JPS63153853A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS63153853A JPS63153853A JP30197286A JP30197286A JPS63153853A JP S63153853 A JPS63153853 A JP S63153853A JP 30197286 A JP30197286 A JP 30197286A JP 30197286 A JP30197286 A JP 30197286A JP S63153853 A JPS63153853 A JP S63153853A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0802—Resistors only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路装置に関するも漬で、特に直
列抵抗を分割して構成する半導体集積回路装置に関する
ものである。 ゛〔従来の技術〕 半導体集積回路で直列抵抗を分割して構成した従来例を
第３図に示す。
列抵抗を分割して構成する半導体集積回路装置に関する
ものである。 ゛〔従来の技術〕 半導体集積回路で直列抵抗を分割して構成した従来例を
第３図に示す。
図において（１）はＰ型基板、Ｃ２）はＰ七拡厳により
中の夏型半導体領域を他のＮ型半導体領域と分離独立さ
せるＰ＋分離層、（３）は夏型半導体領域、Ｃ４）（５
＞ （６）は各々アルミ電極、（７）はＮ型半導゛体領
域に電極接続を取るためのｔ拡散層、０（２）Ｄα滲は
各々Ｐ型抵抗領域Ｑ５（至）に電極接続を取るためのＰ
＋拡散層である。（至）はシリコン酸化屡等の絶縁膜で
ある。
中の夏型半導体領域を他のＮ型半導体領域と分離独立さ
せるＰ＋分離層、（３）は夏型半導体領域、Ｃ４）（５
＞ （６）は各々アルミ電極、（７）はＮ型半導゛体領
域に電極接続を取るためのｔ拡散層、０（２）Ｄα滲は
各々Ｐ型抵抗領域Ｑ５（至）に電極接続を取るためのＰ
＋拡散層である。（至）はシリコン酸化屡等の絶縁膜で
ある。
との従来の構成において、電極（４）を高電位側例えば
＋Ｖ （Ｖ）に電極（６）を低電位側例えＩｄＯ（ｖ）
として電源に接続すればｐｗＩ抵抗領域Ｑ５ωに直列に
電流が流れ、電極（５）からは電源電圧を抵抗領域（２
）と鰻の比で分割された中間電位が得られる。
＋Ｖ （Ｖ）に電極（６）を低電位側例えＩｄＯ（ｖ）
として電源に接続すればｐｗＩ抵抗領域Ｑ５ωに直列に
電流が流れ、電極（５）からは電源電圧を抵抗領域（２
）と鰻の比で分割された中間電位が得られる。
上記従来の構成においては、電源電圧印加時にＰ型抵抗
領域（２）（至）とＮ型半導体領域（３）との間は逆バ
イアスとなり点線のように空乏層ａり（２）が形成され
るが、との空乏層は逆バイアス電圧が高いほど大きくひ
ろがる◎具体的には、Ｎ影領域（３）が電極（４）とＰ
ＩＦ！同電位になるため、抵抗領域ａｓ錦は、電極（４
）から電極（６）に近づくに従って空乏層が大きく拡が
る。このためＰ型抵抗領域（至）とωを同じ拡散量、深
さ１面積にしたとしても、その抵抗値は同じとはならず
、逆バイアス電圧の高ψ方、つまり電源電圧に対して電
位の低一方のＰ型抵抗領域（至）の方が抵抗値が大きく
なってしまうという問題点があった。
領域（２）（至）とＮ型半導体領域（３）との間は逆バ
イアスとなり点線のように空乏層ａり（２）が形成され
るが、との空乏層は逆バイアス電圧が高いほど大きくひ
ろがる◎具体的には、Ｎ影領域（３）が電極（４）とＰ
ＩＦ！同電位になるため、抵抗領域ａｓ錦は、電極（４
）から電極（６）に近づくに従って空乏層が大きく拡が
る。このためＰ型抵抗領域（至）とωを同じ拡散量、深
さ１面積にしたとしても、その抵抗値は同じとはならず
、逆バイアス電圧の高ψ方、つまり電源電圧に対して電
位の低一方のＰ型抵抗領域（至）の方が抵抗値が大きく
なってしまうという問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、抵抗列を構成する各抵抗領域の抵抗値が電源電圧を
加えたときでもほぼ等しくなるような抵抗を得ることを
目的とする。
で、抵抗列を構成する各抵抗領域の抵抗値が電源電圧を
加えたときでもほぼ等しくなるような抵抗を得ることを
目的とする。
この発明に係る半導体集積回路装置は直列抵抗を形成す
る少なくとも２つの例えはＰ型抵抗領域を、それぞれ別
のＮ型半導体領域に分離して設け、そのＮ型半導体領域
の電位をその中にあるＰ型抵抗領域の高電位側に接続す
るようにしたものであるＯ 〔作用〕 この発明においては特に電源電圧に対して電位の低い側
のＰ型抵抗領域とＮ型半導体領域との間の逆バイアス電
圧を小さくでき、空乏層が小さくなる・従って全体とし
て電源電圧に対する抵抗値の変化を小さくできる。
る少なくとも２つの例えはＰ型抵抗領域を、それぞれ別
のＮ型半導体領域に分離して設け、そのＮ型半導体領域
の電位をその中にあるＰ型抵抗領域の高電位側に接続す
るようにしたものであるＯ 〔作用〕 この発明においては特に電源電圧に対して電位の低い側
のＰ型抵抗領域とＮ型半導体領域との間の逆バイアス電
圧を小さくでき、空乏層が小さくなる・従って全体とし
て電源電圧に対する抵抗値の変化を小さくできる。
またこの発明では直列抵抗を形成する各抵抗領域の形状
を、各々同じ拡散量、深さ１面積とすることにより、Ｐ
を−Ｈ型領域間の電位差をほぼ同じにすることができる
ため、各Ｐを抵抗領域の抵抗値をｆｉｆｆ等しくｔ７き
る。このため直列抵抗に電源電圧を印加したとき、例え
はｍ個の抵抗領域を直列接続したときの１（＆！目の抵
抗領域端から、（電源電圧） Ｘ １２７ｍにほぼ等し
い理想的な分圧電圧を得ることができる。
を、各々同じ拡散量、深さ１面積とすることにより、Ｐ
を−Ｈ型領域間の電位差をほぼ同じにすることができる
ため、各Ｐを抵抗領域の抵抗値をｆｉｆｆ等しくｔ７き
る。このため直列抵抗に電源電圧を印加したとき、例え
はｍ個の抵抗領域を直列接続したときの１（＆！目の抵
抗領域端から、（電源電圧） Ｘ １２７ｍにほぼ等し
い理想的な分圧電圧を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例であり、（１）〜（７）と
■〜（至）は従来の装置と同一のものである０（８）は
Ｐ型抵抗領域帖を他のＰ型抵抗領域（２）から分離する
ために、Ｐ＋分離層（２）で分離されたＮ型半導体領域
、（９）はそのＮ型半導体領域に電極接続を取るための
Ｎ 拡散層である。
■〜（至）は従来の装置と同一のものである０（８）は
Ｐ型抵抗領域帖を他のＰ型抵抗領域（２）から分離する
ために、Ｐ＋分離層（２）で分離されたＮ型半導体領域
、（９）はそのＮ型半導体領域に電極接続を取るための
Ｎ 拡散層である。
上記のよう、な構成においては、ＮＩＩ半導体領域（至
）に印加される電圧は、図のように抵抗領域を２分した
例では２分の１になる。従って電源電圧の低い方に接続
されたＰ型抵抗領域（至）とＮ型半導体領域（８）との
間の逆バイアス電圧は２分の１になシ空乏層（至）け空
乏層αηと同じように小さくなる。
）に印加される電圧は、図のように抵抗領域を２分した
例では２分の１になる。従って電源電圧の低い方に接続
されたＰ型抵抗領域（至）とＮ型半導体領域（８）との
間の逆バイアス電圧は２分の１になシ空乏層（至）け空
乏層αηと同じように小さくなる。
第２図は第１図の各半導体領域の導電形を逆にした実施
例である。この実施例では、電極（４）に−Ｖ （ｖ）
ａ電極（６）に０（ｖ）の電圧をかけ、その中間電位
を出力するのに適当である。
例である。この実施例では、電極（４）に−Ｖ （ｖ）
ａ電極（６）に０（ｖ）の電圧をかけ、その中間電位
を出力するのに適当である。
この場合の抵抗領域部分の動作は第１図と全く同じであ
る。
る。
ところで上記では抵抗領域を２等分した例を述べたが３
等分あるーはｍ等分した場合には、電圧関係も３分の１
あるいけｍ分の１になることはいうまでもない＠ 従ってｍ等分した抵抗領域を縦続接続して抵抗列を作り
、抵抗列の両端を電源電圧に接続した場合、１個目の抵
抗領域端では（１！源電圧）×ＩＩ／Ｉ！Ｉの電圧値を
得ることが出来る。
等分あるーはｍ等分した場合には、電圧関係も３分の１
あるいけｍ分の１になることはいうまでもない＠ 従ってｍ等分した抵抗領域を縦続接続して抵抗列を作り
、抵抗列の両端を電源電圧に接続した場合、１個目の抵
抗領域端では（１！源電圧）×ＩＩ／Ｉ！Ｉの電圧値を
得ることが出来る。
また上記では抵抗としてＰ型半導体を使用した例を説明
したが、このＰＪＮ型を逆として互に独立のＰ型半導体
領域を設け、その中にＮ型抵抗領域を設けるとともに、
電源電圧に対する接続関係を逆にし、各々の独立のＰ型
半導体領域の電位をその中にあるＮ型抵抗領域の低電位
側に接続した抵抗列を作ることもできる。
したが、このＰＪＮ型を逆として互に独立のＰ型半導体
領域を設け、その中にＮ型抵抗領域を設けるとともに、
電源電圧に対する接続関係を逆にし、各々の独立のＰ型
半導体領域の電位をその中にあるＮ型抵抗領域の低電位
側に接続した抵抗列を作ることもできる。
（発明の効果〕
この発明によれば以上説明した通り、直列接続される各
抵抗領域に対する空乏層を従来のものに比べて均一化で
き、電源電圧を所期の抵抗分圧比に応じて分圧した電圧
値により近い分圧出力を容易に得ることが出来る。
抵抗領域に対する空乏層を従来のものに比べて均一化で
き、電源電圧を所期の抵抗分圧比に応じて分圧した電圧
値により近い分圧出力を容易に得ることが出来る。
第１Ｆｇ！Ｊはこの発明の一実施例、第２図は他の実施
例、第３図は従来の半導体集積回路の断面図である。 図において、（１）はＰ型基板、（２）けＰ 拡散分離
層、（３）はＮ型半導体領域、（４）（５１（６）は電
極、（７）はＮ＋拡散層、Ｃ８）は他のＨ型半導体領域
、（９）は他のＮ＋拡散層、ａｎａ２ａ３ａｉけＰ“拡
散層、■（至）はＰ型抵抗領域、ａり（至）は空乏層、
（社）はＮ型基板、勿はＮ 拡散層、υ（ハ）はＰ型半
導体領域、＠翰けＰ 拡散層である。 なお、各図中同一符号は同一、または相当部分を示す・
例、第３図は従来の半導体集積回路の断面図である。 図において、（１）はＰ型基板、（２）けＰ 拡散分離
層、（３）はＮ型半導体領域、（４）（５１（６）は電
極、（７）はＮ＋拡散層、Ｃ８）は他のＨ型半導体領域
、（９）は他のＮ＋拡散層、ａｎａ２ａ３ａｉけＰ“拡
散層、■（至）はＰ型抵抗領域、ａり（至）は空乏層、
（社）はＮ型基板、勿はＮ 拡散層、υ（ハ）はＰ型半
導体領域、＠翰けＰ 拡散層である。 なお、各図中同一符号は同一、または相当部分を示す・
Claims (3)
- （１）互いに分離された少くとも２つの半導体領域のそ
れぞれに、それとＰ−Ｎ接合を介して隣接する抵抗領域
を形成し、これらの少くとも２つの抵抗領域を直列接続
し、かつ各抵抗領域の一端とほぼ同じ電位をそれに隣接
する半導体領域に与える半導体集積回路装置。 - （２）互いに分離された少くとも２つのＮ型領域中に、
ほぼ同一拡散量、深さ、形状からなるＰ型抵抗領域を形
成し、それぞれの抵抗領域を直列接続して抵抗列を作り
、かつ各々のＮ型領域の電位をその領域中のＰ型抵抗領
域の高電位側に接続する特許請求の範囲第１項記載の半
導体集積回路装置。 - （３）互いに分離された少くとも２つのＰ型領域中に、
ほぼ同一拡散量、深さ、形状からなるＮ型抵抗領域を形
成し、それぞれの抵抗領域を直列接続して抵抗列を作り
、かつ各々のＰ型領域の電位をその領域中のＮ型抵抗領
域の低電位側に接続する特許請求の範囲第１項記載の半
導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30197286A JPS63153853A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30197286A JPS63153853A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153853A true JPS63153853A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=17903346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30197286A Pending JPS63153853A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153853A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036054A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体電圧検出回路 |
| JPH08213913A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-08-20 | Lg Semicon Co Ltd | 分離形成された電圧分配用の抵抗領域を有するディジタル／アナログ変換器 |
| JP2006284979A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP30197286A patent/JPS63153853A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036054A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体電圧検出回路 |
| JPH08213913A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-08-20 | Lg Semicon Co Ltd | 分離形成された電圧分配用の抵抗領域を有するディジタル／アナログ変換器 |
| JP2006284979A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
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