JPS63157311A - 磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、固定磁気ディスク装置に使用される磁気デ
ィスクに係わり、耐久性、耐食性に優れた磁性薄膜ディ
スクに関する。

「従来の技術とその問題点」 近時、磁性メッキディスクにあっては、その記録媒体で
ある磁性薄膜層（磁性層）の磁気ヘッドによる摩耗を軽
減するために、前記磁性薄膜層上にカーボン膜を設けて
保護層としたものが知られている。

ところで、前記カーボン膜からなる保護層は、ミクロ的
にみれば多孔構造となっているために、耐食性の点で難
があり、また、その下層に位置する磁性薄膜層との密着
性が十分でないことから、磁気ヘッドと磁気ディスク面
との摺動回数、つまりＣ８５（コンタクト・スタート・
ストップ）回数が２万回に達せず、耐久性という点にお
いても問題があった。

「問題点を解決するための手段」 この発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって
、磁性薄膜層を保護するとともに、耐久性、耐食性の点
においてカーボン膜より優れた保護層を得ることを目的
とし、この目的を達成するために、磁気記録媒体となる
磁性層の上面に、プラズマＣＶＤによって、珪素、窒素
、酸素、炭素。

の元素からなる保護層を設けるようにしている。

「実施例」 以下、この発明の実施例について第１図〜第４図を参照
して説明する。

まず、第１図において、符号ｌは基板である。

この基板ｌは、１．９ｍｍ厚に形成されたアルミニウム
合金板からなり、その表面が鏡面研石されてうねりが小
さくなるように加工されている。

この基板１の上面には、Ｎ１−Ｐメッキ層２が積層、さ
れている。このＮｊ−ｐメッキ層２は、基板ｌの表面の
微細な凹凸を平滑化にするために設けられてたもので、
無電解メッキ法によりＮ１−Ｐメッキ膜が１５μｍの厚
さになるように形成されている。

前記Ｎ１−Ｐメッキ層２の上面には、磁気記録媒体とな
る磁性層３が積層されている。この磁性層３は、前記Ｎ
１−Ｐメッキ膜の上面を十分に研磨した上で、同じく無
電解メッキ法により、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐが約０．８〜０．
９μｍの厚みに形成されたものである。

前記磁性層３の上面には、保護層４と潤滑層５とが順次
積層されている。前記保護層４は、ブラダＹ　ＣＶ　Ｄ
　（Ｃｈｅａ＋１ｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｒｔｉ
ｏｎ）によって形成された、珪素、窒素、酸素、炭素の
元素からなる被膜であって、その組成比は、原子数の比
にして珪素が３、窒素が４、酸素が２、炭素ｌである。

また、これら元素の許容され得る範囲の組成比は、原子
数の比にして、 珪素が２．５〜３．５、 窒素が３．０〜５．０、 酸素が１，０〜３．０、 炭素が０．５〜１．５である。

なお、前記プラズマＣＶＤにより保護層を形成するため
の原料ガスとしては、例えば、５ＩＨ４、Ｎ　Ｈｓ　（
またはＮ、）、Ｎ、０（または０．）、ＣＩ−１、など
が適当である。そして、前記ＳｉＨ４とＮ　Ｈ３（ま−
たはＮｌ）によっては、５ｉ−Ｎｘの組成を有する膜が
、前記ＳｉＨ＊とＮ、０（またはＯＸ）によっては、５
ｉ−Ｏｙの組成を有する膜が、また、前記Ｓ　ｉ　Ｉ−
［４とＣＨ，によっては、５ｉ−Ｃｚの組成を有する膜
が、ＣＶＤにおいて９０秒のプラズマ時間を保持するこ
とにより、それぞれ磁性Ｅ３上に形成されるようになっ
ている。

ここで、前記保護層４を構成する珪素と窒素の組成比を
特に３：４　とすることにより、四窒化三珪素を形成し
て、該保護層４の強度を高いものにすることができる。

また、このような珪素、窒素を主な組成とする前記保護
層４は、腐食しない材料であるので、耐食性の面でも有
利である。

次に、前記保護層４の上面に積層された潤滑層５につい
て説明すると、この潤滑層５は、第２図〜第４図に示さ
れるような、フッ素化オイル（成分については後述する
）によって極薄に形成されて、磁気ヘッドとの摺動を容
易に行うために設けられたものである。

なお、前記フッ素化オイルとして、極性をもつカルボニ
ル基あるいはカルボキシル基をもつ分子が含有されたも
の（第３図、第４図に示す）を用いることによって、潤
滑層５を安定なものとすることができる。つまり、これ
ら分子中のカルボニル基やカルボキシル基の酸素原子が
、隣接する分子の水素原子と結合することによって、前
記潤滑層５全体が安定化し、その物理的性質の向上を図
ることができる。

なお、前記潤滑１５は、スピンコード法の他、浸漬法あ
゛るいはワイピング法によっても形成することができる
。

また、前記基板１、Ｎ１−Ｐメッキ層２、磁性層３の厚
さは、上記の数値に限定されるものではなく、許容され
る範囲で適宜変更しても良い。

「作用」 上記のような磁気ディスクにあっては、磁性層３の上面
に、プラズマＣＶＤによって硬度の大きい窒化珪素を主
な組成とする保護層４を設けたので、前記磁性層３と磁
気ヘッドとの摺動による摩耗がほとんど生じず、優れた
耐久性を得ることができる。

また、窒化珪素を主な組成とする前記保！ｉ／ｉＷ４は
、腐食しない材料であるので、耐食性の面においても有
利である。

「実験例」 次の仕様の磁気ディスクを試作し、その摺動性（ＣＳＳ
性）、耐食性を検討した。

基　板ニアルミニウム合金板、・厚み１　、９　ａｒｍ
。

表面は鏡面研磨仕上げ。

Ｎ　ｉ−Ｐメッキ層　：無電解Ｎ　ｉ　−Ｐ’メッキ、
厚み１５μ−１表面は鏡面研磨仕上げ。

磁性層：無電解Ｃｏ−Ｎ１−Ｐメッキ、厚みは約０．８
〜０．９μ層。

保護層：珪素、窒素、酸素、炭素からなる薄膜であって
、プラズマＣＶＤにより製造。

組成比は、原子数の比で珪素が３、 窒素が４、酸素が２、炭素が１゜ プラズマＣＶＤによる保護膜の形成 条件：装置内圧０　、　Ｉ　Ｔｏｒｒ１基板温度２００
℃、電源周波数１３．５６ＭＨｚ。

プラズマ時間は約９０秒。

前記プラズマＣＶＤに使用される原 料ガス：Ｓ＋Ｈ＊、ＮＨ，（またはｔ’ｒｔ）、Ｎ宜０
（または０．）、ＣＨ４゜ 潤滑層　；フッ素化オイル（商品名：クライトツクス＃
１５７ＦＳデュポン社製を、商品 名：フロリナートＦＣ７７住友スリー エム社製で、０，１ｖｏ１％で希釈したもの）を一定の
速度で回転するディスク 上に滴下して加熱処理した。

かくして得られた磁気ディスクを、ディスク装置を用い
て、Ｃ８Ｓチストに供した結果、該磁気ディスクと磁気
ヘッドとを４万回以上摺動させても、これら磁気ディス
クおよび磁気ヘッドに何ら異常は認められなかった。

また、前記磁気ディスクを８０℃、８０％ＲＩ−［の環
境下に３ケ月間放置して、耐食性を検討した結果、外観
はもとより、記録信号の再生エラーとなるような異常は
認められなかった。

「発明の効果」 以上詳細に説明したように、この発明によれば、磁性層
の上面に、プラズマＣＶＤによって硬度の大きい窒化珪
素を主な組成とする保護層を設けたので、前記磁性層と
磁気ヘッドとの摺動による摩耗がほとんど生じず、優れ
た耐久性を得ることができ、また、窒化珪素を組成とす
る前記保護層は、腐食しない材料により形成されている
ので、耐食性があり、例えば水分が原因となる腐食を防
止することができる。

すなわち、プラズマＣＶＤによって、珪素、窒素、酸素
、炭素の元素からなる保護層を設けてなる磁気ディスク
においては、磁気ヘッドとのＣ８Ｓ性を評価し、また、
腐食に対する試験を行った結果、保護層の磁性層に対す
る保護機能が充分に５ｒ＊ＩＩＪ　　Ｊｔ　−Ｊ−＋　
　サ２４　　Ｉｔ　　ｈし　ト）　　ｕｆｔ’ｆＬ　　
Δ　ｋｋ　　１１　　＋”＋　　１−　−１−　４　　
　ｗ　　　ｌ−Ｊ、ノ明らかになった。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明の一実施例を示す図であって、
第１図は磁気ディスクを示す縦断面図、第２図〜第４図
はフッ素化オイルの構造式をそれぞれ示す図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・Ｎ１−Ｐメッキ層 ３・・・・・・磁性層 ４・・・・・・保護層 ５・・・・・・潤滑層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気記録媒体となる磁性層の上面に、プラズマＣ
   ＶＤによって、珪素、窒素、酸素、炭素の元素からなる
   保護層を設けたことを特徴とする磁気ディスク。
2. （２）前記保護層は、組成比が原子数の比で珪素が２．
   ５〜３．５、窒素が３．０〜５．０、酸素が１．０〜３
   ．０、炭素が０．５〜１．５であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の磁気ディスク。
3. （３）前記保護層の珪素と窒素の組成比が、原子数の比
   で３：４であることを特徴とする特許請求の範囲第２項
   記載の磁気ディスク。
4. （４）前記保護層の上面に、フッ素化オイルからなる潤
   滑層を積層してなることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項の磁気ディスク。
5. （５）前記フッ素化オイルは、カルボニル基またはカル
   ボキシル基を有するものであることを特徴とする特許請
   求の範囲第４項記載の磁気ディスク。