JPS63152083A - 双方向性半導体装置 - Google Patents

双方向性半導体装置

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JPS63152083A
JPS63152083A JP61298887A JP29888786A JPS63152083A JP S63152083 A JPS63152083 A JP S63152083A JP 61298887 A JP61298887 A JP 61298887A JP 29888786 A JP29888786 A JP 29888786A JP S63152083 A JPS63152083 A JP S63152083A
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JP
Japan
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internal
port
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fifo
output port
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JP61298887A
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Keizo Aoyama
青山 慶三
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 一方向性内部回路たとえばファーストイン・ファースト
アウト(FIFO)の内部入出力ポートと外部ポートと
の間に切替スイッチを設け、1チツプ内で双方向のデー
タ転送を可能にし、これにより、実装占有面積の縮小、
配線の単純化を図ったものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明はFIFO等の一方向性回路を双方向のデータ転
送に可能にした双方向性半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
一般に、FIFO、ラストイン・ファーストアウト(L
IFO)、シフトレジスタ等の2ポート・バッファ(チ
ップ)は入力ポートおよび出力ポートを有し、人力ポー
トー出力ポートの一方向性のデータ転送を行い、従来、
これらの入力ポートおよび外部ポートに対応する各端子
は固定されている。たとえば、FIFOであれば、第6
図に示すごとく、書込み制御信号Wは第1ピンに、入力
データIN(I。
〜ts)は第2〜第6ピンおよび第24〜第27ビンに
、読出し制御信号−R−は第15ピンに、出力データO
UT (0゜〜08)は第9〜第13ピンおよび第16
〜第19ピンに固定されている。なお、Vcc、Vss
は電源、その他のビンはフル(Full)、空(Emp
 ty)等を表わすものである。
上述のごとく入力用、出力用ピンが固定されている一方
向性FIFOを用いて双方向のデータ転送を行う場合に
は、第7図に示すごとく、2つのFIFOを接続し、A
→Bへのデータ転送にはFIFO(1)を用い、他方、
B−Aへのデータ転送にはFIFO(2)を用いて行っ
ていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、第7図のごとく双方向性装置を構成する
と、使用チップ数の増加によるプリント板上における実
装占有面積の倍増と共に、プリント板上の入出力(I 
10)配線の複雑化を招くという問題点があった。なお
、I10配線の複雑化はその占有面積増加によるプリン
ト板実装密度の低下および配線の浮遊容量の増加による
電気的特性の悪化をも招く。
従って、本発明の目的は、プリント板上での実装占有面
積の縮小およびI10配線の単純化を図った双方向性半
導体装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上述の問題点を解決するための手段は第1図に示される
。第1図において、一方向性内部回路は内部入力ポート
INおよび内部量カポ−1−OUTを有する。内部入力
ポートINはA何人出力端子I10 (A)(外部入出
力ポート)およびB何人出力端子I10 (B)(外部
入出力ポート)のいずれにも接続可能であり、また、内
部出力ポートOUTも同様である。これらの接続切替は
、切替手段によって行われ、内部入力ポートINはl1
0(A)、 Ilo (B)のいずれか一方に接続され
ると、内部出力ポートOUTは他方に接続される。
〔作 用〕
上述の手段によれば、A個人出力端子l10(A)−内
部回路−B側大入出力端子10 (B)のデータ転送と
、B何人出力端子I10 (B)−内部回路=A側大入
出力端子10 (A)のデータ転送、の双方向の転送が
切替手段によって切替えられる。
〔実施例〕
第2図は本発明に係る双方向性半導体装置の一実施例を
示す回路図である。第2図の一点鎖線枠は1チツプを示
す。このチップには唯一の一方向性内部回路たとえばF
IFOが設けられ、このFIFOには内部ポートW、 
R、IN、OUT等、が設けられている。また、チップ
の周辺には外部との接続のために、A側の外部ホー 1
−r7T (A)、 I 10 (A)およびB側の外
部ポートW7T(B)、Ilo (B)等が設けられて
いる。そして、外部ポート77丁(A)、W2N (B
 )と内部ポートWとの間には第1のスイッチSW1が
設けられ、外部ポートW7T(A)、WラフT (B)
 と内部ポー トRと(D間には第2のスイッチSWz
が設けられ、外部ボー) Ilo (A)、 Ilo 
(B)と内部ポートINとの間には第3のスイッチSW
3が設けられ、外部ポートI10 (A)、Ilo (
B)と内部ポートOUTとの間には第4のスイッチSW
4が設けられている。これらのスイッチS W I−S
 W a はモード信号Mによって同時に動作する。
なお、第2図における内部ポートIN、OUT、外部ポ
ートI10 (A)、Ilo (B)は、実際には、多
ビットたとえば第6図のごとく9ビツト構成であるが、
説明を簡単にするために1ビツト構成とする。
第3A図〜第3D図を参照して第2図の各スイッチSW
、〜SWaを説明する。
第3A図に示すごとく、スイッチSWlはナンド回路C
++ 、 G+t’、 Gtff、インバータ■、によ
り構成され、従って、モード信号Mが“1”のときには
、W7丁(A)がFIFOの書込み制御ポートWに入力
され、他方、モード信号Mが“0″のときには、r7T
 (B)がFIFOの書込み制御ポートWに入力される
同様に、第3B図に示すごとく、スイッチSW2はナン
ド回路Gzl+ Gzz + G23、インバータ■2
により構成され、従って、モード信号Mが“l”のとき
には、W2N (B)がFIFOの読出し制御ポートR
−に入力され、他方、モード信号Mが“0”のときには
、r7T (A)がFIFOの読出し制?I]ポ−)R
に入力される。
同様に、第3C図に示すごとく、スイ・ソチS W s
はナンド回路G31 、 G3□、G、3、インバータ
I3により構成され、従って、モード信号Mが“1”の
ときには、Ilo (A)がFIFOの入力データポー
トINに入力され、他方、モード信号Mが0”のときに
は、Ilo (B)がFIFOの入力データポートIN
に入力される。
また、第3D図に示すごとく、スイ・ノチSW4は、ナ
ンド回路G41 + Gaz + G43 + G44
、インバータI4〜Ill、およびCMOSバッファB
 F I、 B F zにより構成される。従って、モ
ード信号Mが“1”のときには、第3D図の下側回路が
動作して出力データポートOUTのデータはポートI1
0 (B)に送出され、他方、モード信号Mが“0”の
ときには、第3D図の上側回路が動作して出力データボ
ー)OUTのデータはポートI/’O(A)に送出され
る。
以上をまとめると、 第4図は第2図のFIFOの詳細な回路図である。
第4図においては、書込み側ワード線WLi(W)およ
び読出し側ワード線WLi(R)と書込み側ビット線B
 L j (W ) 、丁τ]W )および続出し側ビ
ット線B Lj(R)、 BゴTYT R)との間にス
タティック型メモリセルMC1jが設けられている。書
込み時(W=“0”)には、書込みデータINがライト
アンプWAを介してライトポインタWP (1)によっ
て選択されたワード線たとえばWLi(W)とライトポ
インタWP (2)によって選択された書込み側ビット
線たとえばBLj(W)、BτTrW)との間のメモリ
セルMC1jに書込まれる。他方、読出し時には、リー
ドポインタRP (1)によって選択された読出し側ワ
ード線心リードポインタRP(2)によって選択された
読出し側ビット線との間のメモリセルのデータが読出さ
れ、リードアンプRAを介して出力データOUTとして
送出される。
FIFOの書込み動作においては、第5図(A)〜(D
)に示すように、ライトポインタWP (1)。
WP (2)が書込み制御信号Wに応じて1づつカウン
トアツプされ、メモリセルを順次アクセスしてデータを
書込む。なお、この場合、2つのライトポインタWP 
(1)、WP (2)は1つのライトポインタWPとし
て作用し、リセット信号R3Tによってリセットされる
。つまり、ライトポインタWP (1)、WP (2)
の一方が一回巡回する毎に他方が+1カウントアツプさ
れる。
他方、FIFOの読出し動作においては、第5図(A)
、(E)〜(G)に示すように、リードポインタRP 
(1)、RP (2)が読出し制御信号■に応じて1づ
つカウントアツプされ、メモリセルを順次アクセスして
データを読出す。なお、この場合にも、2つのリードポ
インタRP  (1)、RP  (2)は1つのリード
ポインタRPとして作用し、リセット信号R5Tによっ
てリセットされる。つまり、リードポインタRP (1
)、RP (2)の一方が一回巡回する毎に他方が+1
カウントアンプされる。
なお、上述の実施例においては、一方向性回路としてF
IFOを例としたが、他の回路たとえばLIFO。
シフトレジスタ等の場合にも本発明を適用し得る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、双方向性半導体装
置を唯一の一方向性回路により構成しているので、プリ
ント板上での実装占有面積を縮小でき、しかも配線も単
純化できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の基本構成を示す°図、第2図は本発明
に係る双方向性半導体装置の一実施例を示す回路図、 第3A図〜第3D図は第2図のスイッチの詳細な論理回
路図、 第4図は第2図のFIFOの詳細な回路図、第5図は第
4図の回路動作を説明するためのタイミング図、 第6図は従来の一方向性装置を示す概観図、第7図は従
来の双方向性装置を示すブロック回路図である。 FIFO・・・ファーストイン・ファーストアウト(一
方向性回路) IN、○UT、W、R・・・内部ポート、”r7T、I
lo・・・外部ポート、 SWl 〜SW4・・・スイッチ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、内部入力ポート(IN)および内部出力ポート(O
    UT)を有する一方向性内部回路と、第1の外部入出力
    ポート(I/O(A))と、第2の外部入出力ポート(
    I/O(B))と、前記内部入力ポートを前記第1、第
    2の外部入出力ポートの一方に接続し、前記内部出力ポ
    ートを他方に接続する切替手段(SW)と、 を具備する双方向性半導体装置。
JP61298887A 1986-12-17 1986-12-17 双方向性半導体装置 Granted JPS63152083A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61298887A JPS63152083A (ja) 1986-12-17 1986-12-17 双方向性半導体装置
US07/130,630 US4825098A (en) 1986-12-17 1987-12-08 Bidirectional semiconductor device having only one one-directional device
DE3750124T DE3750124D1 (de) 1986-12-17 1987-12-10 Zweirichtungs-Halbleitergerät mit nur einem einzigen Einrichtungsgerät.
EP87310861A EP0272847B1 (en) 1986-12-17 1987-12-10 Bidirectional semiconductor device having only one one-directional device
KR8714385A KR910000153B1 (en) 1986-12-17 1987-12-17 Bidirectional semiconductor device having only one one-directional device

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JP61298887A JPS63152083A (ja) 1986-12-17 1986-12-17 双方向性半導体装置

Publications (2)

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JPS63152083A true JPS63152083A (ja) 1988-06-24
JPH0422313B2 JPH0422313B2 (ja) 1992-04-16

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5247636A (en) * 1975-10-15 1977-04-15 Toshiba Corp Control method for transmitting information

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5247636A (en) * 1975-10-15 1977-04-15 Toshiba Corp Control method for transmitting information

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