JPS63153787A - 双方向性半導体装置 - Google Patents

双方向性半導体装置

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JPS63153787A
JPS63153787A JP61300112A JP30011286A JPS63153787A JP S63153787 A JPS63153787 A JP S63153787A JP 61300112 A JP61300112 A JP 61300112A JP 30011286 A JP30011286 A JP 30011286A JP S63153787 A JPS63153787 A JP S63153787A
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▲あお▼山 慶三
Keizo Aoyama
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 一方向性内部回路たとえばファーストイン・ファースト
アウト(FIFO)の内部入出力ポートと外部ポートと
の間に切替スイッチを設けると共に、該切替スイッチを
特別の外部ポートを設けずに元々存在する少なくとも2
つの外部ポートの信号の変化順序に応じて制御して1チ
ツプ内で双方向のデータ転送を可能にし、これにより、
実装占有面積の縮小、配線の単純化を図ったものである
〔産業上の利用分野〕
本発明はFIFO等の一方向性回路を双方向のデータ転
送に可能にした双方向性半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
−mに、FIFO,ラストイン・ファーストアウト(L
IFO)、シフトレジスタ等の2ポート・バノファ(チ
ップ)は入力ポートおよび出力ポートを有し、入力ポー
トー出力ポートの一方向性のデータ転送を行い、従来、
これらの入力ポートおよび外部ポートに対応する各端子
は固定されている。たとえば、FIFOであれば、第9
図に示すごとく、書込み制御信号Wは第1ビンに、入力
データIN(Is〜I++)は第2〜第6ビンおよび第
24〜第27ピンに、読出し制御信号Iは第15ピンに
、出力データ0UT(Oo〜0.)は第9〜第13ピン
および第16〜第19ピンに固定されている。なお、■
cc、voは電源、その他のビンはフル(Full)、
空(Empty)等を表わすものである。
上述のごとく入力用、出力用ピンが固定されている一方
向性FIFOを用いて双方向のデータ転送を行う場合に
は、第10図に示すごとく、2つのFIFOを接続し、
A→Bへのデータ転送にはFIFO(1)を用い、他方
、B−Aへのデータ転送にはFIFO(2)を用いて行
っていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、第10図のごとく双方向性装置を構成す
ると、使用チップ数の増加によるプリント板上における
実装占有面積の倍増と共に、プリント板上の入出力(■
10配線の複雑化を招くという問題点があった。なお、
110配線の複雑化はその占有面積増加によるプリント
板実装密度の低下および配線の浮遊容量の増加による電
気的特性の悪化をも招く。
従って、本発明の目的は、プリント板上での実装占有面
積の縮小およびI10配線の単純化を図った双方向性半
導体装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上述の問題点を解決するための手段は第1図に示される
。第1図において、一方向性内部回路は内部入力ポート
IN、この内部入力ポートを制御する内部入力制御ポー
トW、内部出力ポートOUT、およびこの内部出力ポー
トを制御する内部出力制御ポートR−等を占有している
。内部入出力ポ−トIN、OUTに対してはA側の外部
入出カポ−1110(A)およびB側の外部入出力ポー
トI10 (B)が設けられ、これらの間の接続は第1
の切替手段によって切替えられる。他方、内部入出力制
御ポートW、Rに対してはA側の外部入出力制御ポート
V7T(A)およびB側の外部出力制御ポートr7T 
(B)が設けられ、これらの間の接続は第2の切替手段
によって切替えられる。
第1、第2の切替手段のモード設定はモード設定手段の
モード信号Mによって行われるが、このモード設定手段
は2つの外部入出力制御ポートたとえばW2N (A)
およびWET (B)に印加される信号の変化順序を用
いてモード信号Mを発生する。
〔作 用〕
上述の手段によれば、A個人出力ポートl10(A)−
内部回路−B側大入出力ポート10 (B)のデータ転
送と、B側人出カポ−)110(B)−内部回路=A側
大入出力ポート10 (A)データ転送、の双方向の転
送が第1、第2の切替手段によって切替えられ、しかも
、第1、第2の切替手段のモード設定はもともと必要な
外部入出力制御ボードr7T <A>  、W2N C
B>の信号に応じて行われ、特別なポートを必要としな
い。
〔実施例〕
第2図は本発明に係る双方向性半導体装置の一実施例を
示す回路図である。第2図の一点鎖線枠は1チツプを示
す。このチップには唯一の一方向性内部回路たとえばF
IFOが設けられ、このFIFOには内部ポートたとえ
ば書込み制御ポートW、読出し制御ポートR1入力ポー
トIN、出力ポートOUT’等が設けられている。また
、チップの周辺には外部との接続のために、A側の外部
ポートたとえば書込み/続出し制御ポートW7T (A
)、入出力ポートl10(A)およびB側の外部ポート
、たとえば書込み/続出し制御ポートW7■(B)、入
出力ポートI10 (B)等が設けられている。そして
、外部ポー)−W2N (A)。
W/R(B)と内部ポートWとの間には第1のスイッチ
SW、が設けられ、外部ポートNET (A)。
NET (B)と内部ポートRとの間には第2のスイッ
チSWzが設けられ、外部ポートI10 (A)。
Ilo (B)と内部ポートINとの間には第3のスイ
ッチSW3が設けられ、外部ポートl10(A)、Il
o (B)と内部ポートOUTとの間には第4のスイッ
チSW4が設けられている。これらのスイッチSW、〜
SW、はモード設定回路SCのモード信号Mによって同
時に動作する。
なお、第2図における内部ポートIN、OUT。
外部ポートI10 (A)、Ilo (B)は、実際に
は、多ビットたとえば第9図のごとく9ビツト構成であ
るが、説明を簡単にするために1ビツト構成とする。ま
た、図示しないが、FIFOにはリセット信号R3Tを
印加するためのポートがある。
第3図を参照して第2図のモード設定回路SCを説明す
る。モード設定回路SCは、2つのRSフリップフロッ
プFFI、FF2により構成され、各RSフリップフロ
ップFFI、FF2は第4図のごと(構成されている。
ここで、フリップフロップFFIにおいてはセント端子
Sには電源v ccsリセット端子Rには接地電位、ク
リア端子CLにはリセット信号R3T、クロック端子C
KにはA個人出力制御ポー)−W2N (A)の信号が
、それぞれ、印加されている。そして、フリップフロッ
プFFlの出力Q (=Q、 )はB個人出力制御ポー
トr7T (B )の信号と共にナンド回路G、に供給
され、この結果、信号φが発生する。また、フリップフ
ロップFF2においては、セント端子Sには電源■。、
リセット端子Rには接地電位、クリア端子CLにはリセ
ット信号R5T、クロック端子CKには信号φが、それ
ぞれ印加されている。そして、フリップフロップFF2
の出力頁がモード信号Mとなる。
従って、第5A図に示すごと< 、FIFOをリセット
後(RS T =“0”)に、A個人出力制御ポートW
7T (A)のパルスがB偏入出力制御ポートW7T 
(B)のパルスより先行すると、モード信号Mはハイレ
ベル(“l”)に保持される。他方、第5B図に示すご
と(、FIFOをリセット後(R5T=“0”)に、B
何人出力制御ポー)W2N(B)のパルスがA何人出力
制御ボー)’W7N(A)のパルスより先行すると、モ
ード信号Mはローレベル(0”)に変化する。このよう
に、外部ポートを特別に付加することなく既設の外部ポ
ートへの入力によってチップ内部で所望のモード信号M
を生成する。
なお、第3図においては、リセット信号R3Tにより2
つのフリップフロップFFI、FF2をリセット(クリ
ア)しているが、フリップフロップFFI、FF2の回
路定数を適当に設定すれば、電源印加により自動的にリ
セット動作を行うこともできる。この場合にも、電源印
加後に、A個人出力制御ボー1−’W7T (A) 、
B何人出力制御ボー トW/R(B)のどちらかに先行
パルスが印加されたかによってモード信号Mを設定する
また、第3図の回路において、ポートW7■(A)、N
ET (B)のうち先に印加された側を書込み側と判定
することは、FIFOにおいては特に有意義である。つ
まり、FIFOにおいては、リセット後には、書かれて
いないデータを読出すのは無意味であるため、リード命
令より書込み命令が先に印加されるのが普通であるから
である。
第6A図〜第6D図を参照して第2図の各スイッチSW
、〜SW、を説明する。
第6A図に示すごとく、スイッチSW1はナンド回路G
ll、Gl□、 GI3、インバータ1.により構成さ
れ、従って、モード信号Mが“l”のときニハ、W’7
T (A ) カFIFO(7)!込ミ制?11ホー 
トWに入力され、他方、モード信号Mが“0”のときに
は、NET (B)がFIFOの書込み制御ポートWに
入力される。
同様に、第6B図に示すごとく、スイッチSW2はナン
ド回路GZI、G2□、G21、インバータI2により
構成され、従って、モード信号Mが“1”のときには、
WET (B)がFIFOの読出し制御ポー)Rに入力
され、他方、モード信号Mが“O”のときには、’W7
T (A)がFIFOの読出し制御ポート糞に人力され
る。
同様に、第6C図に示すごとく、スイッチSW。
はナンド回路Gffl 、 Get 、 G3!、イン
バータI。
により構成され、従って、モード信号Mが“1″のとき
には、Ilo (A)がFIFOの入カデータポトIN
に入力され、他方、モード信号Mが“0”のときには、
Ilo (B)がFIFOの入力データポートINに入
力される。
また、第6D図に示すごとく、スイッチSW4は、ナン
ド回路G、、、G、□y G 431 G m4、イン
バータ■4〜111、およびCMOSバッファBF、。
BF、により構成される。従って、モード信号Mが“1
”のときには、第6D図の下側回路が動作して出力デー
タポートOUTのデータはポートI10 (B)に送出
され、他方、モード信号Mが“0”のときには、第6D
図の上側回路が動作して出力データポートOUTのデー
タはポー1110(A)に送出される。
以上をまとめると、 第7図は第2図のFIFOの詳細な回路図である。
第7図においては、書込み側ワード線WLi(W)およ
び読出し側ワード線WLi(R)と書込み側ビット線B
Lj(W)、BτmW)および読出し側ビット線B L
 j (R)  、 丁τ買R)との間にスタティック
型メモリセルMC1jが設けられている。書込み時(W
=“O”)には、書込みデータINがライトアンプWA
を介してライトポインタWP (1)によって選択され
たワード線たとえばWLi(W)とライトポインタWP
 (2)によって選択された書込み側ピント線たとえば
B Lj(W) 、  B Lj(W)との間のメモリ
セルMC1jに書込まれる。他方、読出し時(T−“O
”)には、リードポインタRP (1)によって選択さ
れた読出し側ワード線とリードポインタRP (2)に
よって選択された読出し側ビット線との間のメモリセル
のデータが読出され、リードアンプRAを介しで出力デ
ータOUTとして送出される。
FIFOの書込み動作においては、第8図(A)〜(D
)に示すように、ライトポインタWP(1)。
WP (2)が書込み制御信号Wに応じて1づつカウン
トアンプされ、メモリセルを順次アクセスしてデータを
書込む。なお、この場合、2つのライトポインタwp 
(1)、wP (2)は1つのライトポインタWPとし
て作用し、リセット信号■下によってリセットされる。
つまり、ライトポインタWP (1)、WP (2)の
一方が一回巡回する毎に他方が+1カウントアツプされ
る。
他方、FIFOの読出し動作においては、第8図(A)
、(E)〜(G)に示すように、リードポインタRP 
(1)、RP (2)が読出し制御信号Iに応じて1づ
つカウントアツプされ、メモリセルを順次アクセスして
データを読出す。なお、この場合にも、2つのリードポ
インタRP (1)。
RP (2)は1つのリードポインタRPとして作用し
、リセット信11εSTによってリセットされる。つま
り、リードポインタRP (1)、RP(2)の一方が
一回巡回する毎に他方が+1カウントアツプされる。
なお、上述の実施例においては、一方向性回路としてF
IFOを例としたが、他の回路たとえばLIFO、シフ
トレジスタ等の場合にも本発明を適用し得る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、双方向性半導体装
置を唯一の一方向性回路により構成し、また、双方向の
データ転送をチップ内部発生の信号により制御している
ので、プリント板上での実装占有面積を縮小でき、しか
も配線も単純化できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の基本構成を示す図、 第2図は本発明に係る双方向性半導体装置の−実施例を
示す回路図、 第3図は第2図のモード設定回路の回路図、第4図は第
3図のフリップフロップの回路図、第5A図、第5B図
は第3図の回路動作を説明するタイミング図、 第6A図〜第6D図は第2図のスイッチの詳細な論理回
路図、 第7図は第2図のFIFOの詳細な回路図、第8図は第
7図の回路動作を説明するためのタイミング図、 第9図は従来の一方向性装置を示す概観図、第10図は
従来の双方向性装置を示すブロック回路図である。 FIFO:ファーストイン・ファーストアウト(一方向
性回路)、 SC:モード設定回路、 IN、OUT、W、R:内部ポート、 WET (A)、W2N (B)、Ilo (A)。 Ilo (B):外部ポート、 SW、〜SW、:スイソチ。 本発明の基本構成図 第1図 本発明の実施例 第2図 第2図のモード設定回路 第3図 第3図のRSSフリノブフログ 第4図 百 第3図の回路動作 第5A図 第3図の回路動作 第58図 FIFO RP(+) 第2図のFIFO 第7図 第7図の回路動作 π/ 8 ’Q−”:E 一 第6Bl’71 一 築6C図 炉6D図 従来の一方向性装置 品9図 従来の水力向性装置I′i へ”S10図 手続補正書(自発) 1、事件の表示 昭和61年特許願第300112号 2、発明の名称 双方向性半導体装置 3、補正をする者 事件との関係   特許出願人 マーゞ 4、代理人     \ 住所 〒105東京都港区虎ノ門−丁目8番10号(外
3名) 5、補正の対象 1ン 明細書の「特許請求の範囲」の欄2λ明細書の「
発明の詳細な説明」の欄6、補正の内容 l) 別紙の通り 2) 明細書第4頁第5行目 r (110」をr(Ilo)Jと補正する。 7、添付書類の目録 特許請求の範囲          1通2、特許請求
の範囲 1、 内部入力ポート(IN)、内部出力ポート(OU
T) 、および複数の内部制御ポート(W。 T)を有する一方向性内部回路と、 第1、第2の外部入出力ポート(Ilo (A)。 Ilo (B))と、 前記各内部制御ポー)(W、R)に接続され得る複数の
外部制御ポート(WET (A )、WETB))と、 前記内部入力ポートを前記第1、第2の外部人出力ポー
トの一方に接続し、前記内部出力ポートを他方に接続す
る第1の切替手段と、 前記各内部制御ポートを前記各外部制御ポートに接続す
る第2の切替手段と、 XII=M放もしくは初期設定後の少なくとも2つの外
部制御ポートの信号の変化、順序により前記第1、第2
の切替手段のモードを設定するモード設定手段と、 を具備する双方向性半導体装置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、内部入力ポート(IN)、内部出力ポート(OUT
    )、および複数の内部制御ポート(@W@、@R@)を
    有する一方向性内部回路と、 第1、第2の外部入出力ポート(I/O(A)、I/O
    (B))と、 前記各内部制御ポート(@W@、@R@)に接続され得
    る複数の外部制御ポート(@W/R@(A)、@W/R
    @(B))と、 前記内部入力ポートを前記第1、第2の外部入出力ポー
    トの一方に接続し、前記内部出力ポートを他方に接続す
    る第1の切替手段と、 前記各内部制御ポートを前記各外部制御ポートに接続す
    る第2の切替手段と、 電源、印加もしくは初期設定後の少なくとも2つの外部
    制御ポートの信号の変化、順序により前記第1、第2の
    切替手段のモードを設定するモード設定手段と、 を具備する双方向性半導体装置。
JP61300112A 1986-12-17 1986-12-18 双方向性半導体装置 Granted JPS63153787A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61300112A JPS63153787A (ja) 1986-12-18 1986-12-18 双方向性半導体装置
US07/130,630 US4825098A (en) 1986-12-17 1987-12-08 Bidirectional semiconductor device having only one one-directional device
EP87310861A EP0272847B1 (en) 1986-12-17 1987-12-10 Bidirectional semiconductor device having only one one-directional device
DE3750124T DE3750124D1 (de) 1986-12-17 1987-12-10 Zweirichtungs-Halbleitergerät mit nur einem einzigen Einrichtungsgerät.
KR8714385A KR910000153B1 (en) 1986-12-17 1987-12-17 Bidirectional semiconductor device having only one one-directional device

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JP61300112A JPS63153787A (ja) 1986-12-18 1986-12-18 双方向性半導体装置

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JPH0422314B2 JPH0422314B2 (ja) 1992-04-16

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Cited By (1)

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US5206834A (en) * 1989-10-14 1993-04-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device performing last in-first out operation and the method for controlling the same

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