JPS6315739B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6315739B2 JPS6315739B2 JP24178A JP24178A JPS6315739B2 JP S6315739 B2 JPS6315739 B2 JP S6315739B2 JP 24178 A JP24178 A JP 24178A JP 24178 A JP24178 A JP 24178A JP S6315739 B2 JPS6315739 B2 JP S6315739B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- alignment pattern
- wafer
- alignment
- reflecting mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 16
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、投影式マスク・アライメント装置に
関するものである。
関するものである。
投影式露光装置は、一般に第1図に示すよう
に、マスク1とウエハ3とを離間させて配置する
と共に、その間に投影レンズ2を、マスク1上に
コンデンサレンズ4をそれぞれ配置したもので、
露光光源(図示せず)からの露光光をコンデンサ
レンズ4を介してマスク1に照射し、該マスク1
上の回路パターン5を投影レンズ2を介してウエ
ハ3のペレツト8上にウエハパターン25として
投影露光転写する。なお、このときマスク1をウ
エハ駆動用ステツプ・アンド・リピートX−Yテ
ーブル(図示せず)の走行方向と一致して配置す
るため、アライメントパターン6と鏡筒(図示せ
ず)上のこれと対応したアライメントパターン
(図示せず)を用いる。
に、マスク1とウエハ3とを離間させて配置する
と共に、その間に投影レンズ2を、マスク1上に
コンデンサレンズ4をそれぞれ配置したもので、
露光光源(図示せず)からの露光光をコンデンサ
レンズ4を介してマスク1に照射し、該マスク1
上の回路パターン5を投影レンズ2を介してウエ
ハ3のペレツト8上にウエハパターン25として
投影露光転写する。なお、このときマスク1をウ
エハ駆動用ステツプ・アンド・リピートX−Yテ
ーブル(図示せず)の走行方向と一致して配置す
るため、アライメントパターン6と鏡筒(図示せ
ず)上のこれと対応したアライメントパターン
(図示せず)を用いる。
そして、前述の投影式露光装置において、マス
ク1とウエハ3とを位置合わせする従来の投影式
マスク・アライメント装置は、第1図及び第2図
に示すように、マスク1の周辺にクローム7aを
蒸着させて約400μm角の透明部よりなるマス
ク・アライメント・パターン7を設け、一方ウエ
ハ3に約5μm幅の十字状段差で、表面にホト・
レジストを塗布したウエハ・アライメント・パタ
ーン9を設け、それから水銀灯13、及び干渉フ
イルタ14、から構成されたアライメントパター
ン照明用光源と、コンデンサレンズ15,16、
絞り17、ハーフミラー12、及びマスク10か
ら構成され、上記光源から照射された光をマスク
1上のアライメントパターン領域だけにスポツト
照射して上記投影レンズ2を介してウエハ3上の
アライメントパターン領域へ照射すべく設けられ
た照射用の集光光学系と、投影レンズ2の入射瞳
αの中心Aとマスク1上の周辺に設けられたアラ
イメントパターン7の中心とを結ぶ直線の延長線
上に中心を一致させ、且つマスク1に対して傾斜
させて配置した小形の反射鏡(ミラー)11と、
ハーフミラー19,20、像回転プリズム21、
ミラー22、スリツト23およびX、Y用受光素
子24a,24bから構成され、マスク1上のア
ライメントパターン7とウエハ3上のアライメン
トパターン9との相対的位置ずれ量を検知する検
知器と、上記小形の反射鏡11によつて反射され
たマスク1上のアライメントパターン7の像、及
びウエハ3上のアライメントパターン9から上記
投影レンズ2を介して逆投影される像を上記検知
器に結像させるべく、上記延長線を上記小形の反
射鏡11によつて方向転換した線上に光軸を一致
させた結像レンズ18とを装着したものである。
以下、その位置合わせ操作について述べると、水
銀灯13からの光が干渉フイルタ14、コンデン
サレンズ15,16、絞り17、ハーフミラー1
2、ミラー11およびマスク10を経てマスク1
のマスク・アライメント・パターン7の近傍を照
射し、その光が入射光aとして投影レンズ2の入
射瞳αの中心A点に向い、該投影レンズ2を通過
の後射出瞳βの中心B点よりあたかも射出するよ
うな角度をもつてウエハ3のウエハ・アライメン
ト・パターン9上にマスク・アライメント・パタ
ーン7を結像7′する。すると、その結像7′とウ
エハ・アライメント・パターン9がウエハ面で反
射して戻り光bとして投影レンズ2に逆に入射
し、再びマスク面1で両パターン7,9が形成さ
れてマスク・アライメント・パターン7の透明部
を通過した光は小形の反射鏡(ミラー)11、ハ
ーフミラー19,20、結像レンズ18、ハーフ
ミラー19,20、像回転プリズム21、ミラー
22を経てスリツト23面上に結像し、スリツト
走査により受光素子24a,24bがパターン
7,9の相対位置ずれ量△x、△yを検知し、こ
の量だけ逆にウエハ3(またはマスク1)を移動
させて位置を合わせ、位置合わせを完了した後前
述の露光光を照射する。なお、前記のパターン
7,9の相対位置ずれ量△x、△yの検知は、第
3図a,b,cに示すように、マスク・アライメ
ント・パターン7の透明部の周辺では光が逃げて
しまうので黒レベルとなり、またウエハ3からの
戻り光bは明るさのレベルVを持つので、この立
上りによりマスク・アライメント・パターン7の
透明部の位置が求まり、その位置とウエハ・アラ
イメント・パターン9の中心の位置よりx、y方
向の位置ずれ量が求まる。
ク1とウエハ3とを位置合わせする従来の投影式
マスク・アライメント装置は、第1図及び第2図
に示すように、マスク1の周辺にクローム7aを
蒸着させて約400μm角の透明部よりなるマス
ク・アライメント・パターン7を設け、一方ウエ
ハ3に約5μm幅の十字状段差で、表面にホト・
レジストを塗布したウエハ・アライメント・パタ
ーン9を設け、それから水銀灯13、及び干渉フ
イルタ14、から構成されたアライメントパター
ン照明用光源と、コンデンサレンズ15,16、
絞り17、ハーフミラー12、及びマスク10か
ら構成され、上記光源から照射された光をマスク
1上のアライメントパターン領域だけにスポツト
照射して上記投影レンズ2を介してウエハ3上の
アライメントパターン領域へ照射すべく設けられ
た照射用の集光光学系と、投影レンズ2の入射瞳
αの中心Aとマスク1上の周辺に設けられたアラ
イメントパターン7の中心とを結ぶ直線の延長線
上に中心を一致させ、且つマスク1に対して傾斜
させて配置した小形の反射鏡(ミラー)11と、
ハーフミラー19,20、像回転プリズム21、
ミラー22、スリツト23およびX、Y用受光素
子24a,24bから構成され、マスク1上のア
ライメントパターン7とウエハ3上のアライメン
トパターン9との相対的位置ずれ量を検知する検
知器と、上記小形の反射鏡11によつて反射され
たマスク1上のアライメントパターン7の像、及
びウエハ3上のアライメントパターン9から上記
投影レンズ2を介して逆投影される像を上記検知
器に結像させるべく、上記延長線を上記小形の反
射鏡11によつて方向転換した線上に光軸を一致
させた結像レンズ18とを装着したものである。
以下、その位置合わせ操作について述べると、水
銀灯13からの光が干渉フイルタ14、コンデン
サレンズ15,16、絞り17、ハーフミラー1
2、ミラー11およびマスク10を経てマスク1
のマスク・アライメント・パターン7の近傍を照
射し、その光が入射光aとして投影レンズ2の入
射瞳αの中心A点に向い、該投影レンズ2を通過
の後射出瞳βの中心B点よりあたかも射出するよ
うな角度をもつてウエハ3のウエハ・アライメン
ト・パターン9上にマスク・アライメント・パタ
ーン7を結像7′する。すると、その結像7′とウ
エハ・アライメント・パターン9がウエハ面で反
射して戻り光bとして投影レンズ2に逆に入射
し、再びマスク面1で両パターン7,9が形成さ
れてマスク・アライメント・パターン7の透明部
を通過した光は小形の反射鏡(ミラー)11、ハ
ーフミラー19,20、結像レンズ18、ハーフ
ミラー19,20、像回転プリズム21、ミラー
22を経てスリツト23面上に結像し、スリツト
走査により受光素子24a,24bがパターン
7,9の相対位置ずれ量△x、△yを検知し、こ
の量だけ逆にウエハ3(またはマスク1)を移動
させて位置を合わせ、位置合わせを完了した後前
述の露光光を照射する。なお、前記のパターン
7,9の相対位置ずれ量△x、△yの検知は、第
3図a,b,cに示すように、マスク・アライメ
ント・パターン7の透明部の周辺では光が逃げて
しまうので黒レベルとなり、またウエハ3からの
戻り光bは明るさのレベルVを持つので、この立
上りによりマスク・アライメント・パターン7の
透明部の位置が求まり、その位置とウエハ・アラ
イメント・パターン9の中心の位置よりx、y方
向の位置ずれ量が求まる。
しかしながら、前記の投影式マスク・アライメ
ント装置においては、一般にマスク・アライメン
ト・パターン7がマスク1の周辺に位置している
ため、戻り光bと投影レンズ2の光軸(中心線)
とは角度θを持つ。また、ウエハ3上のアライメ
ントパターン9からの投影レンズ2を介して得ら
れる微弱な光像を歪みのない状態で検知器に結像
させるために、第2図aに示すように、戻り光b
の中心が結像レンズ18の光軸を通過させる必要
があり、投影レンズ2の入射瞳αの中心Aとマス
ク1上の周辺に設けられたアライメントパターン
7の中心とを結ぶ直線の延長線上に中心を一致さ
せ、且つマスク1に対して傾斜させて配置した小
形の反射鏡11を設け、更に上記延長線を上記小
形の反射鏡11によつて方向転換した線上に結像
レンズ18の光軸を一致させて配置した。これに
より結像レンズ18が小形になり、容易に設置す
ることができる。このような構成にしたことによ
つてマスク・アライメント・パターン7を照射し
た入射光aはクローム蒸着部で一θ方向に反射さ
れて検出系に戻ることができない。このため、ウ
エハ3からの戻り光bが暗く、受光素子24a,
24bの検知信号の立ち上りが少ない場合には、
マスク・アライメント・パターン7の透明部の境
界位置の検出が困難であり、検知信号の立ち上り
がノイズ等に埋れ易く検出精度の低下を招く虞れ
がある。
ント装置においては、一般にマスク・アライメン
ト・パターン7がマスク1の周辺に位置している
ため、戻り光bと投影レンズ2の光軸(中心線)
とは角度θを持つ。また、ウエハ3上のアライメ
ントパターン9からの投影レンズ2を介して得ら
れる微弱な光像を歪みのない状態で検知器に結像
させるために、第2図aに示すように、戻り光b
の中心が結像レンズ18の光軸を通過させる必要
があり、投影レンズ2の入射瞳αの中心Aとマス
ク1上の周辺に設けられたアライメントパターン
7の中心とを結ぶ直線の延長線上に中心を一致さ
せ、且つマスク1に対して傾斜させて配置した小
形の反射鏡11を設け、更に上記延長線を上記小
形の反射鏡11によつて方向転換した線上に結像
レンズ18の光軸を一致させて配置した。これに
より結像レンズ18が小形になり、容易に設置す
ることができる。このような構成にしたことによ
つてマスク・アライメント・パターン7を照射し
た入射光aはクローム蒸着部で一θ方向に反射さ
れて検出系に戻ることができない。このため、ウ
エハ3からの戻り光bが暗く、受光素子24a,
24bの検知信号の立ち上りが少ない場合には、
マスク・アライメント・パターン7の透明部の境
界位置の検出が困難であり、検知信号の立ち上り
がノイズ等に埋れ易く検出精度の低下を招く虞れ
がある。
そこで、第4図aに示すように、結像レンズ1
8の径を大きくしてマスク・アライメント・パタ
ーン7のクロム蒸着部での反射光をも検出系に導
びくようにすれば、検知出力が第4図bに示すC
信号となり、マスク・アライメント・パターン7
の透明部の位置が正確に精度良く求まる。ところ
が、上記方法では対物レンズ18の径を大きくし
ミラー11を大きくするので、マスク1とコンデ
ンサレンズ4との距離を広く取る必要があり、ま
た結像レンズ18の非光軸上を用いることにな
り、微弱な光像が歪むことになり、高精度のアラ
イメントができないという問題点が生じ、逆に角
度θが大きくなると像が歪まない結像レンズ18
の設計が困難となり、第2図aに示す構成をとる
必要がある。すると前記したようにマスク・アラ
イメント・パターン7の透明部の境界位置の検出
が困難となる問題が生じる。
8の径を大きくしてマスク・アライメント・パタ
ーン7のクロム蒸着部での反射光をも検出系に導
びくようにすれば、検知出力が第4図bに示すC
信号となり、マスク・アライメント・パターン7
の透明部の位置が正確に精度良く求まる。ところ
が、上記方法では対物レンズ18の径を大きくし
ミラー11を大きくするので、マスク1とコンデ
ンサレンズ4との距離を広く取る必要があり、ま
た結像レンズ18の非光軸上を用いることにな
り、微弱な光像が歪むことになり、高精度のアラ
イメントができないという問題点が生じ、逆に角
度θが大きくなると像が歪まない結像レンズ18
の設計が困難となり、第2図aに示す構成をとる
必要がある。すると前記したようにマスク・アラ
イメント・パターン7の透明部の境界位置の検出
が困難となる問題が生じる。
本発明は、上記の諸点に鑑み、コントラストの
良い検知信号が得られる投影式マスク・アライメ
ント装置を提供せんとするものである。
良い検知信号が得られる投影式マスク・アライメ
ント装置を提供せんとするものである。
本発明は、上記目的を達成するために、マスク
上に形成された回路パターンをウエハ上に転写焼
付する投影レンズと、該投影レンズの入射瞳の中
心とマスク上の周辺に設けられたアライメントパ
ターンの中心とを結ぶ直線の延長線上に中心を一
致させ、且つマスクに対して傾斜させて配置した
小形の反射鏡を設け、アライメントパターン照明
用光源を設け、該光源から照射された光をマスク
上のアライメントパターン領域だけにスポツト照
射して上記投影レンズを介してウエハ上のアライ
メントパターン領域へ照射する照射用の集光光学
系を設け、上記マスク上のアライメントパターン
とウエハ上のアライメントパターンとの相対的位
置ずれ量を検知する検知器を設け、上記小形の反
射鏡によつて反射されたマスク上のアライメント
パターンの像、及びウエハ上のアライメントパタ
ーンから上記投影レンズを介して逆投影される像
を上記検知器に結像させるべく、上記延長線を上
記小形の反射鏡によつて方向転換した線上に光軸
を一致させた結像レンズを設け、上記検知器で検
知される相対的位置ずれ量に基いてマスクとウエ
ハとをアライメントする投影式マスクアライメン
ト装置において、上記マスクのアライメントパタ
ーンの中心を通る垂直軸に対して上記延長線と対
称にして小形の反射鏡の内側からマスク上のアラ
イメントパターン領域を照射し、このマスクのア
ライメントパターンで反射された光像が上記小形
の反射鏡へ入射させるべく構成配置したマスクア
ライメントパターン照明用の集光光学系を設けた
ことを特徴とする投影式マスク・アライメント装
置である。以下本発明の投影式マスク・アライメ
ント装置の一実施例を第5図および第6図につい
て説明する。
上に形成された回路パターンをウエハ上に転写焼
付する投影レンズと、該投影レンズの入射瞳の中
心とマスク上の周辺に設けられたアライメントパ
ターンの中心とを結ぶ直線の延長線上に中心を一
致させ、且つマスクに対して傾斜させて配置した
小形の反射鏡を設け、アライメントパターン照明
用光源を設け、該光源から照射された光をマスク
上のアライメントパターン領域だけにスポツト照
射して上記投影レンズを介してウエハ上のアライ
メントパターン領域へ照射する照射用の集光光学
系を設け、上記マスク上のアライメントパターン
とウエハ上のアライメントパターンとの相対的位
置ずれ量を検知する検知器を設け、上記小形の反
射鏡によつて反射されたマスク上のアライメント
パターンの像、及びウエハ上のアライメントパタ
ーンから上記投影レンズを介して逆投影される像
を上記検知器に結像させるべく、上記延長線を上
記小形の反射鏡によつて方向転換した線上に光軸
を一致させた結像レンズを設け、上記検知器で検
知される相対的位置ずれ量に基いてマスクとウエ
ハとをアライメントする投影式マスクアライメン
ト装置において、上記マスクのアライメントパタ
ーンの中心を通る垂直軸に対して上記延長線と対
称にして小形の反射鏡の内側からマスク上のアラ
イメントパターン領域を照射し、このマスクのア
ライメントパターンで反射された光像が上記小形
の反射鏡へ入射させるべく構成配置したマスクア
ライメントパターン照明用の集光光学系を設けた
ことを特徴とする投影式マスク・アライメント装
置である。以下本発明の投影式マスク・アライメ
ント装置の一実施例を第5図および第6図につい
て説明する。
図中、第1図乃至第4図と同符号は同一のもの
を示す。
を示す。
しかして、本発明の投影式マスク・アライメン
ト装置は、マスク・アライメント・パターンを照
射する光学系とは別に、水銀灯40、絞り41お
よびレンズ42を配設する。これら絞り41およ
びレンズ42がマスクアライメントパターン照明
用の集光光学系である。
ト装置は、マスク・アライメント・パターンを照
射する光学系とは別に、水銀灯40、絞り41お
よびレンズ42を配設する。これら絞り41およ
びレンズ42がマスクアライメントパターン照明
用の集光光学系である。
本発明の投影式マスク・アライメント装置は上
記の如き構成よりなるから、水銀灯40からの光
が絞り41、レンズ42およびコンデンサレンズ
44を通過してマスク・アライメント・パターン
7を照射し、その反射光がミラー11対物レンズ
18の中心を通つて検出系に入る。そして、検出
系において第6図a,b,cに示すような検知信
号が得られる。
記の如き構成よりなるから、水銀灯40からの光
が絞り41、レンズ42およびコンデンサレンズ
44を通過してマスク・アライメント・パターン
7を照射し、その反射光がミラー11対物レンズ
18の中心を通つて検出系に入る。そして、検出
系において第6図a,b,cに示すような検知信
号が得られる。
上述のように構成すれば、ミラー11より内側
に光学部品がないので、マスク1の回路パターン
5がマスク・アライメント・パターン7に接近し
て大きくとれる利点がある。また、露光用水銀灯
(図示せず)のアーク像43による回路パターン
5の露光(露光光44による)面積が大きくとれ
る利点がある。
に光学部品がないので、マスク1の回路パターン
5がマスク・アライメント・パターン7に接近し
て大きくとれる利点がある。また、露光用水銀灯
(図示せず)のアーク像43による回路パターン
5の露光(露光光44による)面積が大きくとれ
る利点がある。
なお、水銀灯40の代わりに露光用水銀灯(ま
たはウエハ・アライメント・パターン照射用水銀
灯13)から光フアイバーで導いても良い。
たはウエハ・アライメント・パターン照射用水銀
灯13)から光フアイバーで導いても良い。
第7図a,b,cは、本発明の投影式マスク・
アライメント装置の変形例を示した説明図であ
る。aのものは、フアイバ27の両端にランプ3
0、コンデンサレンズ26とレンズ28を配設し
たもので、ランプ30からの光をコンデンサレン
ズ26でフアイバ27の一端に集光し該フアイバ
27およびレンズ28を介してマスク・アライメ
ント・パターン7に照射する。
アライメント装置の変形例を示した説明図であ
る。aのものは、フアイバ27の両端にランプ3
0、コンデンサレンズ26とレンズ28を配設し
たもので、ランプ30からの光をコンデンサレン
ズ26でフアイバ27の一端に集光し該フアイバ
27およびレンズ28を介してマスク・アライメ
ント・パターン7に照射する。
bのものは、ミラー31を配設したもので、逃
げた光を再び検出係に戻す。
げた光を再び検出係に戻す。
cのものは、ランプ30、コンデンサレンズ2
6、フアイバ27、レンズ28およびミラー31
を用いたもので前述イのものとは異なり、フアイ
バ27及びレンズ28を結像レンズ18側にもう
けたものである。このようにフアイバ27及レン
ズ28、またはミラー31がマスクアライメント
パターン照明用の集光光学系である。
6、フアイバ27、レンズ28およびミラー31
を用いたもので前述イのものとは異なり、フアイ
バ27及びレンズ28を結像レンズ18側にもう
けたものである。このようにフアイバ27及レン
ズ28、またはミラー31がマスクアライメント
パターン照明用の集光光学系である。
前記のものは何れも第6図a,b,cに示すよ
うな検知信号が得られる。
うな検知信号が得られる。
このように、本発明においてはウエハ・アライ
メント・パターン照射用の光学系とは異なるマス
ク・アライメント・パターン照射用の光学系を配
設したものであるから、コントラストの良い検知
信号が得られ、従つてマスクとウエハとを精度良
く、かつ正確に位置合わせを行うことができ、し
かも構造が簡単であるなどの効果がある。以上説
明したように本発明によれば、結像レンズの中心
部を使用して光像の歪みをない小形の結像レンズ
の設置を可能にし、しかもマスクのアライメント
パターンからの反射光像も高感度で検出でき、結
果的にマスクとウエハとを精度良く、且つ正確に
アライメントができるようにした作用効果を奏す
る。
メント・パターン照射用の光学系とは異なるマス
ク・アライメント・パターン照射用の光学系を配
設したものであるから、コントラストの良い検知
信号が得られ、従つてマスクとウエハとを精度良
く、かつ正確に位置合わせを行うことができ、し
かも構造が簡単であるなどの効果がある。以上説
明したように本発明によれば、結像レンズの中心
部を使用して光像の歪みをない小形の結像レンズ
の設置を可能にし、しかもマスクのアライメント
パターンからの反射光像も高感度で検出でき、結
果的にマスクとウエハとを精度良く、且つ正確に
アライメントができるようにした作用効果を奏す
る。
第1図aは従来の投影式マスク・アライメント
装置の原理図、第1図bおよびcは、マスク・ア
ライメント・パターンおよびウエハ・アライメン
ト・パターンの拡大図、第2図aは従来の投影式
マスク・アライメント装置の説明図、第2図bは
ウエハのウエハ・アライメント・パターンの拡大
斜視図、第3図a,b,cは従来の投影式マス
ク・アライメント装置による検知信号を示した
図、第4図aおよびbは他の従来例を示した説明
図およびその装置による検知信号を示した図、第
5図は本発明の投影式マスク・アライメント装置
の一実施例を示した説明図、第6図a,b,cは
本発明の装置による検知信号を示した図、第7図
a,b,cは本発明の投影式マスク・アライメン
ト装置の変形例を示した説明図である。 1……マスク、2……投影レンズ、3……ウエ
ハ、4……コンデンサレンズ、7……マスク・ア
ライメント・パターン、9……ウエハ・アライメ
ント・パターン、11……小形の反射鏡、13…
…水銀灯、18……結像レンズ、27……フアイ
バ、30……ランプ、31……ミラー、40……
水銀灯。
装置の原理図、第1図bおよびcは、マスク・ア
ライメント・パターンおよびウエハ・アライメン
ト・パターンの拡大図、第2図aは従来の投影式
マスク・アライメント装置の説明図、第2図bは
ウエハのウエハ・アライメント・パターンの拡大
斜視図、第3図a,b,cは従来の投影式マス
ク・アライメント装置による検知信号を示した
図、第4図aおよびbは他の従来例を示した説明
図およびその装置による検知信号を示した図、第
5図は本発明の投影式マスク・アライメント装置
の一実施例を示した説明図、第6図a,b,cは
本発明の装置による検知信号を示した図、第7図
a,b,cは本発明の投影式マスク・アライメン
ト装置の変形例を示した説明図である。 1……マスク、2……投影レンズ、3……ウエ
ハ、4……コンデンサレンズ、7……マスク・ア
ライメント・パターン、9……ウエハ・アライメ
ント・パターン、11……小形の反射鏡、13…
…水銀灯、18……結像レンズ、27……フアイ
バ、30……ランプ、31……ミラー、40……
水銀灯。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マスク上に形成された回路パターンをウエハ
上に転写焼付する投影レンズと、該投影レンズの
入射瞳の中心とマスク上の周辺に設けられたアラ
イメントパターンの中心とを結ぶ直線の延長線上
に中心を一致させ、且つマスクに対して傾斜させ
て配置した小形の反射鏡を設け、アライメントパ
ターン照明用光源を設け、該光源から照射された
光をマスク上のアライメントパターン領域だけに
スポツト照射して上記投影レンズを介してウエハ
上のアライメントパターン領域へ照射する照射用
の集光光学系を設け、上記マスク上のアライメン
トパターンとウエハ上のアライメントパターンと
の相対的位置ずれ量を検知する検知器を設け、上
記小形の反射鏡によつて反射されたマスク上のア
ライメントパターンの像、及びウエハ上のアライ
メントパターンから上記投影レンズを介して逆投
影される像を上記検知器に結像させるべく、上記
延長線を上記小形の反射鏡によつて方向転換した
線上に光軸を一致させた結像レンズを設け、上記
検知器で検知される相対的位置ずれ量に基いてマ
スクとウエハとをアライメントする投影式マスク
アライメント装置において、上記マスクのアライ
メントパターンの中心を通る垂直軸に対して上記
延長線と対称にして小形の反射鏡の内側からマス
ク上のアライメントパターン領域を照射し、この
マスクのアライメントパターンで反射された光像
が上記小形の反射鏡へ入射させるべく構成配置し
たマスクアライメントパターン照明用の集光光学
系を設けたことを特徴とする投影式マスク・アラ
イメント装置。 2 上記マスクアライメントパターン照明用の集
光光学系として小形の反射鏡を有することを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の投影式マス
ク・アライメント装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24178A JPS5493974A (en) | 1978-01-06 | 1978-01-06 | Projection-system mask alignment unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24178A JPS5493974A (en) | 1978-01-06 | 1978-01-06 | Projection-system mask alignment unit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5493974A JPS5493974A (en) | 1979-07-25 |
JPS6315739B2 true JPS6315739B2 (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=11468462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24178A Granted JPS5493974A (en) | 1978-01-06 | 1978-01-06 | Projection-system mask alignment unit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5493974A (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4310743A (en) * | 1979-09-24 | 1982-01-12 | Hughes Aircraft Company | Ion beam lithography process and apparatus using step-and-repeat exposure |
JPS56102823A (en) * | 1980-01-19 | 1981-08-17 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Positioning device |
DD158824A1 (de) * | 1980-11-03 | 1983-02-02 | Adelbrecht Schorcht | Anordnung zur automatischen justierung mindestens eines gegenstandes |
JPS57138134A (en) * | 1981-02-20 | 1982-08-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Positioning device |
JPS5825638A (ja) * | 1981-08-08 | 1983-02-15 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS59119411U (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-11 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 投影露光装置 |
JPS603620A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ンの形成方法 |
US4652134A (en) * | 1984-08-28 | 1987-03-24 | Lsi Logic Corporation | Mask alignment system |
JPS63153821A (ja) * | 1987-10-27 | 1988-06-27 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
JP2924635B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 半導体素子製造用レチクルおよび露光装置の製造誤差の補正方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4915243U (ja) * | 1972-05-18 | 1974-02-08 | ||
JPS4928362A (ja) * | 1972-07-05 | 1974-03-13 | ||
JPS52109875A (en) * | 1976-02-25 | 1977-09-14 | Hitachi Ltd | Position matching system for mask and wafer and its unit |
-
1978
- 1978-01-06 JP JP24178A patent/JPS5493974A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4915243U (ja) * | 1972-05-18 | 1974-02-08 | ||
JPS4928362A (ja) * | 1972-07-05 | 1974-03-13 | ||
JPS52109875A (en) * | 1976-02-25 | 1977-09-14 | Hitachi Ltd | Position matching system for mask and wafer and its unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5493974A (en) | 1979-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4558949A (en) | Horizontal position detecting device | |
US5004348A (en) | Alignment device | |
US4870452A (en) | Projection exposure apparatus | |
US5048967A (en) | Detection optical system for detecting a pattern on an object | |
US5268744A (en) | Method of positioning a wafer with respect to a focal plane of an optical system | |
US5721605A (en) | Alignment device and method with focus detection system | |
US4739373A (en) | Projection exposure apparatus | |
KR920012964A (ko) | 미세패턴 전사방법 및 그 장치 | |
JPH0127361B2 (ja) | ||
US4614432A (en) | Pattern detector | |
JPS6315739B2 (ja) | ||
US4614864A (en) | Apparatus for detecting defocus | |
JP2695767B1 (ja) | 縮小投影露光装置 | |
JPH06120116A (ja) | ベストフォーカス計測方法 | |
JPS6142419B2 (ja) | ||
JPH10172900A (ja) | 露光装置 | |
JP2702496B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JPS58213207A (ja) | アライメントマーク検出方法 | |
JP3200777B2 (ja) | 投影露光機 | |
JPH079500B2 (ja) | アライメント光学装置 | |
JPS57200029A (en) | Exposing device | |
JPS60168112A (ja) | 投影装置の焦点合せ装置 | |
JP2569442B2 (ja) | アライメント装置 | |
JPS6235653B2 (ja) | ||
JPS6339963Y2 (ja) |