JPS6080193A - メモリシステム - Google Patents

メモリシステム

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JPS6080193A
JPS6080193A JP18691983A JP18691983A JPS6080193A JP S6080193 A JPS6080193 A JP S6080193A JP 18691983 A JP18691983 A JP 18691983A JP 18691983 A JP18691983 A JP 18691983A JP S6080193 A JPS6080193 A JP S6080193A
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JP
Japan
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signal
storage device
timing
memory
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP18691983A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Hasegawa
淳 長谷川
Kazuhiko Honma
和彦 本間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP18691983A priority Critical patent/JPS6080193A/ja
Publication of JPS6080193A publication Critical patent/JPS6080193A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、メモリシステムに関するもので、例えば、
高速記憶装置を用いた記憶装置ブロックと低速記憶装置
を用いた記憶装置ブロックとにより構成されたメモリシ
ステムのタイミング制御に有効な技術に関するものであ
る。
〔技術背景〕
例えば、高速RAM (ランダム・アクセス・メモリ)
、低速RAMあるいはROM(リード・オンリー・メモ
リ)のようにそれぞれの動作時間が異なる複数の記憶装
置ブロックによって1つのメモリシステムを構成する場
合、各記憶装置ブロック毎での動作時間が異なるもので
あるので、そのタイミング制御に次のような問題が生じ
る。単一のタイミングにより全記憶装置ブロックの制御
を行うと、最も低速の記憶装置ブロックの動作タイミン
グによって全記憶装置ブロックが動作させられてしまう
、一方、それぞれの記憶装置ブロックに対して個別にタ
イミング発生回路を設けることによって、それぞれを最
適なタイミングのもとにアクセスしようとすると、タイ
ミング制御回路力(複雑になり、構成部品点数が増加す
るという問題が生じる。
〔発明の目的〕
この発明の目的は、簡単な構成により動作時間の異なる
複数の記憶装置ブロックをそれぞれ最適なタイミングの
もとにアクセスすることができるメモリシステムを提供
することにある。
この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、システムアドレス信号を受けて動作時間の異
なる記憶装置ブロックに対するアクセスを検出し、この
出力信号によって対応する記憶装置ブロックにおけるア
クセス時間に相当する初期値が設定され、所定のパルス
信号により時間針側動作を行う針数回路の出力信号によ
り各記憶装置ブロックに対する書込み又は読み出しの動
作時間の設定を行うようにするものである。
〔実施例〕
第1図には、この発明の一実施例のブロック図が示され
ている。この実施例のメモリシステムにおいては、特に
制限されないが、高速記憶装置6と低速記憶装置7の2
N類の記憶装置を用いた場合を例にして説明する。
この実施例では、次のようなタイミング制御回路によっ
て上記記憶装置6.7のタイミング制御が行われる。す
なわち、アドレスバスABからのシステムアドレス信号
を受けるアドレスデコーダ1によって上記2種類のメモ
リ装置6,7のいずれに対するアクセスかを検出する。
この検出出力ml、m2は、セレクタ4の選択信号とし
て利用される。このセレクタ4は、初期値TI、’T2
を保持している記憶手段2.3を選択して、シフトレジ
スタ5に初期値T1又はT2を供給する。シフトレジス
タ5には、上記アドレスデコーダ1によって形成された
タイミング信号φ1により上記初期値T1又はT2がロ
ードされる。特に制限されないが、このシフトレジスタ
5は、10ビツトのシフトレジスタにより構成される。
このシフトレジスタ5の第7ビツトから第10ビツト目
の出力信号D7〜DIGが次のANDゲート回路01〜
G4によって構成されたタイミング検出回路に供給され
る。
すなわち、第7ビツト目の信号D7は、インバータ回路
IVIによって反転され、第8ビツト目の信号D8とと
もにANDゲート回路G4の入力に供給される。このA
NDゲート回路G4の出力信号は、記憶装置6又は7の
読み出し出力信号Doutを受けるラッチレジスタ8の
ストローブ信号として使用される。上記アドレスデコー
ダ1の出力信号m1とシフトレジスタ5の第8ビツト目
の信号D8とは、・ANDゲート回路G2の入力に供給
される。このANDゲート回路G2の出力信号csiは
、高速記憶装置6のチップ選択信号として使用される。
上記アドレスデコーダ回路1の出力信号m2とシフトレ
ジスタ5の第8ビツト目の信号D8とは、ANDゲート
回路G3の入力に供給される。このANDゲート回路G
3の出力信号C32は、低速記憶装置7のチップ選択信
号として使用される。また、シフトレジスタ5の第9ビ
ツト目の信号D9は、インバータ回路IV2により反転
され、第10ビツト目の信号DIOとともにANDゲー
ト回路G1の入力に供給される。このANDゲート回路
G1の出力信号は、図示しない中央処理装置(CP U
)に送出する動作終了信号ACKとして使用される。
一方、上記タイミング制御回路によって制御される記憶
装置側は、各記憶装置6.7のデータ人力Dinと上記
ラッチレジスタ8を介したデータ出力Dout”とは、
双方向バッファ9を介してデータバスDBに接続される
。なお、各記憶装置6.7には、アドレスバスABから
のアドレス信号が供給されるものである(図示せず)。
次に、この実施例のメモリシステムの動作を第2図及び
第3図のタイミング図に従って説明する。
第2図には、低速記憶装置7 (M2)に対してアクセ
スを行った場合のタイミング図が示されている。この実
施例では、特に制限されないが、その初期値T2として
011111110Gが記憶手段3に保持されている。
したがって、記憶装置7を選択するようなシステムアド
レス信号がアドレスデコーダ1に供給されると、その出
力信号m2が形成されてセレクタ4を介して上記初期値
T2がシフトレジスタ5に供給される。そして、この出
力信号m2とクロックφとで形成されたロード信号φ1
に同期して、上記初期値T2がシフトレジスタ5に取り
込まれる。したがって、第1個目のクロックφのタイミ
ングでは、第7.8ビツト目の信号D7.DBとが1と
なり、残り第9゜10ビツト目の信号D9.DIOは、
0となる。このような初期値T2は、クロックφに従っ
て順次1ビツトづつ右側にシフトされる。このシフト動
作により1クロツクづつ遅れて信号D9.DIO1が順
次1になる。また、7個目のクロックφが到来したとき
、初期値T2における第1ビツト目の0が第7ビツト目
にシフトされてくるので信号D7が0になる。以後、1
クロツクづつ遅れて信号D8〜DIOも順次0に変化す
る。
以上のシフトレジスタ5のシフト動作により、上記アド
レスデコーダ1の出力信号m2の選択信号(論理“1”
)と、上記第8ビツト目の信号D8を受けるANDゲー
ト回路G3の出力信号CS2により記憶装置? (M2
)が選択状態にされる。
ソシて、信号D7が0(ロウレベル)に変化するとき、
ストローブ信号φ2が形成されるので、読み出し動作で
あれば記憶装置7からの読み出し信号Doutがラッチ
レジスタ8に取り込まれる。さらに、2クロツク分遅れ
て信号D9がOになるので、ANDゲート回路G1によ
り動作終了信号へ〇Kが送出されてそのアクセスが終了
する。すなわち、図示しない中央処理装置CPUは、上
記動作終了信号ACKを受けて、上記読み出されたデー
タDout’を双方向バッファを介して受け取るもので
ある。なお、書込み動作であれば、上記チップ選択期間
C32の間に入力データDinを記憶装置7に供給し、
上記同様な動作終了信号ACKの転送を待って動作を終
了させるものである。
第3図には、高速記憶袋f!i6(Ml)に対してアク
セスを行った場合のタイミング図が示されている。この
実施例では、特に制限されないが、その初期値TIとし
て0000011100が記憶 。
手段2に保持されている。したがって、記憶装置6を選
択するようなシステムアドレス信号がアドレスデコーダ
1に供給されると、その出力信号m1が形成されてセレ
クタ4を介して上記初期値T1がシフトレジスタ5に供
給される。そして、この出力信号m1とクロックφとで
形成されたロード信号φ1に同期して、上記初期値TI
がシフトレジスタ5に取り込まれる。したがって、第1
個目のクロックφのタイミングでは、第7.8ビツト目
の信号D7.D8とが1となり、残り第9゜lOビット
目の信号D9.DIOは0となる。このような初期値T
1は、クロックφに従って順次1ビツトづつ右側にシフ
トされる。このシフト動作により1クロツクづつ遅れて
信号D9.D10が順次lになる。また、3個目のクロ
ックφが到来したとき、初期値TIにおける第5ビツト
目の0が第7ビツト目にシフトされてくるので信号D7
が0になる。以後1.1クロツクづつ遅れて信号D8〜
DIOも順次Oに変化する。
以上のシフトレジスタ5のシフト動作←より、上記アド
レスデコーダ回路1の出力信号m1の選択信号(論理“
1”)と、上記第8ビツト目の信号D8を受けるAND
ゲート回路G3の出力信号CSIにより記憶装置6(M
l)が選択状態にされる。そして、信号D7が0(ロウ
レベル)に変化するとき、ストローブ信号φ2が形成さ
れるので、読み出し動作であれば記憶装置6からの統み
出し信号Doutがランチレジスタ8に取り込まれる。
さらに、2クロツク分遅れて信号D9が0になるので、
ANDゲート回路G1により動作終了信号ACKが送出
されてそのアクセスが終了する。
すなわち、図示しない中央処理装置CPUは、上起動作
終了信号ACKを受けて、上記読み出されたデータDo
ut’を双方向バッファを介して受け取るものである。
なお、書込み動作であれば、上記チップ選択期間C81
の間に入力データDinを記憶装置6に供給し、上記同
様な動作終了信号ACKの転送を待って動作を終了させ
るものである。
以上の動作により、低速記憶装置7は、クロックφが7
個分の期間動作状態にされ、高速記憶語N6は、クロッ
クφが3個分の期間動作状態にされる。したがって、こ
の実施例では、上記クロックφの1周期とクロックの数
とによりメモリ装置の動作時間と一致させるものである
。このような動作時間(アクセスクーイム)の設定は、
上記初期値の設定により簡単に実現できるものである。
〔効 果〕
(1,1アドレスデコーダ、シフトレジスタ、セレクタ
及びゲート回路のような簡単に回路により構成された単
一のタイミング制御回路によって、その動作時間の異な
る複数の記憶装置からなり、各記憶装置の動作時間に応
じたサイクルのもとに動作させることかできるメモリシ
ステムを得ることができるという効果が得られる。
(2)上記(11により簡単な回路によりタイミング制
御を行うことができるから、メモリシステム全体の故障
率を減少させることができるという効果が得られる。
(3)上記+11によりタイミング制御回路の構成部品
点数が少なくてすむから、低価格のメモリシステムを得
ることができるという効果が得られる。
(4)上記(1)により、各記憶装置を最適動作サイク
ルでアクセスすることができるから、メモリアクセス時
間に無駄が生じない。したがって、記憶情報の入出力を
合理的に行うことができるという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、3種類以上の
記憶装置に対しては、上記初期値を保持する記憶手段と
、ゲート回路を追加することによって上記同様にそれぞ
れの動作時間に応じたタイミング制御を行うことができ
る。
また、各記憶装置の動作時間に応じた時間設定を行う回
路は、上記シフトレジスタに代えプログラマブルカウン
タ等のような時間計測(パルス計数)回路を用いるもの
であってもよい。
さらに、各回路ブロックの具体的回路の構成は、種々の
実施形態を採ることができるものである。
〔利用分野〕
この発明は、動作時間の異なる複数の記憶装置からなる
メモリシステムに広く利用できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明に係るメモリシステムの一実施例を
示すブロック図、 第2図は、低速記憶装置のタイミング制御を説明するた
めのタイミング図、 第3図は、高速記憶装置のタイミング制御を説明するた
めのタイミング図である。 1・・アドレスデコーダ、2.3・・記憶手段、4・・
セレクタ、5・・シフトレジスタ、6・・高速記憶装置
、7・・低速記憶装置、8・・ラッチレジスタ、9・・
双方向バッファ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、動作時間の異なる複数の記憶装置ブロックと、シス
    テムアドレス信号を受けて上記記憶装置ブロックに対す
    るアクセスを検出するアドレスデコーダと、このアドレ
    スデコーダの出力信号によって対応する記憶装置ブロッ
    クにおけるアクセス時間に相当する初期値が設定され、
    所定のパルス信号により時間計測動作を行う計数回路と
    、この計数回路の出力信号により記憶装置ブロックに対
    する書込み又は読み出しの動作時間の設定を行うタイミ
    ング制御回路とを含むことを特徴とするメモリシステム
    。 2、上記計数回路は、シフトレジスタにより構成される
    ものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    のメモリシステム。 3、上記タイミング制御回路は、読み出し出力信号をラ
    ッチ回路に取り込むタイミング信号と、中央処理装置に
    送出する動作終了信号とを形成するものであることを特
    徴とする特許請求の範囲第1又は第2項記載のメモリシ
    ステム。
JP18691983A 1983-10-07 1983-10-07 メモリシステム Pending JPS6080193A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6182184B1 (en) 1990-04-18 2001-01-30 Rambus Inc. Method of operating a memory device having a variable data input length
US7603493B2 (en) 2002-07-10 2009-10-13 Micron Technology, Inc. Dynamically setting burst length of memory device by applying signal to at least one external pin during a read or write transaction

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US7984207B2 (en) 2002-07-10 2011-07-19 Round Rock Research, Llc Dynamically setting burst length of double data rate memory device by applying signal to at least one external pin during a read or write transaction
US8019913B2 (en) 2002-07-10 2011-09-13 Round Rock Research, Llc Dynamically setting burst length of double data rate memory device by applying signal to at least one external pin during a read or write transaction
US8281052B2 (en) 2002-07-10 2012-10-02 Round Rock Research, Llc Dynamically setting burst length of double data rate memory device by applying signal to at least one external pin during a read or write transaction

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