JP4604651B2 - 焦点検出装置 - Google Patents

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Description

本発明は、物体面の焦点検出を行う焦点検出装置に関し、特に、半導体素子や液晶表示素子などの製造工程において基板(半導体ウエハや液晶基板など)に形成されたマークの位置を高精度に検出する際のフォーカス調整に好適な焦点検出装置に関する。
半導体素子や液晶表示素子などの製造工程では、周知のリソグラフィ工程を経てレジスト層に回路パターンが転写され、このレジストパターンを介してエッチングなどの加工処理を行うことにより、所定の材料膜に回路パターンが転写される(パターン形成工程)。そして、このパターン形成工程を何回も繰り返し実行することにより、様々な材料膜の回路パターンが基板(半導体ウエハや液晶基板)の上に積層され、半導体素子や液晶表示素子の回路が形成される。
さらに、上記の製造工程では、様々な材料膜の回路パターンを精度よく重ね合わせるため(製品の歩留まり向上を図るため)、各々のパターン形成工程のうち、リソグラフィ工程の前に、基板のアライメントを行い、リソグラフィ工程の後でかつ加工工程の前に、基板上のレジストパターンの重ね合わせ検査を行っている。なお、基板のアライメントには、1つ前のパターン形成工程で下地層に形成されたアライメントマークが用いられる。レジストパターンの重ね合わせ検査には、現在のパターン形成工程でレジスト層に形成された重ね合わせマークと、1つ前のパターン形成工程で下地層に形成された重ね合わせマークとが用いられる。
また、基板のアライメントを行う装置や、基板上のレジストパターンの重ね合わせ検査を行う装置には、上記のアライメントマークや重ね合わせマーク(総じて単に「マーク」という)の位置を検出する装置が組み込まれている。位置検出装置では、検出対象のマークを視野領域内に位置決めし、自動的にフォーカス調整を行った後、そのマークの画像をCCDカメラなどの撮像素子によって取り込み、マークの画像に対して所定の画像処理を施すことにより、マークの位置検出を行う。
さらに、上記の位置検出装置には、フォーカス調整の際に物体面の焦点検出を行う装置も組み込まれている。物体面の焦点検出とは、結像手段の焦点面(つまり合焦面)に対する物体面の位置関係に応じたフォーカス信号の生成に相当する。フォーカス信号は、物体面を合焦面に一致させるための制御信号として用いられ、物体面と合焦面との相対位置を調整する手段(例えば基板を支持するステージの制御装置)に出力される。
従来の焦点検出装置としては、例えば瞳分割方式が提案されている(例えば特許文献1を参照)。この装置では、視野絞りを介して物体面を照明し、物体面からの光に基づいて視野絞りの像を2分割して形成し、2つの像の間隔を検知してフォーカス信号を生成する。2つの像の間隔は、例えば、物体面が結像手段に近づくほど大きく、結像手段から離れるほど小さくなり、合焦面に対する物体面の位置関係に比例して線形的に増減する。また、物体面が合焦面に一致するときの間隔は既知である。そして、2つの像の間隔と既知の間隔との差に応じてフォーカス信号が生成される。
特開平10−223517号公報
しかしながら、上記の焦点検出装置では、合焦面に対する物体面の位置関係に比例して2つの像の間隔が線形的に増減するため、物体面のデフォーカス量(合焦面からの位置ずれ量)が大きくなると、2つの像の内側部分が互いに重なり合ったり、2つの像の外側部分がセンサの受光領域から食み出したりする。そのため、2つの像の間隔を検知できなくなり、フォーカス信号の生成が困難になってしまう。
焦点検出装置においてフォーカス信号を生成できなければ、物体面を合焦面に一致させるオートフォーカス動作が正常に機能しなくなり、その後の処理(例えば上記したマークの位置検出)を良好に行うこともできない。物体面のデフォーカス量として許容できる範囲、つまり、オートフォーカス動作が正常に機能する範囲は、焦点検出装置においてフォーカス信号を生成可能な範囲と一致し、以下の説明では「オートフォーカス動作の引き込み範囲」という。
上記の焦点検出装置において、オートフォーカス動作の引き込み範囲は、2つの像の内側部分が互いに重なり合うような物体面の位置から、2つの像の外側部分がセンサの受光領域から食み出すような物体面の位置までとなる。そして、この引き込み範囲を拡大するためには、物体面のデフォーカス量が大きくなっても2つの像の内側部分が重なり合わず、また、2つの像の外側部分がセンサから食み出さないように、センサや光学系を大型化する必要があり、コストアップにつながってしまう。
本発明の目的は、オートフォーカス動作の引き込み範囲を簡易に拡大できる焦点検出装置を提供することにある。
請求項1に記載の焦点検出装置は、第1視野絞りを含み、該第1視野絞りを介して物体面を照明する照明手段と、第2視野絞りを含み、前記物体面から発生した光に基づいて前記第1視野絞りの第1中間像を前記第2視野絞りの配置面に形成すると共に、前記物体面が合焦面を含む所定範囲内に位置するときに前記第2視野絞りによって前記第1中間像を遮断せずに通過させ、前記物体面が前記所定範囲外に位置するときに前記第2視野絞りによって前記第1中間像の一部を遮断して残りの一部を通過させる第1結像手段と、前記第1結像手段からの光を瞳分割して再結像することにより、前記第2視野絞りを介した前記第1視野絞りの1対の第2中間像を形成し、その形成面の強度プロファイルを検出する第2結像手段と、前記第2結像手段が検出した強度プロファイルに基づき、前記第1視野絞りの1対の第2中間像の間隔を検知して、前記物体面の前記合焦面に対する位置関係に応じたフォーカス信号を生成する生成手段とを備え、前記第2視野絞りは、前記第1視野絞りと共役であり、前記配置面において前記瞳分割の方向と等価な方向に関し、次の条件式を満足し、A 1 < A 2 < (1+NA)×A 1、 1 :物体面が合焦面に一致するときの前記第1視野絞りの第1中間像の1次元的な長さ、A 2 :前記第2視野絞りの1次元的な長さ、NA:前記第1結像手段の物体面側の開口数、前記生成手段は、前記強度プロファイルに対して所定のスライスレベルを設定し、そのスライスレベルにおける4つの交点位置に基づき、前記第1視野絞りの1対の第2中間像の間隔を算出するものである。
本発明の焦点検出装置によれば、オートフォーカス動作の引き込み範囲を簡易に拡大することができる。
以下、図面を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。
ここでは、本実施形態の焦点検出装置について、図1に示す重ね合わせ測定装置10を例に説明する。重ね合わせ測定装置10は、半導体素子や液晶表示素子などの製造工程において、基板11のレジストパターン(不図示)の重ね合わせ検査を行う装置である。重ね合わせ検査では、基板11の下地層に形成された回路パターン(以下「下地パターン」という)に対するレジストパターンの位置ずれ量の測定が行われる。
重ね合わせ測定装置10には、図1(a)に示す通り、基板11を支持するステージ12と、照明光学系(13〜19)と、結像光学系(19〜23)と、CCD撮像素子25と、画像処理部26と、焦点検出部(40〜48)と、ステージ制御部27とが設けられる。このうち、照明光学系(13〜19)と結像光学系(19〜23)の一部の光学素子(19,20)と焦点検出部(40〜48)とが、本実施形態の焦点検出装置として機能する。
ステージ12は、図示省略したが、基板11を水平状態に保って支持するホルダと、このホルダを水平方向(XY方向)に駆動するXY駆動部と、ホルダを鉛直方向(Z方向)に駆動するZ駆動部とで構成されている。そして、XY駆動部とZ駆動部は、ステージ制御部27に接続されている。
ここで、基板11は、半導体ウエハや液晶基板などであり、レジスト層に対する露光・現像後で、所定の材料膜に対する加工前の状態にある。基板11には、重ね合わせ検査のために多数の測定点が用意されている。測定点の位置は、各ショット領域の四隅などである。各測定点には、レジストパターンの基準位置を示すレジストマークと下地パターンの基準位置を示す下地マークとが形成されている。以下の説明では、レジストマークと下地マークとを総じて「重ね合わせマーク11A」という。
上記の基板11がステージ12のホルダに支持された状態で、ステージ制御部27は、ステージ12のXY駆動部を制御し、ホルダをXY方向に移動させて、基板11上の重ね合わせマーク11Aを視野領域内に位置決めする。また、焦点検出部(40〜48)から出力される後述のフォーカス信号に基づいて、ステージ12のZ駆動部を制御し、ホルダをZ方向に上下移動させる。このフォーカス調整により、基板11の表面(物体面)をCCD撮像素子25の撮像面に対して合焦させることができる。
照明光学系(13〜19)は、光源部13と、光軸O1に沿って順に配置された照明開口絞り14とコンデンサーレンズ15と照明視野絞り16と照明リレーレンズ17とビームスプリッタ18と、光軸O2上に配置された第1対物レンズ19とで構成されている。ビームスプリッタ18は、反射透過面が光軸O1に対して略45°傾けられ、光軸O2上にも配置されている。照明光学系(13〜19)の光軸O1は、結像光学系(19〜23)の光軸O2に垂直である。
また、光源部13は、光源3Aとコレクタレンズ3Bと光源リレーレンズ3Cとライトガイドファイバ3Dとで構成される。光源3Aは、波長帯域の広い光(例えば白色光)を射出する。上記の光源部13において、光源3Aから射出された広帯域波長の光は、コレクタレンズ3Bと光源リレーレンズ3Cとライトガイドファイバ3Dとを介して、照明開口絞り14に導かれる。
照明開口絞り14は、その中心が光軸O1上に位置し、光源部13から射出された広帯域波長の光の径を特定の径に制限する。コンデンサーレンズ15は、照明開口絞り14からの光を集光する。照明視野絞り16は、重ね合わせ測定装置10の視野領域を制限する光学素子であり、図1(b)に示すように、矩形状の開口である1つのスリット16aを有する。照明リレーレンズ17は、照明視野絞り16のスリット16aからの光をコリメートする。ビームスプリッタ18は、照明リレーレンズ17からの光を下向きに反射する。
上記の構成において、光源部13から射出された広帯域波長の光は、照明開口絞り14とコンデンサーレンズ15とを介して、照明視野絞り16を均一に照明する。そして、照明視野絞り16のスリット16aを通過した光は、照明リレーレンズ17を介してビームスプリッタ18に導かれ、その反射透過面で反射した後(照明光L1)、光軸O2上の第1対物レンズ19に導かれる。
第1対物レンズ19は、ビームスプリッタ18からの照明光L1を入射して集光する。これにより、ステージ12上の基板11は、第1対物レンズ19を透過した広帯域波長の照明光L1によって垂直に照明される(落射照明)。上記の照明光学系(13〜19)は、照明視野絞り16を介して基板11の表面(物体面)を照明する手段(請求項の「照明手段」)として機能する。照明視野絞り16は、請求項の「第1視野絞り」に対応する。
なお、基板11に入射するときの照明光L1の角度は、照明開口絞り14の中心と光軸O1との位置関係によって決まる。また、基板11の各点における照明光L1の入射角度範囲は、照明開口絞り14の絞り径によって決まる。照明開口絞り14が第1対物レンズ19の瞳と共役な位置関係にあるからである。
さらに、照明視野絞り16と合焦状態の基板11の表面(物体面)とは共役な位置関係にあるため、基板11の表面(物体面)のうち、照明視野絞り16のスリット16aに対応する領域が照明光L1によって照明される。つまり、基板11の表面(物体面)には、照明リレーレンズ17と第1対物レンズ19の作用によって、スリット16aの像が投影される。
基板11の表面(物体面)において、スリット16aの像は、その長手方向(図1(b)のB方向に等価な方向)と短手方向(図1(b)のA方向に等価な方向)が、物体面上に存在するストリートパターンと45度の角度を成すように形成される。実際の処理では、基板11をステージ12に搬送する際、基板11のストリートパターンがスリット16aの像の長手方向と短手方向に対して45度の角度を成すように搬送される。このような角度関係を保つことで、オートフォーカス動作時のパターンの影響による誤差を低減できる。また、基板11上の重ね合わせマーク11Aは、スリット16aの像が投影されている領域(照明領域)の中心付近に位置決めされる。
そして、上記した広帯域波長の照明光L1が照射された基板11の領域から、反射光L2が発生する。基板11からの反射光L2は、結像光学系(19〜23)に導かれる。
結像光学系(19〜23)は、光軸O2に沿って順に配置された第1対物レンズ19と第2対物レンズ20と第1結像リレーレンズ21と結像開口絞り22と第2結像リレーレンズ23とで構成されている。結像光学系(19〜23)の光軸O2は、Z方向に平行である。なお、第1対物レンズ19と第2対物レンズ20との間には、照明光学系(13〜19)のビームスプリッタ18が配置され、第2対物レンズ20と第1結像リレーレンズ21との間には、焦点検出部(40〜48)のビームスプリッタ40が配置されている。ビームスプリッタ18,40は、光の振幅分離を行うハーフプリズムである。
そして、第1対物レンズ19は、基板11からの反射光L2をコリメートする。第1対物レンズ19でコリメートされた反射光L2は、上記のビームスプリッタ18を透過して第2対物レンズ20に入射する。第2対物レンズ20は、ビームスプリッタ18からの反射光L2を1次結像面10a上に集光する。
1次結像面10aの前段に配置された焦点検出部(40〜48)のビームスプリッタ40は、焦点検出部(40〜48)の光軸O3と結像光学系(19〜23)の光軸O2に対して、反射透過面が略45°傾けられている。そして、ビームスプリッタ40は、第2対物レンズ20からの反射光L2の一部(L3)を透過すると共に、残りの一部(L4)を反射する。ビームスプリッタ40を透過した一部の光L3は、1次結像面10aを介した後、結像光学系(19〜23)の第1結像リレーレンズ21に導かれる。第1結像リレーレンズ21は、ビームスプリッタ40からの光L3をコリメートする。
結像開口絞り22は、第1対物レンズ19の瞳と共役な面に配置され、第1結像リレーレンズ21からの光の径を特定の径に制限する。第2結像リレーレンズ23は、結像開口絞り22からの光をCCD撮像素子25の撮像面(2次結像面)上に再結像する。
上記の結像光学系(19〜23)では、視野領域内に基板11上の重ね合わせマーク11Aが位置決めされているとき、そのマークの像(基板11からの反射光L2に基づく像(反射像))をCCD撮像素子25の撮像面に形成する。
CCD撮像素子25は、複数の画素が2次元配列されたエリアセンサであり、その撮像面が結像光学系(19〜23)の像面と一致するように配置され、基板11上の重ね合わせマーク11Aの像を撮像して、画像信号を画像処理部26に出力する。画像信号は、CCD撮像素子25の撮像面における各画素ごとの輝度値に関する分布(輝度分布)を表している。
画像処理部26は、CCD撮像素子25からの画像信号に基づいて、基板11上の重ね合わせマーク11Aの画像を取り込み、その画像に対して重ね合わせ検査用の画像処理を施す。そして、基板11の重ね合わせ検査(下地パターンに対するレジストパターンの重ね合わせ状態の検査)を行う。重ね合わせ検査では、重ね合わせマーク11Aのレジストマークと下地マークの位置検出や、重ね合わせマーク11Aの重ね合わせ量の計測が行われる。なお、画像処理部26を介して、不図示のテレビモニタよる観察も可能である。
次に、焦点検出部(40〜48)の説明を行う。
焦点検出部(40〜48)は、結像光学系(19〜23)の第2対物レンズ20と1次結像面10aとの間に配置され、光軸O3に沿って順に配置されたビームスプリッタ40とAF視野絞り41とAF第1リレーレンズ42と平行平面板43と瞳分割ミラー44とAF第2リレーレンズ45とシリンドリカルレンズ46とからなる光学系、AFセンサ47、および、信号処理部48により構成される。
焦点検出部(40〜48)には、ビームスプリッタ40で反射した一部の光L4(以下「AF光L4」という)が導かれる。AF光L4は、物体面から発生した光(反射光L2)の一部である。この焦点検出部(40〜48)は、上記の照明光学系(13〜19)と結像光学系(19〜23)の一部の光学素子(19,20)と共に、本実施形態の焦点検出装置として機能する。本実施形態の焦点検出装置は、基板11の表面(物体面)がCCD撮像素子25の撮像面に対して合焦状態にあるか否かを検出する、つまり、物体面の焦点検出を行うものである。
焦点検出部(40〜48)において、ビームスプリッタ40からのAF光L4は、まず、AF視野絞り41に入射する。AF視野絞り41は、合焦状態の基板11の表面(物体面)と共役であり、照明視野絞り16と共役である。そして、AF視野絞り41の配置面には、第1対物レンズ19と第2対物レンズ20の集光作用によって、照明視野絞り16の中間像16b(図2参照)が形成される。AF視野絞り41と第1対物レンズ19と第2対物レンズ20は、総じて、請求項の「第1結像手段」に対応する。AF視野絞り41は、請求項の「第2視野絞り」に対応する。
照明視野絞り16の中間像16bの中心は、常に光軸O3上にあり、結像光学系(19〜23)の焦点面(つまり合焦面)に対する基板11の表面(物体面)の位置関係が変化しても動くことはない。そして、合焦面に対する物体面の位置関係が変化すると、照明視野絞り16の中間像16bの輪郭のボケ具合が変化する。
図2(a)は物体面が合焦面に一致するとき(合焦状態のとき)に中間像16bを光軸O3の方向から見た図である。図2(b)は合焦状態の中間像16bの強度プロファイルを示しており、この場合には中間像16bの輪郭がボケていない(シャープになる)ことが分かる。図2(c)は物体面が合焦面から外れたとき(デフォーカス状態のとき)の中間像16bの強度プロファイルを示しており、この場合には中間像16bの輪郭がボケていることが分かる。
このような照明視野絞り16の中間像16bに対し、AF視野絞り41の大きさA2は、次の条件式(1)を満足するように設定される。大きさA2は、AF視野絞り41の計測方向(x方向)に関する1次元的な長さである。また、条件式(1)の大きさA1は、合焦状態の中間像16bの計測方向に関する1次元的な長さである。開口数NAは、結像光学系(19〜23)の物体面側の開口数である。
1 < A2 < (1+NA)×A1 …(1)
条件式(1)を満足するようなAF視野絞り41の大きさA2とは、計測方向(x方向)に関し、合焦状態の中間像16bの大きさA1より大きく、合焦状態の中間像16bの大きさA1の(1+NA)倍以下となるような大きさであればよい。AF視野絞り41の大きさA2を(1+NA)×A1程度とした場合でも、AF視野絞り41のエッジにデフォーカスした中間像の一部が重なり、AF視野絞り41のエッジ像で検知できることがシミュレーションにより分かっている。本実施形態では、結像光学系(19〜23)の物体面側の開口数NAを0.75とし、AF視野絞り41の大きさA2を1.3×A1とした。なお、非計測方向(y方向)に関しては、合焦状態の中間像16bの大きさA3の1.3倍をAF視野絞り41の大きさA4とした。
このため、物体面が合焦面を含む所定範囲内に位置するときには、中間像16bの輪郭のボケ(広がり)が小さく、AF視野絞り41によって中間像16bを遮断せずに通過させることができる。これに対し、物体面が所定範囲外に位置するときには、中間像16bの輪郭のボケが大きく、AF視野絞り41によって中間像16bの一部(つまり輪郭部分)を遮断して残りの一部を通過させることができる。
AF視野絞り41を通過したAF光L5(図1)は、AF第1リレーレンズ42によってコリメートされ、平行平面板43を透過して、瞳分割ミラー44に入射する。瞳分割ミラー44上には、照明開口絞り14の像が形成される。瞳分割ミラー44には、AF光L5の中央部を遮光して周辺部を透過する遮光絞り4Aが取り付けられ、ゴーストなどの迷光を除去している。平行平面板43は、照明開口絞り14の像を瞳分割ミラー44の中心に位置調整するための光学素子であり、チルト調整が可能な機構になっている。
瞳分割ミラー44に入射したAF光L5は、そこで2方向の光に振幅分離(つまり2分割)された後、AF第2リレーレンズ45とシリンドリカルレンズ46を介して、AFセンサ47の撮像面47aの近傍に集光される。このとき、AFセンサ47の撮像面47aには、計測方向(S方向)に沿って離れた位置に、図3(a)に示すような照明視野絞り16の最終像16c(1),(2)が形成される。最終像16c(1),(2)は、シリンドリカルレンズ46の屈折力によって非計測方向(S方向に垂直な方向)に圧縮された形状となっている。
上記のAF第1リレーレンズ42と瞳分割ミラー44とAF第2リレーレンズ45とシリンドリカルレンズ46は、AF視野絞り41からのAF光L5に基づいて照明視野絞り16の最終像16c(1),(2)を2分割して形成する手段(請求項の「第2結像手段」)として機能する。
ここで、AFセンサ47の撮像面47aにおける計測方向(S方向)は、上記した瞳分割ミラー44(図1)による2分割の方向と等価であり、AF視野絞り41の配置面(図2)における計測方向(x方向)と等価である。また、AFセンサ47の撮像面47aにおける非計測方向(S方向に垂直な方向)は、AF視野絞り41の配置面における非計測方向(y方向)と等価である。
図3(a)に示す点線枠51,52は、AFセンサ47の撮像面47aに投影されるAF視野絞り41の位置を表している。撮像面47aとAF視野絞り41が共役なため、撮像面47aに投影されるAF視野絞り41の位置(点線枠51,52)は、合焦面に対する物体面の位置関係が変化しても動くことはない。これに対して、照明視野絞り16の最終像16c(1),(2)は、合焦面に対する物体面の位置関係が変化すると、最終像16c(1),(2)の間隔が変化すると共に、その輪郭のボケ具合も変化する。
このような最終像16c(1),(2)の変化について、図4(a),(b),(c)の模式図を用いて説明する。図4(a),(b),(c)は、各々、物体面が合焦面より下側(−側)にデフォーカスした前ピン状態,物体面が合焦面に一致した合焦状態,物体面が合焦面より上側(+側)にデフォーカスした後ピン状態のときの様子である。
図4(a),(b),(c)から分かるように、最終像16c(1),(2)は、前ピン状態(a)ほど互いに接近し、後ピン状態(c)ほど互いに離れる。つまり、ステージ12をZ方向に上下させ、物体面と合焦面との位置関係を変化させると、最終像16c(1),(2)は、AFセンサ47の撮像面47aの計測方向(S方向)に沿って近づいたり離れたりする。つまり、最終像16c(1),(2)の間隔が変化する。さらに、AF光L5の集束位置が光軸O3の方向に沿って移動するため、最終像16c(1),(2)の輪郭のボケ具合も変化する。
ただし、AF視野絞り41が開口の外側の光束を遮断すると同様、AFセンサ47の撮像面47aにおいては、近似的に、図3(a)に示すAF視野絞り41の投影位置(点線枠51,52)の外側に光束が入射しないと考えられる。
このため、図4(c)のような後ピン状態で、最終像16c(1),(2)の間隔が大きくなると、図3(b)の点線枠51,52から食み出す部分は遮断され、残りの部分によって最終像16c(1),(2)が形成されることになる。図3(b)の太い点線枠53,54は、AF視野絞り41を省略した場合の最終像16c(1),(2)の輪郭を表す。この点線枠53,54とAF視野絞り41の投影位置(点線枠51,52)との重なり部分が、実際の最終像16c(1),(2)となる。図3(b)では最終像16c(1),(2)の輪郭のボケ具合を図示省略した。
また同様に、図4(a)のような前ピン状態で、最終像16c(1),(2)の間隔が小さくなると、図3(c)の点線枠51,52から食み出す部分は遮断され、残りの部分によって最終像16c(1),(2)が形成される。この場合にも、図3(c)の太い点線枠53,54は、AF視野絞り41を省略した場合の最終像16c(1),(2)の輪郭を表す。そして、太い点線枠53,54とAF視野絞り41の投影位置(点線枠51,52)との重なり部分が、実際の最終像16c(1),(2)となる。図3(c)でも輪郭のボケ具合を図示省略した。
図3(a)〜(c)のような最終像16c(1),(2)を撮像するため、AFセンサ47(図1)にはラインセンサが用いられる。AFセンサ47の撮像面47aには複数の画素が1次元配列されている。撮像面47aにおける画素の配列方向は、計測方向(S方向)に平行である。撮像面47aの計測方向(S方向)の大きさは、AF視野絞り41の投影位置(点線枠51,52)を含むような大きさである。AFセンサ47は、撮像面47a上の最終像16c(1),(2)を撮像すると、最終像16c(1),(2)の強度プロファイルに関する撮像信号を後段の信号処理部48に出力する。
物体面が合焦面に一致しているとき(合焦状態)、AFセンサ47の撮像面47aにおける最終像16c(1),(2)は図5(a)のような位置に輪郭がボケることなく形成され、最終像16c(1),(2)の強度プロファイルは図5(b)のようになる。図5(b)には、AF視野絞り41の投影位置(点線枠51,52)に対応するエッジ位置をS1〜S4で示した。エッジ位置S1,S2の間は点線枠51の内側に対応し、エッジ位置S3,S4の間は点線枠52の内側に対応する。
また、物体面が合焦面を含む所定範囲内に位置するとき(合焦状態に近いとき)、最終像16c(1),(2)には多少の輪郭のボケが現れ、最終像16c(1),(2)の間隔は上記の合焦状態と比較して少し大きく(または小さく)なるが、エッジ位置S1〜S4によって最終像16c(1),(2)が遮断されることはない。このため、AF視野絞り41を省略した場合と同じ大きさの最終像16c(1),(2)が、それぞれ、エッジ位置S1,S2の間とエッジ位置S3,S4の間の完全に内側に形成される。この場合、エッジ位置S1〜S4が像として写り込むことはない。
信号処理部48は、図5(b)のような最終像16c(1),(2)の強度プロファイルに対して、所定のスライスレベル(例えば50%)を設定し、このスライスレベルにおける4つの交点K1〜K4の位置を求め、最終像16c(1),(2)の間隔ΔLを求める。そして、予め記憶している合焦状態での間隔ΔLoとの差(つまり[ΔL−ΔLo]または[ΔLo−ΔL])を求め、フォーカス信号を生成する。
フォーカス信号は、合焦面に対する物体面の位置関係に応じた信号であり、物体面を合焦面に一致させるための制御信号としてステージ制御部27に出力される。なお、AFセンサ47と信号処理部48とは、総じて、2分割された最終像16c(1),(2)の間隔を検知して、物体面の合焦面に対する位置関係に応じたフォーカス信号を生成する手段(請求項の「生成手段」)として機能する。
物体面が合焦面を含む所定範囲内に位置するとき(つまり最終像16c(1),(2)がエッジ位置S1〜S4によって遮断されないとき)、最終像16c(1),(2)の間隔ΔLは、合焦面に対する物体面の位置関係が変化すると、この変化に比例して線形的に増減する。したがって、最終像16c(1),(2)の間隔ΔLと合焦状態での間隔ΔLoとの差から生成したフォーカス信号は、物体面の正確なオフセット(デフォーカス量)を表す制御信号となる。
一方、物体面が上記の所定範囲外に位置し、合焦面より上側(+側)にデフォーカスした後ピン状態のとき(図4(c)参照)、AFセンサ47の撮像面47aにおける最終像16c(1),(2)は、図6(a)のような位置に輪郭がボケた状態(図6(b)参照)で形成される。図6(b)の強度プロファイルは、図6(a)の太い点線枠53,54に対応する(つまりAF視野絞り41を省略した場合の)ものである。
そして、実際には、図6(b)の強度プロファイルのうち斜線部以外がエッジ位置S1とエッジ位置S4によって遮断される。このため、実際の強度プロファイルは、図6(c)のようになる。この場合、図6(c)の強度プロファイルには、エッジ位置S1とエッジ位置S4が像として写り込んでいる。このようなエッジ位置S1,S4の投影は、AF視野絞り41の配置面において(図2)、AF視野絞り41の計測方向(x方向)のエッジを、照明視野絞り16のボケた中間像16bにより照明したことに起因する。
このような場合でも、信号処理部48は、図6(c)のような最終像16c(1),(2)の強度プロファイルに対して、所定のスライスレベル(例えば50%)を設定し、このスライスレベルにおける4つの交点K1〜K4の位置を求め、最終像16c(1),(2)の間隔ΔL(+)を求める。そして、予め記憶している合焦状態での間隔ΔLoとの差(つまり[ΔL(+)−ΔLo]または[ΔLo−ΔL(+)])を求め、フォーカス信号を生成する。このフォーカス信号もステージ制御部27に出力される。
物体面が上記の所定範囲外に位置し、合焦面より上側(+側)にデフォーカスした後ピン状態のとき(つまり最終像16c(1),(2)がエッジ位置S1,S4によって遮断されたとき)、最終像16c(1),(2)の間隔ΔL(+)は、合焦状態での間隔ΔLoよりも常に大きい値となる。また、この間隔ΔL(+)は、合焦面に対する物体面の位置関係が変化しても、この変化に比例せずに増減する。
したがって、間隔ΔL(+)に応じたフォーカス信号は、物体面の正確なオフセット(デフォーカス量)を表す信号とはならないが、物体面を下側(−側)に引き戻すための制御信号としては有効である。つまり、間隔ΔL(+)に応じたフォーカス信号は、物体面のデフォーカス方向を表す制御信号として有効である。間隔ΔL(+)に応じたフォーカス信号を用いれば、物体面を上記の所定範囲内に追い込むことができ、図5と同様の状態となる。
さらに、+側のデフォーカス量が大きくなっても、AFセンサ47の撮像面47aにおけるAF視野絞り41の投影位置(エッジ位置S1〜S4)は動かないため、最終像16c(1),(2)がエッジ位置S1,S4によって遮断される状態(図6)は同じである。したがって、+側のデフォーカス量が大きくなっても、上記と同様の間隔ΔL(+)に応じたフォーカス信号を生成することができる。そして、このフォーカス信号を用いて物体面を下側(−側)に引き戻し、上記の所定範囲内に追い込むことができる。
また逆に、物体面が上記の所定範囲外に位置し、合焦面より下側(−側)にデフォーカスした前ピン状態のとき(図4(a)参照)、AFセンサ47の撮像面47aにおける最終像16c(1),(2)は、図7(a)のような位置に輪郭がボケた状態(図7(b)参照)で形成される。図7(b)の強度プロファイルは、図7(a)の太い点線枠53,54に対応する(つまりAF視野絞り41を省略した場合の)ものである。
そして、実際には、図7(b)の強度プロファイルのうち斜線部以外がエッジ位置S2とエッジ位置S3によって遮断される。このため、実際の強度プロファイルは、図7(c)のようになる。この場合、図7(c)の強度プロファイルには、エッジ位置S2とエッジ位置S3が像として写り込んでいる。このようなエッジ位置S2,S3の投影は、AF視野絞り41の配置面において(図2)、AF視野絞り41の計測方向(x方向)のエッジを、照明視野絞り16のボケた中間像16bにより照明したことに起因する。
このような場合でも、信号処理部48は、図7(c)のような最終像16c(1),(2)の強度プロファイルに対して、所定のスライスレベル(例えば50%)を設定し、このスライスレベルにおける4つの交点K1〜K4の位置を求め、最終像16c(1),(2)の間隔ΔL(-)を求める。そして、予め記憶している合焦状態での間隔ΔLoとの差(つまり[ΔL(-)−ΔLo]または[ΔLo−ΔL(-)])を求め、フォーカス信号を生成する。このフォーカス信号もステージ制御部27に出力される。
物体面が上記の所定範囲外に位置し、合焦面より下側(−側)にデフォーカスした前ピン状態のとき(つまり最終像16c(1),(2)がエッジ位置S2,S3によって遮断されたとき)、最終像16c(1),(2)の間隔ΔL(-)は、合焦状態での間隔ΔLoよりも常に小さい値となる。また、この間隔ΔL(-)は、合焦面に対する物体面の位置関係が変化しても、この変化に比例せずに増減する。
したがって、間隔ΔL(-)に応じたフォーカス信号は、物体面の正確なオフセット(デフォーカス量)を表す信号とはならないが、物体面を上側(+側)に引き戻すための制御信号としては有効である。つまり、間隔ΔL(-)に応じたフォーカス信号は、物体面のデフォーカス方向を表す制御信号として有効である。間隔ΔL(-)に応じたフォーカス信号を用いれば、物体面を上記の所定範囲内に追い込むことができ、図5と同様の状態となる。
さらに、−側のデフォーカス量が大きくなっても、AFセンサ47の撮像面47aにおけるAF視野絞り41の投影位置(エッジ位置S1〜S4)は動かないため、最終像16c(1),(2)がエッジ位置S2,S3によって遮断される状態(図7)は同じである。したがって、−側のデフォーカス量が大きくなっても、上記と同様の間隔ΔL(-)に応じたフォーカス信号を生成することができる。そして、このフォーカス信号を用いて物体面を上側(+側)に引き戻し、上記の所定範囲内に追い込むことができる。
上記したように、本実施形態の焦点検出装置では、物体面が合焦面を含む所定範囲外に位置するとき、AF視野絞り41によって照明視野絞り16の中間像16bの一部を遮断して残りの一部を通過させるため、AFセンサ47の撮像面47a(図6または図7)でも、AF視野絞り41の投影位置(エッジ位置S1〜S4)によって照明視野絞り16の最終像16c(1),(2)を部分的に遮断することができる。
したがって、物体面の+側のデフォーカス量が大きくなっても、エッジ位置S1,S4による遮断部位(図6(c))を含む強度プロファイルにより、スライスレベルとの4つの交点K1〜K4を求めることができ、上記と同様の間隔ΔL(+)に応じたフォーカス信号を生成できる。また、物体面の−側のデフォーカス量が大きくなっても、エッジ位置S2,S3による遮断部位(図7(c))を含む強度プロファイルにより、スライスレベルとの4つの交点K1〜K4を求めることができ、上記と同様の間隔ΔL(-)に応じたフォーカス信号を生成することができる。
そして、これらのフォーカス信号(物体面のデフォーカス方向を表す制御信号)を用いて物体面を合焦面に近づける方向に引き戻し、上記の所定範囲内に追い込むことができる。このような追い込み段階の後には、物体面が所定範囲内に位置し、照明視野絞り16の中間像16bがAF視野絞り41によって遮断されずに通過するため、AFセンサ47の撮像面47a(図5)でも、照明視野絞り16の最終像16c(1),(2)がAF視野絞り41の投影位置(エッジ位置S1〜S4)によって遮断されることはない。
したがって、この場合の最終像16c(1),(2)の間隔ΔLは、合焦面に対する物体面の位置関係の変化に比例して線形的に増減する。また、この間隔ΔLに応じたフォーカス信号は、物体面の正確なオフセット(デフォーカス量)を表す制御信号となる。そして、このフォーカス信号を用い、物体面を合焦面に一致させることができる(オートフォーカス動作)。このとき、物体面(基板11の表面)はCCD撮像素子25の撮像面に対して合焦状態に位置決めされたことになる。
本実施形態の焦点検出装置において、オートフォーカス動作の引き込み範囲は、AFセンサ47の撮像面47aにおける最終像16c(1),(2)の位置が、図8(a)のようにAF視野絞り41の投影位置(点線枠51,52)の内側で最も近づくような物体面のZ位置から、図8(b)のようにAF視野絞り41の投影位置(点線枠51,52)の内側で最も離れるような物体面のZ位置までとなる。ただし、上記の引き込み範囲は、最終像16c(1),(2)の強度としてAFセンサ47が検知可能な強度を確保している場合である。
本実施形態の焦点検出装置によれば、図2に示すAF視野絞り41を設け、AFセンサ47の撮像面47aにおけるAF視野絞り41の投影位置(点線枠51,52)の内側で、最終像16c(1),(2)の間隔ΔL(または間隔ΔL(+)または間隔ΔL(-))を検知するため、オートフォーカス動作の引き込み範囲を簡易に拡大できる。
具体的には、結像光学系(19〜23)の物体面側の開口数NAを0.75とし、AF視野絞り41の計測方向の大きさA2を1.3×A1とする場合、従来と同じセンサと光学系を用いても、本実施形態の引き込み範囲を従来の1.6倍程度に拡大できる。
さらに、本実施形態の焦点検出装置では、AF視野絞り41の計測方向の大きさA2を、上記の条件式(1)を満足するように設定するため、光軸O3に対するAF視野絞り41の調整誤差があっても確実にオートフォーカス動作の引き込み範囲を拡大できる。
また、本実施形態の焦点検出装置では、AF視野絞り41の非計測方向の大きさA4を、1.3×A3としたので、物体面のデフォーカス量が大きくなって照明視野絞り16の中間像16bがボケたときに、最終像16c(1),(2)の光量の極端な落ち込みを回避できる。
さらに、本実施形態の焦点検出装置では、オートフォーカス動作の引き込み範囲を簡易に拡大できるため、重ね合わせ測定装置10のステージ12を高精度化しなくても、基板11の大型化に対応できる。近年では、半導体素子などの製造工程において、歩留まりを向上させるために、基板11の大型化が進んでいる(例えば半導体ウエハの場合には200mmサイズから300mmサイズへの移行)。そして、基板11の大型化により、基板11の平坦性が低下する恐れがある。このような場合でもオートフォーカス動作を正常に機能させるには、ステージ12を高精度化する方法も考えられるが、コストアップにつながるため好ましくない。
本実施形態の焦点検出装置を用いれば、オートフォーカス動作の引き込み範囲を簡易に拡大できるため、平坦性の低下した大きな基板11(例えば300mmサイズの半導体ウエハ)でも、従来と同精度のステージ12を用いつつ、正常にオートフォーカス動作を機能させることができる。したがって、基板11の大型化に対応可能な重ね合わせ測定装置10の製造コストの増大を回避することができる。
(変形例)
なお、上記した実施形態では、結像光学系(19〜23)の物体面側の開口数NAを0.75とし、AF視野絞り41の計測方向の大きさA2を1.3×A1とする例に説明したが、本発明はこれに限定されない。任意の開口数NAに対して上記の条件式(1)を満足するように大きさA2を設定する場合にも本発明を適用でき、上記と同様の効果を得ることができる。
また、上記した実施形態では、照明視野絞り16とAF視野絞り41が共役である例を説明したが、照明視野絞り16とAF視野絞り41を共役な位置の近傍に配置する場合にも本発明を適用でき、上記と同様の効果を得ることができる。
さらに、上記した実施形態では、最終像16c(1),(2)の間隔ΔL(または間隔ΔL(+)または間隔ΔL(-))を求める際にスライスレベルを用いたが、本発明はこれに限定されない。最終像16c(1),(2)の強度プロファイルの光量重心を求めて、最終像16c(1),(2)の間隔ΔL(または間隔ΔL(+)または間隔ΔL(-))を求めてもよい。ただし、スライスレベルを用いる方が高速なため好ましい。
また、上記した実施形態では、重ね合わせ測定装置10に組み込まれた焦点検出装置を例に説明したが、本発明はこれに限定されない。基板11の同じ層に形成された2つのマークの位置ずれ量を測定する装置や、単一のマークとカメラの基準位置との光学的位置ずれを検出する装置や、単一のマークの位置を検出する装置や、基板11に対する露光工程の前に基板11のアライメントを行う装置(つまり露光装置のアライメント系)に組み込まれた焦点検出装置にも、本発明を適用できる。アライメント系では、下地層に形成されたアライメントマークの位置を検出し、その検出結果とステージ座標系(干渉計など)との位置関係を求める。
重ね合わせ測定装置10に組み込まれた本実施形態の焦点検出装置の構成を示す図である。 照明視野絞り16の中間像16bとAF視野絞り41の形状を説明する図である。 AFセンサ47の撮像面47aにおける照明視野絞り16の最終像16c(1),(2)とAF視野絞り41の位置(点線枠51,52)とを説明する図である。 照明視野絞り16の最終像16c(1),(2)の間隔と輪郭のボケ具合の変化について説明する図である。 物体面が合焦面を含む所定範囲内に位置するときの最終像16c(1),(2)と、強度プロファイルを説明する図である。 物体面が所定範囲外に位置し、合焦面より上側(+側)にデフォーカスした後ピン状態において、最終像16c(1),(2)と強度プロファイルを説明する図である。 物体面が所定範囲外に位置し、合焦面より下側(−側)にデフォーカスした前ピン状態において、最終像16c(1),(2)と強度プロファイルを説明する図である。 本実施形態の焦点検出装置におけるオートフォーカス動作の引き込み範囲を説明する図である。
符号の説明
10 重ね合わせ測定装置
11 基板
12 ステージ
13 光源部
14 照明開口絞り
15 コンデンサーレンズ
16 照明視野絞り
16b 照明視野絞りの中間像
16c(1),(2) 照明視野絞りの最終像
17 照明リレーレンズ
18,40 ビームスプリッタ
19 第1対物レンズ
20 第2対物レンズ
21 第1結像リレーレンズ
22 結像開口絞り
23 第2結像リレーレンズ
25 CCD撮像素子
26 画像処理装置
27 ステージ制御部
41 AF視野絞り
42 AF第1リレーレンズ
43 平行平面板
44 瞳分割ミラー
45 AF第2リレーレンズ
46 シリンドリカルレンズ
47 AFセンサ
48 信号処理部

Claims (1)

  1. 第1視野絞りを含み、該第1視野絞りを介して物体面を照明する照明手段と、
    第2視野絞りを含み、前記物体面から発生した光に基づいて前記第1視野絞りの第1中間像を前記第2視野絞りの配置面に形成すると共に、前記物体面が合焦面を含む所定範囲内に位置するときに前記第2視野絞りによって前記第1中間像を遮断せずに通過させ、前記物体面が前記所定範囲外に位置するときに前記第2視野絞りによって前記第1中間像の一部を遮断して残りの一部を通過させる第1結像手段と、
    前記第1結像手段からの光を瞳分割して再結像することにより、前記第2視野絞りを介した前記第1視野絞りの1対の第2中間像を形成し、その形成面の強度プロファイルを検出する第2結像手段と、
    前記第2結像手段が検出した強度プロファイルに基づき、前記第1視野絞りの1対の第2中間像の間隔を検知して、前記物体面の前記合焦面に対する位置関係に応じたフォーカス信号を生成する生成手段とを備え
    前記第2視野絞りは、前記第1視野絞りと共役であり、前記配置面において前記瞳分割の方向と等価な方向に関し、次の条件式を満足し、
    1 < A 2 < (1+NA)×A 1
    1 :物体面が合焦面に一致するときの前記第1視野絞りの第1中間像の1次元的な長さ、
    2 :前記第2視野絞りの1次元的な長さ、
    NA:前記第1結像手段の物体面側の開口数、
    前記生成手段は、
    前記強度プロファイルに対して所定のスライスレベルを設定し、そのスライスレベルにおける4つの交点位置に基づき、前記第1視野絞りの1対の第2中間像の間隔を算出する
    ことを特徴とする焦点検出装置。
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