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- JP
- Japan
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- wafer
- holder
- wafer holder
- lamp
- silicon
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- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 claims description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 36
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ランプアニール装置におけるシリコンウェ
ハを支持するウェハホルダに関するものである。
ハを支持するウェハホルダに関するものである。
第２図（ａ）は、従来のランプアニール装防におけるウ
ェハホルダの平面図であり、第２図（ｂ）は上記ウエハ
ホＪＬＩダの側面図である。第２図（ａ）及び第２図（
ｂ）において、（υはウェハホルダ支持棒、（２１は上
記ウェハホルダ支持棒（１）に固着したウニ八ホルダ本
体、（５）は上記ウェハ１：Ｓルダ本体（２１に設けら
ｊた爪であり、シリコンウェハ（４）を直接支持する。
ェハホルダの平面図であり、第２図（ｂ）は上記ウエハ
ホＪＬＩダの側面図である。第２図（ａ）及び第２図（
ｂ）において、（υはウェハホルダ支持棒、（２１は上
記ウェハホルダ支持棒（１）に固着したウニ八ホルダ本
体、（５）は上記ウェハ１：Ｓルダ本体（２１に設けら
ｊた爪であり、シリコンウェハ（４）を直接支持する。
ｒ６１はその接触部分である。上記（１）、（２Ｉ及び
（５）は１石英で構成されている。
（５）は１石英で構成されている。
従来のウェハホルダは上記のように構成され、上記シリ
コンウェハ（４１を上記型（５）上に載せた状態で上記
シリコンウェハ（４）平面の上方及び下方からランプ（
図示せず）による照射を行ない、シリコンウェハ（４１
をアニールするようにす成さね、ランプアニールの際、
上記シリコンウェハ（４）と上記ウェハホルダの爪（５
）との接触部分（６）において、３度差が生じ、上記シ
リコンウェハ（４）の接触部分（６）で結晶欠陥が発生
しやすい。
コンウェハ（４１を上記型（５）上に載せた状態で上記
シリコンウェハ（４）平面の上方及び下方からランプ（
図示せず）による照射を行ない、シリコンウェハ（４１
をアニールするようにす成さね、ランプアニールの際、
上記シリコンウェハ（４）と上記ウェハホルダの爪（５
）との接触部分（６）において、３度差が生じ、上記シ
リコンウェハ（４）の接触部分（６）で結晶欠陥が発生
しやすい。
〔発明が解決しようとする間４点〕
上記のようＺ ８！：、？のウェハホルダでは、このウ
ェハホルダがすべて石英から成っているため、ランプア
ニールを行なった烏合、ランプの輻射熱を吸収しやすい
性買をもつ材質から成るシリコンウエバと輻射熱を吸収
しにくい性質をもつウニへホルダの爪との接触部分で氾
膠差が生じ、この接ζ部分でシリコンウェハに結晶欠陥
が生じるという問題があった。
ェハホルダがすべて石英から成っているため、ランプア
ニールを行なった烏合、ランプの輻射熱を吸収しやすい
性買をもつ材質から成るシリコンウエバと輻射熱を吸収
しにくい性質をもつウニへホルダの爪との接触部分で氾
膠差が生じ、この接ζ部分でシリコンウェハに結晶欠陥
が生じるという問題があった。
この発明は、このような間頭点を解決するためになされ
たもので、ランプアニールを行なった場合、シリコンウ
ェハに結晶欠陥が発生するのを防Ｊ１：するウェハホル
ダを得ることを目的とする。
たもので、ランプアニールを行なった場合、シリコンウ
ェハに結晶欠陥が発生するのを防Ｊ１：するウェハホル
ダを得ることを目的とする。
〔間凹５−解決するための手段〕
この発明に係るウェハホルダは、ウェハホルダの爪のｉ
［をシリコンあるいはカーボンとするものである。
［をシリコンあるいはカーボンとするものである。
この発明においては、ウェハホルダの爪の材質を、シリ
コンまたはカーボンのようなランプの輻射熱を吸収する
性質を６つ材質とするため、従来の材質である石英と比
較して、シリコンウェハとウェハホルダの爪との接触部
分における湿度差が少なくなり、シリコンウェハの爪と
の接２１ｑ分での結晶欠陥の発生を防止する。
コンまたはカーボンのようなランプの輻射熱を吸収する
性質を６つ材質とするため、従来の材質である石英と比
較して、シリコンウェハとウェハホルダの爪との接触部
分における湿度差が少なくなり、シリコンウェハの爪と
の接２１ｑ分での結晶欠陥の発生を防止する。
第１図（ａ）はこのグー明の一実訓例を示す平面図で、
ｆＪ４１図（ｂ）はその側面図ヤある。（１）及び（２
＋は上記従来装置と全く同一のもの、（３）はシリコン
を材質とする爪である。
ｆＪ４１図（ｂ）はその側面図ヤある。（１）及び（２
＋は上記従来装置と全く同一のもの、（３）はシリコン
を材質とする爪である。
この実姻例は上記のように１成したので、爪（３）の材
質を石英からシリコンに変更したことを除いて従来のも
のと全く同じでゐろから、シリコンウェハ（４）を設置
することに関して同じ動作をする。
質を石英からシリコンに変更したことを除いて従来のも
のと全く同じでゐろから、シリコンウェハ（４）を設置
することに関して同じ動作をする。
愼らに、−１記間閏点についてはり下に説明するように
解決される。すｔζわち、シリコンを材質とする爪（３
）は、ランプの唱射熱を吸収する性質をもち、このため
、ウェハホルダの爪（３）とシリコンウェハ（４）の接
触部分（６）での鴻庁差が少なくなる。
解決される。すｔζわち、シリコンを材質とする爪（３
）は、ランプの唱射熱を吸収する性質をもち、このため
、ウェハホルダの爪（３）とシリコンウェハ（４）の接
触部分（６）での鴻庁差が少なくなる。
なお、上記実施例では爪の材質がシリコンの場合につい
てこの発明を適用したが、カーボンの場合にも上述の効
果を得ることができる。また、爪の数は３朗以上の場合
でも同様の効果がある。
てこの発明を適用したが、カーボンの場合にも上述の効
果を得ることができる。また、爪の数は３朗以上の場合
でも同様の効果がある。
〔発１１りの効果〕
この発明は以上説明したとおり、ウェハホルダの爪の材
質をランプの輻射熱を吸収する材質にすることにより、
シリコンウェハとウェハホルダの爪との接触部分で湿度
差が生じるのを防止し、シリコンウェハの結晶欠陥の発
生を防ぐ効果がある。
質をランプの輻射熱を吸収する材質にすることにより、
シリコンウェハとウェハホルダの爪との接触部分で湿度
差が生じるのを防止し、シリコンウェハの結晶欠陥の発
生を防ぐ効果がある。
第１図は、この発明の一実施例によるウェハホルダの平
面図及び側面図、第２図は従来のウェハホルダを示す平
面図及び側面図である。 （１）ウニ八ホルダ支持棒、（２Ｉウ工ハホルダ本体、
（３１爪（’ｉミリコン％（４）シリコンウェハ、（５
）爪（石英） 、（６１接触部分 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
面図及び側面図、第２図は従来のウェハホルダを示す平
面図及び側面図である。 （１）ウニ八ホルダ支持棒、（２Ｉウ工ハホルダ本体、
（３１爪（’ｉミリコン％（４）シリコンウェハ、（５
）爪（石英） 、（６１接触部分 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）ランプアニール装置において、シリコンウェハを
支持するウェハホルダの爪の材質がランプの輻射熱を吸
収する材質であることを特徴とするウェハホルダ。 - （２）ウェハホルダの爪の材質がシリコンまたはカーボ
ンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
ウェハホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61315482A JPS63160222A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | ウエハホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61315482A JPS63160222A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | ウエハホルダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160222A true JPS63160222A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=18065893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61315482A Pending JPS63160222A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | ウエハホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160222A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0366928U (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-28 | ||
| US5315092A (en) * | 1990-10-11 | 1994-05-24 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for heat-treating wafer by light-irradiation and device for measuring temperature of substrate used in such apparatus |
| US5446824A (en) * | 1991-10-11 | 1995-08-29 | Texas Instruments | Lamp-heated chuck for uniform wafer processing |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP61315482A patent/JPS63160222A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0366928U (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-28 | ||
| US5315092A (en) * | 1990-10-11 | 1994-05-24 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for heat-treating wafer by light-irradiation and device for measuring temperature of substrate used in such apparatus |
| US5446824A (en) * | 1991-10-11 | 1995-08-29 | Texas Instruments | Lamp-heated chuck for uniform wafer processing |
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