JPS63151085A

JPS63151085A - 受光装置

Info

Publication number: JPS63151085A
Application number: JP61299600A
Authority: JP
Inventors: Osamu Yoneyama; 修米山; Isao Umezawa; 梅沢　勇雄
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1986-12-16
Filing date: 1986-12-16
Publication date: 1988-06-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】以下の順序に従って本発明を説明する。

Ａ、産業上の利用分野Ｂ１発明の概要Ｃ０従来技術［第８図乃至第１１図］ａ、背景技術［第８図、第９図］ｂ、従来例［第１０図、第１１図］Ｄ０発明が解決しようとする問題点［第１２図乃至第１５図］Ｅ４問題点を解決するための手段Ｆ、作用Ｇ、実施例［第１図乃至第７図］Ｈ１発明の効果（Ａ、産業上の利用分野）本発明は受光装置、特に一定の受光領域内に入射さおだ
先の分布を検出する受光装置に関する。

（Ｂ、発明の概要）本発明は、一定の受光領域内に入射した光の分布を検出
する受光装置において。

上記受光領域内において不感領域が生じないようにする
ため、受光領域を１つのフォトダイオードで構成することとし
、その受光領域上に複数の信号取り出し部を適宜離間し
て配置し、各１３号取り出し部から出力された複数の光
検出信号から受光領域内に入射された光の光分布を検出
するようにしたものである。

（Ｃ，従来技術）［第８図乃至第１１図］（ａ、背景技
術）［第８図、第９図］コンパクトディスクプレイヤにはディスクの信号面に形
成されたピットの有無を検出する光ピツクアップが信号
読取装置として用いられる。

光ピツクアップはレーザから発射したレーザビームをデ
ィスクの信号面に照射して信号、つまりビットの有無に
よって変調された反射光を得てそれを受光装置によって
受光することにより信号の読み取りを行うものである。

そして、その信号の読み取りにはフォーカシングが不可
欠であり、フォーカシングを行うにはその面提としてフ
ォーカス検出が必要である。そのフォーカス検出は従来
においては非点収差法により行うようにされていた。

そこで、非点収差法によるフォーカス検出について第８
図及び第９図に従って説明する。第８図は非点収差法に
よるフォーカス検出用光学系の構成の概略を示すもので
、同図において、ａは例えば半導体レーザからなる光源
で、該光源ａから出射されたレーザビームＬＢはビーム
スプリッタｂを透過し、対物レンズＣによって収束され
て光学式記録媒体である光ディスクｄに入射される。

そして、その入射されたレーザビームＬＢは光ディスク
ｂの表面で反射されて戻り光となり、その戻り光は対物
レンズＣを通ってビームスプリッタｂまで戻るとこのビ
ームスプリッタｂによってこれの側方に配置されている
シリンドリカルレンズｅ側に反射される。そのビームス
プリッタｂによって反射されたレーザビームＬＢはシリ
ンドリカルレンズｅを透過する際に一方向にのみ、即ち
、シリンドリカルレンズｅの軸方向と直角方向（第８図
におけるχ方向）においてのみ集光される。従って、シ
リンドリカルレンズｅを通ったレーザビームＬＢの断面
形状は、ｆ点では縦方向（ｙ方向）に延びる１本の線と
なり、ｇ点では横方向（χ方向）に延びる１本の線とな
り、ｆ点とｇ点との間の中間点９では真円となる。そし
て、中間点ｑからｆ点に近ずく程真円から縦方向（ｙ方
向）に長い楕円に変化し、中間点ｑからｇ点に近ずく程
真円から横方向（χ方向）に長い楕円に変化する。そこ
で、ディスク面が光学系の焦上面にあるときにおける上
記中間点９上に光分布検出用の受光装置を、その受光面
がシリンドリカルレンズｅを向いて位置しその受光領域
Ｐ１の中心０がレーザビームＬＢの光軸と合致するよう
に配置すると、第９図に示すようにフォーカシング状態
によって受光領域Ｐｌ内に描かれるビームスポットＢＳ
が変化するようにすることができる。具体的には、ビー
ムスポットＢＳはレンズＣとディスクｄの距離が近すぎ
るときはレーザビームＬＢにおける上記中間点ｑよりも
前の例えばｈ点に受光装置の受光面が位置した状態にな
るので、フォトダイオードＢとＤとを結ぶ対角線方向に
長い楕円となる。従って、フォトダイオードＢ及びＤの
受光量か多くなるのに対してフォトダイオードＡ及びＣ
の受光量が少なくなる。

逆に、レンズＣとディスクｄの距離が達すざるときはレ
ーザビームＬＢにおける上記中間点９よりも後のｉ点に
受光装置の受光面が位置する状態になり、受光面上のビ
ームスポットＢＳは、フォトダイオードＡとＣとを結ぶ
対角線方向に長い楕円となる。従って、フォトダイオー
ドＢ及びＤはフォトダイオードＡ及びＣよりも受光量が
少なくなる。そして、ディスク面が光学系の焦Ｙ面に位
置しているときは受光装置の受光面がレーザビームＬＨ
の中間点ｑ上に位置した状態になるので各フォトダイオ
ードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄの受光量は略同じになる。従って、
各フォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄの光検出信号Ｓａ、
Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄを適宜演算処理することによりフォー
カス状態を検出することができる。具体的に演算内容を
示すと（Ｓａ＋５ｃ）−（Ｓｂ＋Ｓｄ）であり、その演
算結果が負の値だと近すぎ、０だとちょうどよい、正の
値だと達すざるということになる。尚、ディスクｄに記
録されたデータ（例えば音声、映像、その他）の読み取
りは光検出信号Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄを加算すること
によって行うことができる。

（ｂ、従来例）［第１０図、第１１図］第１０図はその
光ピツクアップに用いられる受光装置の従来例の−を示
す平面図である。

この受光装置は３つの受光領域を４Ｆ　シ、第１の受光
装置Ｐ１はフォーカスエラー検出を行う（映像、音声そ
の他データの読み出しも行う）ものであり、４個のフォ
トダイオードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄを配置してなり、該受光領
域Ｐ１にてビットの有無で変調されたレーザビームを受
光して映像、音声あるいはその他データの信号の再生に
供すると共に非点収差法によるフォーカス検出を行う。

受光領域Ｐ２はフォトダイオードＥかうなり、受光領域
Ｐ３はフォトダイオードＦからなり、受光領域Ｐ２、Ｐ
３は２つの副ビームを検出して３ビーム法によるトラッ
キングエラー検出を行う役割を果す。尚、トラッキング
については本発明の本質と直接関係しないので説明しな
い。

第１１図はそのような光ピツクアップ用受光装置の従来
の断面構造を拡大して示すものであり、この断面の位置
は第１Ｏ図の１１−１　を線にあたる。第１０図におい
て、ａはＮゝ型のシリコン半導体Ｊ＾板、ｂは該基板３
表面上に形成されたｎ−型半導体層、Ｃは半導体層すの
表面上に形成された５ｉｎ２からなるフィールド絶縁膜
（膜厚７０００人）、ｄは該フィールド絶縁ＩＩＱＣを
選択的にエツチングすることにより形成されたフォトダ
イオード形成用窓部、ｅは該窓部ｄを通じてｔ導体層す
表面部にＰ型不純物を拡散することにより形成されたＰ
＋型半導体領域で、第１０図における左側の半導体領域
ｅ　（Ａ）がフォトダイオードＡを構成するＰ＋型半導
体領域、同図における右側の半導体領域ｅ　（Ｂ）がフ
ォトダイオードＢを構成するＰ型半導体領域である。

ｆはＰ型を導体領域ｅ形成用の窓部ｄに形成さｔｉりＳ
　ｉ　Ｏ２ｆｌＩ　（膜厚２０００人）、ｇはフィール
ド絶縁膜Ｃ及び５ｉ０２膜ｆ上に全面的に形成されたナ
イトライド膜（膜厚３０００〜４０００人）である。

上記ナイトライドＩｌｓｔｇは、自身ｇと窓部ｄを覆う
約２０００人の厚さの５ｉｎ２膜ｆによって無反射条件
を満たす透光性液ｇｈを構成するために形成したもので
あり、ナイトライド膜ｇは約３０００〜４０００人の膜
Ｈにすると約２０００人の５ｉ０２膜ｆとで無反射条件
を満たす透光性被膜りを構成することができる。従って
、窓部ｄ内に入射された光はそのナイトライド膜ｇとＳ
ｉ０２１Ｐ２　ｆとからなる透光性被膜りを透過して半
導体領域ｅかうなるフォトダイオードＡ、Ｂ等によって
受光される。尚、フォトダイオード同上には７０００人
のフィールド絶縁＠Ｃが存在し、その上にナイトライド
Ｈｇが存在しているが、７０００人のフィールド絶縁膜
Ｃと３０００〜４０００人のナイトライド、膜ｇからは
無反射条件を満たさない被膜、即ち、反射性被膜ｉが形
成される。従って、フォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ間
−ヒに入射した光は反射性被膜ｉによって反射され、フ
ォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ％　Ｄによって受光されるこ
とはない。

（０１発明−が解決しようとする問題点）［第１２図乃
至第１５図］ところで、コシパクトディスクブレイヤにおいてはジッ
タが問題になっていた。このジッタとは第１２図に示す
ような受光領域Ｐ１で検出されたＲＦ低信号ゼロクロス
点のずれのことをいう。即ら、受光領域Ｐ１で検出され
たＲＦ低信号波形は第１２図に示すようなアイパターン
と称される波形になり、時間軸」−に所定の時間間隔を
おいて存在するゼロクロス点でゼロクロスしなければな
らないようになっており、どのゼロクロス点でゼロクロ
スするかによってピットの長さが判断できる。

ところが、実際にはアイパターンが本来ゼロクロスずへ
きゼロクロス点からずれた点でゼロクロスしてしまい読
取り性能が低下してしまうという問題があった。第１３
図は第１２図における１つのゼロクロス部＠を拡大して
示すジッタの説明図であり、実線が本来あるべきパター
ンを示し、破線が実際のパターンを示すものであり、本
来ゼロクロスすべきゼロクロス点と実際のゼロクロス点
とのすれ△ｔをジッタと称する。そして、このジッタ△
ｔが大きくなる程光ピックアップの読取り性能が低下す
るのでこのジッタ△ｔを小さくする必要がある。ジッタ
△ｔはコンパクトディスクの加工粘度が低い頃は非常に
大きかったが、加工粘度の著しい向上により比較的小さ
くなり、現在では加工粘度の不充分さに起因するジッタ
はもはやなくなったとまでいわれている。しかし、ジッ
タが完全になくなったわけではない。そこで、ジッタを
Ｏにすべく研究を進めたところ受光領域Ｐ１における光
学特性がジッタと関連性を有することが判明した。この
点について説明すると次のとおりである。

受光領域に入射されるところのＲＦ倍信号より変調され
たルーザビームは、低い周波数成分がビームスポットの
中心部により多く分布し、高い周波数成分かビームスポ
ットの周縁部により多く分４１；　Ｌ７　、そして、そ
の周縁部に分布する高い周波数成分がジッタを生ぜしめ
る性質を有していることが判明した。

＝一方、受光領域Ｐ１における第１Ｏ図の１ｌ−１１１
ｖ＋！に沿う感度分布は第１４図に示すように中心部０
では０になり、それから離れると所定の感度を持つよう
なパターンになり、そして、従来においては中心部にお
ける感度が０ないしはそれに近い非常に低い領域、即ち
、不感領域の幅が広かった。つまり、低い周波数成分の
ビームを受ける中心部に不感領域が比較的広く存在して
いた。

これは受光領域Ｐ１を４個のフォトダイオードＡ、Ｂ、
Ｃ，Ｄにより構成しており、そして、各フォトダイオー
ド間には必ず不感領域がη在し、その不感領域が受光領
域Ｐ１の中心Ｏ上に位置してしまっているためである。

そのため、周波数感度特性は第１５図に示すように低い
周波数帯域、即ち低域で感度が大きく落ちてしまうパタ
ーンになってしまう。従って、信号全体に占めるジッタ
を起こす高い周波数成分の割合が比較的大きく、このこ
とがジッタをより小さくすることの大きな妨げになって
いた。

本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、受光領域内に入射された光の分布を検出する受光
装置においてその受光領域内において不感領域が生じな
いようにすることを目的とするものである。

（Ｅ、問題点を解決するための手段）本発明受光装置は上記問題点を解決するため、半導体基
振の光分布を検出する１つの受領域を１つのフォトダイ
オードにより構成することとし、その受光領域上に複数
の信号取り出し部を互いに適宜に離間して配置し、各信
号取り出し部を通じて出力された複数の光検出信号から
受光領域内の光分布を検出するようにしたことを特徴と
するものである。

（Ｆ、作用）本発明受光装置によれば、光分布を検出する領域を複数
のフォトダイオードで構成するのではなく１つのフォト
ダイオードを構成するので、受光Ｔ１域内においては隣
接するフォトダイオード間に生じる不感領域は存在し得
ない。従って、受光領域内において不感領域が生じない
ようにすることか可能になる。

そして、受光領域内における入射光の光分布はフォトダ
イオード表面に配置された複数の信号取り出し部を通じ
て取り出した複数の光検出信号により検出することがで
きる。

（Ｇ、実施例）［第１図乃至第７］以Ｆ、本発明受光装置を図示実施例に従って詳細に説明
する。

第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明受光装置の一つの実に例
を示゛すもので、同図（Ａ）は乎面図、同１’ａ　（Ｂ
）　は同図（Ａ）　のＢ−Ｂｉｔ、：沿う拡大断面図で
ある。

図面において、１はｎ″Ｖ型のシリコン半導体基板、２
は該半導体基板Ｉトに形成されたｎ−型の半導体層、３
は該半導体層２表面部にＰ型の不純物を選択的にトープ
することにより形成された平面形状が略正方形状のＰ型
の半導体領域であり、１つのフォトダイオードを該半導
体領域３と半導体層２、半導体基板１とで構成している
。そして、その１つのフォトダイオードによりフォーカ
スエラー検出用の受光領域Ｐ１が構成されている。

４は５ｉｎ２からなるフィールド絶縁膜、５は半導体層
２表面を直接覆うＳ　ｉ　０２　ｇ！で、２０００人の
厚さを有している。６は該５ｉ０２１ｂ４５を介して半
導体層２の表面を覆うＳｉ、Ｎ４膜で、３０００〜４０
００人の膜厚を有しており、＃Ｓｉ、Ｎ１ｇ！６と５ｉ
０２膜５によって無反射条件を満たす透光性被膜を構成
している。しかして１．ｆ４体基板！の表面側から受光
領域Ｐ！（即ち、半導体層３）に向うレーザビームはそ
の表面にて反射されることな（Ｓｉ３Ｎ４膜６及び５ｉ
Ｏ２１１Ｑ５からなる上記透光性被膜を透過してフィト
ダイオードを結成する半導体領域３に入射し、そして光
電変換される。

７ａ、７ｃは絶縁Ｂｔ１４．５．６に形成されたコンタ
クトホールで、平面形状が略正方形状に形成された゛ｒ
−導体領域３表面の隅角部に形成されている。尚、第１
図（Ｂ）には現れない２つの隅角部にもコンタクトホー
ル７ｂ、７ｄが形成されている。８ａ、８Ｃは上記コン
タクトホール７ａ。

７ｃを通して半導体領域３表面の隅角部に接触せしめら
れた信号取り出し′に１ｔ４ｉである。信号取り出し電
極は８ａ、８Ｃのほかにコンタクトホール７ｂ、７ｄを
通して半導体領域３表面の隅角部に接触せしめられた信
号取り出し電極８ｂ、８ｄがある。Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ、
Ｃｄはこの信号取り出し電極８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄと
半導体領域３表面とのコンタクト部である。各信号取り
出し電極８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄはそれぞれ半導体基板
ｌに対してマイナスの所定の値の電位が与えられ、フォ
トダイオードに逆方向のバイアス電圧が加わるようにな
っている。尚、受光領域Ｐ２、Ｐ３については本発明の
木質と直接関係しないのでその説明は省略する。

この第１図に示した受光装置は非点収差法によるフォー
カス検出をする受光領域ｐｔが４個のではなく１個のフ
ォトダイオード（半導体領域）３によって構成された構
造になっているが、４つの信号取り出し電極８ａ、８ｂ
、８Ｃ１８ｄを通じて取り出される光検出信号（光電流
）から第９図に示すどのフォーカシング状態になってい
るかを検出することができる。というのは、フォーカス
検出用の受光領域Ｐ１が無分割の１つのフォトダイオー
ドにより結成されていてもその表面の４個の隅角部には
それぞれ独立した信号取り出し電極８ａ、８ｂ、８ｃ、
８ｄが接触せしめられている。そして、半導体領域３の
各部分に入射された光はそれぞれその入射されたところ
で光電変換され、その結果発生した光電流は各信号取り
出し電極８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄに分流電流となって流
れ、あるところで発生した光電流により各４３号取り出
し電極８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄに分流して流れる各分流
電流の大きさの割合は発生したところから各信号取り出
し電極８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄのコンタクト部Ｃａ、Ｃ
ｂ、Ｃｃ、Ｃｄまでの距離によって決まり、距離が小さ
い程分流電流が大きくなる。従って、各信号取り出し電
極８ａ、８ｂ、８Ｃ１８ｄを流れる光電流は受光領域Ｐ
Ｉ内に入射された入射光の光分布を反映する。即ち、受
光領域Ｐ１に入射されたレーザビームのビームスポット
がコンタクトＣａとＣｃとを結ぶ対角方向に長い場合は
信号取り出し電極８ａ、８ｃを流れる電流が大きくなる
のに対してず５号取り出し電極８ｂ、８ｄを流れる電流
が小さくなる。その逆にビームスポットがコンタクトｃ
ｂとＣｄとを結ぶ対角緩方向に長い場合は信号取り出し
電極８ａ、８ｃを流れる電流が小さくなるのに対して信
号取り出し電極８ｂ、８ｄを流れる電流が大きくなる。

そして、受光領域１に入射されたレーザビームのビーム
スポットが真円の場合は丼信号取り出し５’ｆｌ　Ｊ４
８　ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄを流れる′Ｉｔ流が互いに略
等しくなる。従って、従来のように４個のフォトダイオ
ードを縦横に並べて１つの受光領域Ｐ１を構成したと同
じようにフォーカス検出を行うことができるのである。

しかして、受光領域ｐｔは第１図（Ａ）において二点鎖
線で示すように観念的に４つの領域Ａ、Ｂ、Ｃ％Ｄに分
割することができ、そして、その各観念的分割領域Ａ、
Ｂ、Ｃ，Ｄが第１０図、第１１゛　図に示した従来の受
光装置の受光領域Ｐｉを構成するフォトダイオードＡ、
Ｂ、Ｃ，Ｄの役割りを担うといえる。

そして、フォーカスエラー検出用受光領域Ｐ１がａ数の
ではなく１個のフォトダイオード３により形成されてい
るので、受光領域Ｐｉ内にはフォトダイオード間に生じ
る不感領域なるものは生じない。従って、第３図に示す
ような感度分布特性［第１図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う感
度分布特性］、即ち、中心０で感度低下が生じない感度
分布特性が得られる。従って、中心Ｏあるいはその付近
に入射した光も検出されるのでフォーカス検出用受光領
域Ｐ１の周波数感度特性は第１４図に示すようになり、
第１５図に示す従来の受光装置のそれとは低周波帯域に
おける感度低下がないという点で異なっている。依って
、受光領域ＰＩにおいて検出したＲＦ信号に占める高域
成分の割合が従来の場合と比較して少なくなり、延いて
はジッタが小さくなる。

即ち、本発明を光ピツクアップの受光装置に適用するこ
とによってジッタを小さくすることができるのである。

実際には本発明の適用によってジッタの規格についてマ
ージンが増え、その結果、歩留りが数％以上も向上する
という形で効果が現れている。

また、受光領域Ｐ１が１つのフォトダイオード３により
構成されているので受光領域Ｐｌの形状が簡明になり、
バターニングが容易になるという利点もある。

第４図は本発明受光装置の変形例を示す入Ｙ面図である
。この受光装置は、各１３号取り出し電極８．８．８．
８のコンタクト部（信号取り出し部）Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ
、Ｃｄを全体的に受光領域Ｐ１の中心０を軸として９０
°傾けたものであり、フォーカスサーボ用光学系がｉｆ
図に示した受光装置の場合よりも９０°傾いている場合
にはこの第４図に示す受光装置のように各信号取り出し
部Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ、Ｃｄをその間の位置関係を維持し
つつ全体的に傾ける必要がある。この場合、観念的分割
領域Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄは平面形状が三角形になる。

第５図は本発明受光装置の別の実施例を示すもので、受
光領域Ｐ１の各観念的分割領域Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ間のクロ
ストークをできるだけ小さくすべく、各信号取り田し部
Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ、Ｃｄ間に不感領域Ｎ、Ｎ、Ｎ、Ｎ、
が切込み状に介在するようにフォトダイオード３の平面
形状を設定したものである。第６図は第５図に示した受
光装置の変形例を示すものである。

第７図は本発明受光装置の更に別の実施例を示す平面図
である。本実施例は、フォーカス用受光領域Ｐ！を２個
のフォトダイオードにより構成したものであり、そのう
ちの１つのフォトダイオードはそのなかに２つの信号取
り出し部Ｃａ、Ｃｂが存在し、２つの観念的分割領域Ａ
、Ｂからなり、他のフォトダイオードはそのなかに２つ
の信号取り出し部Ｃｃ、Ｃｄが存在し、２つの観念約分
；ζ１１＠域Ｃ，Ｄからなる。

このように５本発明は種々の態様で実施することができ
、種々のバリエーションが考えられ得る。

（Ｈ，発明の効果）以上に述べたように、本発明受光装置は、゛百導体ノ＾
板の１つのフォトダイオードからなる受光領域の表面に
複数の信号取り出し部が互いに離間して配置され、上記
複数の信号取り出し部を通じて得られる複数の光検出信
号から上記受光領域内に入射された光の分布を検出する
ようにされてなることを特徴とするものである。

従って、本発明受光装置によれば、受光領域を複数のフ
ォトダイオードによってではなく１つのフォトダイオー
ドによって構成するので、受光領域内においては隣接す
るフォトダイオード間に生じる不感領域は存在し得ない
。従フて、受光領域内において不感領域が生じないよう
にすることができる。

そして、受光領域内に入射された光の光分布は受光領域
表面に配置された複数の信号取り出し部を通じて取り出
した複数の光検出信号により検出することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明受光装置の一つの実施例を説
明するためのもので、第１図（Ａ）は受光装置の平面図
、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図
、第２図は感度分布曲線図、第３図は周波数感度特性曲
線図、第４図は第１図に示した受光装置の変形例を示す
平面図、第５図は本発明受光装置の別の実施例を示す平
面図、第６図は第５図に示した受光装置の変形例を示す
平面図、第７図は本発明受光装置の更に別の実施例を示
す平面図、第８図及び第９図は背景技術を説明するため
のもので、第８図はフォーカス用光学系の構成図、第９
図は非点収差法の原理説明図、第１０図及び第１１図は
受光装置の従来例を示すもので、第１０図は平面図、第
１１図は第１０図の１１−１１線に沿う断面図、第１２
図乃至第１５図は発明が解決しようとする問題点を説明
するためのもので、第１２図はアイパターンを示す波形
図、第１３図は第１２図のゼロクロス部分を拡大して示
すジッタの説明図、第１４図は従来の感度分布を示す感
度分布曲線図、第１５図は従来の周波数感度特性を示す
周波数感度特性曲線図である。符号の説明１・・パｈ導体基板、３・・・フォトダイオード、８・・・信号取り出し電極、Ｃａ−Ｃｄ・・・信号取り出し部。Ｐｉ・・・受光領域。平面図（Ａ）ａ３ｃｃ第１図（本発明）　　　　　　　　（本発明）第２図　　　　
　　第３図第４図第９図従来例の平面図従来伊ノ０断面図（１１−１１線）第１１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体基板の１つのフォトダイオードからなる受
光領域の表面に複数の信号取り出し部が互いに離間して
配置され、上記複数の信号取り出し部を通じて得る複数の光検出信
号から上記受光領域内に入射された光の分布を検出する
ようにされてなることを特徴とする受光装置