JPS63144437A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPS63144437A
JPS63144437A JP61292238A JP29223886A JPS63144437A JP S63144437 A JPS63144437 A JP S63144437A JP 61292238 A JP61292238 A JP 61292238A JP 29223886 A JP29223886 A JP 29223886A JP S63144437 A JPS63144437 A JP S63144437A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
recording
substrate
end edge
peripheral end
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61292238A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirotoshi Niwa
丹羽 弘敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daicel Corp
Original Assignee
Daicel Chemical Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Daicel Chemical Industries Ltd filed Critical Daicel Chemical Industries Ltd
Priority to JP61292238A priority Critical patent/JPS63144437A/ja
Publication of JPS63144437A publication Critical patent/JPS63144437A/ja
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光磁気ディスク、テープ、カード等のレーザー
ビームを用いて情報を高密度に記録するのに用いられる
光記録媒体に関するものであり、特に、酸化され易いT
e系、 Tb−Fe系等のDRAW 。
E −DRAW記録膜を有する光ディスクに関するもの
である。
(発明の背景) 光記録媒体、特に、光磁気記録方式記録媒体の実用化上
の最大の問題点は記録媒体の耐久性である。すなわち、
上記Te系や希土類−遷移金属のアモルファス合金薄膜
は空気中の酸素、水分によって酸化され易いため、記録
膜の性質が時間の経過とともに変化する。そのため、記
録膜の記碌−再生特性が経時変化し、この変化が許容限
度を超えると、最悪の場合には記録・再生が不可能にな
る。
従って、耐久性に優れた光記録膜の開発が強く望まれて
いる。
上記問題点を解決する、すなわち記録膜の耐久性を向上
させる対策としては2つの方法があり、一つは保護膜を
用いる方法であり、他は記録膜の組成そのものの耐久性
を向上させる方法である。
本発明は前者の場合に属し、丑に、上記保護膜。
記録膜および基板の間の平面的寸法を規定することによ
って記録膜め耐久性を向上させたものである。
(従来技術) 従来、特に光磁気記録媒体の場合には、記録層を保護す
るためには第2図(a) 、 (b)に示すように、基
板1上に内側保護膜2および/またはエンノ・ンス膜3
を介して、または介さずに遷移金属(TM) −希土類
元素(RE)のアモルファス記録膜4が形成され、最外
面に外側保護膜5が形成されている。
この型式の保護膜の欠点は記録膜4の周辺部6すなわち
、円盤状光ディスクの場合には記録膜の放射方向外周お
よび内周端縁部から水分、酸素が侵入する結果、記録膜
の劣化がこれら内外周端縁部から始まり、この劣化は時
間の経過とともに記録膜の主要部にまで及んでいく。さ
らに、この内外周端縁部から酸素原子が比較的自由に侵
入できるだめ、記録膜の主要部の変質が促進される。こ
れは極めて重大な欠点である。
(発明の目的) 本発明の目的は耐久性の面で実用に十分耐え得ると同時
に記録−再生特性に優れた記録媒体を提供することにあ
り、特に、特定平面寸法の保護膜を用いて光磁気記録媒
体の耐久性を向上させることにある。
(発明の構成) 本発明の提供する光記録媒体は基板と、この基板上に形
成されたレーザービームの照射によりて情報が記録され
る記録層と、この記録層の上に形成された保護層とを含
み、その特徴は、上記記録層の周辺端縁が基板の周辺輪
郭より内側に後退しており、上記保護層の周辺端縁が上
記記録層の周辺端縁より外側にある点にある。
上記基板はガラス、セラミ、クス、プラスチック、金属
等任意の材料から作ることができるが、生産性、コスト
等から透明プラスチック、特にポリカーボネートが好ま
しい。
上記記録層は公知任意の光記録材でよいが、本発明の効
果は、特に空気中の酸素、水分等あるいは基板から出る
水分、モノマー等によって酸化され易い光記録材、特に
希土類−遷移金属(RE−TM)アモルファス合金の光
磁気記録層に適用した場合に特に顕著となる。
上記TMとREの組合せは種々研究されており、一般に
TMとしてはFe 、 Co 、 Niが、また、RE
としてはTb g Gd * Dy # Hf g H
oが用いられ、必要に応じて他の成分が添加される。こ
れらを組合せた系の中で垂直磁化膜が得られ且つキュリ
一点温度または補償温度が100〜250℃の最適範囲
内にあり且つカー回転角が大きい組合せとしてTb 、
 Fe 。
GdTbFe 、 GdTbCo 、 TbFeCo等
がある。これら元素の組合せ比率は実験的に求められて
おり、垂直磁化膜は特定の原子チル率でないと得られな
い。
上記のTM−REの垂直磁化アモルファス膜の作成には
スパッタリングや蒸着等の物理的蒸着法を用いることが
できるが、一般には高周波スパッタリングやマグネトロ
ンスパッタリングが用いられている。特に基板としてプ
ラスチック基板を用いた場合には基板の温度上昇を避け
るためにマグネトロンスパッタリングが用いられる。
本発明の特徴は記録層の周辺端縁を基板の周辺輪郭に対
して内側に後退させ、保護層の周辺端部を記録層の上記
周辺端縁に対して外側に存在させた点にある。光ディス
クのように中心孔を有する光記録媒体の場合には上記記
録層の周辺端縁は放射方向内側の内周端縁と外側の外周
端縁があり、本発明ではこれら内外筒周辺端縁を保護層
で完全に被う。また、テープやカード形状の光記録媒体
では一般に上記内周端縁は存在しない。
本発明の保護膜の種類1組成およびその形成方法につい
ては特に限定はなく、公知の全てのものを使用すること
ができる。光磁気記録媒体の場合には特に、本出願人に
よる特開昭60−177449号に記載の無アルカリガ
ラスの保護膜が特に好ましい。この保護膜の組成等につ
いては上記公開公報を参照されたい。
また、エンハンス膜や断熱層、熱吸収層等の公知の追加
の層を本発明と組合せることもできる。
以下、図面を用いて本発明を説明する。
第1図は本発明による光記録媒体の概念的断面図を示し
、基板1上には記録膜4および保護膜5が形成されてい
る。本発明の特徴は上記記録膜の周辺端縁6が基板1の
輪郭7より内側にあり、保護膜5の周辺端縁8が記録膜
4の周辺端縁6より外側にある点にある。元ディスクの
ように中心孔を有する場合には上記の平面的寸法関係が
ディスクの外周部と中心孔の所の両方で満たされている
保護層5の周辺端縁8と記録層4の周辺端縁6との間の
距離D(第1図参照)は少なくとも1 ms好ましくは
3III1m以上あるのが望ましい。
上記構造は記録膜4の形成時に上記距離りに対応する区
域をマスクしておくことによって容易に作ることができ
る。第3図は本発明を光ディスクに適用した場合のマス
ク装置の一実施例を示し、基板1はスフ4ツタリング装
置(図示せず)の基板ホルダー20に2つのマスク兼基
板保持具21゜22によって支持されている。図示した
例では、外周保持具21が枢着ビン24の所に着脱自在
且つ回動自在に支持されたリングによって構成され、こ
のリングは枢着ビン24の反対側で板バネ23等の任意
な固定具によって作業位置に保持される。
中心保持具22は2本の弾性ロッド25によって基板1
の中心孔をマスクした状態で着脱自在に支持されている
作業時には内側保護層2やエンハンス層3を予め形成し
た、または形成しない基板1を上記ホルダー20に上記
マスク兼基板保持具21.22によって取けける。次い
で、常法に従って記録層4をス・やツタ法によって基板
1上に形成する。この際、上記保持具で被われた部分に
は記録層は形成されない。
その後、常法に従って、ス/eツタ法、蒸着法あるいは
塗布法によって上記記録層4の形成されている基板1の
全面に保護層5を形成する。この際には遮蔽部を作らな
いために第4図に示すような基板ホルダーを用いること
ができる。この基板ホルダーは前記枢着ビン24に上記
のホルダー21に代えて取付けられる保持リング31.
32によって構成できる。この保持リング31.32は
その周辺部に形成された溝中に収容された板バネ等の弾
・註保持手段33,34によって基板を放射方向から支
持する。この保持リング31.32を用いて作られる保
護層2,5は基板1の全表面を均一に被覆する。
以上の2種類のホルダー2t、22:31゜32を用い
て作った記録媒体は記録層4の周辺端縁6が保護層5で
完全に被われた第1図の構造となる。
以下、実施例を説明する。
(実施例1) 射出成形によって成形した直径130■、厚さ1、2 
mのポリカーボネート製基板1をスフ9ツタリング装置
(日本真空製)にセットした。この装置は3つまでター
ゲットをセットすることができ、また、ターゲットの真
上には各々マスク板が設けられており、基板にス・e、
夕する面積をコントロールすることが可能である。
保護膜2,5用としてコーニング7059のガラスヲ、
またエンハンス膜3用としてZnSを、TM−RE膜4
用としてTbFeCoの複合ターゲットを各々用いた。
基板1は各々のタービットの真上に静止させたままで、
保護膜2.エンハンス膜3 、 TM−RE膜4.保護
膜5の順に装膜した。
この場合、上記エンハンス膜3とRE−TM膜4の形成
時には第3図に示すマスク兼基板保持具21゜22を使
用し、上記保護膜2.5の形成時にはマスクをしない第
4図に示すホルダー31.32を用いた。なお、マスク
をした距離りは3瓢であったO 得られた記録媒体の膜厚方向の分析をオーノエ電子分光
(AES )により測定した結果、膜構造は第4図に示
すようなものであった。この記録媒体を60℃、90%
RHの恒温恒湿槽内に保持したところ、1000時間経
過してもTM−RE膜の端からの酸化は全く生じなかっ
た。
(比較例1) 実施例1と同様に4層の膜をポリカーボネート製基板上
に成膜した。ただし、基板全面に各々の膜が成膜できる
ように、マスク板は使用しなかった。AESにより測定
した結果、膜構造は第2図−(、)のようなものであっ
た。
この記録媒体を60℃、90 S RHの恒温恒湿槽内
に保持したところ、100時間経過した時点で、既に・
記録膜の端から酸化が始まっていた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による光記録媒体の概念的断面図。 第2図は従来法による光記録媒体の概念的断面図。 第3,4図は本発明の光記録媒体を製造する際に使用す
る2種類のホルダーの概念的断面図。 第5図は本発明の実施例で作られた光記録媒体の概念的
断面図。 (図中符号) 1:基板、4:記録膜、5:保護膜、6,8:周辺端縁
、7:周辺輪郭。 出 願 人   ダイセル化学工業株式会社代  理 
 人   越   場      隆第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)基板と、この基板上に形成されたレーザービームの
    照射によって情報が記録される記録層と、この記録層の
    上に形成された保護層とを含む光記録媒体において、上
    記記録層の周辺端縁が基板の周辺輪郭より内側に後退し
    ており、上記保護層の周辺端縁が上記記録層の周辺端縁
    より外側にあることを特徴とする光記録媒体。 2)上記基板が円板であることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の光記録媒体。 3)上記記録層が光磁気記録材料の薄膜であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1、2項いずれか一項に記載
    の光記録媒体。
JP61292238A 1986-12-08 1986-12-08 光記録媒体 Pending JPS63144437A (ja)

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JP61292238A JPS63144437A (ja) 1986-12-08 1986-12-08 光記録媒体

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JP61292238A JPS63144437A (ja) 1986-12-08 1986-12-08 光記録媒体

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JPS63144437A true JPS63144437A (ja) 1988-06-16

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ID=17779257

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JP61292238A Pending JPS63144437A (ja) 1986-12-08 1986-12-08 光記録媒体

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998021718A1 (fr) * 1996-11-14 1998-05-22 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Moyen d'enregistrement optique d'informations et son procede de fabrication

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6079540A (ja) * 1983-10-06 1985-05-07 C B S Sony Rekoode Kk 光学式記録媒体
JPS6154054A (ja) * 1984-08-23 1986-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平板状情報記録担体

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