JPS59116938A - 光情報検出装置 - Google Patents
光情報検出装置Info
- Publication number
- JPS59116938A JPS59116938A JP22581482A JP22581482A JPS59116938A JP S59116938 A JPS59116938 A JP S59116938A JP 22581482 A JP22581482 A JP 22581482A JP 22581482 A JP22581482 A JP 22581482A JP S59116938 A JPS59116938 A JP S59116938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- luminous flux
- elements
- photodetector
- light
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 27
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010041662 Splinter Diseases 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02024—Position sensitive and lateral effect photodetectors; Quadrant photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/0908—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
この発明は光ディスク、特に溝ディスクに記録された1
青報の検出Oため使用される光ピツクアンプに関する。
青報の検出Oため使用される光ピツクアンプに関する。
(従来技術)
光ディスクのうち、約λ/8の深さの溝を有し、Te低
酸化物等の記録材料の反射率の変化として情報を記録す
る方式のものけ、記録材料に小孔を形成させて情報を記
録するものに比し比較的に低出力のレーザー光で記録出
来ること、記録の消去・再記録の可能性があること等の
特徴を有している。
酸化物等の記録材料の反射率の変化として情報を記録す
る方式のものけ、記録材料に小孔を形成させて情報を記
録するものに比し比較的に低出力のレーザー光で記録出
来ること、記録の消去・再記録の可能性があること等の
特徴を有している。
この種のディスクの光ビックアンプにあっては、主とし
てディスクに形成されている溝による回折の影響をさけ
るため、焦点検出はディスク上の鐵に対して共役な位置
に置かれた光検出素子によっている。その光学系をよ如
詳細に示せば、第1図にトランクと直角方向からの側面
図を示すように、半導体レーザ1からの出射光束はカッ
プリングレンズ2で平行光となシ、偏光ビームスプリン
タ3、λ/4板4を直り円偏光となって、対物レンズ5
によpディスク而6上にスポットを結ぶ。反射光は対物
レンズ5によシ再び平行光となシ、λ/4板4で入射光
と90異なる偏光面を持つ直線偏光となシ、偏光ビーム
スプリンタ3を通過し、集光レンズ7で集光光束とされ
る。この光束の一部はトランク検出用受光素子8で受光
され、トラックキングエラーの検出が行なわれ、残シの
光束はその集光点検出用受光素子9で焦点検出と情報映
出が行なわれる。
てディスクに形成されている溝による回折の影響をさけ
るため、焦点検出はディスク上の鐵に対して共役な位置
に置かれた光検出素子によっている。その光学系をよ如
詳細に示せば、第1図にトランクと直角方向からの側面
図を示すように、半導体レーザ1からの出射光束はカッ
プリングレンズ2で平行光となシ、偏光ビームスプリン
タ3、λ/4板4を直り円偏光となって、対物レンズ5
によpディスク而6上にスポットを結ぶ。反射光は対物
レンズ5によシ再び平行光となシ、λ/4板4で入射光
と90異なる偏光面を持つ直線偏光となシ、偏光ビーム
スプリンタ3を通過し、集光レンズ7で集光光束とされ
る。この光束の一部はトランク検出用受光素子8で受光
され、トラックキングエラーの検出が行なわれ、残シの
光束はその集光点検出用受光素子9で焦点検出と情報映
出が行なわれる。
焦点検出用受光素子9けA、Bに2分割され、第2図に
合焦検出の原理を示すように、合焦時(a)はディスク
からの反射光束の集光点Pは受光素子A、Hの境界部分
にあシ、各素子の出力は等しくなる。対物レンズとディ
スクの間隔が大となった場合(b)は集光点Pは受光素
子9の前方に位置し、光束の半分が他の受光素子8で遮
光されているため、素子Bの出力が大となる。逆に対物
レンズとディスクの間隔が小となった場合(C)は、素
子Aの出力の方が大となる。情報信号はA、B両索子■
出力の和として得られる。
合焦検出の原理を示すように、合焦時(a)はディスク
からの反射光束の集光点Pは受光素子A、Hの境界部分
にあシ、各素子の出力は等しくなる。対物レンズとディ
スクの間隔が大となった場合(b)は集光点Pは受光素
子9の前方に位置し、光束の半分が他の受光素子8で遮
光されているため、素子Bの出力が大となる。逆に対物
レンズとディスクの間隔が小となった場合(C)は、素
子Aの出力の方が大となる。情報信号はA、B両索子■
出力の和として得られる。
一方、トラック検出用受光素子8は、第3図(a)に示
すようにほぼトラックT方向と並行した境界を持つC,
Dの画素子に分割され、トラッキングエラーの発生によ
って同図(b) (e)に示すように画素子の出力が相
対的に変化することによって検出される。
すようにほぼトラックT方向と並行した境界を持つC,
Dの画素子に分割され、トラッキングエラーの発生によ
って同図(b) (e)に示すように画素子の出力が相
対的に変化することによって検出される。
上記の方式による焦点検出信号の1例を第4図に示す。
(B−A) として得られる焦点信号は、信号の正負に
よυデフォーカス方向を示し、一般に焦点ずれのト容h
1±1μを十分に検出できるだけの感度を有しているが
、デフォーカス量が+70μm前後で出力信号がほぼO
となシ、それ以上の検出が出来ないという欠点があった
。
よυデフォーカス方向を示し、一般に焦点ずれのト容h
1±1μを十分に検出できるだけの感度を有しているが
、デフォーカス量が+70μm前後で出力信号がほぼO
となシ、それ以上の検出が出来ないという欠点があった
。
(発明の目的)
この発明け、トラック検出棄子に広範曲Q合焦検出旨能
を持たせることによシ上記Q欠点を改良した光ビックア
ンプ光学系を得ようとするもQである。
を持たせることによシ上記Q欠点を改良した光ビックア
ンプ光学系を得ようとするもQである。
(発明の構成)
この発明における光ピツクアップの光学系は、基本的に
は笥1図に示すもQと同様であるが、第5図に示すよう
に、トラック検出用受光素子10を41分割素子C7、
C2、Dl、D2としたものである。反射光束の光軸O
と4分割素子の境界線の交点PとはΔだけ離れでいる。
は笥1図に示すもQと同様であるが、第5図に示すよう
に、トラック検出用受光素子10を41分割素子C7、
C2、Dl、D2としたものである。反射光束の光軸O
と4分割素子の境界線の交点PとはΔだけ離れでいる。
また、図示の実施例では、光軸O側の2素子C1、Dl
け池の2素子C,2、D2よシ受光面積が小さく構
成され、反射光束断面を点線で示すように、光束の一部
はこの受光素子では受光されず、焦点検出用受光素子9
に向う。
け池の2素子C,2、D2よシ受光面積が小さく構
成され、反射光束断面を点線で示すように、光束の一部
はこの受光素子では受光されず、焦点検出用受光素子9
に向う。
(作用)
第5図に示す素子10においては、各素子の出力をS。
1、Sc2.5L)1、Su2 とすると”” (S
c、+5L11 ) (Sc2 + Su2 )が焦
点信号となシ ’r== (Sc1 +Se2 ) (Su、+ 5
L12’がトラック信号となる。
c、+5L11 ) (Sc2 + Su2 )が焦
点信号となシ ’r== (Sc1 +Se2 ) (Su、+ 5
L12’がトラック信号となる。
すなわち、第5図(a)のように合焦時にF=Qとして
おけば、対物レンズとディスク面間隔が大となったとき
け、光束は同図(b)のようにより集束し、光軸が素子
C,,D、 側に偏しているため焦点信号FはF〉0
となる。反対に対物レンズとディスク面間隔が小となっ
たときは、光束は同図0のようによシ集束性が弱くなシ
、焦点信号FはF〈0となる。
おけば、対物レンズとディスク面間隔が大となったとき
け、光束は同図(b)のようにより集束し、光軸が素子
C,,D、 側に偏しているため焦点信号FはF〉0
となる。反対に対物レンズとディスク面間隔が小となっ
たときは、光束は同図0のようによシ集束性が弱くなシ
、焦点信号FはF〈0となる。
上記の出力信号は第6図に点線で示すようになシ、実線
で示す従来の焦点検出用受光素子90出力に比して感度
は悪いが、噴出範囲をはるかに広くとることが出来ると
いう特徴がある。
で示す従来の焦点検出用受光素子90出力に比して感度
は悪いが、噴出範囲をはるかに広くとることが出来ると
いう特徴がある。
(効果)
上記のこの発明の受光素子1oを従来のトラック検出用
受光素子8の代シに設けると、1 この素子によシ、ト
ラッキングエラー信号は従来のトラック検出用受光素子
と全く同様に行なうことが出来、合焦点附近の焦点検出
は受光素子9で行なうことが出来る。そして、アクセス
時等のように対物レンズとディスク面の間隔が大きく離
れた場合もこの素子1゜によって焦点検出が可能となυ
、高感度の焦点検出と広い範囲の焦点検出との矛盾する
要求を共に満すことが出来る。
受光素子8の代シに設けると、1 この素子によシ、ト
ラッキングエラー信号は従来のトラック検出用受光素子
と全く同様に行なうことが出来、合焦点附近の焦点検出
は受光素子9で行なうことが出来る。そして、アクセス
時等のように対物レンズとディスク面の間隔が大きく離
れた場合もこの素子1゜によって焦点検出が可能となυ
、高感度の焦点検出と広い範囲の焦点検出との矛盾する
要求を共に満すことが出来る。
II 従来のトラック検出用素子8の代シに4分割素
子10を置き換えるだけなので、従来の光ピツクアップ
の構成を大きく変更する必要がない。
子10を置き換えるだけなので、従来の光ピツクアップ
の構成を大きく変更する必要がない。
という効果がある。
なお、上記実施列では4分割素子の受光面積を変えであ
るが、同一の受光面積でもC1とC2、DlとD20感
度又は出力を変えることによっても検出は可能である。
るが、同一の受光面積でもC1とC2、DlとD20感
度又は出力を変えることによっても検出は可能である。
また、トラッキングエラーの検出を兼ねる必要のない場
合は、(C1+D、)、(C2+D2)をそれぞれ1つ
の受光素子とし、2分割された受光素子としてもよいこ
とは云うまでもない。
合は、(C1+D、)、(C2+D2)をそれぞれ1つ
の受光素子とし、2分割された受光素子としてもよいこ
とは云うまでもない。
第1図は光ピツクアップの光学配置図、第2図は第1図
の光学系による焦点検出原理説明図、第3図はトランキ
ング検出原理説明図、第4図は従来の焦点検出装置の焦
点ずれ一信号出力曲線図、第5図はこの発明の焦点検出
原理説明図、第6図はそ■焦点ずれ一信号出力曲線図で
ある。 1:半導体レーザ 3:偏光ビームスプリッタ 4:λ
/4板 5:対物レンズ 6:ディスク 8ニドラツク
検出用受光素子 9:焦点検出用受光素子 10:この
発明のトラック焦点検出用受光素子
の光学系による焦点検出原理説明図、第3図はトランキ
ング検出原理説明図、第4図は従来の焦点検出装置の焦
点ずれ一信号出力曲線図、第5図はこの発明の焦点検出
原理説明図、第6図はそ■焦点ずれ一信号出力曲線図で
ある。 1:半導体レーザ 3:偏光ビームスプリッタ 4:λ
/4板 5:対物レンズ 6:ディスク 8ニドラツク
検出用受光素子 9:焦点検出用受光素子 10:この
発明のトラック焦点検出用受光素子
Claims (1)
- 光記録媒体からの反射光束を対物レンズを介して光ピン
クアンプQ制御信号を得るための受光素子に導く光情報
検出装置において、上記反射光束の集光点を外れた位置
に光束の一部を受ける受光素子を設け、該受光素子は少
々くとも2分割され、上記光束の中心軸が一方の素子上
にあることを叫徴とする光情報検出装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22581482A JPS59116938A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光情報検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22581482A JPS59116938A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光情報検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59116938A true JPS59116938A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16835208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22581482A Pending JPS59116938A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 光情報検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59116938A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62212938A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-18 | Seiko Epson Corp | 焦点位置誤差検出装置 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP22581482A patent/JPS59116938A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62212938A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-18 | Seiko Epson Corp | 焦点位置誤差検出装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02246030A (ja) | 光情報記録再生装置 | |
JPH0690817B2 (ja) | 光ピツクアツプ | |
JPS59116938A (ja) | 光情報検出装置 | |
JP2817452B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JPS63261546A (ja) | 光ピツクアツプ | |
JPH0373425A (ja) | 焦点検出装置 | |
JPH03157821A (ja) | 光ピックアップ | |
JPS6043234A (ja) | 光デイスクヘツドのフオ−カスずれ検出装置 | |
US6396638B1 (en) | Optical pickup device capable of stable tracking | |
JPH05151593A (ja) | 光ピツクアツプ | |
JPS5888842A (ja) | 受光素子 | |
JP3443839B2 (ja) | 光磁気ディスク装置及び誘電体光路部材 | |
JPS63259845A (ja) | 光ピツクアツプ装置 | |
JPH02187929A (ja) | 光学ヘッド | |
KR100711345B1 (ko) | 더블 레이어 수광소자 및 이를 이용한 광픽업장치 | |
JPH0413229A (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
JPH05128583A (ja) | 光ピツクアツプ | |
JPH01241031A (ja) | 光学的情報処理装置 | |
JPH05274684A (ja) | 光学式情報記録再生装置 | |
JPS6223373B2 (ja) | ||
JPH02292736A (ja) | 光ヘッド | |
JPH01251330A (ja) | マルチビーム光ピックアップ | |
JPH0487041A (ja) | 光学ピックアップ装置 | |
JPS61113137A (ja) | 光学ヘツド | |
JPS595441A (ja) | 光学的再生装置 |