JPS60168112A - 投影装置の焦点合せ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明はマスクに形成されたパターンの像を投影光学系
を介して被投影物上に投影する装置に関し、特にＩＣや
超ＬＳＩ等の半導体装置の光学的リングラフィに用いら
れる投影露光装置に関する。

（発明の背景） 縮小投影型露光装置は近年超ＬＳＩの生産現場に多く導
入され、大きな成果をもたらしている。

このような露光装置では、レティクルやマスクに描かれ
たパターンを投影光学系、例えば１１５の縮小投影レン
ズを介して投影し、その投影像を、予めパターンが形成
された感光基板（ウエノ・等）に位置合せして重ね焼き
することで所望の半導体装置のリングラフィを行なって
いる。この際、レティクルやマスクのパターンの投影像
がウェハ上で正確に結像しないと、ウェハ上ではボケだ
パターンが形成され、いわゆる解像不良という問題を起
す。

さらに投影像とウェハ上に形成されたパターンとを正確
に位置合せ（アジイメント）シないと、製造された半導
体装置の特性が不十分なものとなったり、極端な場合は
半導体装置そのものの動作が不能となるといった問題を
起す。これらの問題を解決するためには、投影像をウェ
ハの表面に正確に合焦させる表ともに、レティクル（マ
スク）とウェハとを正確にアライメントすることが要求
される。このアライメントにおいて近年、レティクル（
又はマスク）と投影光学系を介してウェハ上に形成され
た位置合せ用のマークを、レティクル上の位置合せ用の
マークとともに観察する、いワユるスルー・ザ・１／ン
ズ（ＴＴＬ）方式のアライメント光学系が使われるよう
になった。このＴＴＬ方式ではウェハ上のマークとレテ
ィクル上のマークとを投影光学系を介して投影露光すべ
き位置で検出するので、高い位置合せ精度が期待できる
。ところでそのＴＴＬ方式のアライメント光学系（例え
ば光学顕微鏡）はレティクルを介してウェハ上のマーク
を観察するので、１／テイクルの厚さに応じて光路長が
変化し、観察したマーク像が不鮮明なものになる。レテ
ィクルは透明なガラス基板にクロム層等を所望のパター
ンで蒸着したものでアシ、そのガラス基板の厚さが所定
の規格よυも小さいものと大きいものとではレティクル
上のマークの像も不鮮明、すなわちボケたものになって
しまう。このようにボケた状態でレティクル上のマーク
とウェハ上のマークとを位置合せしても、正確なアライ
メントは達成できない。特にＴＴＬ方式のアライメント
光学系で得られたレティクルのマーク像とウェハのマー
ク像とを光電的に検出して自動位置合せをする場合、光
電信号のＳ／Ｎが悪くなり、アライメントミスを招くと
いう大きな欠点があった。

まだ投影光学系には環境状態（気温や気圧）の変化、使
用状態（投影光学系を通る光のエネルギー）による光学
素子の特性変化等によシ、投影像の最良結像面が光軸方
向に変動するという特性（フォーカスシフト）が見い出
されている。このため例えば特開昭５６−４２２０５号
公報に開示された焦点検出方法のように、単にウェハ表
面の投影光学系の光軸方向の位置のみを検出して焦点合
せしただけでは最良の解像力を得られないばかりでなく
、ＴＴＬ方式のアライメント光学系で演出されるマーク
像も焦点ずれを起してボケたものになるという欠点が生
じる。

（発明の目的） 本発明はこれらの欠点を解決し、正確なアライメントを
可能とするために、レティクル上、又はマスク上のマー
クと、ウェハ上のマークとを常に合焦状態で検出（観察
）するとともに、投影光学系に関してレティクル（マス
ク）とウェハ等の被投影物との焦点位置関係を正確に保
つことのできる焦点合せ装置を得ることを目的とする。

（発明の概要） 本発明は、投影光学系を使ってマスク（レティクル）の
パターンをウェハ等の被投影物上に投影する装置におい
て、マスクに設けられた第１７−クの像を所定の結像面
に形成するための像形成光学系（アライメント用の光学
系）と、第１マーク像が所定結像面に合焦するように像
形成光学系の例えば結像位置を調整する調整手段と、被
投影物に設けられた第２マークの像を調整された像形成
光学系と投影光学系を介して形成し、第２マーク像が所
定結像面に合焦するように、例えば被投影物を投影光学
系の光軸方向に位置決めする位置決め手段（ウェハを保
持して上下動するウェハホルダー）とを設けることを技
術的要点としている。

（実施例） 第１図は本発明の実施例による縮小投影型露光装置の概
略的な光学配置図であシ、第２図はその露光装置を制御
する制御系の回路ブロック図である０ 第１図において、露光光束１は図示なき光源部よシ供給
され、メインコンデンサーレンズ２によって投影原版と
してのレティクル（マスク）３を照明する。そしてメイ
ンコンデンサーレンズ２により投影１／ンズ５の入射瞳
面６内に光源の像が形成される。レティクル３の投影レ
ンズ５側の面、すなわちパターン面３ａ上には、所定の
パターンが形成されており、このパターンが投影レンズ
５によりウェハ７のパターン面７ａ上に所定の倍率で縮
小投影される。露光光束ｌはウエノ・７のパターン面７
ａ上に塗られたフォトレジストを感光させるのに有効な
光で、例えば超高圧水銀灯よシ発生する波長４３５．８
ｎｍ（ｇ線）の光や波長３６５ｒ１ｍ（ｉ線）の光が用
いられる。

このような露光光学系に対して、ウニノ１７に設けられ
た位置合せ用のアライメントマーク（５）と、レティク
ルのパターン面３ｂの周辺部に設けられたアライメント
マーク（２）との位置関係を観察するためのアライメン
ト光学系は次のようであり、露光光束１と同一の波長の
光が照明光として用いられる。レティクル３の周縁の上
部には、反射鏡１４、第１対物レンズ１５、第２対物レ
ンズ１６が設けられている。第１対物レンズ１５の光軸
１３は反射鏡１４によシ直角に折シまげられ、レティク
ル３のパターン面３ａき直交する。従って、投影レンズ
５０光軸９と実質的に平行であシ、また第１対物レンズ
１５の前側焦点はレティクル３のパターン面３ａ上に位
置している。そして、この位置関係を維持しつつ、第１
対物レンズ１５と反射鏡１４とが光軸１３にそって一体
的に移動可能である。さらに、第１対物レンズ１５と第
２対物レンズ１６との間は常に平行系となっておシ、第
２対物レンズ１６の後側焦点位置に設けられた絞シ１８
とレティクル３のパターン面ａａとはｉｌ、第２対物レ
ンズに関して共役であシ、さらに投影レンズ５に関して
ウェハ７のパターン面７ａとも共役である。ウニノ・７
上での照明領域を制限するために設けられた絞シ１８の
後方にはコンデンサーレンズ１９が設けられ、その焦点
は絞り１８の位置に合致している。コンデンサーレンズ
１９は第１．第２対物レンズの光軸１３と同軸上に配置
されている。そして、露光光束１と同一波長の照明光を
供給するためのライトガイド２０の射出面２０ａはその
中心が光軸１３から外れて設けられている。一方、絞り
１８と第２対物レンズ１６との間にはビームスプリッタ
−１７が配置される。そしてビームスプリッタ１７で分
割された光路中にはテレビカメラ等の撮像装置２１が設
けられ、撮像装置２１の撮像面２１＆は、絞り１８と同
じく第１．第２対物レンズ１５．１６に関してパターン
面３ａと共役でアシ、またウェハ７のパターン面７ａと
も共役である。

このような構成によってウニノ１７のノくターン面７ａ
上に設けられたアライメントマーク（８）とレティクル
３のパターン面３ａ上に設けられたアライメントマーク
（ト）とにライトガイド２０からの光束が供給され、ア
ライメントマーク（６）とく均の像が共に撮像装置２１
によって観察される。第１図中にはアライメントマーク
（５）とアライメントマーク申）とを通る主光線１１の
様子を実線で記入した。主光線１１は第１対物ｌノンズ
１５を射出した後、光軸１３に平行となり、ビームスプ
リッタ−１７で反射された後、撮像装置２１の撮像面２
１ａの中心にＭｆる。一方、ビームスプリッタ−１７を
通過する主光線１１は絞シ１８の中心を通り、コンデン
サーレンズ１９で屈折されて光軸１３に平行になりライ
トガイド２０のほぼ中心に達する。すなわちこの主光線
１１がライトガイド２０から供給される照明光の主光線
に相当する。

また、上記第１対物レンズ１５と反射鏡１４とはレティ
クル３上のアライメントマーク（ロ）の位置に応じて光
軸１３の方向に一体に移動するが、本実施例ではさらに
第２対物レンズ１６も光軸１３の方向に移動可能に設け
られている。これはレティクル３のアライメントマーク
（ロ）の像を撮像装置２１の撮像面２１ａ上に合焦状態
で結像させるためである。

以上のような反射鏡１４、第１対物レンズ１５、第２対
物レンズ１６、ビームスプリッタ１７、絞、ｉｌ）　１
８、コンデンサーレンズ１９、ライトガイド２０、及び
撮像装置２１とで構成されたアライメント光学系は、第
１図中で紙面と垂直な方向にもう１組設けられ、この２
組のアライメント光学系によってレティクル３とウニノ
ー７の２次元的な位置ずれを検出するものである。

ところで第１図の構成において、レティクル３と投影レ
ンズ５との間は非テレセントリックな光学系であり、投
影レンズ５とウニノ・７との間はテレセントリックな光
学系である。この場合、レティクル３上のマークを投影
レンズ５の光軸９が通らない位置、例えばｌ／チクル３
０周辺に設ければ、そのマークの照明光束（又はアライ
メント光学系）の主光線１１はそのマークと投影レンズ
５の瞳６の中心とを結ぶ線と一致して、投影レンズの光
軸９に対して傾いたもの、すなわち主光線１１がレチク
ル３のパターン面３ａに垂直にならず、ある角度傾いた
ものになる。このため、レチクル３上のマークが金属薄
膜で形成され、光反射性であっても、そのマークを照明
した光の反射光はアライメント光学系、撮像装置２１の
方に戻らず他の方向に進むから、そのマークはウェハ７
で反射してきた光で透過照明されることになり、マーク
の光像は黒っぽい影となって撮像される。このように、
レチクル３側が非テレセントリックな光学系である場合
は、レティクル３上に形成されるマークを反射性で遮光
性のもの、光吸収性のもののいずれにしてもよい。

またレチクル３側、ウェハ７側ともテレセントリックな
光学系になる場合、主光ｆｓ１１はｌ／チクル３に垂直
（投影レンズ５の光軸９と平行）になるので、レティク
ル３上のマークを光吸収性にしておくか、もしくは、レ
チクル３を偏光した光で照明し、レチクル３とウェハ７
との間の光路中に偏光状態を変える部材（例えば１／４
波長板）を入れて、そのマークからの反射光はカットし
、ウェハ７からの反射光は透過するような、偏光分離特
性を有する光学系を設けれ−ばよい。

さて、ウェハ７は、ウェハホルダ８に真空吸着される。

ステージ１０はベース１２上を２次元的（互いに直交す
るＸ方向とＸ方向）Ｋ移動可能であり、ウェハホルダ８
はこのステージ１０に設けられて一体に２次元移動する
。またウェハホルダ８はステージ１０に対して、投影レ
ンズ５の光軸９の方向（２方向）に移動可能である。基
準マーク板１２にはウェハ７上のアライメントマーク（
５）と同様のマーク以外に、焦点検出に適したマークが
設けられている。この基準マーク板１２上のマーク以外
の表面は所定の光反射率を有し、ウェハホルダ８に固定
されている。

第２図の回路ブロック図において、第２対物レンズ１６
で結像されたアライメントマーク（６）、又は（ロ）の
像の明暗は撮像装置２１で光電変換され、その画像信号
は信号処理回路３０に入力する。信号処理回路３０は画
像信号を処理して撮像面２１ａ上にできた像のコントラ
ストを検出し、そのコントラストに応じた検出情報を制
御回路３１に出力する。制御回路３１はその検出情報に
基づいて、第２対物レンズ１６を光軸１３の方向に駆動
するモータ３２を、駆動回路３３を介して制御する。

また駆動回路３４で駆動されるモータ３５はウェハホル
ダ８を２方向に移動し、その移動量は制御回路３１から
出力される駆動情報によって制御される。さらに駆動回
路３６で駆動されるモータ３７．３８はステージ１０を
それぞれＸ方向とＸ方向とに移動し、その移動量は制御
回路３１から出力される駆動情報によって制御される。

そして、ステージ１００２次元的な位置、すなわち座標
位置はレーザ干渉測長器又はエンコーダ等を用いた座標
測定装置３９によって逐次検出され、その検出された座
標位置は制御回路３１で処理されてステージ１０の位置
決めのために使われる。

第３図はレティクル３の具体的な平面図、第４図は基準
マーク板１２の平面図である。レテイク　・ル３は矩形
状のガラス板にクロム等の金属薄膜を周辺部忙蒸着して
遮光部３ａを形成し、その内側の領域３ｂ内に所望の回
路パターンを形成したものである。領域３ｂの外周辺に
はＸ方向の位置合せ用のアライメントマーク（Ｂｘ）と
、Ｘ方向の位置合せ用のアライメントマーク（Ｂｙ）と
が設けられている。アライメントマーク（Ｂｘ）は第１
図に示した反射鏡１４、第１対物レンズ１５、第２対物
レンズ１６及び撮像装置２１によって観察される。

そして、遮光部３ａ中でアライメントマーク（Ｂｘ）と
Ｘ方向に並んだ位置には透明な窓部３Ｃが形成され、こ
の窓部３Ｃ内にはＸ方向に伸びた線状パターンをＸ方向
に規則的に配列した焦点合せ用のマークＭＲが形成され
る。マークＭＲは窓部３Ｃ内の全面ではなく一部に設け
られ、各線状パターンの幅は第１．第２対物レンズ１５
．１６の解像限界に近い値に定められる。本実施例では
マークＭＲは第３図のように窓部３Ｃ内の右半分のみに
設けられている。またレティクル３はその中心０が投影
レンズ５の光軸９を通るように位置決めされる。アライ
メントマークＢｘの中心Ｏに対するＸ方向の位置と窓部
３Ｃの位置とはレティクル３の設計時に予めわかってい
る。そこで第１図のようにレティクル３を配置して、反
射鏡１４と第１対物レンズ１５とを光軸１３方向に移動
することによって、アライメントマークＢｘと窓部３Ｃ
とが撮像装置２１によって択一的に観察される。尚、第
３図中点線で示した円形の領域ＰＡは投影レンズ５で投
影可能な最大露光領域、いわゆるイメージフィールドを
表わす。また、アライメントマークＢｙはもう１組のア
ライメント光学系によって観察されるように配置されて
いる。

一方、基準マーク板１２には、ステージ１０の位置とレ
ティクル３０投影像の位置との対応付けのために、Ｘ方
向に伸びた線状の基準マークＦｙと、Ｘ方向に伸びた線
状の基準マークＦｘとが十字状に設けられている。

そして、焦点検出のために、レティクル３のマーりＭＲ
と同様に、Ｘ方向に伸びた複数の線状パターンをＸ方向
に複数配列したマークＭＦが形成されている。このマー
クＭＦの各線状パターンの幅は、投影レンズ５、第１対
物レンズ１５、及び第２対物レンズ１６の光学系で決ま
る解像限界に近い幅に定められている。基準マーク板１
２はステージ１　”０と共に２次元移動するので、レテ
ィクル３の窓部３Ｃの投影位置にマークＭＲを位置決め
することによって、投影レンズ５によって窓部３Ｃ内に
拡大投影されたマークＭＦの像ＭＦ’とレティクル３の
マークＭＲとが撮像装置２１によって同時に撮像される
。この時マークＭＦの各線状パターンの幅は、投影レン
ズ５０投影倍率に応じて定められている。具体的な一例
を示すと、マークＭＲの線状パターンの幅をアライメン
ト光学系の解像限界に近い値、例えば５ミクロン（μｍ
）に定めたとすると、マークＭＦの線状パターンの幅は
、投影レンズ５０倍率をレト解像限界をＸＳクロン（ｐ
−）としたとき、１．０ミクロン（μｍ）となる。すな
わち、マークＭＦとして１ミクロンの幅の線状パターン
であれば、その像ＭＦ／はレティクル３の窓部３Ｃに５
倍に拡大して投影され、レティクル３上では正確に５ミ
クロンの幅の線状パターン像となるが、この５ミクロン
幅のパターン像はアライメント光学系の解像限界である
。このようにマークＭＦの線状パターンの幅は、アライ
メント光学系と投影レンズ５の解像力、及び投影倍率に
応じてできるだけ小さく定めることが望ましい。尚、本
実施例では線状パターンの幅はマークＭＦのスリット状
に黒く見えるパターンの幅とするが、逆に黒く見える２
本のパターンの間のスリット状に白く見えるパターンの
幅として扱っても同様である。

さて、第５図は信号処理回路３０の具体的な回路の一例
を示す回路ブロック図である。撮像装置２１からの画像
信号の大きさくレベル）はアナログ−デジタル変換器（
以下、ＡＤＣとする）４０でデジタル値に変換され、そ
のデジタル値はランダム・アクセス可能なメモリ回路（
以下、ＲＡＭとする）４１に記憶される。また撮像装置
２１からは、水平走査の単位走査量毎に１パルスを生じ
るようなりロック信号が出力される。このクロック信号
の１パルスは撮像面２１ａの水平走査方向の１画素に相
当する。カウンタ４２は、そのクロック信号のパルスを
順次計数し、その計数値をＲＡＭ４１のアクセス番地と
して出力する。従ってＲＡＭ４１には撮像装置２１の水
平走査中の各画素に応じた画像信号のレベルが番地順に
格納される。演算回路（以下ＭＰＵと呼ぶ）４３は、Ｒ
ＡＭ４１に記憶された画像信号のデータを読み込んで、
ｍ像したパターンのコントラストの大小を演算するとと
もに、その演算結果を制御回路３１に出力子る。

次に本実施例の動作を第６図、第７図のフローチャート
図に従って説明する。第６図は焦点合せ動作のフローチ
ャート図であり、第７図はコントラスト検出のフローチ
ャート図である。

まず、レティクル３を第１図のように配置した後、ステ
ップ１００のイニシャライズで、レティクル３の窓部３
Ｃが撮像装置２１に撮像されるように、反射鏡１４と第
１対物レンズ１５とを一体に移動する。さらに、このス
テップ１００では基準マーク板１２上でマークＭＦ、マ
ークＦｘ、Ｆｙのない部分が、窓部３Ｃの投影位置に位
置決めされるように、制御回路３１がステージ１０の移
動を指令する。

また基準マーク板１２の表面が投影レンズ５の本来の結
像面から２方向に大きくずれるように、制御回路３１は
ウェハホルダ８の移動を指令する。

この時の状態を第８図に基づいて説明する。第８図はマ
ークＭＲのＸ方向の断面と投影レンズ５、及び基準マー
ク板１２の表面１２ａとの配置を示す。レティクル３の
マークＭＲの像は面ＰＯ内に結像する。この際、基準マ
ーク板１２０表面１２ａが結像面Ｐｏよシも下方（投影
レンズ５から離れる方向）に位置したものとすると、マ
ークＭＲの像は表面１１ａではボケる。表面１１ａＨ光
反射性を有するので、ボケた像は再び投影レンズ５を介
してレティクル３に投影される。このため、マークＭＲ
の像の表面１２ａでの反射像はレティクル３上（マーク
ＭＲと同一面上）ではさらにボケたものとなり、反射像
自体のレティクル３上でのコントラスト（空間周波数）
は極めて低いものとなる。従って第８図のような場合、
マークＭＲを通過した照明光や、マークＭＲ自体のボケ
た光像は表面１２ａで反射して、マークＭＲを投影レン
ズ５側からほぼ均一に照明することになる。

このように基準マーク板１２の表面１２ａを結像面ＰＯ
から極端に離すことによシ、撮像装置２１で撮像される
マークＭＲの像は、例えば第９図に示すように、各線状
パターンは黒く、その間は白くなる。第９図は撮像装置
２１の撮像面２１ＬとマークＭＲの像ＭＲ／との配置を
示す図であり、マーク像ＭＲ／は撮像面２１ａの水平走
査方向の右半分に位置する。水平走査線（以下、単に走
査線とする）ＳＬはマーク像凧′の各線状パターンと所
定角度、例えば９０°で交差し、この走査線ＳＬ上の明
暗の変化に応じた時系列的な画像信号が得られる。

さて、第６図の説明に戻って、第９図のように撮像面２
１ａ内にマーク像ＭＲ／が観察された状態で、ステップ
１０１のコントラスト検出が行なわれる。まず、走査線
ＳＬ上の各画素毎に信号処理回路３０内のＡＤＣ４Ｑで
画像信号のレベルがデジタル値に変換され、そのデジタ
ル値はＲＡＭ４１に番地と画素とが一義的に対応するよ
うに格納される。ＲＡＭ４１には第１０図に示すように
、走査線ＳＬ上の光強度分布に応じたデータが形成され
る。第１０図の縦軸は光強度■を表わし、横軸はＲＡＭ
４１の番地ＡＤＤを表わす。データはＲＡＭ４１の番地
ＡＤＺからＡＤ２までに格納される。

このような光電信号の光強度分布波形から、コントラス
トの高低を検出する方法は多数考えられるカ、ソの一例
を第７図のフローチャート図に基づいて説明する。この
演算処理は信号処理回路３０のＭＰＵ４３によって実行
される。

まず、ステップ２００で、ＭＰＵ４３は第２対物レンズ
１６が可動範囲の一端、すなわち初期位置にくるように
、制御回路３１に所定の指令を出力する。この指令を受
けて制御回路３１はモータ３２を駆動して第２対物レン
ズ１６を初期位置にセットする。この場合、撮像面２１
ａ上のマーク像凧′け第９図のようにシャープではなく
ボケている。

次にＭＰＵ４３はステップ２０１で第２対物レンズ１６
の位置を記憶する。第２対物レンズ１６は初期位置から
ｊｎずつ光軸１３の方向に歩進させるものとして、初期
位置は零とする。次にステップ２０２でＭＰＵ４３は第
２対物レンズ１６のｊｎずつの歩進がｍ回行なわれた否
かを判断し、行なわれていないときはステップ２０３に
進む。

尚、第２対物レンズ１６の可動範囲はｍ・ｊｎである。

次に、ＭＰＵ３Ｑはステップ２０３で走査線ＳＬ上の光
強度分布のデータをＲＡＭ４１に取シ込み、ステップ２
０４で、データ中の極大値と極小値とに基づいて、３つ
のスライスレベル■／、Ｖｍ、Ｖｈ　を決定する。この
決定方法を第１１図に基づいて述べると以下の通シであ
る。第１１図は第２対物レンズ１６が初期位置のときに
得られるマーク像ＭＲ／の光強度分布を一部拡大した波
形であシ、コントラストは低い。マーク像ＭＲ／の波形
中、ピーク（極太）レベルＩｐとボトム（極小）レベル
ＩｂとをＲＡＭ４１のデータから検出する。次に、ピー
クレベルＩｐとボトムレベルＩｂの中間値をスライスレ
ベルＶｍとして算出し、さらにそのスライスレベルＶｍ
よりも一定値だけ大きいスライスレベルｖｈと、スライ
スレベルＶｍよりも一定値だけ小さいスライスレベルＶ
ｌとを算出する。

こうして決定されたスライスレベルＶｈ　、　Ｖｌは次
のステップ２０５で適正か否かが判断される。

すなわチ、スライスレベルｖｈがピークレベルＩｐより
も小さく、かつスライスレベルＶ／がボトムレベルＩｂ
よシも大きいときは、適正であると判断して次のステッ
プ２０６を実行する。ステップ２０６でＭＰＵ４３は、
ＲＡＭ４１中のデータから、第１１図のように波形のレ
ベルがスライスレベルＶｍと一致するときの番地ＡＭＩ
を検出した後、番地ＡＭＩの前後で波形のレベルが、ス
ライスレベルＶｂとＶｌとに一致するときの番地ＡＨＩ
とＡＬＬとを検出する。尚、このステップ２０６でさら
に、波形上のレベルがスライスレベルＶｍと一致するよ
うな番地ＡＭＩの隣シの番地ＡＭ２を検出し、同様に波
形がスライスレベルｖｈ、ｖｌ　と一致するような番地
ＡＨ２，ＡＬ２を検出しておいてもよい。

次にＭＰＵ４３はステップ２０７で番地ＡＨ１と番地Ａ
Ｌｌの差の絶対値Ｋを演算し、その値Ｋを第２対物レン
ズ１６の位置、すなわち歩進の数ｍに対応して記憶する
。コントラストが低いとマーク像ＭＲ／の光強度分布は
なだらかな変化になシ、コントラストが高いと急峻な変
化になる。このためマーク像ＭＲ’のコントラストが高
くなるにつれて絶対値には小さな値になる。

次にステップ２０８でＭＰＵ４３は第２対物レンズ１６
をΔｎだけ歩進させる指令を制御回路３１に出力する。

そしてＭＰＵ４３は先のステップ２０１からの動作を同
様に繰シ返し実行する。尚、ステップ２０５でスライス
１ノベルｖｈ、ｖｚが不適正の場合、すなわちＶｈ＞Ｉ
ｐ、又はＶｌ＜Ｉｔ）のときは絶対値にの演算が不能と
なるので、ステップ２０８に飛び、第２対物レンズ１６
の歩進を実行する。

また、ステップ２０６で番地ＡＨ２，ＡＬ２をめた場合
は、ステップ２０７で番地ＡＩ（２と番地ＡＬ２の差の
絶対値を算出して、先の絶対値にとの平均値を新たに絶
対値にとしてもよい。このように平均値をとるようにす
ると、コントラスト検出の精度が向上する。さらに、番
地ＡＬ１からＡＬ２までの番地数と番地ＡＨ１からＡＨ
２までの番地数との差の絶対値をＫとして算出しても同
様にコントラスト検出ができる。

さて、上記ステップ２０１〜２０８を繰り返し実行して
、ステップ２０２で第２対物レンズ１６がｍ回歩進した
ことを検出すると、ＭＰＵ４３には第２対物レンズ１６
の歩進位置ｍに応じた絶対値Ｋが第１２図に示すように
記憶される。第１２図において横軸は歩進位置ｍを表わ
し、第２対物レンズ１６が初期位置のときｍ＝Ｑである
。また縦軸は絶対値Ｋを表わし、Ｋが最小になるのは、
すなわちマーク像ＭＲ／のコントラストが最も高くなる
のは、例えば歩進位置ｍがｍ０＝６のときである。そこ
でＭＰＵ４３は、次のステップ２０９で絶対値Ｋが最小
になるｍの値（ｍＯ）を検出した後、ステップ２１０で
そのｍＯＯ値に基づいて、第２対物レンズ１６が初期位
置からｍｏ・Δ１】の所、ここでは６拳Δｎの所に位置
決めされるような指令を制御回路３１に出力する。

以上のステップ２００〜２１０によって第６図中のステ
ップ１０１が終了し、次のステップ１０２のマークＭＲ
の合焦動作で制御回路３１は第２対物レンズ１６を初期
位置から６・Δｎの位置に移動する。この結果、撮像装
置２１の撮像面２１ａにはマーク像ＭＲ’が最もコント
ラストよく結像する。この際、マーク像ＭＲ／の画像信
号の波形は第１３図に示すように、最もシャープになる
。

すなわち、第１３図は、マーク像ＭＲ／が撮像装置２１
によって合焦状態で撮像されたときの波形で、マーク像
ＭＲ／の明暗の境界でのレベル変化が急峻である。この
ため波形のレベルが３つのスライスｌ／ベルＶｈ、Ｖｍ
、Ｖ７！と一致するような番地は、ＡＭＩに関してはＡ
ＨＩ、ＡＬＩ及びＡＭｌが共にほぼ等しい番地になり、
ＡＭ２に関してはＡＨ２、ＡＬ２及びＡＭ２が共にほぼ
等しい番地になる。

以上、第６図のステップ１００，１０１．１０２によっ
て焦点合せ動作の第１段階が終了し、制御回路３１は次
のステップ１０３からの第２段階を実行する。尚、第１
段階は手動で第２対物レンズ１６を動かしてもよい。さ
てステップ１０３のマークＭＦの位置決めで制御回路３
１はステージ１０を移動して、基準マーク板１２のマー
クＭＦがレティクル３の窓部３Ｃを介して撮像装置２１
によって撮像されるようにステージ１０の位置決めを行
なう。この結果、撮像装置１２の撮像面１２ａには、合
焦したマーク像ＭＲ’とともに、マークＭＦの像ＭＦ’
が第１４図に示すように形成される。

マーク像ＭＦ／の各線状パターン像はマーク像ＭＲ／の
各線状パターン像と平行に配置し、走査線ＳＬと所定角
度で交差する。第１５図は第１４図に示した走査線ＳＬ
上の光強度分布を信号処理回路３０のＲＡＭ４１に読み
込んだときに得られる波形として、ＲＡＭ４１の番地Ａ
ＤＤＫ対応して表わしたものである。この波形中、番地
ＡＤＩからＡＤ３までがマーク像ＭＦ／によって得られ
たデータであり、制御回路４１が第６図の次のステップ
１０４を実行する際、ＭＰＵ４３は番地ＡＤ１からＡＤ
３までのデータを使って第７図のフローチャートと同様
の動作でマーク像ＭＦ’のコントラスト検出を行なう。

そのステップ１０４ではＭＰＵ、ｉ３が先の第１段階と
同様にマーク像ＭＦ／のコントラスト検出を行なうが、
第７図のフローチャートのステップ中、第２対物レンズ
１６をΔｎずつｍ回まで移動する代りに、ウェハホルダ
８を２方向にΔｎずつｍ回まで移動する点が異なる。そ
こでその異なる点を中心にステップ１０４の動作を説明
する。

まず、ウェハホルダ８をＺ方向の初期位置にセントする
。この初期位置は例えば第８図に示すように基準マーク
板１２の表面１２ａが結像面ＰＯの下方に位置するよう
に定められている。そしてこの初期位置からウェハホル
ダ８をＺ方向の上方にΔｎだけ移動させては第７図のス
テップ２０３〜ステツプ２０８を実行して絶対値Ｋを算
出することをｍ回縁シ返す。このウニ・・ホルダ８の可
動＠囲はｍ・Δｎであるが、基準マーク板１２の表面１
２ａが結像面Ｐｏをはさんで上下に移動するような範囲
に定められている。このようにして検出されたマーク像
ＭＦ／のコントラスト特性は、第１２図の特性と全く同
様に得られる。そこでＭ　Ｐ　Ｕ４３は、絶対値Ｋが最
小となるｍの位置にウェハホルダ８を位置決めするよう
な指令を制御回路３１に出力する。

以上までの動作で第６図のステップ１０４が終了し、制
御回路３１は次のステップ１０５のマークＭＦの合焦動
作で、ウェハホルダ８をＭＰＵ４３からの指令に応じて
２方向に位置決めする。この結果、基準マーク板１２０
表面１２ａと投影レンズ５の結像面ＰＯとが一致し、撮
像装置２１の撮像面２１ａにはマーク像ＭＲ／とマーク
像ＭＦ’とが共に合焦状態で結像し、マークＭＲＳＭＦ
は極めて鮮明に観察される。基準マーク板１２の表面１
２ａとウェハ７の表面７ａとが正確に一致していれば、
アライメント光学系の反射鏡１４と第１対物レンズ１５
を一体に繰り出して、レティクル３のアライメントマー
クＢｘとウニノ・７上のアライメントマークＡとを共に
検出するときも、両アライメントマークは合焦状態で観
察される。このため、レティクル３のアライメントマー
クＢとウェハ７のアライメントマークＡとの位置合せを
、投影レンズ５を介して撮像装置２１と信号処理回路３
０を利用して行なうような位置合せ、いわゆるスルーｅ
ザーレンズ（ＴＴＬ）方式のダイ・バイ・ダイ（Ｄｉｅ
　ｂｙ　Ｄｉｅ　）アシイメントにおいて、アライメン
トマークＢ、Ａの像が合焦状態で検出できるから、両ア
ライメントマークの位置ずれの検出精度が向上し、それ
だけ、レティクル３とウェハ７の位置合せ精度も向上す
るという利点がある。また本実施例では、マーク處、Ｍ
Ｆ’の各線状パターンの幅を解像限界に近い値に定めた
ので、第２対物レンズ１６やウェハホルダ８の歩進に伴
うコントラスト変化が大きくなシ、検出感度が高くなる
という利点もある。

さて、本実施例では、１／テイクル３べ５設けられた焦
点合せ用のマークＭＲと、基準マーク板１２に設けられ
たマークＭＦとは、ともに複数の線状パターンを規則的
に配列したものである。これは画像信号中に表われる極
小から極大までのレベル変化（波形）を周期的に複数回
作り出し、その複数の波形を同一に処理して平均化する
ことによって、コントラスト検出の精度を高めるためで
ある。

このためマークＭＲ、ＭＰは同一の線状パターンを複数
本有することが望ましいが、必らずしも複数本である必
要はなく、一本の線状パターンでもよい。また場合によ
ってはマークＭＲの代りにアライメントマークＢｘを使
って同様に処理することも可能であシ、さらにウェハ７
上にマークＭＦと同様の線状パターンのマークを設け、
合焦動作時にこのウェハ７上のマークを使ってウェハ７
のパターン面７ａと投影レンズ５の結像面ＰＯとを一致
させるようにしてもよい。また、マークＭＲ。

ＭＦは必らずしも同時に観察する必要はなく、マークＭ
Ｒの検出後、アライメント光学系の反射鏡１４と第１対
物レンズ１５を移動させて、マスク上の別の位置からマ
ークＭＦを検出してもよい。

ところで、本実施例ではコントラスト検出に波形の立上
りや立下シの傾斜をめ、その傾斜が最も急になることを
もってコントラストの最大を検出する方式を使ったが、
その際例えば第１２図のようなコントラスト特性が得ら
れた段階で、絶対値Ｋが一定値になる２つの位置ｍ、、
ｍ２　（例えば第１２図中、ｍＬ＝３とｍ　２　＝　９
　）を検出し、ｍ、とｍ２の中間点（ｍ＝６）をめるよ
うにしてもよい。

さらに、微分回路を設けてアナログ的又はソフトウェア
を使ってデジタル的に画像信号を微分し、その微分波形
上の最大値と最小値との差が最も大きくなったことを検
出するような方式を使っても同様の効果が得られる。ま
た、マークＭＲＯ合焦動作（第１段階）においては、第
２対物レンズ１６を移動させたが、第２対物レンズ１６
と撮像装置２１との間の光路中にさらにコリメータレン
ズ系を設ける場合は、このコリメータレンズ系を調整す
るようにしても、まったく同様の効果が得られる。さら
に撮像装置２１は電荷結合素子（ＣＯＤ）等による自己
走査型の一次元、あるいは二次元イメージセンサ−とし
てもよい。さらに、マークＭＦ（又はウェハ上のマーク
）の合焦動作（第２段階）においては、ウェハを上下動
させたが、ウェハに対して投影レンズ５、レチクル３、
及びアライメント光学系（反射鏡１４、第１対物レンズ
１５、第２対物ｌ／ンズ１６等）を一体に光軸９方向に
上下動させてもよい。

次に本発明の第２の実施例を第１６図、第１７図に基づ
いて説明する。第１６図は第１図に示した投影装置にお
けるアライメント光学系を模式的に表わした光学配置図
である。

この実施例の投影装置には結像面Ｐｏに向けてピンホー
ル又はスリットの像を形成するための結像光束１４を斜
めに投射する投光器５ｏと、その結像光束１４のウェハ
７表面（パターン面７ａ）での反射光１５を受光して、
ウェハ７の上下方向（投影レンズ５０光軸方向）の位置
を検出する受光器５１とが設けられている。この受光器
５１はウェハ７の上下方向の位置に応じて、例えばウェ
ハ７の表面が結像面ＰＯよシも下方に位置する後ビン状
態のときの反射光１５　と、合焦状態のときの反射光１
５′との反射位置が異なることを光電的に検出するもの
である。この投光器５０と受光器５１とにより、ウェハ
７の上下方向の位置を検出して、ウェハ７の表面と結像
面ＰＯとの合致状態を検出する焦点検出系を構成する。

第１７図は、この焦点検出系の具体的な構成図である。

投光器５０内には、ウェハ７に塗布された感光剤を感光
させない波長の光（例えば赤外光）を発する光源６０と
、光源６０によって照明されるスリット板６１と、この
スリット板６１に紙面と垂直な方向に伸長して形成され
たスリット開口を通った光を平行光束にするレンズ６２
と、レンズ６２からの平行光束を反射するミラー６３と
、ミラー６３からの平行光束を入射してその光束の光軸
をシフトさせて射出する平行平板ガラス（プレーンパラ
レル）６４と、平行平板ガラス６４からの平行光束を集
光して、投影１／ンズ５の結像面Ｐｏ内にスリット板６
１のスリット像を結像するレンズ６５とが設けられてい
る。平行平板ガラス６４は図中紙面と垂直な回転軸を有
し、駆動部６６によって、その回転軸のまわシに一定の
角度範囲内で回転する。この回転によって、レンズ６５
によるスリット像の結像位置が結像面Ｐｏ　と垂直な方
向に変位する。尚、第１７図ではウェハ７のパターン面
７ａと結像面Ｐｏとが一致した合焦状態を示しである。

一方、受光器５１には、反射光束１５　を入射するレン
ズ６７と、レンズ６７からの光束を反射すると共に、そ
の反射の方向を振動により変える撮動ミラー６８と、レ
ンズ６７からの光束の結像位置に設けられたスリット板
６９と、そのスリット板６９に紙面と垂直な方向に延設
されたスリット６９ａを通過してきた光を受光して、光
電信号を出力する受光素子７０とが設けられている。振
動　−ミラー６８は紙面と垂直な回転軸を有し、駆動部
７１はその回転軸を中心に、振動ミラー６８を一定の角
周波数及び一定の振幅で単振動させる。

第１７図のような構成において、合焦状態では、スリッ
ト板６１のスリット像はウェハ７の表面に結像し、その
ウェハ７上のスリット像はレンズ６７によって再びスリ
ット板６９上に結像し、そのスリット像は振動はラー６
８によってスリット板６９上を一定の振幅で往復移動す
る。このとき、スリット像のスリット板６９上での振動
中心はスリット６９ａと一致する。従って、ウェハ７の
表面が投影レンズ５の結像面Ｐｏｆｒ−らずれると、そ
れに応じてスリット像の振動中心もスリット板６９のス
リット６９ａＫ対して図中左右方向に変位する。

もちろん、そのスリン１−６９＆に対する変位の方向（
右か左か）は、ウェハ７のパターン面７ａ７５ｆ結像面
Ｐｏの上方に位置する前ピン状態か、又はその逆の後ピ
ン状態かを表わす。

さて、第１８図は本装置の制御系のブロック図である。

基本的には第２図の回路ブロックと同じであり、同じ動
作、作用のものには同一の符号をつけである。

振動ミラー６８の駆動部７１は発振器８０から発生する
一定の周波数の交流信号を入力し、その交流信号の周波
数に応じて振動ミラー６８を単振動させる。受光素子７
０の光電信号は増幅器８１によって増幅され、その光電
信号と発振器８０からの交流信号とは位相同期検波回路
（ＰＳＤ）８２に入力する。ＰＳＤ８２は発振器８０の
交流信号を基準信号にして光電信号を同期検波する。Ｐ
ＳＤ８２によって検波された信号はローパスフィルター
（ＬＰＦ）８３によって高調波成分が除去されて、制御
回路３１に入力する。ＬＰＦ８３の出力信号、すなわち
検波信号Ｓｄは、スリット像の撮動中心がスリン）６９
ａと一致したときは零となり、その振動中心が例えばス
リンｌ−６９ａに対して８１．７図中で左側に変位した
ときは正極性となり、逆に変位したときは負極性となる
ような、いわゆるＳカーブ信号である。また、制御回路
３１は平行平板ガラス６４０回転角度を定める駆動信号
Ｓｅを、駆動部６６に出力する。尚、ウニノ・ホルダ８
のＺ方向の駆動は、信号処理回路３０からの検出情報に
だけ基づいて行なわれるはかシでなく、検波信号Ｓｄに
も応じて行なわれる。すなわち駆動回路３４がその検出
情報と検波信号Ｓｄのいずれに応じて行なわれるかは制
御回路３１によって適宜選択される。

さて、第１９図は制御回路３１内に設けられた検波信号
Ｓｄの処理回路の回路ブロック図である。

検波信号Ｓｄは切替信号Ｓ１に応答して切替動作を行な
うスイッチ９０に入力する。差動回路９１は検波信号Ｓ
ｄの零レベル（アース電位）からの偏差に応じた差信号
をスイッチ９０に出力する。

スイッチ９０は切替信号Ｓ１に応じて、検波信号Ｓｄと
、その差信号のいずれか一方の信号をアナログ−デジタ
ル変換器（以下、ＡＤＣとする）９２に出力する。ＡＤ
Ｃ９２は、入力した検波信号Ｓ屯又は差信号をデジタル
データＤ２に変換すると、ともに、ランチ回路９３にも
出力する。ランチ回路９３は信号Ｓ２に応じて、データ
Ｄ２のランチを行なうか否かを切替える。そして、この
ランチ回路９３を介して出力されたデータＤ２が前述の
駆動信号Ｓｅになる。このような構成において、スイッ
チ９０は、平行平板ガラス６４０角度を較正（ギヤリブ
１／−ジヨン）する際は差動回路９１の差信号を選択し
、ウェハ７の上下方向の位置検出（焦点検出）の際は検
波信号Ｓｄを選択するように制御回路３１によって切替
えられる。

以上のような投光器５０と受光器５１とによって構成さ
れた焦点検出系は、撮像装置２１を用いたスルー・ザ・
レンズ（ＴＴＬ）方式による焦点検出とは異なり、結像
光束１４が感光剤を感光させない波長の光であるため、
ウェハ７の移動中、又は露光動作中に同時に焦点検出が
可能であり、その検出も高速である。

次に本実施例の動作を説明する。撮像装置２１を使って
マークＭＲの合焦動作を行なう第１段階から、基準マー
ク板１２上のマークＭＦ（又はウェハ７上のマーク）の
合焦動作を行なう第２段階までは、先の実施例と全く同
様に実行される。そ　−して、マークＭＦが設けられた
基準マーク板１２（７）８面１２　ａ　（又はウェハ７
のパターン面７ａ）が結像面ＰＯと一致した状態で、制
御回路３１はを移動し、投光器５０と受光器５１とで構
成された焦点検出系の較正を行なう第３段階を開始する
。

その投光器５０と受光器５１で構成された焦点検出系の
キャリブレーションは第２０図のフローチャート図に基
づいて行なわれる。以下、そのためのステップ３００〜
３０５を説明する。

〔ステップ３００，３０１） 制御回路３１は切替信号Ｓ１を出力して、差動回路９１
の差信号を選択する。引き続き制御回路３１け信号Ｓ２
を出力して、ラッチ回路９３のラッチ動作を解除する。

これによシ、平行平板ガラス６４はその差信号に応じて
フィードバック制御で回転し、その差信号が零になった
時点でその回転を停止する。この様子を第２１図に示す
。第２１図では横軸は基準マーク板１２の上下方向（Ｚ
方向）の位置を表わし、縦軸は検波信号Ｓｄの大きさく
レベル）を表わす。今、ランチを解除した直後で、検波
信号Ｓｄは特性ＳＤ１のようにレベルが−Ｓｄｏにある
ものとする。すなわち、特性ＳＤ１に従った場合は、第
１段階と第２段階の終了時に基準マーク板１２の表面１
２＆と結像面ＰＯとが位置Ｚｏで一致しているにもかか
わらず、位置ＺＯから−ＺＩだけ基準マーク板１２が降
下した位置に合焦点が存在するように検出されてしまう
。そこで、差動回路９１はその１ノベルーＳｄ。

の差信号を出力して、平行平板ガラス６４の角度を変え
る。これにともない１ノベルーＳｄｏは小さくなり、特
性ＳＤ１は位置ｚＯで零レベルとなるような特性ＳＤ２
に直される。

〔ステップ３０２．３０３） 制御回路３１はＡＤＣ９２からのデータＤ２を読み込み
、Ｄ２が零になったか否か、すなわち、差動回路９１の
差信号が零になったか否かを判断する。このとき、デー
タＤ２が完全に零になる場合はよいが、ＰＳＤ８２のノ
イズ成分がＬ　Ｐ　Ｆ１ａによって完全に除去されない
場合を考慮して、データＤ２が零を含むある範囲内のレ
ベルに入ったか否かを判断するようにする。こうして、
データＤ２がほぼ零と判断されると、特性ＳＤＩは特性
ＳＤ２に直されたことになる。

〔ステップ３０４，３０５） 次に制御回路３１は信号Ｓ２を出力して、ラッチ回路９
３のラッチを行ない、以後、再度信号Ｓ２が入力される
まで、そのラッチ状態を保ち続ける。

そして、平行平板ガラス６４の駆動部６６はそのランチ
されたデータ（駆動信号Ｓｅ）を基準値として、以後設
定された平行平板ガラス６４の角度を維持し続ける。最
後に制御回路３１は切替信号Ｓ１を出力して、検波信号
Ｓｄを選択する。

以上のようにして、第１６．１７図に示した焦点検出系
のキャリブレーションが終了する。そして実際にウェハ
７にレチクル３のパターンヲ投影露光するときは、制御
回路３１が検波信号ＳｄのデータＤ２を読み込み、その
値が零になるように、駆動回路３４、モータ３５を制御
して、ウェハ７を上下動させればよい。

以上、本実施例では、光学的な斜入射方式の焦点検出系
を備えた装置を用いたが、その他に、ウェハ７に微小開
口のノズルからエアーをふきかけ、その背圧を検出して
ウェハ７の２方向の位置を検出する、いわゆるエアマイ
クロ方式の焦点検出系のキャリブレーションに応用して
も全く同様の効果が得られる。

（発明の効果） 以上のように本発明によれば、マスク上の第１マークを
検出すると共に、ウェハ等の被投影物上の第２マークを
投影光学系を介して検出する、いわゆるスループ・レン
ズ（ＴＴＬ）方式の光学系を設け、第１マークに対して
はこの光学系を調整して焦点合せを行ない、その後、Ｋ
２マークに対しては被投影物と投影光学系との間隔を光
軸方向に変化させて焦点合せを行なうようにしだ。この
ためマスクを構成する透明基板（ガラス板）の厚さが変
化しても常に最良のコントラストで第１７〜り、第２マ
ークを検出できる。このためマスクのアライメントマー
クと被投影物上のアライメントマークとをＴＴＬ方式で
検出して２次元的な位置合せを行なう場合、両アライメ
ントマークは同時に合焦状態で検出され、位置合せの精
度向上が期待できる。さらに、投影光学系自体の光学特
性の変動、特に最良結像面の位置変動（フォーカスシフ
ト）が生じたとしても、マスクと被投影物とは投影光学
系に関して共役に維持されるので、被投影物上にはマス
クのパターン像が常に合焦状態（ベストフォーカス）で
投影される。このためこの種の投影装置によって露光さ
れて作られたＩＣやＬＳ、Ｉ等の半導体装置の不良率が
低減し、その結果、生産の歩留シが向上するという効果
も得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例による縮小投影型露光装
置の概略的な光学配置図、第２図は制御系の回路ブロッ
ク図、第３図は第１図に示した投影型露光装置に使用す
るレティクル（マスク）の平面図、第４図は基準マーク
板の平面図、第５図は信号処理回路の具体的な回路ブロ
ック図、第６図、第７図は第１の実施例における動作を
説明するフローチャート図、第８図は焦点ずれの様子を
簡単に説明するだめの模式図、第９図は撮像装置によっ
て撮像されたレティクル上のマークＭＲの様子を示す図
、第１０図はその時に得られる画像信号の波形図、第１
１図は焦点が゛ずれた時の画像信号の波形図、第４２図
は画像信号から得たコントラストの特性図、第１３図は
焦点が合った時の画像信号の波形図、第１４は撮像され
たマークＭＲと基準マーク板のマークＭＦの様子を示す
図、第１５図はこの時に得られる画像信号の一例を示す
波形図、第１６図は本発明の第２の実施例による投影型
露光装置の構成を示す配置図、第１７図は光学的な斜入
射式の焦点検出系の光学配置図、第１８図は第２図の制
御系に第１７図の焦点検出系のための回路を付加した回
路ブロック図、第１９図は制御回路３１に設けられた検
波信号Ｓｄの処理回路を示す回路ブロック図、第２０図
は第２の実施例において、第１７図の焦点検出系をキャ
リブレーション（較正）するための動作を説明するフロ
ーチャート図、第２１図はキャリブレーションの様子を
説明する検波信号Ｓｄの特性図である。 〔主要部分の符号の説明〕 ３・・　１／テイクル（マスク）、５　・・・縮小投影
１／ンス、７・・・ウェハ、８・・・ウェハホルダ、１
４・・・反射鏡、１５・・・第１対物１／ンズ、１６・
・・第２対物レンズ、１７・・・ビームスフリツタ、２
１・・・撮像装置、３０・・・信号処理回路、５０・・
・投光器、　５１・・・受光器出願人　日本光学工業株
式会社 代理人渡辺隆男 第１６図 第１ｇ図 第１ｑ図 ５ブ ”１５ｚｏ図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して
   被投影物に投影する装置において、前記マスクに設けら
   れた第１マークの像を所定の結像面に形成するための像
   形成光学系と；前記第１マーク像が前記結像面に合焦す
   るように前記像形成光学系を調整する調整手段と；前記
   被投影物に設けられた第２マークの像を前記調整された
   像形成光学系と前記投影光学系とを介して形成し、該第
   ２マーク像が前記結像面に合焦するように前記被投影物
   と前記投影光学系との間隔を変える位置決め手段とを備
   えたことを特徴とする投影装置の焦点合せ装置。