JPH0522315B2 - - Google Patents

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JPH0522315B2
JPH0522315B2 JP29889586A JP29889586A JPH0522315B2 JP H0522315 B2 JPH0522315 B2 JP H0522315B2 JP 29889586 A JP29889586 A JP 29889586A JP 29889586 A JP29889586 A JP 29889586A JP H0522315 B2 JPH0522315 B2 JP H0522315B2
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JP
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Keizo Aoyama
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Priority to US07/130,630 priority patent/US4825098A/en
Priority to DE3750124T priority patent/DE3750124D1/de
Priority to EP87310861A priority patent/EP0272847B1/en
Priority to KR8714385A priority patent/KR910000153B1/ko
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Description

【発明の詳細な説明】
〔概要〕 一方向性内部回路たとえばフアーストイン・フ
アーストアウト(FIFO)の内部入出力ポートと
外部ポートとの間に切替スイツチを設けると共
に、該切替スイツチを特別の外部ポートを設けず
に元々存在する少なくとも2つの外部ポートの信
号の所定レベルのオーバラツプの有無に応じて制
御して1チツプ内で双方向のデータ転送を可能に
し、これにより、実装占有面積の縮小、配線の単
純化を図つたものである。 〔産業上の利用分野〕 本発明は、FIFO等の一方向性回路を双方向の
データ転送に可能にした双方向性半導体装置に関
する。 〔従来の技術〕 一般に、FIFO、ラストイン・フアーストアウ
ト(LIFO)、シフトレジスタ等の2ポート・バツ
フア(チツプ)は入力ポートおよび出力ポートを
有し、入力ポート→出力ポートの一方向性のデー
タ転送を行い、従来、これらの入力ポートおよび
外部ポートに対応する各端子は固定されている。
たとえば、FIFOであれば、第9図に示すごとく、
書込み制御信号は第1ピンに、入力データIN
(I0〜I8)は第2〜第6ピン、および第24〜第27
ピンに、読出し制御信号は第15ピンに、出力デ
ータOUT(O0〜O8)は第9〜第13ピンおよび第
16〜第19ピンに固定されている。なお、VCC
VSSは電源、その他のピンはフル(Full)、空
(Empty)等を表わすものである。 上述のごとく入力用、出力用ピンが固定されて
いる一方向性FIFOを用いて双方向のデータ転送
を行う場合には、第10図に示すごとく、2つの
FIFOを接続し、A→Bへのデータ転送にはFIFO
1を用い、他方、B→Aへのデータ転送には
FIFO2を用いて行つていた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、第10図のごとく双方向性装置
を構成すると、使用チツプ数の増加によるプリン
ト板上における実装占有面積の倍増と共に、プリ
ント板上の入出力I/O配線の複雑化を招くとい
う問題点があつた。なお、I/O配線の複雑化は
その占有面積増加によるプリント板実装密度の低
下および配線の浮遊容量の増加による電気的特性
の悪化をも招く。 従つて、本発明の目的は、プリント板上での実
装占有面積の縮小およびI/O配線の単純化を図
つた双方向性半導体装置を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 上述の問題点を解決するための手段は第1図に
示される。第1図において、一方向性内部回路は
内部入力ポートIN、この内部入力ポートを制御
する内部入力制御ポート、内部出力ポート
OUT、およびこの内部出力ポートを制御する内
部出力制御ポート、リセツトポート等を
有している。内部入出力ポートIN,OUTに対し
てはA側の外部入出力ポートI/O(A)および
B側の外部入出力ポートI/O(B)が設けられ、
これらの間の接続は第1の切替手段によつて切替
えられる。他方、内部入出力制御ポート,に
対してはA側の外部入出力制御ポート
(A)およびB側の外部入出力制御ポート
(B)が設けられ、これらの間の接続は、内部制
御ポートの一方を一方側の書込み/読出し制御
ポート(A)に接続するときは内部制御ポ
ートの他方を他方側の書込み/読出し制御ポー
ト(B)に接続し、内部制御ポートの一方
Wを他方側の書込み/読出し制御ポート
(B)に接続するときは内部制御ポートの他方
を一方側の書込み/読出し制御ポート
(A)に接続する第2の切替手段によつて切替え
られる。第1,第2の切替手段のモード設定はモ
ード設定手段によつて行われるが、このモード設
定手段は少なくとも2つの外部制御ポートたとえ
ば,(B)の信号の所定レベル(た
とえば“0”レベル)のオーバラツプの有無を用
いてモード信号Mを発生する。 〔作用〕 上述の手段によれば、A側入出力ポートI/O
(A)→内部回路→B側入出力ポートI/O(B)
のデータ転送と、B側入出力ポートI/O(B)
→内部回路→A側入出力ポートI/O(A)デー
タ転送、の双方向の転送が第1,第2の切替手段
によつて切替えられ、しかも、第1,第2の切替
手段のモード設定はもともと必要な外部入出力制
御ポートたとえば(A),(B)の
信号に応じて行われ、特別なポートを必要としな
い。 〔実施例〕 第2図は本発明に係る双方向性半導体装置の一
実施例を示す回路図である。第2図の一点鎖線枠
は1チツプを示す。このチツプには唯一の一方向
性内部回路たとえばFIFOが設けられ、このFIFO
には内部ポートたとえば書込み制御ポート、読
出し制御ポート、入力ポートIN、出力ポート
OUT、リセツトポート等が設けられてい
る。また、チツプの周辺には外部との接続のため
に、A側の外部ポート、たとえば書込み/読出し
制御ポート(A),入出力ポートI/O
(A)およびB側の外部ポート、たとえば書込
み/読出し制御ポート(B)、入出力ポー
トI/O(B)、リセツトポート等、が設け
られている。そして、外部ポート(A),
W/R(B)と内部ポートとの間には第1のス
イツチSW1が設けられ、外部ポート(A),
W/R(B)と内部ポートとの間には第2のス
イツチSW2が設けられ、外部ポートI/O(A),
I/O(B)と内部ポートINとの間には第3のス
イツチSW3が設けられ、外部ポートI/O(A),
I/O(B)と内部ポートOUTとの間には第4の
スイツチSW4が設けられている。これらのスイツ
チSW1〜SW4はモード設定回路SCのモード信号
Mによつて同時に動作する。 なお、第2図における内部ポートIN,OUT、
外部ポートI/O(A),I/O(B)は、実際に
は、多ビツトたとえば第9図のごとく9ビツト構
成であるが、説明を簡単にするために1ビツト構
成とする。 第3図を参照して第2図のモード設定回路SC
を説明する。モード設定回路SCは、外部リセツ
ト信号RSTと外部書込み/読出し制御信号R/
W(B)のローレベルのオーバラツプを検出する
オーバラツプ検出器(ノア回路)DETI、外部リ
セツト信号の立下りを検出する立下り検出
器DET2(遅延回路DL、インバータI1、ノア回
路G2)、およびメモリとしてのRSフリツプフロ
ツプFFより構成される。このRSフリツプフロツ
プFFは第4図のごとく構成され、セツト端子S
には電源VCC、リセツト端子Rには接地電位、ク
ロツク端子CKにはオーバラツプ検出器DETIの
出力、クリア端子CLには立下り検出器DET2の
出力が、それぞれ、印加されている。 従つて、第5A図に示すごとく、FIFOをリセ
ツトすると共に立下り検出器DET2の出力によ
りフリツプフロツプFFをリセツトした後に
(=“0”)、リセツト信号が十分回復し
てから外部制御ポート(B)の信号を変化
させても、オーバラツプ検出器DETIの出力は
“0”に保持される。この結果、フリツプフロツ
プFFはリセツト状態に保持され、従つて、モー
ド信号Mは“1”に保持される。他方、第5B図
に示すごとく、FIFOをリセツトすると共に立下
り検出器DET2の出力によりフリツプフロツプ
FFをリセツトした後に(=“0”)、リセツ
ト信号が回復する前に外部制御ポート
R(B)の信号を変化させると、オーバラツプ検
出器DETIはと(B)のローレベルの
オーバラツプを検出してその出力を“0”から
“1”に変化させる。この結果、フリツプフロツ
プFFはセツトされ、従つて、モード信号Mは
“0”となる。このように、外部ポートを特別に
付加することなく既設の外部ポートへの入力によ
つてチツプ内部で所望のモード信号Mは生成す
る。 なお、第3図においては、リセツト信号
によりフリツプフロツプFFをリセツト(クリア)
しているが、フリツプフロツプFFの回路定数を
適当に設定すれば、電源印加による自動的にリセ
ツト動作を行うこともできる。 第6A図〜第6D図を参照して第2図の各スイ
ツチSW1〜SW4を説明する。 第6A図に示すごとく、スイツチSW1はナンド
回路G11,G12,G13、イバータI11により構成さ
れ、従つて、モード信号Mが“1”のときには、
W/R(A)がFIFOの書込み制御ポートに入
力され、他方、モード信号Mが“0”のときに
は、(B)がFIFOの書込み制御ポート
に入力される。 同様に、第6B図に示すごとく、スイツチSW2
はナンド回路G21,G22,G23、インバータI2によ
り構成され、従つて、モード信号Mが“1”のと
きには、(B)がFIFOの読出し制御ポー
トに入力され、他方、モード信号Mが“0”の
ときには、(A)がFIFOの読出し制御ポ
ートに入力される。 同様に、第6C図に示すごとく、スイツチSW3
はナンド回路G31,G32,G33、インバータI3によ
り構成され、従つて、モード信号Mが“1”のと
きには、I/O(A)がFIFOの入力データポート
INに入力され、他方、モード信号Mが“0”の
ときには、I/O(B)がFIFOの入力データポー
トINに入力される。 また、第6D図に示すごとく、スイツチSW4
は、ナンド回路G41,G42,G43,G44、インバー
タI4〜I8、およびCMOSバツフアBF1,BF2によ
り構成される。従つて、モード信号Mが“1”の
ときには、第6D図の下側回路が動作して出力デ
ータポートOUTのデータはポートI/O(B)に
送出され、他方、モード信号Mが“0”のときに
は、第6D図の上側回路が動作して出力データポ
ートOUTのデータはポートI/O(A)に送出さ
れる。 以上をまとめると、
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、双方向性
半導体装置を唯一の一方向性回路により構成し、
また、双方向のデータ転送をチツプ内部発生の信
号により制御しているので、プリント板上での実
装占有面積を縮小でき、しかも配線も単純化でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の基本構成を示す図、第2図は
本発明に係る双方向性半導体装置の一実施例を示
す回路図、第3図は第2図のモード設定回路の回
路図、第4図は第3図のフリツプフロツプの回路
図、第5A図、第5B図は第3図の回路動作を説
明するタイミング図、第6A図〜第6D図は第2
図のスイツチの詳細な理論回路図、第7図は第2
図のFIFOの詳細な回路図、第8図は第7図の回
路動作を説明するためのタイミング図、第9図は
従来の一方向性装置を示す概観図、第10図は従
来の双方向性装置を示すブロツク回路図である。 FIFO……フアーストイン・フアーストアウト
(一方向性回路)、SC……モード設定回路、IN,
OUT,,,……内部ポート、
(A),(B),I/O(A),I/O(B),
RST……外部ポート、SW1〜SW4……スイツチ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 内部入力ポートIN、内部出力ポートOUT、
    および複数の内部制御ポート,,を有
    する一方向性内部回路と、 第1,第2の外部入出力ポートI/O(A),
    I/O(B)と、 前記各内部制御ポート,,に接続さ
    れ得る一方側の書込み/読出し制御ポート
    (A)、他方側の書込み/読出し制御ポート
    (B)、およびリセツトポートから成る複数
    の外部制御ポートと、 前記内部入力ポートを前記第1,第2の外部入
    出力ポートの一方に接続し、前記内部出力ポート
    を他方に接続する第1の切替手段と、 前記内部制御ポートの一方を前記一方側の書
    込み/読出し制御ポート(A)に接続する
    ときは前記内部制御ポートの他方を前記他方側
    の書込み/読出し制御ポート(B)に接続
    し、前記内部制御ポートの一方を前記他方側の
    書込み/読出し制御ポート()に接続す
    るときは前記内部制御ポートの他方を前記一方
    側の書込み/読出し制御ポート()に接
    続する第2の切替手段と、 前記リセツトポートからの制御信号と前
    記一方側の書込み/読出し制御ポート
    (A)からの制御信号または前記他方側の書込
    み/読出し制御ポート(B)からの制御信
    号の所定レベルのオーバラツプの有無により前記
    第1,第2の切替手段のモードを設定するモード
    設定手段と、 を具備する双方向性半導体装置。
JP61298895A 1986-12-17 1986-12-17 双方向性半導体装置 Granted JPS63152084A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61298895A JPS63152084A (ja) 1986-12-17 1986-12-17 双方向性半導体装置
US07/130,630 US4825098A (en) 1986-12-17 1987-12-08 Bidirectional semiconductor device having only one one-directional device
DE3750124T DE3750124D1 (de) 1986-12-17 1987-12-10 Zweirichtungs-Halbleitergerät mit nur einem einzigen Einrichtungsgerät.
EP87310861A EP0272847B1 (en) 1986-12-17 1987-12-10 Bidirectional semiconductor device having only one one-directional device
KR8714385A KR910000153B1 (en) 1986-12-17 1987-12-17 Bidirectional semiconductor device having only one one-directional device

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JP61298895A JPS63152084A (ja) 1986-12-17 1986-12-17 双方向性半導体装置

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JPS63152084A JPS63152084A (ja) 1988-06-24
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ID=17865545

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5247636A (en) * 1975-10-15 1977-04-15 Toshiba Corp Control method for transmitting information
JPS581221A (ja) * 1981-06-26 1983-01-06 Sony Corp マイクロコンピユ−タ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5247636A (en) * 1975-10-15 1977-04-15 Toshiba Corp Control method for transmitting information
JPS581221A (ja) * 1981-06-26 1983-01-06 Sony Corp マイクロコンピユ−タ

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JPS63152084A (ja) 1988-06-24

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