JPS63155795A - 配線基板 - Google Patents

配線基板

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Publication number
JPS63155795A
JPS63155795A JP61303001A JP30300186A JPS63155795A JP S63155795 A JPS63155795 A JP S63155795A JP 61303001 A JP61303001 A JP 61303001A JP 30300186 A JP30300186 A JP 30300186A JP S63155795 A JPS63155795 A JP S63155795A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
chip
wiring
semiconductor chip
input
Prior art date
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Pending
Application number
JP61303001A
Other languages
English (en)
Inventor
柿本 正夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS63155795A publication Critical patent/JPS63155795A/ja
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体チップ搭載用の配線基板に関し、特にL
SI(高密度集積回路)チップを搭載する配線基板に関
する。
[従来の技術] 従来、この種の配線基板としては、エポキシ樹脂等を利
用したプリント配線基板、又はセラミックを利用したセ
ラミック配線基板等がある。
[解決すべき問題点] 上述した従来のプリント配線基板は、銅箔と樹脂の積層
によって構成されているが、配線の微細化が難しく、L
SIの多端子化、高密度配線への対応が難しいという欠
点がある。
又、セラミック配線基板はセラミック基板上に導電材料
と絶縁材料を使って厚膜又は薄膜印刷、エツチング等の
製造プロセスを採るが、やはり配線の超微細化が難しい
という欠点がある。
さらに、LSIの多端子化及びチップサイズの拡大に伴
ない、LSIと配線基板の熱膨張率の違いがクラック等
の障害を誘発するという欠点がある。
[問題点の解決手段] 上記従来の問題点を解決する本発明は、半導体チップを
搭載する配線基板において、基板本体を前記半導体チッ
プと同材料で形成し、この基板本体に、複数の半導体チ
ップ搭載領域、他の電子部品との接続を行う入出力端子
部及び前記半導体チップ搭載領域と前記入出力端子部と
を接続する配線層とを設けた構成となっている。
[実施例] 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第1図は本発明の一実施例に係る配線基板の平面図で
ある。第2図は第1因のA−A部の拡大断面図で、LS
Iチップを装着した状態を示すものである。
図中、基板本体2はシリコンウェハ1の周部を切離して
形成される。この基板本体2の表面には複数、例えば1
2個のチップ搭載領域3を設けると共に、一端部に外部
信号引出し用の多数の挿抜用入出力端子4を設けている
チップ搭載領域3には例えばLSIチップ5をポンディ
ングにより接続するものであり、LSIチップ5装着用
のマウント部6とその周囲にポンディングパッド7を多
数設けている。なお、LSIチップ5はシリコンにより
形成されている。
上記配線基板は、3層配線構造となっており、第1配線
層8、第2配線層9及びマウント部6とポンディングパ
ッド7と挿抜用入出力端子4を有する第3配線層10−
r構成している。LSIチップ5のパッドはポンディン
グワイヤ1工により第3配線層lO側のポンディングパ
ッド7に接続される。LSIチップ5相互間の接続及び
挿抜用入出力端子4に挿入接続されたコネクタとの接続
は、第1配線層8と第2配線層9で行われる。
このように上記配線基板は、基板本体2の材質をLSI
チップ5の材質と同じシリコンとしたものであり、した
がってLSIチップ5の製造技術と同等の微細化技術を
配線基板の製造に適用できる。
又、基板本体2に外部引出し用の挿抜用入出力端子4を
設けているので、交換可能な保守単位として取扱えるも
のである。
尚、上記実施例においては、基板本体2の材質をシリコ
ン製のLSIチップ6に合わせてシリコンとしたが、チ
ップの材質がシリコン以外の材質、例えばガリウムヒ素
(GaAs)であればそれに合わせた材質とすることは
言うまでもない。
U発明の効果] 以上説明したように、本発明の配線基板は、基板本体の
材質をシリコン等半導体チップの材質と同一としたので
、集積回路製造技術と同等の微細化製造技術を利用する
ことができ、高密度配線が可能となり、さらに、半導体
チップと配線基板の熱膨張係数が同一となり、熱サイク
ルに対するチップ取付部の接続強度劣化が軽減されると
いう効果がある。
又、外部信号引出し用入出力端子部を設けるようにした
ので、交換可能な保守単位として扱うことが可能となる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る配線基板の平面図、 第2図は第1図のA−A断面で、チップ搭載状態を示す
図である。 1:シリコンウェハ 2:基板本体 3:チップ搭載領域 4:挿抜用入出力端子 5:LSIチップ 8:第1配線層 9:第2配線層 10:第3配線層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体チップを搭載する配線基板において、基板本体
    を前記半導体チップと同材料で形成し、この基板本体に
    、複数の半導体チップ搭載領域、他の電子部品との接続
    を行う入出力端子部及び前記半導体チップ搭載領域と前
    記入出力端子部とを接続する配線層とを具備したことを
    特徴とする配線基板。
JP61303001A 1986-12-19 1986-12-19 配線基板 Pending JPS63155795A (ja)

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JP61303001A JPS63155795A (ja) 1986-12-19 1986-12-19 配線基板

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5571091A (en) * 1978-11-24 1980-05-28 Hitachi Ltd Multilayer circuit board
JPS5986293A (ja) * 1982-11-09 1984-05-18 日本電気株式会社 多層配線基板
JPS601691A (ja) * 1983-06-17 1985-01-07 Nec Corp メモリ−カ−ド
JPS60200558A (ja) * 1984-03-26 1985-10-11 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5571091A (en) * 1978-11-24 1980-05-28 Hitachi Ltd Multilayer circuit board
JPS5986293A (ja) * 1982-11-09 1984-05-18 日本電気株式会社 多層配線基板
JPS601691A (ja) * 1983-06-17 1985-01-07 Nec Corp メモリ−カ−ド
JPS60200558A (ja) * 1984-03-26 1985-10-11 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体装置

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