JPS61159769A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66977—Quantum effect devices, e.g. using quantum reflection, diffraction or interference effects, i.e. Bragg- or Aharonov-Bohm effects
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は大きな相互コンダクタンスを持つ電界効果ト
ランジスタに間するものである。
ランジスタに間するものである。
「従来の技術」
第４図に従来用られている高移動度電界効果トランジス
タ（以下ＨＥＭＴと称す）の断面図を、第５図にその平
面図を示す。
タ（以下ＨＥＭＴと称す）の断面図を、第５図にその平
面図を示す。
例えばＧａＡｓのような半絶縁性基板１１の上にノンド
ープＧａＡｓ層から成る第１の半導体層１２とノンドー
プＡ ｊ！ ＧａＡｓ層から成る第２の半導体層１３
ｎ″ＡｆｆＧａＡｓ層１４を順次積層し、かつ表面から
第１の半導体層１２にかけて高不純物濃度の拡散層Ｓ及
びＤを互いに分離して設け、この拡散層Ｓ及びＤをソー
ス及びドレインとし、その表面上にそれぞれオーミック
接合させたソース電極１５及びドレイン電極１６を設け
るとともに中間部の表面上にゲート金属電極１７を設け
である。
ープＧａＡｓ層から成る第１の半導体層１２とノンドー
プＡ ｊ！ ＧａＡｓ層から成る第２の半導体層１３
ｎ″ＡｆｆＧａＡｓ層１４を順次積層し、かつ表面から
第１の半導体層１２にかけて高不純物濃度の拡散層Ｓ及
びＤを互いに分離して設け、この拡散層Ｓ及びＤをソー
ス及びドレインとし、その表面上にそれぞれオーミック
接合させたソース電極１５及びドレイン電極１６を設け
るとともに中間部の表面上にゲート金属電極１７を設け
である。
また第５図に示すように従来のＨＥＭＴのチャンネル１
９はソース電極１５からでてドレイン電極１６まで途中
分かれることなく一本である。
９はソース電極１５からでてドレイン電極１６まで途中
分かれることなく一本である。
「発明が解決しようとする問題点」
従来のＩｆ！ＭＴはソースＳおよびビレ４フ０間の第１
の半導体層１２と第２の半導体層１３との界面部に生じ
る電子蓄積層１８を流れるチャンネル電流をゲート直下
に形成される＾４１ ＧａＡｓ空乏層を変化させて制御
している。この場合相互コンダクタンスは電子蓄積層Ｉ
８の内部を走行する電子の移動度に依存し大きな相互コ
ンダクタンスを得るためには電子移動度を大きくする以
外にない。電子移動度は上限があるため現在得られてい
る相互コンダクタンスはゲート幅１ｍあたり４００ ｔ
ａｓが得られているにすぎない。
の半導体層１２と第２の半導体層１３との界面部に生じ
る電子蓄積層１８を流れるチャンネル電流をゲート直下
に形成される＾４１ ＧａＡｓ空乏層を変化させて制御
している。この場合相互コンダクタンスは電子蓄積層Ｉ
８の内部を走行する電子の移動度に依存し大きな相互コ
ンダクタンスを得るためには電子移動度を大きくする以
外にない。電子移動度は上限があるため現在得られてい
る相互コンダクタンスはゲート幅１ｍあたり４００ ｔ
ａｓが得られているにすぎない。
つまり従来のＩｆ！ＭＴの相互コンダクタンスには上限
があるため、ドレイン電流、動作速度、増幅率に上限を
有し、これらを大きくすることができない欠点がある。
があるため、ドレイン電流、動作速度、増幅率に上限を
有し、これらを大きくすることができない欠点がある。
「問題点を解決するための手段」
この発明はこのような状況に鑑み相互コンダクタンスが
電子移動度だけで決まる欠点を解決すべく、チャンネル
を複数に分岐させそれぞれのチャンネルの長さがちがう
ことに起因する伝導電子波動の干渉効果を利用して相互
コンダクタンスを大きくしたものである。
電子移動度だけで決まる欠点を解決すべく、チャンネル
を複数に分岐させそれぞれのチャンネルの長さがちがう
ことに起因する伝導電子波動の干渉効果を利用して相互
コンダクタンスを大きくしたものである。
つまりこの発明による高移動度電界効果トランジスタ（
ＨＥＭＴ）は電子親和力の差の大きい第１及び第２の半
導体層からなるヘテロ接合を有し、キャリヤが流れるチ
ャンネルがソースから出てゲート直下で複数に分岐し、
再び１つに合流しドレインにいく構造を持ち、分岐した
チャンネルの長さが互に異なる大きさを持つことを特徴
としたものである。
ＨＥＭＴ）は電子親和力の差の大きい第１及び第２の半
導体層からなるヘテロ接合を有し、キャリヤが流れるチ
ャンネルがソースから出てゲート直下で複数に分岐し、
再び１つに合流しドレインにいく構造を持ち、分岐した
チャンネルの長さが互に異なる大きさを持つことを特徴
としたものである。
（作用）
この発明によるＨＥＭＴによれば長さが異なるチャンネ
ルにキャリヤを流すことによりキャリヤの波動が干渉す
る。この干渉現象はゲート電圧Ｖｇを変えることにより
強め合う状態と打消し合う状態に変化させることができ
る。
ルにキャリヤを流すことによりキャリヤの波動が干渉す
る。この干渉現象はゲート電圧Ｖｇを変えることにより
強め合う状態と打消し合う状態に変化させることができ
る。
干渉現象を利用することによりゲート電圧Ｖｇのわずか
な変化に対しドレイン電流Ｉゎを大きく変化させること
ができ相互コンダクタンスｇｍＯ値を大きくすることが
できる。
な変化に対しドレイン電流Ｉゎを大きく変化させること
ができ相互コンダクタンスｇｍＯ値を大きくすることが
できる。
「実施例」
第１図はこの発明の実施例を示す断面図、第２図は平面
図である。第１図及び第２図において第４図及び第５図
と対応する骨部分に同一符号を付して示している。この
発明の特徴とする点は従来のチャンネル１９を第２図に
示すように２つに分岐したチャンネル２０に置き換えた
構造とした点である。
図である。第１図及び第２図において第４図及び第５図
と対応する骨部分に同一符号を付して示している。この
発明の特徴とする点は従来のチャンネル１９を第２図に
示すように２つに分岐したチャンネル２０に置き換えた
構造とした点である。
この実施例ではチャンネル２０の幅は約０．８μｍによ
り、ゲート直下で分岐したチャンネル２０の長さの差は
約０．８μｍになっている。
り、ゲート直下で分岐したチャンネル２０の長さの差は
約０．８μｍになっている。
最近伝導電子に関する論理が急速に進歩し、伝導電子は
可干渉距離１．を以内で干渉することが見いだされた。
可干渉距離１．を以内で干渉することが見いだされた。
（Ｓ、装置ｉｋａｍｉ ｅｔａｌ Ｐｒｏｇ Ｔｈｅｏ
ｒ、Ｐｈｙｓ。
ｒ、Ｐｈｙｓ。
６３（１９８０）７０７参照）また結晶成長技術の進歩
にともない２次元電子ガスが作製でき）ＩＩ’ＭＴに代
表されるような高移動度結晶の作製が可能になり可干渉
路１＠Ｌεを飛躍的に大きくでき可干渉距離Ｌεを素子
の大きさぐらいにできるようになった。可干渉距離Ｌε
は移動度をμ、２次元電子ガスのフェルミレベルをε１
．非弾性散乱の緩和時間をτεとすると、 となり温度０．１に、移動度１０’ ｄ／Ｖ−Ｓ、
２次元電子ガス濃度ｎｔ １０”ｃｍ−”のとき可干渉
路＠ ｌ、 ｔはＬε＝２０μｍとなり素子の大きさ程
度になる。
にともない２次元電子ガスが作製でき）ＩＩ’ＭＴに代
表されるような高移動度結晶の作製が可能になり可干渉
路１＠Ｌεを飛躍的に大きくでき可干渉距離Ｌεを素子
の大きさぐらいにできるようになった。可干渉距離Ｌε
は移動度をμ、２次元電子ガスのフェルミレベルをε１
．非弾性散乱の緩和時間をτεとすると、 となり温度０．１に、移動度１０’ ｄ／Ｖ−Ｓ、
２次元電子ガス濃度ｎｔ １０”ｃｍ−”のとき可干渉
路＠ ｌ、 ｔはＬε＝２０μｍとなり素子の大きさ程
度になる。
また２次元素子ガス濃度ｎ、とフェルミレベルεＦは状
態密度が一／π・ｈ” （ｍ電子の有効質量、ｈブラ
ンク定数、π円周率）であるから２次元電子ガスのフェ
ルミレベル１．は また２次元電子ガスのフェルミレベルε、は伝導電子の
波長λ、を用いて って伝導電子の波長λ、と２次元電子ガス濃度ｎｔの関
係は ここでチャンネル長を可干渉距離Ｌεより小さくして干
渉現象を可能とし、２つの分岐したチャンネル長の差を
ΔＬとした場合、Ｍを整数としてΔＬ ＝ Ｍ Ａ Ｆ
のとき２つのチャンネルの電子の波動は強めあいΔＬ−
（Ｍ＋％） λ、のとき２つのチャンネルの電子の波
動は打ち消しあう。
態密度が一／π・ｈ” （ｍ電子の有効質量、ｈブラ
ンク定数、π円周率）であるから２次元電子ガスのフェ
ルミレベル１．は また２次元電子ガスのフェルミレベルε、は伝導電子の
波長λ、を用いて って伝導電子の波長λ、と２次元電子ガス濃度ｎｔの関
係は ここでチャンネル長を可干渉距離Ｌεより小さくして干
渉現象を可能とし、２つの分岐したチャンネル長の差を
ΔＬとした場合、Ｍを整数としてΔＬ ＝ Ｍ Ａ Ｆ
のとき２つのチャンネルの電子の波動は強めあいΔＬ−
（Ｍ＋％） λ、のとき２つのチャンネルの電子の波
動は打ち消しあう。
したがってΔＬ＝Ｍλ、のときソースＳとドレインＤ間
に電流が流れゲート電圧Ｖｇを換えて２次元電子ガス濃
度ｎ１と２次元電子ガスのフェルミレベル１．を変化さ
せることにより波長λ、を変化させΔＬ＝（Ｍ＋！４）
λ「の条件にすると電流が流れない。
に電流が流れゲート電圧Ｖｇを換えて２次元電子ガス濃
度ｎ１と２次元電子ガスのフェルミレベル１．を変化さ
せることにより波長λ、を変化させΔＬ＝（Ｍ＋！４）
λ「の条件にすると電流が流れない。
第３図にΔＬ＝２５００人のときのドレイン電流Ｉ、と
２次元電子ガス濃度ｎ、の関係を示す。ドレイン電流！
、は電子の数がふえると大きくなるがΔＬ＝（Ｍ＋！４
）λ、のとき０になる。
２次元電子ガス濃度ｎ、の関係を示す。ドレイン電流！
、は電子の数がふえると大きくなるがΔＬ＝（Ｍ＋！４
）λ、のとき０になる。
第３図の横軸の２次元電子ガス濃度ｎ、はゲート電圧ν
ｇに比例するため、第３図のドレイン電流■。のかたむ
きは相互コンダクタンスｇ蒙に比例する。したがって第
３図で電流のかたむきの大きい部分（図中のＭの値が、
整数から半整数、半整数から整数にかわる間）では相互
コンダクタンスｇ■も非常に大きくなる。
ｇに比例するため、第３図のドレイン電流■。のかたむ
きは相互コンダクタンスｇ蒙に比例する。したがって第
３図で電流のかたむきの大きい部分（図中のＭの値が、
整数から半整数、半整数から整数にかわる間）では相互
コンダクタンスｇ■も非常に大きくなる。
「効果」
この発明によればゲート電圧ＶｇをＭの値が整数と半整
数となる間に対応する値に選定することにより相互コン
ダクタンスの大きい部分に動作点を設定できる。よって
この発明は相互コンダクタンスの大きい電界効果トラン
ジスタを提供できる。
数となる間に対応する値に選定することにより相互コン
ダクタンスの大きい部分に動作点を設定できる。よって
この発明は相互コンダクタンスの大きい電界効果トラン
ジスタを提供できる。
［この発明によ＜ＩＩＥＭＴの製造方法」次にこの発明
による高移動度電界効果トランジスタの製造方法につい
て説明する。
による高移動度電界効果トランジスタの製造方法につい
て説明する。
まずＧａＡｓの半絶縁性基板１１の上に分子線エピタキ
シャル法または有機金属気相成長法等によりノンドープ
ＧａＡｓＪｉｊ１２を約１μｍの厚さに形成する。
シャル法または有機金属気相成長法等によりノンドープ
ＧａＡｓＪｉｊ１２を約１μｍの厚さに形成する。
引き続きノンドープＡ ７１ＧａＡｓ層１３を約１５０
人の厚さに、同じくドナー濃度２×ｌＱｌ？ｃＩｍ−
２のＳｉドープｎ”ＡＪ！ＧａＡｓ層１４を約１０００
人の厚さに順次成長させる。これによりＧａＡｓ層１２
の界面には電子蓄積層１８が形成される。
人の厚さに、同じくドナー濃度２×ｌＱｌ？ｃＩｍ−
２のＳｉドープｎ”ＡＪ！ＧａＡｓ層１４を約１０００
人の厚さに順次成長させる。これによりＧａＡｓ層１２
の界面には電子蓄積層１８が形成される。
次いでｎ”ＡｆＧａＡｓ層１４の表面に例えば電子ビー
ム露光技術等をもちいてパターニングを施した後チャン
ネル２０を形成する。次いで再びパターニングしてオー
ミック金属を真空蒸着法により付着し、リフトオフし熱
処理合金化してソース、ドレイン電ｉ１５．１６を形成
し、更にパターニングしてゲート金属を真空蒸着法で付
着させてリフトオフしてゲート電極１７を形成し素子製
作工程は完了する。 なお上述した実施例では、電子親
和力の大きい第１の半導体１２としてＧａＡｓ、第２の
半導体１４としてＡ Ｉ２ ＧａＡｓを用いた場合につ
いて説明したが、第１．第２の半導体の組み合せとして
（ＧａＳｂ、 Ａ Ｉ Ｇａ 。
ム露光技術等をもちいてパターニングを施した後チャン
ネル２０を形成する。次いで再びパターニングしてオー
ミック金属を真空蒸着法により付着し、リフトオフし熱
処理合金化してソース、ドレイン電ｉ１５．１６を形成
し、更にパターニングしてゲート金属を真空蒸着法で付
着させてリフトオフしてゲート電極１７を形成し素子製
作工程は完了する。 なお上述した実施例では、電子親
和力の大きい第１の半導体１２としてＧａＡｓ、第２の
半導体１４としてＡ Ｉ２ ＧａＡｓを用いた場合につ
いて説明したが、第１．第２の半導体の組み合せとして
（ＧａＳｂ、 Ａ Ｉ Ｇａ 。
Ｓｂ）＋ （ＩｎＧａＡｓ、Ａ／ＩｎＡｓ）、（ＩｎＧ
ａＡｓ、ＩｎＰ）等でも同様の効果を得ることができる
。また上述した実施例では２次元電子についてのみ説明
したが２次元正孔の場合も同様な効果を得ることができ
ることは容易に理解できよう。
ａＡｓ、ＩｎＰ）等でも同様の効果を得ることができる
。また上述した実施例では２次元電子についてのみ説明
したが２次元正孔の場合も同様な効果を得ることができ
ることは容易に理解できよう。
「発明の効果」
以上説明したようにこの発明の高移動度電界効果トラン
ジスタによれば長さが異なるチャンネルにキャリヤを流
すことによりキャリヤの波動を干渉させ、この干渉現象
によりゲート電圧Ｖｇを変えることによりキャリヤの波
動を強め合う状態と打消し合う状態とに変化させること
ができる。この結果キャリヤの波動が強め合う状態と打
消し合う状態の中間の謂域を利用することによりゲート
電圧Ｖｇをわずかに変化させるとドレイン電流■。を大
きく変化させることができ、よって相互コンダクタンス
ｇｍＯ値を大きくすることができる。
ジスタによれば長さが異なるチャンネルにキャリヤを流
すことによりキャリヤの波動を干渉させ、この干渉現象
によりゲート電圧Ｖｇを変えることによりキャリヤの波
動を強め合う状態と打消し合う状態とに変化させること
ができる。この結果キャリヤの波動が強め合う状態と打
消し合う状態の中間の謂域を利用することによりゲート
電圧Ｖｇをわずかに変化させるとドレイン電流■。を大
きく変化させることができ、よって相互コンダクタンス
ｇｍＯ値を大きくすることができる。
この結果高速動作が可能で然も高増幅率の高移動度電界
効果トランジスタを提供できる。
効果トランジスタを提供できる。
第１図はこの発明のＨＥＦ４Ｔの構成例を示す断面図、
第２図はその平面図、第３図はこの発明によるＨＥＭＴ
の動作特性を説明するためのグラフ、第４図は従来のＨ
ｆ！ＭＴの構造を説明するための断面図、第５図はその
平面図である。 ｌｌ：半絶縁性基板、１２：第１の半導体層、１３：第
２の半導体層、Ｓ：ソース、Ｄニドレイン、１５：ソー
ス電極、１６：ドレイン電極、１７：ゲート電極、２０
：異なる長さを持つチャンネル。 オ １ 図 ７３ 図
第２図はその平面図、第３図はこの発明によるＨＥＭＴ
の動作特性を説明するためのグラフ、第４図は従来のＨ
ｆ！ＭＴの構造を説明するための断面図、第５図はその
平面図である。 ｌｌ：半絶縁性基板、１２：第１の半導体層、１３：第
２の半導体層、Ｓ：ソース、Ｄニドレイン、１５：ソー
ス電極、１６：ドレイン電極、１７：ゲート電極、２０
：異なる長さを持つチャンネル。 オ １ 図 ７３ 図
Claims (1)
- （１）電子親和力の差の大きい第１および第２の半導体
層からなるヘテロ接合を有し、キャリヤが流れるチャン
ネルがソースから出てゲート直下で複数に分岐し、再び
１つに合流しドレインにいく構造を持ち、分岐したチャ
ンネルの長さが互に異なる大きさを持つことを特徴とす
る電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP68585A JPS61159769A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP68585A JPS61159769A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159769A true JPS61159769A (ja) | 1986-07-19 |
| JPH0156540B2 JPH0156540B2 (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=11480612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP68585A Granted JPS61159769A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61159769A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0242652A2 (en) * | 1986-04-22 | 1987-10-28 | International Business Machines Corporation | Electron tuned quantum well device |
| EP0323158A2 (en) * | 1987-12-28 | 1989-07-05 | Hitachi, Ltd. | Field effect transistor |
| US4977435A (en) * | 1987-10-30 | 1990-12-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device with a split conduction channel |
| US4996570A (en) * | 1987-12-23 | 1991-02-26 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor structure having a conductive channel |
| US5003360A (en) * | 1988-07-15 | 1991-03-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor functional element |
| US5130766A (en) * | 1988-08-04 | 1992-07-14 | Fujitsu Limited | Quantum interference type semiconductor device |
| US5132760A (en) * | 1989-08-30 | 1992-07-21 | Mordehai Heiblum | Electron wave deflection in modulation doped and other doped semiconductor structures |
-
1985
- 1985-01-07 JP JP68585A patent/JPS61159769A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0242652A2 (en) * | 1986-04-22 | 1987-10-28 | International Business Machines Corporation | Electron tuned quantum well device |
| US4977435A (en) * | 1987-10-30 | 1990-12-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device with a split conduction channel |
| US4996570A (en) * | 1987-12-23 | 1991-02-26 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor structure having a conductive channel |
| EP0323158A2 (en) * | 1987-12-28 | 1989-07-05 | Hitachi, Ltd. | Field effect transistor |
| US5003360A (en) * | 1988-07-15 | 1991-03-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor functional element |
| US5130766A (en) * | 1988-08-04 | 1992-07-14 | Fujitsu Limited | Quantum interference type semiconductor device |
| US5132760A (en) * | 1989-08-30 | 1992-07-21 | Mordehai Heiblum | Electron wave deflection in modulation doped and other doped semiconductor structures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0156540B2 (ja) | 1989-11-30 |
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