JPS63160347A - Ｉｃチツプ - Google Patents
ＩｃチツプInfo
- Publication number
- JPS63160347A JPS63160347A JP61309532A JP30953286A JPS63160347A JP S63160347 A JPS63160347 A JP S63160347A JP 61309532 A JP61309532 A JP 61309532A JP 30953286 A JP30953286 A JP 30953286A JP S63160347 A JPS63160347 A JP S63160347A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- elastomer layer
- bonding pad
- electrode substrate
- anisotropically conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｅ産業上の利用分野］
この発明はボンディングパッド部に異方導電性エラスト
マ層を設けたＩＣチップに関するものである。
マ層を設けたＩＣチップに関するものである。
［従来の技術］
従来ＩＣチップの実装手段としてワイヤーボンディング
をして、その上を樹脂でボッティングする手段が一般的
に行なわれている。しかし高価なボンディング装置が必
要になる上に、多端子になるとコストアップになるので
、ＩＣチップの電極基板′への接続に導電ゴムコネクタ
を用いる実装法が提案されている。これはポリイミド系
などの樹脂にＩＣ基板に設けたバンブに対向する部分に
穴をあけて、そこにカーボンを入れたシリコンゴムを充
填してなる導電ゴムコネクタを用いるものである（ＮＩ
ＫＫＥＩ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ８ＭＩＣＲＯＤＥＶ
ＩＣＥＳ １９ｇ４．６．１１）［発明が解決しよう
とする問題点］ 上記の導電ゴムを用いた実装法では、導電ゴムコネクタ
の製造が複雑で、高価になり、ＩＣチップ、導電ゴムコ
ネクタ、電極基板の３部品を含むので、ＩＣチップと導
電ゴムコネクタとの位置合せをしても、電極基板まで合
せようとすると、コネクタがずれたりして位置合せが面
倒であった。
をして、その上を樹脂でボッティングする手段が一般的
に行なわれている。しかし高価なボンディング装置が必
要になる上に、多端子になるとコストアップになるので
、ＩＣチップの電極基板′への接続に導電ゴムコネクタ
を用いる実装法が提案されている。これはポリイミド系
などの樹脂にＩＣ基板に設けたバンブに対向する部分に
穴をあけて、そこにカーボンを入れたシリコンゴムを充
填してなる導電ゴムコネクタを用いるものである（ＮＩ
ＫＫＥＩ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ８ＭＩＣＲＯＤＥＶ
ＩＣＥＳ １９ｇ４．６．１１）［発明が解決しよう
とする問題点］ 上記の導電ゴムを用いた実装法では、導電ゴムコネクタ
の製造が複雑で、高価になり、ＩＣチップ、導電ゴムコ
ネクタ、電極基板の３部品を含むので、ＩＣチップと導
電ゴムコネクタとの位置合せをしても、電極基板まで合
せようとすると、コネクタがずれたりして位置合せが面
倒であった。
さらにパッド表面はモールドされていないので、耐湿性
が悪く、ボッティングが必要になっていた。
が悪く、ボッティングが必要になっていた。
［問題を解決するための手段］
この発明は上記従来例における欠点を解決するもので、
ＩＣチップの表面のボンデイングバヅド部に異方導電性
エラストマ層を接着形成したＩＣチップを提供するもの
であり、このＩＣチップを用いることにより、電極基板
への実装がきわめて容易にできるようになるものである
。
ＩＣチップの表面のボンデイングバヅド部に異方導電性
エラストマ層を接着形成したＩＣチップを提供するもの
であり、このＩＣチップを用いることにより、電極基板
への実装がきわめて容易にできるようになるものである
。
［実施例］
ＩＣチップ１の表面に、粒子径約０．５μｍの導電粒子
であって、表面を金メツキコートしたニッケル球状粉を
１５ｖｏ １％混合した未硬化状態のシリコンゴムを約
５μｍ厚に塗布、硬化させて、異方導電性エラストマ層
２を形成した。
であって、表面を金メツキコートしたニッケル球状粉を
１５ｖｏ １％混合した未硬化状態のシリコンゴムを約
５μｍ厚に塗布、硬化させて、異方導電性エラストマ層
２を形成した。
このようにして得られたＩＣチップを第２図のようにボ
ンディングパッド部３の位置に対応して、エラストマ層
２の厚さより高い突起状電極４を設けた電極基板５と対
向させて、バネ性を有する押え金具６で抑圧保持した。
ンディングパッド部３の位置に対応して、エラストマ層
２の厚さより高い突起状電極４を設けた電極基板５と対
向させて、バネ性を有する押え金具６で抑圧保持した。
これにより、突起状電極４とボンディングパッド部３間
の導通が得られ、かつ各パッド間のショートやＩＣチッ
プエツジ部でのショートはなかった。
の導通が得られ、かつ各パッド間のショートやＩＣチッ
プエツジ部でのショートはなかった。
［実施例２］
ＩＣチップ表面に粒子径約０．５μｍの導電性粒・子を
１０ｖｏ１％混合した未硬化状態のシリコンゴムを１０
〜１５μｍの厚さに塗布し、その上から表面を離型剤で
処理したガラス等の平板を用いて１／２〜１／３の厚さ
になるまで押圧し、その状態でシリコンゴムを硬化した
。この様にして得られたＩＣチップを上記実施例と同様
に押圧保持したところ、導電性粒子が少ないにもかかわ
らず低押圧で導通がとれた。
１０ｖｏ１％混合した未硬化状態のシリコンゴムを１０
〜１５μｍの厚さに塗布し、その上から表面を離型剤で
処理したガラス等の平板を用いて１／２〜１／３の厚さ
になるまで押圧し、その状態でシリコンゴムを硬化した
。この様にして得られたＩＣチップを上記実施例と同様
に押圧保持したところ、導電性粒子が少ないにもかかわ
らず低押圧で導通がとれた。
上記実施例では異方導電性エラストマ層をチップ表面の
みに塗布しているが、ディッピング等でチップ全面に塗
布してもよく、すくなくともボンディングパッド部を覆
うように塗布してあればよい。
みに塗布しているが、ディッピング等でチップ全面に塗
布してもよく、すくなくともボンディングパッド部を覆
うように塗布してあればよい。
ここで用いた異方導電性エラストマ層に粘着性付与材を
添加してゴムに粘着性を持たせると、ＩＣチップと電極
基板が仮止めできて、実装がより容易になる。
添加してゴムに粘着性を持たせると、ＩＣチップと電極
基板が仮止めできて、実装がより容易になる。
抑圧保持手段は押え金具に限るものではなく、エラスト
マ層が導電性を示すまで抑圧できて、しかもその状態を
固定、保持できる手段であれば実施例の手段に限るもの
ではない。
マ層が導電性を示すまで抑圧できて、しかもその状態を
固定、保持できる手段であれば実施例の手段に限るもの
ではない。
［発明の効果］
この発明によるＩＣチップによれば、ＩＣチップ上に異
方導電性エラストマ層がＩＣチップと一体に接着形成さ
れるので、電極基板との位置合せが容易である。またボ
ンディングパッド上をエラストマ層でモールドした形に
なるので、耐湿性が高く、後でポツティングをしなくて
も十分実用に耐えられる。
方導電性エラストマ層がＩＣチップと一体に接着形成さ
れるので、電極基板との位置合せが容易である。またボ
ンディングパッド上をエラストマ層でモールドした形に
なるので、耐湿性が高く、後でポツティングをしなくて
も十分実用に耐えられる。
図面はこの発明の実施例を示し、第１図はこの発明のＩ
Ｃチップを電極基板に実装した状態の断面図、第２図は
ＩＣチップの断面図、第３図はＩＣ基板の平面図である
。 １・・・ＩＣチップ ２・・・異方導電性エラストマ層 ３・・・ボンディングパッド部。 第１図 第２図 第３図 １−−−ＩＣ基板
Ｃチップを電極基板に実装した状態の断面図、第２図は
ＩＣチップの断面図、第３図はＩＣ基板の平面図である
。 １・・・ＩＣチップ ２・・・異方導電性エラストマ層 ３・・・ボンディングパッド部。 第１図 第２図 第３図 １−−−ＩＣ基板
Claims (1)
- ＩＣチップの少なくともボンディングパッド部を覆っ
て異方導電性エラストマ層を接着形成したＩＣチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309532A JPS63160347A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309532A JPS63160347A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160347A true JPS63160347A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=17994147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61309532A Pending JPS63160347A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160347A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195837A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Sharp Corp | Ｌｓｉチツプボンデイング方法 |
| JPS61242041A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP61309532A patent/JPS63160347A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195837A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Sharp Corp | Ｌｓｉチツプボンデイング方法 |
| JPS61242041A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
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