JPS63160347A - Icチツプ - Google Patents
IcチツプInfo
- Publication number
- JPS63160347A JPS63160347A JP61309532A JP30953286A JPS63160347A JP S63160347 A JPS63160347 A JP S63160347A JP 61309532 A JP61309532 A JP 61309532A JP 30953286 A JP30953286 A JP 30953286A JP S63160347 A JPS63160347 A JP S63160347A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- elastomer layer
- bonding pad
- electrode substrate
- anisotropically conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
E産業上の利用分野]
この発明はボンディングパッド部に異方導電性エラスト
マ層を設けたICチップに関するものである。
マ層を設けたICチップに関するものである。
[従来の技術]
従来ICチップの実装手段としてワイヤーボンディング
をして、その上を樹脂でボッティングする手段が一般的
に行なわれている。しかし高価なボンディング装置が必
要になる上に、多端子になるとコストアップになるので
、ICチップの電極基板′への接続に導電ゴムコネクタ
を用いる実装法が提案されている。これはポリイミド系
などの樹脂にIC基板に設けたバンブに対向する部分に
穴をあけて、そこにカーボンを入れたシリコンゴムを充
填してなる導電ゴムコネクタを用いるものである(NI
KKEI ELECTRONIC8MICRODEV
ICES 19g4.6.11)[発明が解決しよう
とする問題点] 上記の導電ゴムを用いた実装法では、導電ゴムコネクタ
の製造が複雑で、高価になり、ICチップ、導電ゴムコ
ネクタ、電極基板の3部品を含むので、ICチップと導
電ゴムコネクタとの位置合せをしても、電極基板まで合
せようとすると、コネクタがずれたりして位置合せが面
倒であった。
をして、その上を樹脂でボッティングする手段が一般的
に行なわれている。しかし高価なボンディング装置が必
要になる上に、多端子になるとコストアップになるので
、ICチップの電極基板′への接続に導電ゴムコネクタ
を用いる実装法が提案されている。これはポリイミド系
などの樹脂にIC基板に設けたバンブに対向する部分に
穴をあけて、そこにカーボンを入れたシリコンゴムを充
填してなる導電ゴムコネクタを用いるものである(NI
KKEI ELECTRONIC8MICRODEV
ICES 19g4.6.11)[発明が解決しよう
とする問題点] 上記の導電ゴムを用いた実装法では、導電ゴムコネクタ
の製造が複雑で、高価になり、ICチップ、導電ゴムコ
ネクタ、電極基板の3部品を含むので、ICチップと導
電ゴムコネクタとの位置合せをしても、電極基板まで合
せようとすると、コネクタがずれたりして位置合せが面
倒であった。
さらにパッド表面はモールドされていないので、耐湿性
が悪く、ボッティングが必要になっていた。
が悪く、ボッティングが必要になっていた。
[問題を解決するための手段]
この発明は上記従来例における欠点を解決するもので、
ICチップの表面のボンデイングバヅド部に異方導電性
エラストマ層を接着形成したICチップを提供するもの
であり、このICチップを用いることにより、電極基板
への実装がきわめて容易にできるようになるものである
。
ICチップの表面のボンデイングバヅド部に異方導電性
エラストマ層を接着形成したICチップを提供するもの
であり、このICチップを用いることにより、電極基板
への実装がきわめて容易にできるようになるものである
。
[実施例]
ICチップ1の表面に、粒子径約0.5μmの導電粒子
であって、表面を金メツキコートしたニッケル球状粉を
15vo 1%混合した未硬化状態のシリコンゴムを約
5μm厚に塗布、硬化させて、異方導電性エラストマ層
2を形成した。
であって、表面を金メツキコートしたニッケル球状粉を
15vo 1%混合した未硬化状態のシリコンゴムを約
5μm厚に塗布、硬化させて、異方導電性エラストマ層
2を形成した。
このようにして得られたICチップを第2図のようにボ
ンディングパッド部3の位置に対応して、エラストマ層
2の厚さより高い突起状電極4を設けた電極基板5と対
向させて、バネ性を有する押え金具6で抑圧保持した。
ンディングパッド部3の位置に対応して、エラストマ層
2の厚さより高い突起状電極4を設けた電極基板5と対
向させて、バネ性を有する押え金具6で抑圧保持した。
これにより、突起状電極4とボンディングパッド部3間
の導通が得られ、かつ各パッド間のショートやICチッ
プエツジ部でのショートはなかった。
の導通が得られ、かつ各パッド間のショートやICチッ
プエツジ部でのショートはなかった。
[実施例2]
ICチップ表面に粒子径約0.5μmの導電性粒・子を
10vo1%混合した未硬化状態のシリコンゴムを10
〜15μmの厚さに塗布し、その上から表面を離型剤で
処理したガラス等の平板を用いて1/2〜1/3の厚さ
になるまで押圧し、その状態でシリコンゴムを硬化した
。この様にして得られたICチップを上記実施例と同様
に押圧保持したところ、導電性粒子が少ないにもかかわ
らず低押圧で導通がとれた。
10vo1%混合した未硬化状態のシリコンゴムを10
〜15μmの厚さに塗布し、その上から表面を離型剤で
処理したガラス等の平板を用いて1/2〜1/3の厚さ
になるまで押圧し、その状態でシリコンゴムを硬化した
。この様にして得られたICチップを上記実施例と同様
に押圧保持したところ、導電性粒子が少ないにもかかわ
らず低押圧で導通がとれた。
上記実施例では異方導電性エラストマ層をチップ表面の
みに塗布しているが、ディッピング等でチップ全面に塗
布してもよく、すくなくともボンディングパッド部を覆
うように塗布してあればよい。
みに塗布しているが、ディッピング等でチップ全面に塗
布してもよく、すくなくともボンディングパッド部を覆
うように塗布してあればよい。
ここで用いた異方導電性エラストマ層に粘着性付与材を
添加してゴムに粘着性を持たせると、ICチップと電極
基板が仮止めできて、実装がより容易になる。
添加してゴムに粘着性を持たせると、ICチップと電極
基板が仮止めできて、実装がより容易になる。
抑圧保持手段は押え金具に限るものではなく、エラスト
マ層が導電性を示すまで抑圧できて、しかもその状態を
固定、保持できる手段であれば実施例の手段に限るもの
ではない。
マ層が導電性を示すまで抑圧できて、しかもその状態を
固定、保持できる手段であれば実施例の手段に限るもの
ではない。
[発明の効果]
この発明によるICチップによれば、ICチップ上に異
方導電性エラストマ層がICチップと一体に接着形成さ
れるので、電極基板との位置合せが容易である。またボ
ンディングパッド上をエラストマ層でモールドした形に
なるので、耐湿性が高く、後でポツティングをしなくて
も十分実用に耐えられる。
方導電性エラストマ層がICチップと一体に接着形成さ
れるので、電極基板との位置合せが容易である。またボ
ンディングパッド上をエラストマ層でモールドした形に
なるので、耐湿性が高く、後でポツティングをしなくて
も十分実用に耐えられる。
図面はこの発明の実施例を示し、第1図はこの発明のI
Cチップを電極基板に実装した状態の断面図、第2図は
ICチップの断面図、第3図はIC基板の平面図である
。 1・・・ICチップ 2・・・異方導電性エラストマ層 3・・・ボンディングパッド部。 第1図 第2図 第3図 1−−−IC基板
Cチップを電極基板に実装した状態の断面図、第2図は
ICチップの断面図、第3図はIC基板の平面図である
。 1・・・ICチップ 2・・・異方導電性エラストマ層 3・・・ボンディングパッド部。 第1図 第2図 第3図 1−−−IC基板
Claims (1)
- ICチップの少なくともボンディングパッド部を覆っ
て異方導電性エラストマ層を接着形成したICチップ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61309532A JPS63160347A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Icチツプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61309532A JPS63160347A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Icチツプ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63160347A true JPS63160347A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=17994147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61309532A Pending JPS63160347A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Icチツプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63160347A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59195837A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Sharp Corp | Lsiチツプボンデイング方法 |
JPS61242041A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP61309532A patent/JPS63160347A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59195837A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Sharp Corp | Lsiチツプボンデイング方法 |
JPS61242041A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
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