JPS63146892A - １６−フエノキシ−および１６−置換フエノキシ−９−ケト−プロスタトリエン酸誘導体製造用新規中間体化合物 - Google Patents
１６−フエノキシ−および１６−置換フエノキシ−９−ケト−プロスタトリエン酸誘導体製造用新規中間体化合物Info
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- JPS63146892A JPS63146892A JP62287189A JP28718987A JPS63146892A JP S63146892 A JPS63146892 A JP S63146892A JP 62287189 A JP62287189 A JP 62287189A JP 28718987 A JP28718987 A JP 28718987A JP S63146892 A JPS63146892 A JP S63146892A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明Ｆｉ１６−フニノキシーおよび１６−ｆ？ｔｍフ
ェノキシ−９−ケトーノロスタトリエン酸銹導体の合成
に有用な新規中間体化合物に関する。これらプロスタト
リエン酸＃導体は米国特許第４．１７８，４５７号ＢＡ
細畳の主題である。１６−フニノキシーおよび１６−を
換フェノキシ−９−ケトーゾロスタトリエン酸銹導体は
抗分泌活性を有するので、これらは哺乳動物における胃
酸分節の抑制剤として役立つ。
ェノキシ−９−ケトーノロスタトリエン酸銹導体の合成
に有用な新規中間体化合物に関する。これらプロスタト
リエン酸＃導体は米国特許第４．１７８，４５７号ＢＡ
細畳の主題である。１６−フニノキシーおよび１６−を
換フェノキシ−９−ケトーゾロスタトリエン酸銹導体は
抗分泌活性を有するので、これらは哺乳動物における胃
酸分節の抑制剤として役立つ。
２）関連技術についての記述
Ｍｕｃｈｏｗｓｋｉの米国待針第５．９８５，７９１号
明細書は、９α、１１α、１５−トリヒドロキシ−１７
，１８，１９，２０−テトラノルプロスタ−４＋ ５
ｔ １５− ｔｒａｎｓ −）リエン酸＋２０１６−フ
ニノキシーおよび１６１６−Ｃ０ｅ またはｐ）−置換
フエノキシ鰐導体およびこれら化合物の多段階製造法の
発明を記載している。Ｍｕｃｈｏｖｒｓｋｉによシ記述
されたこれら化合物はＣ−９およびＣ−１１位にヒドロ
キシル基を含むのでこれらはＰＧＦ’系列に属するよう
に分類される。 。
明細書は、９α、１１α、１５−トリヒドロキシ−１７
，１８，１９，２０−テトラノルプロスタ−４＋ ５
ｔ １５− ｔｒａｎｓ −）リエン酸＋２０１６−フ
ニノキシーおよび１６１６−Ｃ０ｅ またはｐ）−置換
フエノキシ鰐導体およびこれら化合物の多段階製造法の
発明を記載している。Ｍｕｃｈｏｖｒｓｋｉによシ記述
されたこれら化合物はＣ−９およびＣ−１１位にヒドロ
キシル基を含むのでこれらはＰＧＦ’系列に属するよう
に分類される。 。
Ｖａｎ Ｈｏｒｎの米国特許第４，１７８，４５７号明
細書は、（ｄ））−１６−フニノキシーち・よび１６−
置換フェノキシ−９−ケト−プロスタトリエン酸誘導体
およびそれらの製造法に関する説明を記載している。Ｖ
ａｎ Ｈｏｒｎの化合物はＭｕＣｈＯＷｓｋｉの発明に
係る化合物の単なる９−ケト類似体である。
細書は、（ｄ））−１６−フニノキシーち・よび１６−
置換フェノキシ−９−ケト−プロスタトリエン酸誘導体
およびそれらの製造法に関する説明を記載している。Ｖ
ａｎ Ｈｏｒｎの化合物はＭｕＣｈＯＷｓｋｉの発明に
係る化合物の単なる９−ケト類似体である。
Ｖａｎ Ｈｏｒｎの方法はＭｕｃｈｏｗｓｋｉの化合物
の１１αおよび１５水酸基を保護する工程を含む三段階
法でめシ、この保護によシｖａｎ Ｈｏｒｎは９−ヒト
セキシル基を９−ケト基に選択的に酸化することができ
た。その後、Ｖａ２１Ｈｏｒｎは保虐基を除去して発明
化合物をつくった。ＭｕＣｈＯＷ８ｋｉの化合物の９−
ヒドロキシル基を９−ケト基に変換することによｊ）
Ｖａｎ Ｈｏｒｎ ／ｄブロスタグ乏ノンジン誘導体Ｐ
ＧＦと呼ぶ系列からｐＧｇと呼ぶ系列に変換した。
の１１αおよび１５水酸基を保護する工程を含む三段階
法でめシ、この保護によシｖａｎ Ｈｏｒｎは９−ヒト
セキシル基を９−ケト基に選択的に酸化することができ
た。その後、Ｖａ２１Ｈｏｒｎは保虐基を除去して発明
化合物をつくった。ＭｕＣｈＯＷ８ｋｉの化合物の９−
ヒドロキシル基を９−ケト基に変換することによｊ）
Ｖａｎ Ｈｏｒｎ ／ｄブロスタグ乏ノンジン誘導体Ｐ
ＧＦと呼ぶ系列からｐＧｇと呼ぶ系列に変換した。
８ｙｎｔｅｘの欧州＃許発行第０１４６９３５号明［１
６１，１６−フニノキシーおよび１６−［１換フエノキ
ジープａスタトリエン酸エステルの多段階製造法を記載
している。２頁５行目に５ｙｎｔｅｘは上記化合物の製
造法における一対の問題として、Ｃ−１１およびＣ−１
５基を酸化せずにＣ−９ヒドロキシル基を９−ケト官能
基に酸化できるようにＣ−９水酸基を最初選択的に脱保
護し、しかもその後に生ずる分子を劣化させずにＣ−１
１およびＣ−１５０脱保諌を可能にしながら主題化合物
の個々の立体異性体を如何にして′ｙ４製するかという
間融を明らかにしている。
６１，１６−フニノキシーおよび１６−［１換フエノキ
ジープａスタトリエン酸エステルの多段階製造法を記載
している。２頁５行目に５ｙｎｔｅｘは上記化合物の製
造法における一対の問題として、Ｃ−１１およびＣ−１
５基を酸化せずにＣ−９ヒドロキシル基を９−ケト官能
基に酸化できるようにＣ−９水酸基を最初選択的に脱保
護し、しかもその後に生ずる分子を劣化させずにＣ−１
１およびＣ−１５０脱保諌を可能にしながら主題化合物
の個々の立体異性体を如何にして′ｙ４製するかという
間融を明らかにしている。
Ｃ−９ヒドロキシル基の選択的脱保護の問題に対する５
ｙｎｔａｘ Ｃ）解決法は、Ｃ−９ヒドロキシルにはト
リアルキルシリルのような塩基に不安定なエーテル形成
基を用い、そしてＣ−１１とＣ−１５ヒドロキシルには
塩基に安定、そして酸に不安定なエーテル形成基、例え
ばテトラヒドロピラニルを用いることである。
ｙｎｔａｘ Ｃ）解決法は、Ｃ−９ヒドロキシルにはト
リアルキルシリルのような塩基に不安定なエーテル形成
基を用い、そしてＣ−１１とＣ−１５ヒドロキシルには
塩基に安定、そして酸に不安定なエーテル形成基、例え
ばテトラヒドロピラニルを用いることである。
本発明は５ｙｎｔｅｘの発明と次の点で相違する。
即ち、本発明はＣ−９ヒドロキシル基を選択的に酸化す
る必要性を除いている。更に詳しく言えば、本発明は２
−（２−プロピニル）−４−（）リエテルシリルオキシ
）−２−シクロペンテン−１−オン（米国特許第４，５
２９．８１２号明細書）に基づくもので、この化合物は
Ｃ−９位にケト基を既に所有しそしてこのケト基をシク
ロペンチル頂上にエノール形で保有しているので５ｙｎ
ｔｅｘにより記述された選択的保護、脱保護、およびＣ
−９ヒドロキシル基の酸化という工程が避けられる０更
にまた本発明は鎖延長の化学の必要性をなくしているの
で５ｙｎｔｅｘの発明と異なる。更に詳しく言えば、本
発明は欧州特奸発行第０１４６９３５号明細舎Ｌ８７ｎ
ｔｅＸ）の１２頁および１６頁の工程９〜１３の必要性
をなくしている。
る必要性を除いている。更に詳しく言えば、本発明は２
−（２−プロピニル）−４−（）リエテルシリルオキシ
）−２−シクロペンテン−１−オン（米国特許第４，５
２９．８１２号明細書）に基づくもので、この化合物は
Ｃ−９位にケト基を既に所有しそしてこのケト基をシク
ロペンチル頂上にエノール形で保有しているので５ｙｎ
ｔｅｘにより記述された選択的保護、脱保護、およびＣ
−９ヒドロキシル基の酸化という工程が避けられる０更
にまた本発明は鎖延長の化学の必要性をなくしているの
で５ｙｎｔｅｘの発明と異なる。更に詳しく言えば、本
発明は欧州特奸発行第０１４６９３５号明細舎Ｌ８７ｎ
ｔｅＸ）の１２頁および１６頁の工程９〜１３の必要性
をなくしている。
本発明は全体として、既に記述され友方法よりも１６−
フエツキシーおよび１６−１！ｔｍフェノキシー９−ケ
トープロスタトリエン酸訪導体の一層能率的な製造経路
を提供するものである。
フエツキシーおよび１６−１！ｔｍフェノキシー９−ケ
トープロスタトリエン酸訪導体の一層能率的な製造経路
を提供するものである。
発明の要約
本発明は次式：
〔式中、Ｘは水素、１〜６炭嵩原子を有するアルキル基
、−ＯＲ″、−ｓＲ＃、−ＮＲ”２（式中、Ｒ＃は１〜
６炭素原子を有する低級フルキルまた／ｆｉ８ｉＲＩＲ
”Ｒ’（式中、Ｂｌ、 ＨｌｌおよびＲ３は同一かまｔ
は異な）、そして１〜６炭素原子の低級アルキルまたは
フェニルである）を表わす）、Ｃ１、Ｂｒ ＳＦ ％
−ＮＯ２、および−ＣＦ、からなる群から選ばれ、 Ｒは１〜６炭素原子を有する低級アルキルまたはＳλＢ
ＩＲａＢ３ （式中、ＲＡ 、 ＲａおよびＲ３は同一
かまたは異な９、そして１〜６炭素原子の低級アルキル
またはフェニルである）を表わし、Ａはエル−トイオン
トラッピング基、なるべくは８ｉＲＩＲ”Ｒ３（式中、
ＲＡ 、Ｒ２およびＲ３は同一かまたは異なり、そして
１〜６炭素原子のアルキルまたはフェニルである）を表
わし、 ＢおよびＤはエーテル形成基、例えばテトラヒドロピラ
ニル、テトラヒドロフラニル、トリアルキルシリル、ト
リフェニルシリルなど、なるべくはＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３（
式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は同一がまたは異なり、そ
して１〜６炭素原子の低級アルキルまたはフェニルであ
る）を表わす〕を有する新規化合物に関する。
、−ＯＲ″、−ｓＲ＃、−ＮＲ”２（式中、Ｒ＃は１〜
６炭素原子を有する低級フルキルまた／ｆｉ８ｉＲＩＲ
”Ｒ’（式中、Ｂｌ、 ＨｌｌおよびＲ３は同一かまｔ
は異な）、そして１〜６炭素原子の低級アルキルまたは
フェニルである）を表わす）、Ｃ１、Ｂｒ ＳＦ ％
−ＮＯ２、および−ＣＦ、からなる群から選ばれ、 Ｒは１〜６炭素原子を有する低級アルキルまたはＳλＢ
ＩＲａＢ３ （式中、ＲＡ 、 ＲａおよびＲ３は同一
かまたは異な９、そして１〜６炭素原子の低級アルキル
またはフェニルである）を表わし、Ａはエル−トイオン
トラッピング基、なるべくは８ｉＲＩＲ”Ｒ３（式中、
ＲＡ 、Ｒ２およびＲ３は同一かまたは異なり、そして
１〜６炭素原子のアルキルまたはフェニルである）を表
わし、 ＢおよびＤはエーテル形成基、例えばテトラヒドロピラ
ニル、テトラヒドロフラニル、トリアルキルシリル、ト
リフェニルシリルなど、なるべくはＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３（
式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は同一がまたは異なり、そ
して１〜６炭素原子の低級アルキルまたはフェニルであ
る）を表わす〕を有する新規化合物に関する。
本発明化合物は、これらが１６−フエツキシーｂ！び１
６−ｆ換フェノキシ−９−ケトーゾロスタトリエン酸紡
導体の新規製造法における中間化合物となるので有用で
ある。これら後者の化合物は米国特許第４，１７８，４
５７号明細簀記載の抗分泌剤であって、哺乳動物にかけ
るＩ＃液分必の抑制に特に有用である。
６−ｆ換フェノキシ−９−ケトーゾロスタトリエン酸紡
導体の新規製造法における中間化合物となるので有用で
ある。これら後者の化合物は米国特許第４，１７８，４
５７号明細簀記載の抗分泌剤であって、哺乳動物にかけ
るＩ＃液分必の抑制に特に有用である。
本発明は式■、鴇、■およびＸの化合物を包含し、これ
らは１６−７エノキシーおよび１６−置侯フェノキシー
９−ケトープロスタトリエンａｉｍ導体の新規製造法に
おける新規中間体である。本発明化合物はプロスタグラ
ンジン類縁体であるので、説明に用いた番号づけの方式
はブロスタン酸骨格に通用された番号づけの方式に基づ
いている。
らは１６−７エノキシーおよび１６−置侯フェノキシー
９−ケトープロスタトリエンａｉｍ導体の新規製造法に
おける新規中間体である。本発明化合物はプロスタグラ
ンジン類縁体であるので、説明に用いた番号づけの方式
はブロスタン酸骨格に通用された番号づけの方式に基づ
いている。
例えは、ノロスタン酸骨格に用いた番号づけを引用する
と、式ｖ１の化合物のシクロベンテノン壌土のケト基は
、本発明の主題であるプロスタグランジン類縁体に対す
るＣ−９のケト基であるとして説明することになろう。
と、式ｖ１の化合物のシクロベンテノン壌土のケト基は
、本発明の主題であるプロスタグランジン類縁体に対す
るＣ−９のケト基であるとして説明することになろう。
本発明に係る新規化合物は下８ピの反応順序にょ）表わ
される方法によシ侍ることができる。
される方法によシ侍ることができる。
式中、Ｘは水素、１〜６炭素原子を有する低級アルキル
、−〇Ｒ＃、−ｓｆ、 −ＮＲ’、 （式中、「は１〜
６炭素原子を有する低級アルキル港を表わす）、巳、Ｂ
ｒ、 Ｆ、−ＮＯ２、および−ＣＦ３からなる群から選
ばれ、 Ｒは１〜６炭素原子を有する低級アルキルｔ−ｉわし、 ＢおよびＤはテトラヒドロフラニル、テトラヒドロＣシ
ェル、またはトリアルキル−またはトリフェニルシリル
のようなエフチル形成基を表わし、Ａはエル−トイオン
トラッピング基、例えばトリアルキル−、ジアルキルフ
ェニル−、ジフェニルアルキル−、マたハ） ＩＪフェ
ニルシリルを宍わす。
、−〇Ｒ＃、−ｓｆ、 −ＮＲ’、 （式中、「は１〜
６炭素原子を有する低級アルキル港を表わす）、巳、Ｂ
ｒ、 Ｆ、−ＮＯ２、および−ＣＦ３からなる群から選
ばれ、 Ｒは１〜６炭素原子を有する低級アルキルｔ−ｉわし、 ＢおよびＤはテトラヒドロフラニル、テトラヒドロＣシ
ェル、またはトリアルキル−またはトリフェニルシリル
のようなエフチル形成基を表わし、Ａはエル−トイオン
トラッピング基、例えばトリアルキル−、ジアルキルフ
ェニル−、ジフェニルアルキル−、マたハ） ＩＪフェ
ニルシリルを宍わす。
式Ｉによシ弄わされる出発原料は市販されている。この
反応順序において、式Ｉの化合物を室温、低水素圧、例
えｔｉ′５ボンド／平方インチ下、炭素上１０％パラジ
クムを用い一’Ｃ１２，６−シメチルビリジンを含むテ
トラヒドロフランといった溶媒中の水素化により還元す
る。
反応順序において、式Ｉの化合物を室温、低水素圧、例
えｔｉ′５ボンド／平方インチ下、炭素上１０％パラジ
クムを用い一’Ｃ１２，６−シメチルビリジンを含むテ
トラヒドロフランといった溶媒中の水素化により還元す
る。
次に、弐Ｈの化合物を、強塩基、例えばｎ−ブチルリチ
ウムの存在下、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）といった
非プロトン溶媒中、約−２０℃の低温でトリメチルシリ
ルアセチレンで処理することによりアセチレン化する。
ウムの存在下、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）といった
非プロトン溶媒中、約−２０℃の低温でトリメチルシリ
ルアセチレンで処理することによりアセチレン化する。
生じた反応混合物を０６まで温まるままとし、４時間で
反応を完結させる。
反応を完結させる。
最初の式ｌの化合物を水の存在下ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）のような溶媒中フッ化カリワムで室温におい
て約２時間も理し、その後続いて反応混合物をイミダゾ
ール存在下室温においてＤＭＦのような極性溶媒中トリ
アルキルクロロシランまタハトリフェニルクロロシラン
、なるべくハトリエチルクロロシランで一晩処理するこ
とによシ式Ｉのシリルアセチレン化合物を先ずアセチレ
ンのところで脱シリル化し、次にビトロキシのところを
シリル化して式バのシリルオキシ化合物をつくる。
（ＤＭＦ）のような溶媒中フッ化カリワムで室温におい
て約２時間も理し、その後続いて反応混合物をイミダゾ
ール存在下室温においてＤＭＦのような極性溶媒中トリ
アルキルクロロシランまタハトリフェニルクロロシラン
、なるべくハトリエチルクロロシランで一晩処理するこ
とによシ式Ｉのシリルアセチレン化合物を先ずアセチレ
ンのところで脱シリル化し、次にビトロキシのところを
シリル化して式バのシリルオキシ化合物をつくる。
次に式■の化合物を、例えば太陽灯からの紫外＃ｌ存在
下、アルゴンのような不活性雰囲気中温度を室温に保ち
つつ、トリアルキルスタナン、なるべくはトリブチルス
タナンで処理することにょシ遊離基反応でヒトロスタネ
−ジョンする。三重結合への遊離基付加の性質のため、
生ずる式Ｖの化合物はｔｒａｎ８二東結合二本結合うに
なるが、これは天然に生ずるブロスタグ２ンゾン化合物
に、また米国特許第４．１７８．４５７号明細書の化合
物に存在するＣ −１３ｚｒａｎａ二１結合と同様に、
化合物ηのＣ−１３ｚｒａｎｓ二重結合となる。
下、アルゴンのような不活性雰囲気中温度を室温に保ち
つつ、トリアルキルスタナン、なるべくはトリブチルス
タナンで処理することにょシ遊離基反応でヒトロスタネ
−ジョンする。三重結合への遊離基付加の性質のため、
生ずる式Ｖの化合物はｔｒａｎ８二東結合二本結合うに
なるが、これは天然に生ずるブロスタグ２ンゾン化合物
に、また米国特許第４．１７８．４５７号明細書の化合
物に存在するＣ −１３ｚｒａｎａ二１結合と同様に、
化合物ηのＣ−１３ｚｒａｎｓ二重結合となる。
式■の化合物を求核的共役付加によυ式■の化合物の二
ｌ結合に付加させる。式■の化合物をＴＨＦのような非
プロトン溶媒中ｎ−プチルリチヮムといった強塩基と反
応させ、引き続き鋼−１−ペンチンおよびヘキサメチル
リン酸トリアミドと順次反応させることによりキュプレ
ート求核試薬を発生させる。この付加は式Ｖｔの化合物
を反応混合物に滴加すると起こる。生じたエノール形を
保有するため、反応混合物をエル−トイオントラツヒン
グ基、例えばトリアルキルクロロシラン、ジアルキルフ
ェニルクロロシラン、ジフェニルアルキルクロロシラン
、あるいはトリフェニルクロロシラン、なるべくはｔ−
ブチルジメチルクロロシランで処理することによυ式■
のエノールエーテルをつくる。化合物■に関しては、二
重結合に隣接する炭素上のシリルオキシ基が大きいので
二重結合への付加はシリルオキシ基と反対側に起こり二
つのラセメートの混合物を生ずる。しかし、あいまいさ
を避けるために、反応順序には１１α−シリルオキシお
よび１２β−側鎖を有するラセメートだけを示しである
。上記反応順序の中の化合物Ｖｌは米国特許第４．５２
９．８１２号明細書記載の方法でつくられる。
ｌ結合に付加させる。式■の化合物をＴＨＦのような非
プロトン溶媒中ｎ−プチルリチヮムといった強塩基と反
応させ、引き続き鋼−１−ペンチンおよびヘキサメチル
リン酸トリアミドと順次反応させることによりキュプレ
ート求核試薬を発生させる。この付加は式Ｖｔの化合物
を反応混合物に滴加すると起こる。生じたエノール形を
保有するため、反応混合物をエル−トイオントラツヒン
グ基、例えばトリアルキルクロロシラン、ジアルキルフ
ェニルクロロシラン、ジフェニルアルキルクロロシラン
、あるいはトリフェニルクロロシラン、なるべくはｔ−
ブチルジメチルクロロシランで処理することによυ式■
のエノールエーテルをつくる。化合物■に関しては、二
重結合に隣接する炭素上のシリルオキシ基が大きいので
二重結合への付加はシリルオキシ基と反対側に起こり二
つのラセメートの混合物を生ずる。しかし、あいまいさ
を避けるために、反応順序には１１α−シリルオキシお
よび１２β−側鎖を有するラセメートだけを示しである
。上記反応順序の中の化合物Ｖｌは米国特許第４．５２
９．８１２号明細書記載の方法でつくられる。
式■の化合物のアセチレン基は、ＴＨＦのような非プロ
トン溶媒中、−６０℃で、アルゴンといった不活性雰囲
気下、強塩基、例えばｎ−ブチルリチウムで処理するこ
とＫよシ求核試薬に変換される。この結果生じた求核試
薬を、その後引続き低温、なるべくは−６０℃で６−ホ
ルミルプロパン酸メチルと約３０分処理させ式鴇の付加
生成物をつくる。
トン溶媒中、−６０℃で、アルゴンといった不活性雰囲
気下、強塩基、例えばｎ−ブチルリチウムで処理するこ
とＫよシ求核試薬に変換される。この結果生じた求核試
薬を、その後引続き低温、なるべくは−６０℃で６−ホ
ルミルプロパン酸メチルと約３０分処理させ式鴇の付加
生成物をつくる。
別法として、このアセチリド陰イオンを６−ホルミルプ
ロパン酸のトリアルキルシリルエーテル、０ＨＣＣＨ２
ＣＨ２−ＣＯ２Ｒ（式中、Ｒ＝ ＳｉＲ”Ｒ４Ｐ＋”
テあり、Ｈｌ 、Ｒ２、およびＲ３は同一かまたは異な
り、そして１〜６炭素原子の低級アルキルまたはフェニ
ルである）で失活させてもよい。
ロパン酸のトリアルキルシリルエーテル、０ＨＣＣＨ２
ＣＨ２−ＣＯ２Ｒ（式中、Ｒ＝ ＳｉＲ”Ｒ４Ｐ＋”
テあり、Ｈｌ 、Ｒ２、およびＲ３は同一かまたは異な
り、そして１〜６炭素原子の低級アルキルまたはフェニ
ルである）で失活させてもよい。
式鴇の化合物の４−ヒドロキシ基は、最初式Ｖ鳳の化合
物をジエチルエーテルのような不活性溶媒中ＣＣＺ、お
よびトリエチルアミンで不活性雰囲気、例えばアルゴン
下に０℃で処理し、その後続いて生じた反応混合物をへ
キサメチルリン酸トリアミドで０℃において約１．２５
時間処理することによりクロロ基で置換し式■の化合物
をつくる。
物をジエチルエーテルのような不活性溶媒中ＣＣＺ、お
よびトリエチルアミンで不活性雰囲気、例えばアルゴン
下に０℃で処理し、その後続いて生じた反応混合物をへ
キサメチルリン酸トリアミドで０℃において約１．２５
時間処理することによりクロロ基で置換し式■の化合物
をつくる。
式■のクロロアセチレン化合物は、酸触媒、例えば氷酢
酸の存在下、窒素のような不活性雰囲気下、プロトン性
溶媒、例えはエタノール中で、ＬａｍｂｅｒＺ等、 Ｊ
、 Ｏｒｇ、 Ｃｈｅｍ、、 ５６ 、２９４１（１
９７１）の手順に従ってｖ！４製した亜鉛−銅カップル
で約３０分処理することにより式Ｘのアレン化合物に変
換される。
酸の存在下、窒素のような不活性雰囲気下、プロトン性
溶媒、例えはエタノール中で、ＬａｍｂｅｒＺ等、 Ｊ
、 Ｏｒｇ、 Ｃｈｅｍ、、 ５６ 、２９４１（１
９７１）の手順に従ってｖ！４製した亜鉛−銅カップル
で約３０分処理することにより式Ｘのアレン化合物に変
換される。
式Ｘの化合物を三つの異なる位置で同時に脱シリル化し
、生じたエン−９−オールを一段階で９−ケト基に変換
する。これは溶解を促進するためにＴＨＦ中水の存在下
、酢酸のような有機酸によって式Ｘの化合物を一晩かき
まぜながら処理することＫより行なう。ジアステレオマ
ーラセメートからクロマトグラフィー分離後、生じた式
ＸＩの化合物は二つのラセメートの混合物として得られ
、これは米国特許第４，１７８．４５７号明細書の主粗
である。ジアステレオマーの他の対を反応順序の中で式
Ｘ■として懺わしである。
、生じたエン−９−オールを一段階で９−ケト基に変換
する。これは溶解を促進するためにＴＨＦ中水の存在下
、酢酸のような有機酸によって式Ｘの化合物を一晩かき
まぜながら処理することＫより行なう。ジアステレオマ
ーラセメートからクロマトグラフィー分離後、生じた式
ＸＩの化合物は二つのラセメートの混合物として得られ
、これは米国特許第４，１７８．４５７号明細書の主粗
である。ジアステレオマーの他の対を反応順序の中で式
Ｘ■として懺わしである。
光学活性出発原料を利用することにより、この方法を単
一立体異性体のｙＡ＊にも容易に適用できる。東に詳し
く言えば、式Ｖｌのシクロベンテノン化合物および弐■
の側鎖中間体を公知の技術を用いて分割できる。上記反
応順序において適切な異性体を用いることによシ、当業
者は望む立体化学を示す式ＸＩまたはＸＨの化合物を調
製できる。
一立体異性体のｙＡ＊にも容易に適用できる。東に詳し
く言えば、式Ｖｌのシクロベンテノン化合物および弐■
の側鎖中間体を公知の技術を用いて分割できる。上記反
応順序において適切な異性体を用いることによシ、当業
者は望む立体化学を示す式ＸＩまたはＸＨの化合物を調
製できる。
最も好ましい具体例の記述
これら例は説明として示しただけであって不発明を主旨
においても範囲においても制限するものと解釈すべきで
ない。それは材料およ□び方法の多くの変更が本開示か
ら当業者にとって明白となるからである。
においても範囲においても制限するものと解釈すべきで
ない。それは材料およ□び方法の多くの変更が本開示か
ら当業者にとって明白となるからである。
例１
ＴＨＦ １００μ中塩化フエノキシアセチル（９，３，
９）ｔ２．６−シメチルビリジン５．８５９の存在下炭
素担体１０％パラジワム上で、室温および５ボンド／平
方インチ圧において水素化した。生じた溶液を減圧で蒸
発させ、残留物をエーテルに溶かした。残留物を含むエ
ーテルを、ｌ Ｎ ＨＣＪ、Ｈ２Ｏ、希炭酸カリウム浴
液、およびＨ２Ｏで順次洗浄した。有機ＮＡを分離し、
乾燥しくＮａ２５Ｏ４） 、蒸発させてフェノキシアセ
トアルデヒド（ＩＩ） ｋ含有する半固体残留物５．３
９？得、これをそれ以上精製することなく次の工程に直
接使用した。
９）ｔ２．６−シメチルビリジン５．８５９の存在下炭
素担体１０％パラジワム上で、室温および５ボンド／平
方インチ圧において水素化した。生じた溶液を減圧で蒸
発させ、残留物をエーテルに溶かした。残留物を含むエ
ーテルを、ｌ Ｎ ＨＣＪ、Ｈ２Ｏ、希炭酸カリウム浴
液、およびＨ２Ｏで順次洗浄した。有機ＮＡを分離し、
乾燥しくＮａ２５Ｏ４） 、蒸発させてフェノキシアセ
トアルデヒド（ＩＩ） ｋ含有する半固体残留物５．３
９？得、これをそれ以上精製することなく次の工程に直
接使用した。
例２
ＴＨＥ’１１０ＩＩＬｔＫ浴かし一２０℃に冷却したト
リメチルシリルアセチレン７．２９に、ヘキサン中１．
５５Ｍｎ−プチルリテクム４６．２１１１ｊを加えた。
リメチルシリルアセチレン７．２９に、ヘキサン中１．
５５Ｍｎ−プチルリテクム４６．２１１１ｊを加えた。
混合物を１５分間室温まで上がるままとし、再び一２０
℃に冷却し、ＴＨＦ’中フェ中上エノキシアセトアルデ
ヒド） ５．３ ＃を滴加して処理した。滴加終了後、
反応混合物を０°Ｃで４時間かきまぜた。次に反応混合
物をＱ、５ Ｎ ＨＣＪ上エーテル：へキサン（１：１
）混合物の中に注ぎ振盪した。有機層を分離し、Ｈ２Ｏ
で６回洗浄し、乾燥しくＮａ２８０４）、蒸発乾固した
。残留物をシリカゾルカラム上でヘキサン中３０％酢酸
エチルで溶離するクロマトグラフィーを行ない、３．８
．！９の１−フェノキシ−４−トリメチルシリル−３−
ブチン−２−オール（１）を得た。
℃に冷却し、ＴＨＦ’中フェ中上エノキシアセトアルデ
ヒド） ５．３ ＃を滴加して処理した。滴加終了後、
反応混合物を０°Ｃで４時間かきまぜた。次に反応混合
物をＱ、５ Ｎ ＨＣＪ上エーテル：へキサン（１：１
）混合物の中に注ぎ振盪した。有機層を分離し、Ｈ２Ｏ
で６回洗浄し、乾燥しくＮａ２８０４）、蒸発乾固した
。残留物をシリカゾルカラム上でヘキサン中３０％酢酸
エチルで溶離するクロマトグラフィーを行ない、３．８
．！９の１−フェノキシ−４−トリメチルシリル−３−
ブチン−２−オール（１）を得た。
例３
１−フェノキシ−４−トリメチルシリル−３−ブチン−
２−オール（１） ３．８ ｇ、フッ化カリクム３．８
ＩＩ、およびＨ２Ｏ１成をＤ卯３ＯＮ中に含有する混
合物を室温で約２時間かきまぜた。次に、上記混合物を
エーテルで希釈し、Ｈ２Ｏで４回洗浄した。有機層を分
離し、乾燥しくＮａ２ｓｏ４） 、減圧下に蒸発させて
２．７ｙの残留物を得た。残留物全部を２５ＭのＤＭＦ
Ｋ 溶解した中にトリエチルクロロシラン２ｇおよび
イミダゾール１．５Ｉを加えた。
２−オール（１） ３．８ ｇ、フッ化カリクム３．８
ＩＩ、およびＨ２Ｏ１成をＤ卯３ＯＮ中に含有する混
合物を室温で約２時間かきまぜた。次に、上記混合物を
エーテルで希釈し、Ｈ２Ｏで４回洗浄した。有機層を分
離し、乾燥しくＮａ２ｓｏ４） 、減圧下に蒸発させて
２．７ｙの残留物を得た。残留物全部を２５ＭのＤＭＦ
Ｋ 溶解した中にトリエチルクロロシラン２ｇおよび
イミダゾール１．５Ｉを加えた。
反応混合物を室温で一晩かきまぜた。次に、反応混合物
をエーテル：ヘキサン（１：１）で希釈し水で６回洗浄
し、水層から分離し、乾燥しくＮａ２５Ｏ４） 、蒸発
させて残留物を得た。この残留物をへキサン中５％酢酸
エチルで溶離したシリカゲルカラム上でクロマトグラフ
ィーを行ない２．３ｇの２−トリエチルシリルオキシ−
１−フェノキシ−６−ブチン（ＩＶ）をつくった。
をエーテル：ヘキサン（１：１）で希釈し水で６回洗浄
し、水層から分離し、乾燥しくＮａ２５Ｏ４） 、蒸発
させて残留物を得た。この残留物をへキサン中５％酢酸
エチルで溶離したシリカゲルカラム上でクロマトグラフ
ィーを行ない２．３ｇの２−トリエチルシリルオキシ−
１−フェノキシ−６−ブチン（ＩＶ）をつくった。
例４
２− ） ＩＪエテルシリルオキシ−１−７二ノキシー
３−ブテン（ＪＶ） ２．３．９とトリブチルスタナン
２．５２９の混合物をアルゴン下太陽灯で照射しながら
、反応混合物を室温に保つため反応容器を水浴中に保持
しつつ２時間かきまぜた。
３−ブテン（ＪＶ） ２．３．９とトリブチルスタナン
２．５２９の混合物をアルゴン下太陽灯で照射しながら
、反応混合物を室温に保つため反応容器を水浴中に保持
しつつ２時間かきまぜた。
例５
２−）！Ｊエチルシリルオキシー１−７二ノキシー４−
（トリーニーブチルスタニル） −ｚｒａｎｓ −３−
ブテン（Ｖ）を含有する例４からの生成物４．８２．９
を乾燥ＴＨＦ１５ｍｌＫ溶解し、アルビン下−６０℃に
冷却した中にヘキサン中１．５５Ｍｎ−ブチルリチウム
５．７ｄを加えた。３０分後、エーテル約１５Ｉｌｉｊ
中鋼−１−ペンチン１．１５ｇおよびヘキサメチルリン
酸トリアミド２．８２．９の溶液を加えた。１０分後、
エーテル１０成中２−（２−プロ♂ニル）−４−（トリ
エチルシリルオキシ）−２−シクロペンテン−１−オン
（ＶＤ （米国特許第４．５２９．８１２号明細書）１
．７５ｇの溶液を加えた。３０分後、この反応混合物に
ヘキサメチルリン駿トリアミド１７ｄ、およびエーテル
５ａ中１−ブチルジメチルクロロシラン１．３２ｇの溶
液を加え、温度を一２０℃まで上がるままとし、この温
度に約１時間保った。次に、反応混合物をエーテルで希
釈し、Ｑ、５ Ｎ Ｈαで１回、Ｈ２Ｏで３回洗浄した
。有機層を分離し、乾燥しくＮａ２ＳＯ４）、蒸発させ
た。残留物をシリカゲルカラム上でクロマトグラフィー
を行ない、ヘキサン中２．５％酢酸エチルで溶離して下
記の物理特性を有する２−（ｆ口ぎニル）−１ｉｔ−ブ
テルゾメチルシリルオキシ）−３−（４−７二ノキシー
６−トリエチルシリルオキシー１−ブテニル）−１−シ
クロペンテン（Ｖｌｌ） ４．２ ＃を得た。
（トリーニーブチルスタニル） −ｚｒａｎｓ −３−
ブテン（Ｖ）を含有する例４からの生成物４．８２．９
を乾燥ＴＨＦ１５ｍｌＫ溶解し、アルビン下−６０℃に
冷却した中にヘキサン中１．５５Ｍｎ−ブチルリチウム
５．７ｄを加えた。３０分後、エーテル約１５Ｉｌｉｊ
中鋼−１−ペンチン１．１５ｇおよびヘキサメチルリン
酸トリアミド２．８２．９の溶液を加えた。１０分後、
エーテル１０成中２−（２−プロ♂ニル）−４−（トリ
エチルシリルオキシ）−２−シクロペンテン−１−オン
（ＶＤ （米国特許第４．５２９．８１２号明細書）１
．７５ｇの溶液を加えた。３０分後、この反応混合物に
ヘキサメチルリン駿トリアミド１７ｄ、およびエーテル
５ａ中１−ブチルジメチルクロロシラン１．３２ｇの溶
液を加え、温度を一２０℃まで上がるままとし、この温
度に約１時間保った。次に、反応混合物をエーテルで希
釈し、Ｑ、５ Ｎ Ｈαで１回、Ｈ２Ｏで３回洗浄した
。有機層を分離し、乾燥しくＮａ２ＳＯ４）、蒸発させ
た。残留物をシリカゲルカラム上でクロマトグラフィー
を行ない、ヘキサン中２．５％酢酸エチルで溶離して下
記の物理特性を有する２−（ｆ口ぎニル）−１ｉｔ−ブ
テルゾメチルシリルオキシ）−３−（４−７二ノキシー
６−トリエチルシリルオキシー１−ブテニル）−１−シ
クロペンテン（Ｖｌｌ） ４．２ ＃を得た。
ＮＭＲＪＴ、Ｔ。ＤＣｊ３ （８０ＭＨｚ） ： １．
８３ （ｔ、 ０ＥＣ−Ｈ） ；４．０ （ｍ、 Ｃ−
１１） ｐ ５．６ （ｍ、 Ｃ−１３およびＣ−１４） ；７．０
（出、芳香族プロトン）。
８３ （ｔ、 ０ＥＣ−Ｈ） ；４．０ （ｍ、 Ｃ−
１１） ｐ ５．６ （ｍ、 Ｃ−１３およびＣ−１４） ；７．０
（出、芳香族プロトン）。
例６
アルゴン下乾燥ＴＨＦ ８Ｎに溶解し一６０℃に冷却Ｌ
？、＝２−（７’ロ♂ニル）−１−（ｚ−ｉｆルジメテ
ルシリルオキシ）−４−（）リエチルシリルオキシ）−
３−（４−７二ノキシー３−トリエチルシリルオキシ−
１−ブテニル）−１−シクロペンテン（■）６４２〜に
ヘキサン中１．５５Ｍｎ−プチルリチクム０．８３Ｍを
加えた。反応混合物を一２０℃で約６０分かきませ、再
び一６０℃に冷却し、次にＴ）ＩＦ ２１＋１４中６−
ホルミルプロパン酸メチル３４８ｗ９の浴液で処理した
。反応混合物を一６０℃で約６０分かきませ、次にエー
テル、ヘキサンおよび０，５ＮＨｃｚ １ ： １ ：
１混合物中に注いだ。
？、＝２−（７’ロ♂ニル）−１−（ｚ−ｉｆルジメテ
ルシリルオキシ）−４−（）リエチルシリルオキシ）−
３−（４−７二ノキシー３−トリエチルシリルオキシ−
１−ブテニル）−１−シクロペンテン（■）６４２〜に
ヘキサン中１．５５Ｍｎ−プチルリチクム０．８３Ｍを
加えた。反応混合物を一２０℃で約６０分かきませ、再
び一６０℃に冷却し、次にＴ）ＩＦ ２１＋１４中６−
ホルミルプロパン酸メチル３４８ｗ９の浴液で処理した
。反応混合物を一６０℃で約６０分かきませ、次にエー
テル、ヘキサンおよび０，５ＮＨｃｚ １ ： １ ：
１混合物中に注いだ。
有機層を分離し、Ｈ２Ｏで２回洗浄し、乾燥しくＮａ２
５Ｏ４） 、減圧下に蒸発させた。残留物をヘキサ７９
１２％酢酸エチルで溶離したシリカゲルカラム上でクロ
マトグラフィーを行ない、４６２１９の（ｄＪ）−４−
ヒドロキシ−９−ｔ、−ブチルジメチルシリルオキシ−
１１α、１５−ビス−トリエチルシリルオキシ−１６−
フニノキシー１７．１８゜１９．２０−テトラノルプロ
スタ−５−イン−８゜ｉ ３− ｚｒａｎｓ−ジエン酸
メチルエステル（■）を得た。
５Ｏ４） 、減圧下に蒸発させた。残留物をヘキサ７９
１２％酢酸エチルで溶離したシリカゲルカラム上でクロ
マトグラフィーを行ない、４６２１９の（ｄＪ）−４−
ヒドロキシ−９−ｔ、−ブチルジメチルシリルオキシ−
１１α、１５−ビス−トリエチルシリルオキシ−１６−
フニノキシー１７．１８゜１９．２０−テトラノルプロ
スタ−５−イン−８゜ｉ ３− ｚｒａｎｓ−ジエン酸
メチルエステル（■）を得た。
ＣＤＣｊ。
Ｎ′ＭＲ’ＴＭＳ （８０ＭＨｚ） ： ３．
６２ （ｓ、 ０ＣＨ３） ；３．８３ （ａ、ｃ−
１６）； ４．００ （山、ｃ−１１）ｊ ４．４ （ｍ、 Ｃ−４とｃ−１５）。
６２ （ｓ、 ０ＣＨ３） ；３．８３ （ａ、ｃ−
１６）； ４．００ （山、ｃ−１１）ｊ ４．４ （ｍ、 Ｃ−４とｃ−１５）。
例７
ジエチルエーテル８ｄ中（ｄＪ）−４−ヒドロキシ−９
−も−ブチルジメチルシリルオキシ−１１α。
−も−ブチルジメチルシリルオキシ−１１α。
１５−ビス−トリエチルシリルオキシ−１６−フニノキ
シー１７．１８．１９．２０−テトラノルプロスタ−５
−イン−８，ｉ ３− ｚｒａｎｓ−ジエン酸メチルエ
ステル（Ｖｌ） １５５■Ｃ０，２０ミリモル）、トリ
エチルアミン６２■（０，３２ミリモル）、および四塩
化炭素１５５１Ｗ（１，０１ミｌＪモル）の０℃におけ
る溶液に、アルゴン下でかきまぜながらエーテル中へキ
サメチルリン酸トリアミド１０２１０２ｌ１０．６２ミ
リモル〕を１５分にわた９加えた。
シー１７．１８．１９．２０−テトラノルプロスタ−５
−イン−８，ｉ ３− ｚｒａｎｓ−ジエン酸メチルエ
ステル（Ｖｌ） １５５■Ｃ０，２０ミリモル）、トリ
エチルアミン６２■（０，３２ミリモル）、および四塩
化炭素１５５１Ｗ（１，０１ミｌＪモル）の０℃におけ
る溶液に、アルゴン下でかきまぜながらエーテル中へキ
サメチルリン酸トリアミド１０２１０２ｌ１０．６２ミ
リモル〕を１５分にわた９加えた。
かきまぜをアルゴン下０℃で１．２５時間続けたところ
ＴＬＣ（２０％酢酸エテル／ヘキサン）により反応が完
了したことが示された。反応混合物を飽和塩化ナトリク
ム浴液に注ぎ、ジエチルエーテルで６回抽出した。合わ
せたエーテル層を飽和塩化す） ＩＪクム浴液で２回洗
浄し、分離し、Ｎａ２８０４上で乾燥した。有機層を濾
過し、ｍｒＬから溶媒を減圧下で除いた。生じた油を（
Ｖｌｌ）６０＃ｔ−用いた同様な塩素化反応から得た粗
製油と合わせ、シリカゲルカラム上へキサン中酢酸エチ
ルの混合物で溶離したクロマトグラフィーを行ない、下
記物理定数をもつ（ａｌ）−４−クロロ−９−Ｚ−ブチ
ルジメチルシリルオキシ−１１α、１５−ビス−トリエ
チルシリルオキシ−１６−フエツキシー１７゜１８．１
９．２０−テトラノルゾロスター５−イン−８＋ １３
− ｚｒａｎｓ−ジエン酸メチルエステル（ＩＸ）１６
６１Ｒ９を得た。
ＴＬＣ（２０％酢酸エテル／ヘキサン）により反応が完
了したことが示された。反応混合物を飽和塩化ナトリク
ム浴液に注ぎ、ジエチルエーテルで６回抽出した。合わ
せたエーテル層を飽和塩化す） ＩＪクム浴液で２回洗
浄し、分離し、Ｎａ２８０４上で乾燥した。有機層を濾
過し、ｍｒＬから溶媒を減圧下で除いた。生じた油を（
Ｖｌｌ）６０＃ｔ−用いた同様な塩素化反応から得た粗
製油と合わせ、シリカゲルカラム上へキサン中酢酸エチ
ルの混合物で溶離したクロマトグラフィーを行ない、下
記物理定数をもつ（ａｌ）−４−クロロ−９−Ｚ−ブチ
ルジメチルシリルオキシ−１１α、１５−ビス−トリエ
チルシリルオキシ−１６−フエツキシー１７゜１８．１
９．２０−テトラノルゾロスター５−イン−８＋ １３
− ｚｒａｎｓ−ジエン酸メチルエステル（ＩＸ）１６
６１Ｒ９を得た。
０Ｉｘ′”（８０ＭＨｚ） ： ３．６５ （ｓ、 ３
Ｈ，０ＣＨ３） ；ＮＭＲａＴＭＳ ３．８４ （ｄ、２Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ、ｃ−１６） ｊ４
．００ （ｍ、 ＩＨ，Ｃ−１１） ｐ４．５３ （ｍ
、 ２Ｈ，Ｃ−４とｃ−１５） ｚ５．６ （ｍ、
２Ｈ，Ｃ−１３とｃ−１４）。
Ｈ，０ＣＨ３） ；ＮＭＲａＴＭＳ ３．８４ （ｄ、２Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ、ｃ−１６） ｊ４
．００ （ｍ、 ＩＨ，Ｃ−１１） ｐ４．５３ （ｍ
、 ２Ｈ，Ｃ−４とｃ−１５） ｚ５．６ （ｍ、
２Ｈ，Ｃ−１３とｃ−１４）。
例８
無水エタノール７継中（ｄｊｌ） −４−クロロ−９−
１−ブチルジメチルシリルオキシ−１１α、１５−ビス
−トリエチルシリルオキシ−１６−フエツキシー１７．
１８，１９．２０−テトラノルプロスタ−５−イソ−８
＋ １３− ｚｒａｎｓ−ジエン酸メチルエステル（■
） １０１ダ（０，１３ミリそル）の窒素下に室温でか
きませた浴液に、Ｌａｍｂｅｒｚ等。
１−ブチルジメチルシリルオキシ−１１α、１５−ビス
−トリエチルシリルオキシ−１６−フエツキシー１７．
１８，１９．２０−テトラノルプロスタ−５−イソ−８
＋ １３− ｚｒａｎｓ−ジエン酸メチルエステル（■
） １０１ダ（０，１３ミリそル）の窒素下に室温でか
きませた浴液に、Ｌａｍｂｅｒｚ等。
方法によシ調製したＺｎ／Ｃｕカップル１０１１ｖを加
えた。
えた。
氷酢酸４０■を添加するまで還元は起こらなかった。こ
の還元は３０分以内に完了した。反応混合物を濾過し、
溶媒を減圧下に蒸発させ、がム状粗製生成物を得た。こ
のガム状生成物をヘキサンで抽出し、濾過し、真空でス
トリツ♂ングした。
の還元は３０分以内に完了した。反応混合物を濾過し、
溶媒を減圧下に蒸発させ、がム状粗製生成物を得た。こ
のガム状生成物をヘキサンで抽出し、濾過し、真空でス
トリツ♂ングした。
この残留物を、出発原料として（Ｎ） ５８１Ｒ９を用
いた同様な反応からの粗製生成物と合わせた。合わせた
生成物を酢酸エチルとヘキサンとの混合物で溶離したシ
リカゲルカラム上でクロマトグラフィーを行ない、１１
３■の（ｄＡり−９−ｚ−ブチルジメチルシリルオキシ
−１１α、１５−ビス−トリエチルシリルオキシ−１６
−フエツキシー１７゜１８．１９，２０−テトラノルプ
ロスタ−４，５゜８ ＋ １３− ｚｒａｎｓ −ｆ
） ラエン酸メチルエステル（Ｘ）を得た。
いた同様な反応からの粗製生成物と合わせた。合わせた
生成物を酢酸エチルとヘキサンとの混合物で溶離したシ
リカゲルカラム上でクロマトグラフィーを行ない、１１
３■の（ｄＡり−９−ｚ−ブチルジメチルシリルオキシ
−１１α、１５−ビス−トリエチルシリルオキシ−１６
−フエツキシー１７゜１８．１９，２０−テトラノルプ
ロスタ−４，５゜８ ＋ １３− ｚｒａｎｓ −ｆ
） ラエン酸メチルエステル（Ｘ）を得た。
例９
（ｄｉ’） −９−ｚ−ブチルジメチルシリルオキシ−
１１α、１５−ビス−トリエチルシリルオキシ−１６−
フニノキシー１７．１８，１９．２０−テトラノルプロ
スタ−４＊ ５ ＃ ８．１３− ｔｒａｎｓ −テト
ラエン酸メチルエステル（Ｘ） １１３■（０，１５ミ
リモル）と酢酸： ＴＨＦ ： Ｈ２Ｏ（３： １ ：
１ ）とを含む混合物を室温で一晩かきまぜた。反応
混合物は最初不均一であったが、かきませを開始して間
もなく均一になった。−晩かきませた後、すべての溶媒
を真空下で除去した。この残留物を酢酸エチルとヘキサ
ンとの混合物で溶離したシリカゲルカラム上でクロマト
グラフィーを行ない６２■の（ｄＪ）−９−ケト−１１
α、１５−ジヒドロキシ−１６−フニノキシー１７．１
８，１９．２０−テトラノルプロスタ−４、５、１３−
ｚｒａｎｓ −）リエン酸メチルエステル（ＸＩ） を
二つのラセメートの混合物として得た。このものは真正
エンプロスチル（米国特許第４．１７８．４５７号明細
書）と同一で、下記の物理定数を示した。
１１α、１５−ビス−トリエチルシリルオキシ−１６−
フニノキシー１７．１８，１９．２０−テトラノルプロ
スタ−４＊ ５ ＃ ８．１３− ｔｒａｎｓ −テト
ラエン酸メチルエステル（Ｘ） １１３■（０，１５ミ
リモル）と酢酸： ＴＨＦ ： Ｈ２Ｏ（３： １ ：
１ ）とを含む混合物を室温で一晩かきまぜた。反応
混合物は最初不均一であったが、かきませを開始して間
もなく均一になった。−晩かきませた後、すべての溶媒
を真空下で除去した。この残留物を酢酸エチルとヘキサ
ンとの混合物で溶離したシリカゲルカラム上でクロマト
グラフィーを行ない６２■の（ｄＪ）−９−ケト−１１
α、１５−ジヒドロキシ−１６−フニノキシー１７．１
８，１９．２０−テトラノルプロスタ−４、５、１３−
ｚｒａｎｓ −）リエン酸メチルエステル（ＸＩ） を
二つのラセメートの混合物として得た。このものは真正
エンプロスチル（米国特許第４．１７８．４５７号明細
書）と同一で、下記の物理定数を示した。
ＮＭＲ１３Ｃｐｐｍ ： ２１６．３．２１６．２ （
シクロペンタノンのカルボニル）； ２０５．９．２０５．８ （アレン中心炭素）；１７５
．０ （エステルカルボニル）；１６０．２．１３０．
４．１２１．８．１１５．６ （ベンゼン環炭素）；□
ＣＤＣｌ２ ＮＭＲＨａＴＭＳ （２００ＭＨｚ） ： ３
．６２ （ｓ、 ３Ｈ，０ＣＨ３）；３．９４ （ｄ、
２Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ、 ｃ−１６） ｓ４．１２ （ｍ
、ＩＨ，Ｃ−１１） ｓ４．４７ （ｃｎ、 ＩＨ，ｃ
−１５） ｓ５．０９ （ｍ、 ’ｌＨ，アレン）；５
．８ （ｍ、 ２Ｈ，Ｃ−１３とＣ−１４）。
シクロペンタノンのカルボニル）； ２０５．９．２０５．８ （アレン中心炭素）；１７５
．０ （エステルカルボニル）；１６０．２．１３０．
４．１２１．８．１１５．６ （ベンゼン環炭素）；□
ＣＤＣｌ２ ＮＭＲＨａＴＭＳ （２００ＭＨｚ） ： ３
．６２ （ｓ、 ３Ｈ，０ＣＨ３）；３．９４ （ｄ、
２Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ、 ｃ−１６） ｓ４．１２ （ｍ
、ＩＨ，Ｃ−１１） ｓ４．４７ （ｃｎ、 ＩＨ，ｃ
−１５） ｓ５．０９ （ｍ、 ’ｌＨ，アレン）；５
．８ （ｍ、 ２Ｈ，Ｃ−１３とＣ−１４）。
またこの反応で化合物ｘｉ を二つのラセメートの混合
物として得た。このものは下記の物理定数を示した。
物として得た。このものは下記の物理定数を示した。
ＮＭｐ１３ｃ ｐｐｍ ： ２１６．４． ２１６
．５ （シクロペンタノンのカルボニル）； ２０５．９． ２０６．０ （アレン中心炭素）；１７
５．１ （エステルカルボニル）；□ ＣＤＩＩ
Ｊ ３ ＮＭＲＨ’ＴＭＳ （２００ＭＨｚ） ： ３．６
０ （ｓ、 ３Ｈ，０ＣＨ３） ；４．１０ （ｍ、Ｉ
Ｈ，Ｃ−１１） ｙ４．４７ （ｍ、 ＩＨ，ｃ−１
５） ｊ５．１０ （＋１１．２Ｈ，アレン） ；５．
８ （ｍ、 ２Ｈ，Ｃ−１３とＣ’−１４）。
．５ （シクロペンタノンのカルボニル）； ２０５．９． ２０６．０ （アレン中心炭素）；１７
５．１ （エステルカルボニル）；□ ＣＤＩＩ
Ｊ ３ ＮＭＲＨ’ＴＭＳ （２００ＭＨｚ） ： ３．６
０ （ｓ、 ３Ｈ，０ＣＨ３） ；４．１０ （ｍ、Ｉ
Ｈ，Ｃ−１１） ｙ４．４７ （ｍ、 ＩＨ，ｃ−１
５） ｊ５．１０ （＋１１．２Ｈ，アレン） ；５．
８ （ｍ、 ２Ｈ，Ｃ−１３とＣ’−１４）。
Claims (12)
- （１）式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは水素、１〜６炭素原子を有する低級アルキ
ル、−ＯＲ″、−ＳＲ″、−ＮＲ″＿２（式中、Ｒ″は
１〜６炭素原子を有する低級アルキルを表わす）、Ｃｌ
、Ｂｒ、Ｆ、ＮＯ＿２、および−ＣＦ＿３からなる群か
ら選ばれ、ＡはＳｉＲ＾１Ｒ＾２Ｒ＾３を表わし、Ｂお
よびＤは同一かまたは異なり、そしてＳｉＲ＾１Ｒ＾２
Ｒ＾３（式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＲ＾３は同一かま
たは異なりそして１〜６炭素原子の低級アルキルまたは
フエニルである）、テトラヒドロピラニル、およびテト
ラヒドロフラニルからなる群の基である〕で表わされる
ことを特徴とする化合物。 - （２）Ａはｔ−ブチルジメチルシリルであり、Ｂおよび
Ｄはトリエチルシリルである、特許請求の範囲第１項記
載の化合物。 - （３）Ａはｔ−ブチルジメチルシリルであり、Ｂおよび
Ｄはトリエチルシリルであり、Ｘは水素である、特許請
求の範囲第１項記載の化合物。 - （４）式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｘは水素、１〜６炭素原子を有する低級アルキル、−
ＯＲ″、−ＳＲ″、−ＮＲ″＿２（式中、Ｒ″は１〜６
炭素原子を有する低級アルキルを表わす）、Ｃｌ、Ｂｒ
、Ｆ、ＮＯ＿２、および−ＣＦ＿３からなる群から選ば
れ、Ｒは１〜６炭素原子を有する低級アルキルを表わし
、ＡはＳｉＲ＾１Ｒ＾２Ｒ＾３を表わし、ＢおよびＤは
同一かまたは異なり、そしてＳｉＲ＾１Ｒ＾２Ｒ＾３（
式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＲ＾３は同一かまたは異な
り、そして１〜６炭素原子の低級アルキルまたはフエニ
ルである）、テトラヒドロピラニル、およびテトラヒド
ロフラニルからなる群の基である〕を有することを特徴
とする化合物。 - （５）Ａはｔ−ブチルジメチルシリルであり、ＢとＤは
トリエチルシリルである、特許請求の範囲第４項記載の
化合物。 - （６）Ａはｔ−ブチルジメチルシリルであり、ＢとＤは
トリエチルシリルであり、Ｒはメチルである、特許請求
の範囲第４項記載の化合物。 - （７）式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは水素、１〜６炭素原子を有する低級アルキ
ル、−ＯＲ″、−ＳＲ″、−ＮＲ″＿２（式中、Ｒ″は
１〜６炭素原子を有する低級アルキルを表わす）、Ｃｌ
、Ｂｒ、Ｆ、ＮＯ＿２、および−ＣＦ＿３からなる群か
ら選ばれ、Ｒは１〜６炭素原子を有する低級アルキルを
表わし、ＡはＳｉＲ＾１Ｒ＾２Ｒ＾３を表わし、ＢとＤ
は同一かまたは異なり、そしてＳｉＲ＾１Ｒ＾２Ｒ＾３
（式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、およびＲ＾３は同一かまたは
異なり、そして１〜６炭素原子の低級アルキルまたはフ
エニルである）、テトラヒドロピラニル、およびテトラ
ヒドロフラニルからなる群の基である〕を有することを
特徴とする化合物。 - （８）Ａはｔ−ブチルジメチルシリルであり、Ｂおよび
Ｄはトリエチルシリルである、特許請求の範囲第７項記
載の化合物。 - （９）Ａはｔ−ブチルジメチルシリルであり、Ｂおよび
Ｄはトリエチルシリルであり、Ｘは水素であり、Ｒはメ
チルである、特許請求の範囲第７項記載の化合物。 - （１０）式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは水素、１〜６炭素原子を有する低級アルキ
ル、−ＯＲ″、−ＳＲ″、−ＮＲ″＿２（式中、Ｒ″は
１〜６炭素原子を有する低級アルキルを表わす）、Ｃｌ
、Ｂｒ、Ｆ、ＮＯ＿２および−ＣＦ＿３からなる群から
選ばれ、Ｒは１〜６炭素原子を有する低級アルキルを表
わし、ＡはＳｉＲ＾１Ｒ＾２Ｒ＾３を表わし、Ｂおよび
Ｄは同一かまたは異なり、そしてＳｉＲ＾１Ｒ＾２Ｒ＾
３（式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、およびＲ＾３は同一かまた
は異なり、そして１〜６炭素原子の低級アルキルまたは
フエニルである）、テトラヒドロピラニル、およびテト
ラヒドロフラニルからなる群の基である〕を有すること
を特徴とする化合物。 - （１１）Ａはｔ−ブチルジメチルシリルであり、Ｂおよ
びＤはトリエチルシリルである、特許請求の範囲第１０
項記載の生成物。 - （１２）Ａはｔ−ブチルジメチルシリルであり、Ｂおよ
びＤはトリエチルシリルであり、Ｘは水素であり、Ｒは
メチルである、特許請求の範囲第１０項記載の化合物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US930616 | 1986-11-14 | ||
| US06/930,616 US4689419A (en) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | Novel intermediate compounds in a process for producing 16-phenoxy- and 16-substituted phenoxy-9-keto-prostatrienoic acid derivatives |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63146892A true JPS63146892A (ja) | 1988-06-18 |
Family
ID=25459526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62287189A Pending JPS63146892A (ja) | 1986-11-14 | 1987-11-13 | １６−フエノキシ−および１６−置換フエノキシ−９−ケト−プロスタトリエン酸誘導体製造用新規中間体化合物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4689419A (ja) |
| EP (1) | EP0267605A3 (ja) |
| JP (1) | JPS63146892A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5248788A (en) * | 1988-12-13 | 1993-09-28 | Syntex (U.S.A.) Inc. | Process for preparing allenic prostanoic acid derivatives |
| US4916238A (en) * | 1988-12-13 | 1990-04-10 | Syntex (U.S.A.) Inc. | Process for preparing allenic prostanoic acid derivatives |
| EP1810967B1 (en) * | 2006-01-18 | 2014-07-30 | Chirogate International Inc. | Processes and intermediates for the preparations of prostaglandins |
| US7511168B2 (en) | 2006-01-18 | 2009-03-31 | Shih-Yi Wei | Processes and intermediates for the preparations of prostaglandins |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1986
- 1986-11-14 US US06/930,616 patent/US4689419A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-11-12 EP EP87116707A patent/EP0267605A3/en not_active Withdrawn
- 1987-11-13 JP JP62287189A patent/JPS63146892A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0267605A3 (en) | 1990-06-20 |
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| US4689419A (en) | 1987-08-25 |
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