JPS63157465A - シヨツトキ・バリア・ダイオ−ド - Google Patents
シヨツトキ・バリア・ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS63157465A JPS63157465A JP30563786A JP30563786A JPS63157465A JP S63157465 A JPS63157465 A JP S63157465A JP 30563786 A JP30563786 A JP 30563786A JP 30563786 A JP30563786 A JP 30563786A JP S63157465 A JPS63157465 A JP S63157465A
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- Japan
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- schottky barrier
- barrier diode
- substrate
- silicide layers
- metal
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素体にショットキ障壁を形成する物質
を接触せしめてなるショットキ・バリア・ダイオードに
間する。
を接触せしめてなるショットキ・バリア・ダイオードに
間する。
ショットキ・バリア・ダイオードとしては、障壁金属と
して仕事関数の比較的中位に位置する金属、例えばモリ
ブデンあるいはクロムを真空蒸着によって半導体基板表
面に接触させてショットキ障壁を形成したものが知られ
ている。第２図はそのようなショットキ・バリア・ダイ
オードの断面φ二ｌ ｋ＋◆鳳イー＋１−＋、 Ｌ
ｌ＾しＩψ＼Ｔ窮〒し９力キシヤル層２を堆積した半導
体基板の表面にガードリングとして環状のＰ″Ｎ３が形
成され、基板表面上のガードリング層３の内側に位置し
、酸化ＷＡ４によって覆われない領域に障壁金属層５が
接触している。金属層５の上面およびサブストレート１
の下面にそれぞれＭなどからなる金属！極層６．７が設
けられている。
して仕事関数の比較的中位に位置する金属、例えばモリ
ブデンあるいはクロムを真空蒸着によって半導体基板表
面に接触させてショットキ障壁を形成したものが知られ
ている。第２図はそのようなショットキ・バリア・ダイ
オードの断面φ二ｌ ｋ＋◆鳳イー＋１−＋、 Ｌ
ｌ＾しＩψ＼Ｔ窮〒し９力キシヤル層２を堆積した半導
体基板の表面にガードリングとして環状のＰ″Ｎ３が形
成され、基板表面上のガードリング層３の内側に位置し
、酸化ＷＡ４によって覆われない領域に障壁金属層５が
接触している。金属層５の上面およびサブストレート１
の下面にそれぞれＭなどからなる金属！極層６．７が設
けられている。
上述の従来のショットキ・バリア・ダイオードでは、半
導体基板表面上に存在する微小欠陥およびリソグラフィ
等の工程において発生するピンホール等によって障壁界
面が不連続となり、不安定な特性が発生するという欠点
があった。
導体基板表面上に存在する微小欠陥およびリソグラフィ
等の工程において発生するピンホール等によって障壁界
面が不連続となり、不安定な特性が発生するという欠点
があった。
本発明の目的は、上述の欠点を除去し、半導体基板表面
の欠陥に基づく不安定な特性の発生がなく、高歩留りで
製造できるショットキ・バリア・ダイオードを提供する
ことにある。
の欠陥に基づく不安定な特性の発生がなく、高歩留りで
製造できるショットキ・バリア・ダイオードを提供する
ことにある。
上述の目的を達成するために、本発明の素子は、半導体
基板の一面上に被着された金属電極と半導体層の間の分
割された領域にそれぞれ異なる金属珪化物層が介在する
ものである。
基板の一面上に被着された金属電極と半導体層の間の分
割された領域にそれぞれ異なる金属珪化物層が介在する
ものである。
金Ｒ電極と半導体素体間の分割された領域に介在する金
属珪化物として、仕事関数の異なる複数の金属珪化物を
選び、分割領域の面積比を調整することにより、所定の
特性、例えば順方向特性をもつショットキ・バリア・ダ
イオードを得ることができ、障壁界面が半導体基板内部
に存在するため、基板表面の微小欠陥の影響を受けるこ
とがない。
属珪化物として、仕事関数の異なる複数の金属珪化物を
選び、分割領域の面積比を調整することにより、所定の
特性、例えば順方向特性をもつショットキ・バリア・ダ
イオードを得ることができ、障壁界面が半導体基板内部
に存在するため、基板表面の微小欠陥の影響を受けるこ
とがない。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共通の部分
には同一の符号が付されている。この場合は、ショット
キ障壁界面はエピタキシャル層２の上でなく、エピタキ
シャル層２の表面に形成された２種類の金属珪化物８．
９との間に存在する。
には同一の符号が付されている。この場合は、ショット
キ障壁界面はエピタキシャル層２の上でなく、エピタキ
シャル層２の表面に形成された２種類の金属珪化物８．
９との間に存在する。
これらの珪化物層８．９は、エピタキシャル層２の表面
に真空蒸着により所定の面積比で２種類の金属、例えば
Ｔ１とＭｏを被着したのち、熱処理を行うことによって
形成される０次いでその上に金属電極６を蒸着により形
成する。
に真空蒸着により所定の面積比で２種類の金属、例えば
Ｔ１とＭｏを被着したのち、熱処理を行うことによって
形成される０次いでその上に金属電極６を蒸着により形
成する。
本発明によれば、ショットキ障壁を半導体基板の表面に
形成された複数種類の金属珪化物層と半導体の間に形成
するので、金属珪化物として仕事関数に差のあるものを
選び、それぞれの障壁面積を調整すれば、得られるショ
ットキ・バリア・ダイオードの特性を任意に制御するこ
とができる。
形成された複数種類の金属珪化物層と半導体の間に形成
するので、金属珪化物として仕事関数に差のあるものを
選び、それぞれの障壁面積を調整すれば、得られるショ
ットキ・バリア・ダイオードの特性を任意に制御するこ
とができる。
そして、ショットキ障壁が基板内部に存在するので、基
板表面の微小欠陥の影響を受けないことになる結果、特
性安定なショットキ・バリア・ダイオードが高い製造歩
留りで得られる。
板表面の微小欠陥の影響を受けないことになる結果、特
性安定なショットキ・バリア・ダイオードが高い製造歩
留りで得られる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来のシ
ョットキ・バリア・ダイオードの断面図である。 １：Ｎ“サブストレート、２：Ｎエピタキシャル層、６
：電極金属、８．９：金属珪化物層。
ョットキ・バリア・ダイオードの断面図である。 １：Ｎ“サブストレート、２：Ｎエピタキシャル層、６
：電極金属、８．９：金属珪化物層。
Claims (1)
- １）半導体基板上の一面に被着された金属電極と半導体
層の間の分割された領域にそれぞれ異なる金属珪化物層
が介在することを特徴とするショットキ・バリア・ダイ
オード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30563786A JPS63157465A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | シヨツトキ・バリア・ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30563786A JPS63157465A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | シヨツトキ・バリア・ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63157465A true JPS63157465A (ja) | 1988-06-30 |
Family
ID=17947526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30563786A Pending JPS63157465A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | シヨツトキ・バリア・ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63157465A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7217657B2 (en) | 2002-02-28 | 2007-05-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor device having different metal silicide portions and method for fabricating the semiconductor device |
| US7226859B2 (en) | 2002-02-28 | 2007-06-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming different silicide portions on different silicon-containing regions in a semiconductor device |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP30563786A patent/JPS63157465A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7217657B2 (en) | 2002-02-28 | 2007-05-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor device having different metal silicide portions and method for fabricating the semiconductor device |
| US7226859B2 (en) | 2002-02-28 | 2007-06-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming different silicide portions on different silicon-containing regions in a semiconductor device |
| DE10208728B4 (de) * | 2002-02-28 | 2009-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit unterschiedlichen Metallsilizidbereichen |
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